氮族元素

摘要： 氮族元素是高中化学的重要内容,与氮族元素相关的习题灵活多变.学生应做好常见问题的归纳,并结合例题掌握具体突破思路.1基础题的突破为了能更好地突破基础题,学生应牢固记忆氮族元素在元素周期表中的具体位置,明确氮族元素构成的常见化合物以及对应元素的化合价.要养成良好的学习习惯,认真阅读课本中的内容,构建系统的基础知识网络,为顺利解题奠定坚实的基础.

摘要： 采用MP2/def2-TZVP理论方法考察了ZH3,ZH+4及ZH4X(Z=N,P,As,Sb,Bi,X=F,Cl,Br,I)的结构与电子性质。结果表明,随着氮族元素原子序数的递增,其氢化物(ZH3)中心原子杂化轨道中s成分减小,p成分逐渐增大,杂化轨道偏离平面的程度依次增大,导致NH3空间构型的最为"平面",而BiH3最为"锥形"。尽管阳离子ZH+4由ZH3中Z的一个不等性sp3杂化轨道提供孤对电子与H+形成,但ZH+4中4个Z-H键等价,Z总体呈现等性sp3杂化。ZH4X均为C3v对称的四面体结构,ZH3与HX之间的作用驱动力来源于离子型的氢键(H3Z…H*-X)而非ZH+4与X-阴阳离子对(ZH+4X-)间的静电作用,H3Z…H*-X内的电子转移主要发生在轨道LP1(Z)与σ*(H*-X)之间。

摘要： 一、氮族元素的特征及性质递变规律氮族元素包括氮、磷、砷、锑、铋等元素,在周期表中位于第ⅤA族。其原子最外层电子数均为5个;元素的最高正价为+5价,最高价氧化物的分子通式为R2O5;N、P、As的负价为-3价,其气态氢化物的分子通式为RH3。从氮到铋随着原子序数的增加,元素的非金属性逐渐减弱,主要表现为:1.单质与H2化合生成气态氢化物越来越难,且氢化物的稳定性逐渐减弱。2.最高价氧化物对应水化物的酸性逐渐减弱。3.单质的氧化性逐渐减弱,还原性逐渐增强。

摘要： 课后作业是课堂教学的延伸,是帮助学生有效巩固、理解、消化知识的重要途径。不同类型的作业对复习巩固知识、发展学生的创造力有着不同的作用,合理有效的作业可以将学生从低效的作业中解脱出来,有利于学生的个性发展。一、综合性作业教材中的课后习题主观题比重较大,对习题的难度区分度不高,教师不妨根据学生的实际情况设计不同层次、梯度的综合性作业。如学习了氮族元素可以设计这样一道作业题:通过本节内容的

摘要： 氮族元素是元素化合物知识构成的重要内容，也是高考考查的热点，其有关计算一直为命题者所“亲睐”．下面就含氮化合物的常见计算类型归类分析如下，供参考．

摘要： 硝酸参与反应的计算,是氮族元素这一章中比较重要的题型,涉及的计算方法有质量守恒、电子守恒、反应后溶液中电荷守衡等,现举例说明。1.确定反应中还原产物的化合价或化学式例:某金属单质跟一定浓度的

摘要： 氮族元素的相关知识一直是高考命题的热点和难点之一，所需拓展的内容较多，但是学生在学习过程中有时会受到思维定势的影响，容易在理解上进入误区，现总结如下。

摘要： 一种过渡族金属元素与氮共掺杂生长金刚石的方法，属于金刚石化学气相沉积技术领域。利用双频射频等离子体化学气相沉积设备进行制备，高频射频源频率范围为10MHz～30MHz，低频射频源频率范围为1MHz～8MHz，高频射频源与低频射频源的频率比为3.39。在气体供给中加入氨气或氮气，将过渡金属粉末或线材置于石墨坩埚中，反应气体为氩气，氢气，甲烷和氨气或氮气，在沉积过程中，通入氨气或氮气，并利用运动机构将坩埚移动到等离子体束流附近，过渡族金属元素原子挥发进入等离子体中，并与其中的氮元素混合，运送到衬底，实现共掺杂金刚石的生长。

摘要： 本发明涉及包括阳离子[Ct]

摘要： 本发明涉及含元素周期表第ⅣB族中金属、氮和氧的化合物材料，这种材料的光学性质和电学性质可以应用小的空隙在宽度的范围内加以调节，而无需改变其化学组成。这材料特别适用作太阳能和发电工业上的选择性辐射转换层。除其它制造方法以外，可用活性蒸发方法将这种材料溶积在衬底上形成薄的涂层。

摘要： 本发明提供一种含有酸与巯基化合物的III‑V族元素的氧化物的去除液、抗氧化液或处理液及使用这些的方法、以及含有酸与巯基化合物的半导体基板的处理液及使用该处理液的半导体基板产品的制造方法。

摘要： 一种过渡族金属元素与氮共掺杂生长金刚石的方法，属于金刚石化学气相沉积技术领域。利用双频射频等离子体化学气相沉积设备进行制备，高频射频源频率范围为10MHz～30MHz，低频射频源频率范围为1MHz～8MHz，高频射频源与低频射频源的频率比为3.39。在气体供给中加入氨气或氮气，将过渡金属粉末或线材置于石墨坩埚中，反应气体为氩气，氢气，甲烷和氨气或氮气，在沉积过程中，通入氨气或氮气，并利用运动机构将坩埚移动到等离子体束流附近，过渡族金属元素原子挥发进入等离子体中，并与其中的氮元素混合，运送到衬底，实现共掺杂金刚石的生长。

摘要： 本发明属于生物医药领域，具体涉及到一种含氧族元素二唑或四氮唑结构的肾型谷氨酰胺酶变构位点的抑制剂，包括该新型具有硒二唑或碲二唑结构特征的谷氨酰酶抑制剂对肿瘤，特别是肝癌和胰腺癌等多种恶性肿瘤的高抑制活性用途；具有硒二唑和碲二唑结构特征的比相应的噻二唑化合物有更好的抗肿瘤活性；药代动力学研究发现硒二唑化合物在肿瘤中更易富集；同时，这些新结构硒二唑和碲二唑化合物靶向肾型谷氨酰胺酶(KGA)变构位点，对KGA有更好的抑制；同时有效抑制线粒体功能，阻断肿瘤能量代谢，是一种广谱低毒的抗肿瘤抑制剂，与现有抗肿瘤药物具有协同效应，联合用药具有很好的治疗效果。

摘要： 本发明涉及包括阳离子[Ct]

摘要： 本发明涉及含元素周期表第IVA族中金属、氮和氧的化合物材料，这种材料的光学性质和电学性质可以应用小的空隙在宽度的范围内加以调节，而无需改变其化学组成。这种材料特别适用作太阳能和发电工业上的选择性辐射转换层。除其它制造方法以外，可用活性蒸发方法将这种材料淀积在衬底上形成薄的涂层。

摘要： 本发明属于二维纳米材料技术领域，具体涉及了一类含氮族元素端基的MXene材料晶体。所述MXene材料晶体的分子表达式为Mn+1XnTx，T包含AaBb，其中A为氮族元素端基中一种或多种，B为非氮族元素端基中的一种或多种，a+b＝1～2，a>0，b≥0，x为端基的化学计量数，x＝1～2。所述的氮族元素端基包括P、As、Sb中的一种或多种。本发明实现了在MXene材料晶体的端基含氮族元素，有效的扩展了MXene材料的结构和元素多样性，通过端基修饰调控其物理、化学性质，从而拓展该类材料的应用范围。

摘要： 薄膜场效应管用MPX做开关半导体，M是至少一种碱金属，P是至少一种氮族元素，X从15到无穷。公开的金属绝缘半导体和金属半导体场效应管中半导体可掺0.5％的镍、铁或铭而不增加导电率也可掺杂0.5-1％以增加导电率。源与漏极下的区域掺杂2-3％以提供良好电接触。绝缘层最好用P