东乡族自治县

摘要： 甘肃省临夏回族自治州东乡族自治县曾是深度贫困县,得益于政府和企业等各界的帮扶和支持,这里已经发生了巨大的变化。

摘要： 每个学生都是一颗独一无二的星星,我应该用爱守护每一颗星,也要尽全力帮助他们,让他们都散发属于自己的光芒。——马东花作为东乡族自治县柳树学区的区长,学区中心校柳树小学的校长、临夏回族自治州人大代表马东花每天都很忙。“不是在学校,就是在去学校的路上”是她每日工作的真实写照。

摘要： 2020年11月2日《福建日报》第5版刊文《“地球的肋骨”上开出希望之花》,报道了厦门湖里区精准帮扶,助力甘肃省临夏回族自治州东乡族自治县蝶变的事迹。

摘要： 3月19日,团临夏州委党支部组织全体党员、入党积极分子开展"牢记嘱托,感恩奋进"党史学习教育主题党日活动,大家沿着习近平总书记考察调研时的足迹走进了东乡县布楞沟村。通过观看东乡族自治县布塄沟发展专题纪录片《牢记总书记的嘱托》,参观村史陈列馆,深刻感受着布塄沟村发生的喜人变化。

摘要： 位于甘肃省临夏州东乡族自治县龙泉镇东北部的荒山村,曾是省定深度贫困村,共有392户1935人,有建档立卡人口176户908人,2020年底已全部脱贫。荒山小学坐落在山岗上,共有在校生44人,其中一到二年级11人,三到六年级33人。这是一群勤奋好学的孩子,虽然条件艰苦,但在他们脸上看不到任何沮丧。他们都有自己的梦想,都在为自己的梦想努力学习。希望更多人看见他们,为他们的健康成长助力。

摘要： 易地扶贫搬迁政策的有效实施和落实是脱贫攻坚道路上的一道难题,经过不懈努力,易地扶贫搬迁政策实施进入了尾声。在“十四五”规划提出的经济社会发展新目标下,有效解决易地扶贫搬迁后续发展成为我国急需破解的重大问题。以东乡族自治县为例,对民族地区易地扶贫搬迁的现状、政策认同感和困难等进行实证研究,分析问题的成因并从法律视角提出相应的建议。

摘要： 通过推进农业产业结构调整,东乡县充分释放产业带贫益贫效益,巩固脱贫成果,从而衔接乡村振兴。"截至目前,东乡县所有农户户均就业两人和有两个以上稳定收入渠道的农户分别达到2.97万户、3.36万户。"甘肃省临夏州东乡族自治县委书记马秀兰说。近年来,东乡族自治县(以下简称"东乡县")紧盯群众增收,探索出一条符合东乡实际、契合群众意愿的产业扶贫路子,有力地带动了贫困群众增收。

摘要： 民族地区精准扶贫是我国当前扶贫工作的主要攻坚目标,此项工作的成效和整体目标能否如期实现是全面建成小康社会的关键.整体而言,民族地区的扶贫脱贫工作取得了举世瞩目的成就,但局部来看仍面临着精准识别不精准、扶贫措施不深入、产业带动力不强、脱贫内生动力不足、致贫原因多而杂等问题.因此,必须充分发挥资源和政策优势,创新扶贫措施,提高扶贫内生动力,加快特色产业发展,建立返贫跟踪管理及预警机制,强化扶贫工作的精准性、实效性及持续性,才能最终实现全面建成小康社会的目标.

摘要： 从甘肃省临夏自治州市区向东北向出发,驱车40多公里,沿着盘山公路行至海拔2000米处,放眼望去,山高坡陡,无数个村镇零零散散分布于这千沟万壑之中,这里便是东乡族自治县。东乡族自治县是全国唯一以东乡族为主体的县,受制于自然地理条件.这里干旱缺水,资源匮乏、交通不畅,更没有产业。

摘要： 一种芳香族聚酯，作为构成单元，其包含：(A)下述式(a)所表示的重复单元、(B)芳香族二羧酸来源的重复单元、(C)选自芳香族二胺及具有羟基的芳香族胺中的芳香族胺来源的重复单元、和(D)芳香族二醇来源的重复单元；相对于(A)至(D)的重复单元的合计，(A)的重复单元的含有率为10摩尔％以上且小于20摩尔％，(B)的重复单元的含有率超过40摩尔％且为45摩尔％以下，(C)的重复单元和(D)的重复单元的合计含有率超过40摩尔％且为45摩尔％以下，(D)的重复单元的含有率超过0摩尔％且小于15摩尔％。‑O‑Ar1‑CO‑ (a)式中，Ar1表示1,4‑亚苯基、2,6‑亚萘基或4,4’‑亚联苯基；Ar1所表示的基团中的至少一个氢原子任选分别独立地被卤素原子、烷基或芳基取代。

摘要： 本发明提供使氮化铬层面内的三棱锥形状的氮化铬微晶所占的面积比率提高的III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法。该III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法的特征在于，其具备：成膜工序，在生长用基底基板上形成铬层；氮化工序，通过在规定的条件下氮化该铬层，从而形成氮化铬层；晶体层生长工序，在该氮化铬层上外延生长至少一层III族氮化物半导体层，其中，前述铬层通过溅射法以溅射粒子射程区域的成膜速度为

摘要： 本发明提供使氮化铬层面内的三棱锥形状的氮化铬微晶所占的面积比率提高的III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法。该III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法的特征在于，其具备：成膜工序，在生长用基底基板上形成铬层；氮化工序，通过在规定的条件下氮化该铬层，从而形成氮化铬层；晶体层生长工序，在该氮化铬层上外延生长至少一层III族氮化物半导体层，其中，前述铬层通过溅射法以溅射粒子射程区域的成膜速度为

摘要： 公开不仅在生长温度为1050°C下或低于1050°C的AlGaN、GaN或GaInN的情况下，而且在生长温度高并且具有高的Al组成的Al

摘要： 本发明提供一种催化活性的降低得以抑制、能高效地制造芳香族烃的芳香族烃制造用催化剂结构体以及具备该芳香族烃制造用催化剂结构体的芳香族烃制造装置。本发明的芳香族烃制造用催化剂结构体的特征在于，具备：多孔质结构的载体，由沸石型化合物构成；以及至少一种催化剂物质，存在于所述载体内，所述载体具有相互连通的通道，所述催化剂物质为金属微粒，存在于所述载体的至少所述通道。

摘要： 一种芳香族聚酯，作为构成单元，其包含：(A)下述式(a)所表示的重复单元、(B)芳香族二羧酸来源的重复单元、(C)选自芳香族二胺及具有羟基的芳香族胺中的芳香族胺来源的重复单元、和(D)芳香族二醇来源的重复单元；相对于(A)至(D)的重复单元的合计，(A)的重复单元的含有率为10摩尔％以上且小于20摩尔％，(B)的重复单元的含有率超过40摩尔％且为45摩尔％以下，(C)的重复单元和(D)的重复单元的合计含有率超过40摩尔％且为45摩尔％以下，(D)的重复单元的含有率超过0摩尔％且小于15摩尔％。‑O‑Ar1‑CO‑ (a)式中，Ar1表示1,4‑亚苯基、2,6‑亚萘基或4,4’‑亚联苯基；Ar1所表示的基团中的至少一个氢原子任选分别独立地被卤素原子、烷基或芳基取代。

摘要： 本发明提供使氮化铬层面内的三棱锥形状的氮化铬微晶所占的面积比率提高的III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法。该III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法的特征在于，其具备：成膜工序，在生长用基底基板上形成铬层；氮化工序，通过在规定的条件下氮化该铬层，从而形成氮化铬层；晶体层生长工序，在该氮化铬层上外延生长至少一层III族氮化物半导体层，其中，前述铬层通过溅射法以溅射粒子射程区域的成膜速度为

摘要： 本发明提供使氮化铬层面内的三棱锥形状的氮化铬微晶所占的面积比率提高的III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法。该III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法的特征在于，其具备：成膜工序，在生长用基底基板上形成铬层；氮化工序，通过在规定的条件下氮化该铬层，从而形成氮化铬层；晶体层生长工序，在该氮化铬层上外延生长至少一层III族氮化物半导体层，其中，前述铬层通过溅射法以溅射粒子射程区域的成膜速度为

摘要： 公开不仅在生长温度为1050°C下或低于1050°C的AlGaN、GaN或GaInN的情况下，而且在生长温度高并且具有高的Al组成的Al

摘要： 提供第III族氮化物半导体用外延基板、第III族氮化物半导体元件和第III族氮化物半导体用自立基板，其产生不仅用于具有1050°C以下生长温度的材料如AlGaN、GaN和GaInN、而且用于具有高生长温度的高铝Al