氢等离子体

摘要： 本文利用真空管式炉和四川大学直线等离子体与材料表面相互作用平台(SCU-PSI),探究了静态高温以及高密度氢等离子体环境下液态锡(Sn)对钨基多孔筛网结构(CPS)的润湿及腐蚀行为.实验结果发现,在静态高温环境下液态Sn润湿钨筛网(4层150目)的阈值温度为950°C,且随着实验温度升高,润湿效果越好.当实验温度达到1050°C时,在钨筛网表面观察到大量SnO_(2)棒状结构.这种棒状结构可能是由于管式炉中存在少量的氧气,在高温作用下Sn和氧气发生反应生成SnO_(2)纳米晶.当液态Sn-CPS结构进一步被离子通量为7.71×10^(22) m^(-2)·s^(-1)和热负荷为54.55kW·m^(-2)的氢等离子体辐照时,钨筛网出现大面积断裂,形成丝状结构;而在没有液态Sn润湿的情况下,钨筛网表面没有出现类似损伤.这可能是在高密度氢等离子体辐照作用下,氢等离子体与SnO_(2)的协同作用加剧了钨筛网的损伤,造成了钨丝硬化断裂.本文的实验结果为未来液态Sn-CPS在聚变装置中的实际应用提供了一定的参考.

摘要： 本文依托四川大学直线等离子体装置(SCU-PSI)产生高通量氢等离子体,采用朗缪尔探针对氢等离子体特性进行诊断,研究了氢等离子体特性随放电电流、气体流量等输入条件的演变规律;并利用调控产生的氢等离子体对纯钨进行了相应的辐照研究.实验结果显示,在磁场0.1～0.2 T、气流量1000～2200 sccm和电流180～228 A范围内,氢等离子体通量密度、热负荷密度及电子密度、温度等参数与磁场和电流呈正相关关系,而与气体流量呈负相关关系.在该范围内,最高等离子体密度达到2.6×1019 m-3,等离子体通量达到8.8×1022 m-2·s-1,热负荷达到6.5×104 W/m2.利用调控产生的等离子体对纯钨样品进行初步辐照实验,结果显示随着入射等离子体特性的不同,样品表面出现不同程度的尺寸和密度不均匀颗粒状辐照损伤结构,并且颗粒尺寸随氢等离子体离子通量的增加而增大.本文结果显示SCU-PSI可以产生理想的氢等离子体环境,因此可以作为未来聚变领域,研究氢等离子体和托卡马克装置面向等离子体材料钨以及相应结构材料相互作用的有效实验装置.

摘要： 太阳是一个巨型氢等离子体球,占整个太阳系质量的99.86%。在太阳表面,视觉上最让人震撼的现象,大概要数太阳龙卷风了,这些磁场异常活动的尺度比地球上的龙卷风大100〜1000倍,甚至有人普观测到高达100000千米的太阳龙卷风。计算结果显示,每时每刻太阳表面都有约11000个太阳龙卷风同时爆发。科学家认为,此类风暴是太阳外层大气的潜在热源,甚至与地球上的极光也有千丝万缕的联系。

摘要： 针对HL-2M偏滤器等离子体对碳材料的侵蚀问题,通过使用直线等离子体装置(SCU-PSI)模拟偏滤器的工况以探究高通量氢等离子体对CX-2002U碳纤维复合材料的侵蚀行为,从而为此材料能否用于HL-2M装置的偏滤器提供依据.在通量恒定(1.48×1023 m-2·s-1)的条件下,通过研究不同辐照时间下氢等离子体对样品的化学侵蚀发现,氢等离子体对样品的侵蚀是一个随时间周期变化的过程.此外,通过在氢气中混入杂质气体探究了杂质对氢等离子体侵蚀样品的影响,并发现氢等离子体中的杂质通过侵蚀沉积在样品表面的碳颗粒以增强其对样品的侵蚀.

摘要： The bulk MoP catalysts with Mo/P mole ratio of 1 were prepared by hydrogen plasma reduction (PR) and temperature-programmed reduction (TPR), respectively. The hydrodenitrogeneration (HDN) performances of the catalysts wre investigated in a fixed bed reactor. The results showed that the catalytic activity of the catalyst MoP-PR prepared by PR was higher than that of the catalyst MoP-TPR prepared by TPR. XRD results revealed that the grain size of MoP-PR is smaller than that of MoP-TPR, which may make its active sites relatively more.%控制n(Mo)(P)=1,分别采用氢等离子体还原法(PR)和程序升温还原法(TPR)制备了体相MoP,并用固定床反应器评价其加氢脱氮性能.实验证明,氢等离子体(PR)还原法制备的催化剂MoP-PR的加氢脱氮活性高于程序升温还原(TPR)法制备的催化剂MoP-TPR. XRD表征结果表明,PR法制备的MoP催化剂的晶粒更小,可能使其活性中心相对较多.

摘要： 以氯化镍(硝酸镍)和次磷酸铵(磷酸氢二铵)(Ni∶P摩尔比为1)为原料,氢等离子体还原法(PR)制备高活性加氢脱硫Ni2P催化剂,新制备的催化剂在移入固定床反应器之前用质量分数10％ H2S/Ar钝化,以保护其结构不被破坏.以质量分数为0.8％的二苯并噻吩(DBT)/十氢萘溶液为模型化合物,考察了不同磷原催化剂的加氢脱硫(HDS)性能.X射线衍射(XRD)对制备的催化剂晶相进行了表征.实验证明,低价态P源制备的Ni2P催化剂(N2P-1-PR)的加氢脱硫(HDS)活性高于高价态P源制备的Ni2P催化剂(N2 P-2-PR).XRD表征结果表明,N2P-1-PR粒度较小,导致其高活性增加.在Ni2P催化剂上,DBT主要通过直接脱硫路径(DDS).%Ni2P highly active hydrodesulfurization (HDS)catalyst was prepared by the hydrogen plasma reduction (PR),in which the precursors containing NiCl2 [Ni(NO3)] and NH4H2PO2 [(NH4) 2HPO4] (Ni∶ P mole ratio of 1) were directly converted to the active phosphide phase.A mixture of 10％ H2S in Ar was used to passivate the freshly synthesized Ni2P to protect their crystal structures before entering fixed bed reactor.The HDS performances of different phosphorus source catalysts were studied using a model fuel containing mass fraction 0.8％ dibenzothiophene in decalin,and the morphologies of the catalysts were characterized by X-ray diffraction (XRD).The catalytic activity was compared Ni2 P with phosphate as raw materials by the hydrogen plasma reduction.The results show that hydrodesulfurization (HDS) activity of the Ni2P catalyst(N2P-1-PR) prepared with low state P source is higher than the Ni2P catalyst(N2P-2-PR) prepared with high state P source.The XRD characterization results reveal that particle size of N2P-1-PR is less than N2P-2-PR,which increases its highly active.The DBT was mainly through the path of DDS desuffurization over the Ni2P catalyst.

摘要： 2016年12月12日,我国自主研制的热核聚变核心部件,率先通过了国际权威机构认证,为国际热核聚变项目立了一大功,并成为新华社权威媒体评选的2016年度十大能源新闻之一。同时,我国可控核聚变试验也制造出了比太阳中心温度还要高的氢等离子体,并且稳定燃烧了一分多钟,创了世界纪录。从人类走进核能大门以来,可控核聚变一直被很多科学家视为能源界一项登峰造极的“神功大法”。这门“武功”究竟有多厉害？目前人类修炼了几成？且听笔者一一道来。

摘要： Two different kinds of reduced graphene oxide was prepared through hydrogen plasma and hydrazine hy-drate reducing graphene oxide. The morphology and structure of reduced graphene oxide was characterized by Transmis-sion Electron Microscope(TEM),X-Ray Powder Diffraction and Raman spectrum. The capacitive performance of reduced graphene oxide was investigated by cyclic voltammetry,galvanostatic charging-discharging and electro-chemical imped-ance spectroscopy. The result shows that Hydrazine hydrate reduction can make the product form favorable three dimen-sional structure,which can enhance the ion transportation ability of graphene. And the degree of reduction is high. Hydro-gen plasma reduction,which needs less time,safe and reliable,can reduce the structure destruction during the reduction process. When the charging-discharging current density is 1 A/g,the specific capacitance of hydrogen plasma reducing graphene oxide can reach 178 F/g,while the specific capacitance of hydrazine hydrate reducing graphene is 119 F/g.%分别通过氢等离子体和水合肼对氧化石墨烯进行还原处理，制成两种不同的还原型氧化石墨烯。采用透射电子显微镜、X射线粉末衍射仪和拉曼光谱对其形貌和结构进行表征。根据循环伏安、恒电流充放电和电化学阻抗谱，并比较在1 mol/L硫酸中的超级电容性能。结果表明，水合肼还原可以形成良好的三维结构，增强石墨烯的离子扩散能力，并且还原程度高。氢等离子体还原耗时少、安全可靠，减少在还原过程中对石墨烯片层结构造成损害。当充放电电流密度为1 A/g时，氢等离子体还原氧化石墨烯的比电容值可以达到178 F/g，而水合肼还原氧化石墨烯比电容值达到了119 F/g。

摘要： 纤锌矿ZnO由于其独特的性质而在光电器件领域具有极大的应用潜力,与未掺杂ZnO相比,氢处理后ZnO呈现出优良的光电性能.本文借助于霍尔、拉曼散射、光致发光及电致发光测试技术,系统研究了氢等离子体处理以及随后的高温退火过程对ZnO薄膜及纳米材料光学及电学性质的影响.

摘要： 本文采用电子回旋共振(ECR)氢等离子体对4H-SiC (0001)表面进行处理,并进一步研究了氢等离子体处理对SiO2/SiC界面态的影响。X射线光电子诺(XPS)表面测试分析结果显示,氢等离子体处理后,表面C/C-H污染物被有效的去除,氧含量明显降低。在此工艺基础上对SiC MOS电容的C-V电学特性测试结果表明,氢等离子体处理能有效降低SiO2/SiC的界面态密度至1.06×1012cm-2 eV-1。

摘要： 某雷达功率组件由于发热量比较大,需要把陶瓷基板和钼铜载体焊接在一起,然后再在陶瓷基板上焊接功率芯片,这样可以大大提高功率组件的散热能力.但是陶瓷基板和金属载体的焊接一直是个世界性的难题.焊接层里的空洞对功率组件的性能会造成严重的不良影响.空洞会增加焊接层的热阻,使得功率组件的散热能力下降,功率芯片长期工作在高温下不仅降低工作可靠性,还降低使用寿命.空洞还会降低焊接层的机械强度,使得焊接层开裂失效.过去的很多方法都不能解决这个问题.现介绍一种氢等离子体再流焊接的方法,用氢等离子体做还原性气氛,然后真空再流焊接,把氢等离子体去氧化和真空再流焊接集成在一个腔体内,不但效果好,而且效率高,是一种值得推荐的方法.

摘要： 本文尝试用氢等离子体来活化铁催化剂,并考察了等离子体态下,费-托合成反应的反应特性,及铁催化剂对等离子体态下反应的影响.

摘要： 该文利用最小Gibbs自由能原理对氢等离子体裂解煤条件下的C-H热力学平衡体系进行了研究。研究表明，在2800-3800K范围内。GH和GH有较高的浓度。如果在此温度范围对系统进行急冷，乙炔可以被保留下来，而官能团GH将继续与H复合反应形成GH。因此乙炔的收率不仅取决与平衡体系中的乙炔含量，而且依赖于官能团GH和H的复合。该文根据计算得到考虑官能团复合对乙炔收率的影响，并选择最佳的C/H比例。

摘要： 在环形稳态磁约束等离子体装置KT-5上发展了2.45GHz的电子回旋共振系统.采用0.98kW的磁控管通过矩形波导传播在真空室中激发氢等离子体,吸收效率40％,等离子体密度达到1016-1017/r3,电子温度最高约30ev.通过对等离子体密度的诊断实验发现电子回旋共振吸收和上杂化吸收都可以有效的产生等离子体.对等离子体密度极限的实验证明了电子回旋共振波可以转化成电子伯恩斯坦波.

摘要： 利用射频磁控溅射方法,在n型(100)Si基底上沉积了氮化硼(BN)薄膜,红外光谱测试表明,所有样品为六角氮化硼(h-BN)结构.经过氢、氧等离子体处理之后,在超高真空系统中测量了BN薄膜的场发射特性.实验结果表明,经过氢等离子体处理后BN薄膜的场发射开启电场明显降低,发射电流明显升高;而氧等离子体处理前后对h-BN薄膜的场发射特性影响不大,只是发射电流略有降低.不同样品的Fowler-Nordheim(F-N)曲线均为直线,表明电子发射是通过隧穿BN表面势垒发射到真空.

摘要： 报道了以粉末状碳纳米管为原料用丝网印刷法制备图形化的碳纳米管阴极的技术.采用热处理和氢等离子体表面处理方法提高了丝网印刷法制备的碳纳米管阴极的场发射性能,处理后阴极的阈值场强从4V/μm降到~1V/μm,场发射电流密度在4.5V/μm时达到了2.53mA/cm,发射点密度从~10/cm增加到~10/cm.在此基础上,成功地设计和封装了三极管结构的三色高亮度碳纳米管场发射灯器件.

摘要： 采用射频等离子体增强化学气相沉积方法制备了硼掺杂的系列硅薄膜。采用拉曼光谱表征了薄膜的晶化。随着氢等离子对衬底处理时间的增加，薄膜的晶化率表现出先增加再减小的趋势。椭圆偏振光谱方法是一种无损伤高精度的测量薄膜的手段，通过拟合椭圆偏振光谱得到薄膜的总厚度，表面粗糙层厚度，体内空洞率，介电函数的虚部，以及薄膜的光学特性。分析表明薄膜的表面粗糙层厚度和薄膜的总厚度有相似的变化趋势。拟合得到的体层空洞率与介电函数虚部的振幅呈现相反的变化规律。薄膜的折射率n和消光系数k在高能量部分与介电函数虚部振幅有相同的变化趋势。主要是因为薄膜的光学特性取决于薄膜中的Si，H以及微空洞的含量。

摘要： 采用射频等离子体增强化学气相沉积方法制备了硼掺杂的系列硅薄膜。采用拉曼光谱表征了薄膜的晶化。随着氢等离子对衬底处理时间的增加，薄膜的晶化率表现出先增加再减小的趋势。椭圆偏振光谱方法是一种无损伤高精度的测量薄膜的手段，通过拟合椭圆偏振光谱得到薄膜的总厚度，表面粗糙层厚度，体内空洞率，介电函数的虚部，以及薄膜的光学特性。分析表明薄膜的表面粗糙层厚度和薄膜的总厚度有相似的变化趋势。拟合得到的体层空洞率与介电函数虚部的振幅呈现相反的变化规律。薄膜的折射率n和消光系数k在高能量部分与介电函数虚部振幅有相同的变化趋势。主要是因为薄膜的光学特性取决于薄膜中的Si，H以及微空洞的含量。

摘要： 一种等离子体蚀刻方法，包括：第1工序，在惰性气体的等离子体、即第1等离子体(PL1)中将基板(S)吸附于单极式静电卡盘(15)上之后，停止生成第1等离子体；和第2工序，在卤素类蚀刻气体的等离子体、即第2等离子体(PL2)中对基板(S)进行了蚀刻之后，停止生成第2等离子体。然后，在第1工序中，在从单极式静电卡盘(15)向基板(S)施加了正电压的状态下停止生成第1等离子体(PL1)，在第2工序中，在从单极式静电卡盘(15)向基板(S)施加了负电压的状态下停止生成第2等离子体(PL2)。

摘要： 在用氧化铝、稀土族氧化物、聚酰亚胺或聚苯并咪唑中任一种喷镀膜覆盖基材表面的等离子体处理容器内部部件的、随着在等离子体中使用而劣化的喷镀膜上，再喷镀与上述喷镀膜同样的材料。由此，能够使因在等离子体中的使用而表面产生劣化的等离子体处理容器再生得如同新品一样。

摘要： 这里所公开的是一种用于在等离子体室中生成等离子体的等离子体室设置方法。制备多个等离子体线圈，包括第一等离子体源线圈、第二等离子体源线圈和第三等离子体源线圈，该第二等离子体源线圈在其中心部分具有高于第一等离子体源线圈蚀刻速率的蚀刻速率，该第三等离子体源线圈在其边缘部分具有高于第一等离子体源线圈蚀刻速率的蚀刻速率。将第一等离子体源线圈设置在等离子体室上，并蚀刻测试芯片。对测试芯片的每个位置的蚀刻速率进行分析，并基于分析结果利用第二等离子体源线圈或第三等离子体源线圈代替第一等离子体源线圈。

摘要： 本发明涉及平面型等离子体诊断装置，其特征在于，包括：发送天线，用于向等离子体施加频率可变的微波；接收天线，用于从上述等离子体接收上述微波；以及本体部，以相互绝缘的方式包围上述发送天线与上述接收天线，上述发送天线的用于施加微波的上部面与上述接收天线的用于接收微波的上部面为平面型，上述发送天线与上述接收天线的上述上部面的侧面相互相向。

摘要： 一种等离子体蚀刻方法，包括：第1工序，在惰性气体的等离子体、即第1等离子体(PL1)中将基板(S)吸附于单极式静电卡盘(15)上之后，停止生成第1等离子体；和第2工序，在卤素类蚀刻气体的等离子体、即第2等离子体(PL2)中对基板(S)进行了蚀刻之后，停止生成第2等离子体。然后，在第1工序中，在从单极式静电卡盘(15)向基板(S)施加了正电压的状态下停止生成第1等离子体(PL1)，在第2工序中，在从单极式静电卡盘(15)向基板(S)施加了负电压的状态下停止生成第2等离子体(PL2)。

摘要： 本发明的目的在于提供使利用转动等离子体进行的等离子体处理稳定且可以控制、并可以提高等离子体处理质量的等离子体流生成方法、等离子体处理方法、等离子体发生装置和使用它的等离子体处理装置。4个象限（Z1～Z4）中的各频率被设定为7、15、6、20Hz。利用该频率可变，可以使被分割成4个的转动角区域中的等离子体的转动速度不同。由于等离子体（P2、P4）的周向转动速度比等离子体（P1、P3）快，所以可以照射边描绘圆轨道（C）边从等离子体（P1）到（P2）、（P3）、（PB4）周期性变速转动的转动等离子体，可以在第一象限（Z1）～第四象限（Z4）中实施均匀的成膜处理。

摘要： 等离子体处理装置(11)具有：从排气孔(13)向下方侧延伸的第一排气路(15)；与第一排气路(15)的排气方向的下游侧端部连接，在与第一排气路(15)垂直的方向上延伸，在相对于排气方向正交的断面上是宽度方向比上下方向长的横长断面形状的第二排气路(16)；与第二排气路(16)的排气方向的下游侧端部连接，在与第二排气路(16)垂直的方向上延伸的第三排气路(17)；与第三排气路(17)的排气方向的下游侧端部连接，对处理容器(12)内减压的泵(18)；设置在第二排气路(16)内，具有能够封闭第二排气路(16)，且对排气方向的上游侧与下游侧之间的压力进行调整的压力调整用阀板(20)的压力调整阀(21)；设置在第三排气路(17)内，具有进行第三排气路(17)的开闭的关闭阀板(22)的关闭阀(23)。

摘要： 在用氧化铝、稀土族氧化物、聚酰亚胺或聚苯并咪唑中任一种喷镀膜覆盖基材表面的等离子体处理容器内部部件的、随着在等离子体中使用而劣化的喷镀膜上，再喷镀与上述喷镀膜同样的材料。由此，能够使因在等离子体中的使用而表面产生劣化的等离子体处理容器再生得如同新品一样。

摘要： 本发明提供一种抑制了使用初期的微粒产生和其后的碎屑产生的等离子体处理装置用石英部件的加工方法、等离子体处理装置用石英部件和安装有该石英部件的等离子体处理装置。利用例如粒度为320～400#的磨料进行表面加工，除去在进行金刚石研磨以后在用作屏蔽环和聚焦环等的等离子体处理装置用石英部件151上产生的许多裂纹155。然后，再用小粒径的磨料进行表面加工，在维持能够附着并保持堆积物的凹凸的同时，去除破碎层163。

摘要： 根据本发明实施例的等离子体发生器设置为通过防止等离子体到电弧的转变以近大气压的压力产生高密度和稳定的等离子体。该等离子体发生器包括用于设置基板的板状下电极；以及在板状下电极上的圆柱旋转电极，其中圆柱旋转电极包括导电主体和绝缘屏蔽层，导电主体连接到电源且包括在导电主体的外圆周表面上的多个毛细管单元；绝缘屏蔽层由绝缘材料或电介质材料制成，暴露多个毛细管单元的下表面，并且屏蔽其它部分。