正向电压

摘要： 一、发光二极管的发光原理发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物,如GaAs(砷化镓)、GaP(磷化镓)、GaAsP(磷砷化镓)等半导体制成的,其核心是P-N结。因此它具有一般P-N结的特性,即正向导通,反向截止、击穿特性。此外,在一定条件下,它还具有发光特性。在正向电压下.电子由N区注入P区,空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子(少子)一部分与多数载流子(多子)复合而发光。假设发光是在P区中发生的,那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光,或者先被发光中心捕获后,再与空穴复合发光。

摘要： 给出了弗兰克-赫兹管的导通电压及波谷处加速电压的表达式,并且讨论了灯丝电压、正向电压及减速电压对实验曲线的影响.通过分析实验曲线及数据得出最佳实验参量为:灯丝电压2.8V,正向电压1.6V,减速电压8.0V.在最佳参量下测得氩原子第一亚稳态的激发电位为11.59 V.

摘要： 基于大功率LED结温测量方法,研究被测LED器件注入方波电流脉冲过程中电流幅度与工作流量之间的比值.发现实际额定电流与冲脉电流比值相同.通过直接测量LED在额定工作电流下的正向结电压,并辅助温度敏感系数,就能够测得LED的结温.

摘要： 一、''五''——弄清五个概念1.光子及光子的能量(1)光子是指在空间传播的光束能量的最小单位,它是不可分割的一份能量(即能量是不连续的),光子不带电,是微观领域中一种只含有能量的粒子。

摘要： 为进一步提高铝合金表面黑色氧化膜的耐蚀性及装饰性,利用微弧氧化技术在LY12铝合金表面制备黑色陶瓷膜。在Na2SiO3-Na3PO4-NaOH组成的基础电解液中,依次加入主着色剂NH4VO3,辅助着色剂Na2WO4、KMnO4、Cu(CH3COO)2对LY12铝合金进行微弧氧化,研究正向电压、氧化时间对膜层颜色、粗糙度、厚度、附着力的影响。采用扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDS)、X射线衍射仪(XRD)对微弧氧化膜层的表面及截面形貌,元素组成及物相进行分析。结果表明:在一定的微弧氧化工艺参数下,Na2SiO3-Na3PO4-NaOH基础电解液中制备的膜层呈白色;加入NH4VO3、Na2WO4、KMnO4、Cu(CH3COO)2后,得到了均匀的黑色微弧氧化膜;随着正向电压的增加,膜层黑色加深,粗糙度、厚度均增加,附着力先增加后减小;随着氧化时间的增加,膜层黑色加深,粗糙度先增加后减小而后又增加,厚度增加,附着力先增加后减小;黑色微弧氧化膜主要元素为Al、O、Si、V、Mn、Na、P、K、Cu,主要组成相为Al和Al2O3;黑色微弧氧化膜的腐蚀电流密度约为基体的1/2,腐蚀电位较基体的增加了0.2 V,提高了LY12铝合金的耐腐蚀性能。

摘要： 在偏铝酸钠-氢氧化钠-EDTA混合溶液中,采用恒压模式对氢化锆表面进行微弧氧化处理.借助场发射扫描电镜(FE-SEM)、X射线衍射仪(XRD)及真空脱氢实验,研究了不同正向电压(350~425 V)对微弧氧化膜层表面、截面、相结构及阻氢渗透性能的影响.分析结果表明:微弧氧化过程大致由阳极氧化、火花放电、微弧氧化和熄弧四个阶段组成.制备的膜层分为致密层和疏松层,致密层所占比例约为80%.随着正向电压的增大,晶粒尺寸增大,晶面间距减小,氢化锆表面微弧氧化膜层厚度由122μm增加至150μm,膜层的增长速度也随正向电压的增大而加快.但正向电压的改变对膜层的相结构并无显著影响,膜层由单斜相氧化锆和四方相氧化锆组成,当正向氧化电压为400 V时,氧化膜的PRF值达到最大值20.

摘要： ZAlSi12因为含Si量高,其微弧氧化过程不同于其它铸造铝合金.铸铝合金中Si的存在不利于在其表面进行微氧化。因此,研究正向电压、氧化时间对ZAlSi12微弧氧化陶瓷层特性的影响规律,对于获得良好的陶瓷表面层有着重要的意义。研究了不同的正向电压及氧化时间对ZAlSi12微弧氧化陶瓷层厚度的影响规律,并对膜层进行了磨损试验。采用XRD分析陶瓷层的相组成。研究结果显示,电压为440V/120V时,陶瓷层性能最佳,膜层厚度达169μm.氧化时间为0～48 min时,膜层生长速度快,超过48min后,生长缓慢.因此,适宜的氧化时间为48min.

摘要： 温度的变化对于LED的性能有很大影响。在低温环境下，LED的光强要比在室温条件下高很多，但低温导致正向电压升高，波长会发生蓝移等。重点对新型功率蓝光LED及白光LED进行了高低温特性的研究，温度范围达到-30°C～100°C，分析了两种新型LED在不同温度环境下的正向电压，相对光强、波长、色温等重要参数随温度的变化，以及这些变化对实际应用的影响。通过对比发现白光LED的部分光参数随温度的变化不仅与GaN芯片有关，同时受到荧光粉的影响。 低温环境下，要考虑LED的正向电压升高和峰值波长蓝移对应用的影响;而高温条件下，要考虑光功率降低和峰值波长红移对应用的影响。

摘要： 铝合金中Si的存在对微弧氧化放电过程有不利影响,ZAlSi12中Si含量较高,其微弧氧化过程的基本规律不同于其它铸造铝合金。因此,研究电压、氧化时间对于ZAlSi12合金表面微弧氧化过程的影响规律,对于获得良好的陶瓷表面层具有重要意义。通过对ZAlSi12微弧氧化采取不同的电压及氧化时间来研究这两种因素对陶瓷层厚度的影响规律。采用XRD进行分析陶瓷层的相组成。研究结果显示,电压为440V/120V时,陶瓷层性能最佳,膜层厚度达到169μm;综合考虑能耗与实际应用因素,氧化时间采用48min。

摘要： 本发明公开了一种设置在第一导电类型的半导体衬底上的瞬态电压抑制器(TVS)。这种瞬态电压抑制器(TVS)包括一个设置并包围在第一导电类型的所述的外延层中的第二导电类型的掩埋掺杂区，其中掩埋掺杂区横向延伸，并具有一个延伸底部结区，与外延层下半部分互相连接，也就构成了所述的瞬态电压抑制器(TVS)的稳压二极管；这种瞬态电压抑制器(TVS)还包括一个在掩埋掺杂区上方的区域，此区域包括一个第二导电类型的顶部掺杂层，以及一个第二导电类型的顶部接触区，它们与外延层和掩埋掺杂区相结合，形成多个互相连接的PN结，构成了一个半导体可控整流器(SCR)，作为一个控向二极管，与稳压二极管一起作用，以便抑制瞬态电压。

摘要： 本发明提供了一种降低正向开启电压的肖特基二极管，包括阴极金属层、N型硅衬底、N‑硅外延层、阳极金属层、二氧化硅钝化层；所述阳极金属层下端依次设有n个沟槽，n为大于等于3的奇数；第(n+1)/2个所述沟槽与所述N型硅衬底之间形成的压降大于其余的所述沟槽与所述N型硅衬底之间形成的压降；第1个所述沟槽至第(n+1)/2沟槽沿水平面方向的投影面积逐渐减小，第(n+1)/2个所述沟槽至第n个所述沟槽沿水平面方向的投影面积逐渐增大。本发明提供一种降低正向开启电压的肖特基二极管，能够解决普通肖特基二极管出现的反向漏电电流大、正向击穿电压大问题。

摘要： 本发明实施例公开了一种芯片输出管脚过压及反接保护电路及方法，当芯片输出管脚电压位于电源端VDD与电线接地端GND之间，正向过压保护电路及反向电压保护电路均不工作，芯片处于正常工作状态，此时输出管脚上若有静电释放现象发生，将由ESD保护电路将电流导至电线接地端GND，从而保护内部电路；当芯片输出管脚电压被拉高于正常电压范围时，正向过压保护电路开始工作置于高阻状态，从而避免过高电压损坏芯片内部电路；当芯片输出管脚电压被拉低时，反向电压保护电路开始工作置于高阻状态，从而保护芯片内部电路。本发明实现芯片输出管脚电压过高或反接时对芯片内部电路的保护，正常工作时仅增加几微安的电流，功耗低。

摘要： 本发明公开了一种设置在第一导电类型的半导体衬底上的瞬态电压抑制器(TVS)。这种瞬态电压抑制器(TVS)包括一个设置并包围在第一导电类型的所述的外延层中的第二导电类型的掩埋掺杂区，其中掩埋掺杂区横向延伸，并具有一个延伸底部结区，与外延层下半部分互相连接，也就构成了所述的瞬态电压抑制器(TVS)的稳压二极管；这种瞬态电压抑制器(TVS)还包括一个在掩埋掺杂区上方的区域，此区域包括一个第二导电类型的顶部掺杂层，以及一个第二导电类型的顶部接触区，它们与外延层和掩埋掺杂区相结合，形成多个互相连接的PN结，构成了一个半导体可控整流器(SCR)，作为一个控向二极管，与稳压二极管一起作用，以便抑制瞬态电压。

摘要： 本发明揭示了一种制作于第一导电类型基片之上的萧特基器件。该器件包括用于降低正向势垒高度而设计的第一导电类型的第一扩散区。该器件进一步包括和第一扩散区相毗邻的用于减小器件反向漏电流而设计的第二导电类型的第二扩散区。

摘要： 一种低正向电压降的瞬态电压抑制器利用了在单个集成电路器件中与高反向额定电压的肖特基整流器并联电连接的低反向额定电压的PN二极管。该瞬态电压抑制器在理想情况下适于解决PN二极管的高正向电压降以及肖特基整流器的低反向击穿的高泄漏的问题。可以通过诸如1)双外延层(浓度较高的外延层位于底部)或2)通过压缩基区实现的PN二极管的击穿设计的方法来制造低反向电压的PN整流器。

摘要： 非接触式测量p-n结的一或多个电响应特性包含：用第一强度的光照明所述p-n结的表面，所述第一强度的光具有足以建立所述p-n结的结光电压JPV的稳态条件的调制或脉冲式特性；测量来自所述照明区域内的所述p-n结的第一JPV；用额外强度的光照明所述p-n结的所述表面；测量来自所述照明区域内的所述p-n结的所述部分的额外光电压；确定所述第一强度下所述p-n结的光电流密度。所述非接触式测量进一步包含用所述p-n结的所述经测量第一光电压、所述经测量额外光电压及/或所述经确定光电流密度确定正向电压、饱和电流密度、理想因子或一或多个I-V曲线。

摘要： 一种低正向电压降的瞬态电压抑制器利用了在单个集成电路器件中与高反向额定电压的肖特基整流器并联电连接的低反向额定电压的PN二极管。该瞬态电压抑制器在理想情况下适于解决PN二极管的高正向电压降以及肖特基整流器的低反向击穿的高泄漏的问题。可以通过诸如1)双外延层(浓度较高的外延层位于底部)或2)通过压缩基区实现的PN二极管的击穿设计的方法来制造低反向电压的PN整流器。

摘要： 本发明公开了一种用于测量氧饱和度的装置，该装置包括电路系统，该电路系统被配置为在施加第一电流时，测量跨第一发光二极管的阳极和第一发光二极管的阴极的第一正向电压，并且在施加第二电流时，测量跨第二发光二极管的阳极和第二发光二极管的阴极的第二正向电压。该电路系统被进一步配置为基于该第一正向电压和该第二正向电压的比较来确定测量的正向电压的差值，并且基于校准的正向电压的差值和所测量的正向电压的差值来确定该第一发光二极管和该第二发光二极管是有效的。响应于该第一发光二极管和该第二发光二极管是有效的确定，该电路系统被配置为确定氧饱和水平。

摘要： 本实用新型公开了一种组合式低正向电压芯片。包括芯片本体，芯片本体位于外壳内底部一侧，外壳底部一侧设置有安装口，外壳内设置有闭合机构，闭合机构包括摇杆、第一活动杆、第二活动杆和安装板，外壳外壁一侧设置有卡孔，外壳内壁两侧均固定安装有安装板，安装板一侧均设置有滑槽，滑槽内均安装有活动支架，活动支架一端向外延伸并固定连接有顶盖，活动支架靠近卡孔一侧活动连接有第一活动杆，第一活动杆另一端活动安装有第二活动杆,第二活动杆另一端固定连接有摇杆，摇杆另一端固定连接有贯穿外壳外壁向外延伸并固定连接有摇把。本实用新型，具备方便开启维修处理和具有稳定固定的优点，解决了背景技术中提出的问题。