不良文化

摘要： 战后日本社会兴起的"不良"文化在近二十年来的衰弱之势不言而喻,而"不良"风格的人物角色、形象要素以及"不良"主题逐渐渗透到日本文学及其他形式的艺术作品中.以作者个人经历为基础创作的自传性"不良"文学作品和其他"不良"主题的文学作品中充斥着内心情感的自我暴露和自白,因此明显地带有私小说性质.作为一种亚文化的"不良"文学在与主流文学相抗衡时,因始终带有"下位"标签而其文学性几乎从未得到正视,但是固化的"不良"视觉要素使"不良"文学逆"不良"文化式微趋势而得以存续.当今网络文化盛行和图像时代趋势下,"不良"文学的时代意义值得重新思考.

摘要： 战后日本社会兴起的"不良"文化在近二十年来的衰弱之势不言而喻,而"不良"风格的人物角色、形象要素以及"不良"主题逐渐渗透到日本文学及其他形式的艺术作品中。以作者个人经历为基础创作的自传性"不良"文学作品和其他"不良"主题的文学作品中充斥着内心情感的自我暴露和自白,因此明显地带有私小说性质。作为一种亚文化的"不良"文学在与主流文学相抗衡时,因始终带有"下位"标签而其文学性几乎从未得到正视,但是固化的"不良"视觉要素使"不良"文学逆"不良"文化式微趋势而得以存续。当今网络文化盛行和图像时代趋势下,"不良"文学的时代意义值得重新思考。

摘要： 网络已经成为人民群众获得社会文化信息的重要窗口.互联网在传播文化的同时,也逐渐成为不良文化的传播工具和场所.不良文化正在危害着人们的身心健康和国家安全.究其原因,主要是网络文化制度不够完善,网络平台自身治理能力不足,用户不良文化治理意识淡薄.营造良好网络文化环境,应该完善顶层设计,健全法律法规,强化行业协会的协同引导,提升用户素养.

摘要： 随着改革开放的深入推进,我国社会日渐形成一种多元价值思潮、多元价值判断、多元价值选择共存的状况。在此背景下成长的年轻干部很容易受到多元价值的影响,出现信奉潜规则、将权力据为己有、脱离实际、安于现状等不良行为。究其原因,主要在于理想信念的缺失、不良官场文化的影响、不良社会观念与官场陋习的侵蚀三个方面。应通过塑造健康的干部成长环境、加强年轻干部的教育培养,有效避免不良思想文化对年轻干部的侵蚀,促进年轻干部健康成长。

摘要： 网络上丰富的文化资源给青少年提供了广阔的求知空间和方便快捷的求知方式,但也同时存在着传播大量不良文化,影响着青少年的健康成长;探讨对网络不良文化的法律制约措施,可防治青少年违法犯罪行为的发生,对青少年健康成长具有重要的意义.

摘要： 随着网络技术的飞速发展,越来越多的教育工作者将网络教育纳入教育的范畴之内.而网络环境给高中德育教育带来机遇的同时也带来了严峻的挑战.这是因为,一方面网络可以作为一种新的德育教育渠道,为学生提供更多优质的教育资源,而另一方面,网络环境难以有效监测,网络资源好坏程度参差不齐,高中学生很容易受到不良文化的侵害.因此,教师必须肩负起自身的责任,重视网络环境下的高中德育教育,加强引导,趋利避害,从而打造优质的高中德育课堂.

摘要： 中国传统文化一直在更新和发展中保持着生机与活力,在继承中不断发扬光大。在小学语文教学中融入中国优秀传统文化,使学生即使面临西方文化或其他不良文化的冲击,也能够保持自己的底蕴,坚持自己的文化特色,对自己民族的传统文化有归属感。

摘要： 由取得半导体器件的不良观察图像(P2)的检查信息取得部(11)、取得布图信息的布图信息取得部(12)、进行不良分析的不良分析部(13)构成不良分析装置(10)。不良分析部(13)抽出半导体器件的多个网路中通过从不良观察图像设定的多个分析区域的至少1个的候补网路、以及该候补网路通过分析区域的通过次数，选择通过次数最多的候补网路，以作为第1不良网路，并且，着眼于第1不良网路未通过的分析区域，进行第2不良网路的选择。由此，实现了能够可靠且高效地进行使用不良观察图像的半导体器件的不良的分析的半导体不良分析装置、不良分析方法、以及不良分析程序。

摘要： 该面形状不良产生区域推断方法是推断将被加工材料塑性加工而得的塑性加工品的面形状不良的产生区域的面形状不良产生区域推断方法，具备取得第一应力分布σ(T1)的第一应力分布取得工序、取得第二应力分布σ(T2)的第二应力分布取得工序、取得比较应力分布σ(T1，T2)的比较应力分布取得工序、取得分割比较应力分布σDIV(T1，T2)的分割比较应力分布取得工序、以及分别推断分割区域Dk是否是面形状不良的产生区域的面形状不良产生区域推断工序。

摘要： 由至少取得半导体设备的图案图像(P1)的检测信息取得部(11)；取得布局图像(P3)的布局信息取得部(12)；对半导体设备的不良进行解析的不良解析部(13)；和将不良解析的信息显示在显示装置(40)上的解析画面显示控制部(14)构成不良解析装置(10)。解析画面显示控制部(14)，作为显示在显示模块(40)的半导体设备的图像，生成将图案图像(P1)和布局图像(P3)重叠后的重叠图像；同时，设定重叠图像上的布局图像(P3)对图案图像(P1)的透过率。由此，实现了能确实且高效地进行半导体设备的不良解析的半导体不良解析装置、解析方法、解析程序、及解析系统。

摘要： 提供能够提供节省输入操作、验证操作、减少输入失误的端子压接不良检测装置的压接不良判定数据制作方法。在用于判定压接处理是否合格的压接不良判定数据制作方法中，在端子压接装置(21)中预先存储合格品用加工数据和不合格品产生用加工数据，具备：不合格品检测波形数据生成工序，根据不合格品产生用加工数据进行端子压接处理，生成表示此时的压力值的变化的检测波形数据并存储；合格品检测波形数据生成工序，根据合格品用加工数据进行端子压接处理，生成表示此时的压力值的变化的检测波形数据并存储；以及判定数据生成工程，根据在不合格品检测波形数据生成工序中存储的检测波形数据和在合格品检测波形数据生成工序中存储的检测波形数据的关系，计算基准波形数据和容许公差并生成合格/不合格判定用数据。

摘要： 由取得半导体器件的不良观察图像(P2)的检查信息取得部(11)、取得布图信息的布图信息取得部(12)、进行不良分析的不良分析部(13)构成不良分析装置(10)。不良分析部(13)抽出半导体器件的多个网路中通过从不良观察图像设定的多个分析区域的至少1个的候补网路、以及该候补网路通过分析区域的通过次数，选择通过次数最多的候补网路，以作为第1不良网路，并且，着眼于第1不良网路未通过的分析区域，进行第2不良网路的选择。由此，实现了能够可靠且高效地进行使用不良观察图像的半导体器件的不良的分析的半导体不良分析装置、不良分析方法、以及不良分析程序。

摘要： 由取得半导体器件的不良观察图像(P2)的检查信息取得部(11)、取得布图信息的布图信息取得部(12)、进行不良分析的不良分析部(13)构成不良分析装置(10)。不良分析部(13)，使用由多个层的每一层中的配线图案的图案数据组记述半导体器件的多个配线的构成的配线信息，将多个配线中通过分析区域的配线作为不良的候补配线而抽出，并且，在候补配线的抽出中，通过进行使用图案数据组的配线图案的等电位追踪，从而抽出候补配线。由此，实现了能够可靠且高效地进行使用不良观察图像的半导体器件的不良的分析的半导体不良分析装置、不良分析方法、以及不良分析程序。

摘要： 由取得半导体器件的不良观察图像(P2)的检查信息取得部(11)、取得布图信息的布图信息取得部(12)、以及对半导体器件的不良进行分析的不良分析部(13)构成不良分析装置(10)。不良分析部(13)具有分析区域设定部，该分析区域设定部通过比较不良观察图像中的亮度分布和规定的亮度临界值，从而抽出起因于不良的反应区域，并对应于反应区域而设定用于半导体器件的不良分析的分析区域。由此，实现了一种能够可靠且高效地进行使用不良观察图像的半导体器件的不良的分析的半导体不良分析装置、不良分析方法、以及不良分析程序。

摘要： 由取得半导体设备的不良观察图像(P2)的检测信息取得部(11)；取得布局信息的布局信息取得部(12)；对半导体设备的不良进行解析的不良解析部(13)；和将解析结果信息显示在显示装置(40)上的解析画面显示控制部(14)，构成不良解析装置(10)。不良解析部(13)，参照不良观察图像(P2)来设定解析区域，同时，对半导体设备的布局中所含的多个网路，抽出通过解析区域的网路。由此，半导体不良解析装置、解析方法、及解析程序可实现准确且高效地进行半导体设备的不良解析。

摘要： 公开了用于治疗脑白质营养不良，特别是H‑ABC的组合物和方法。

摘要： 本申请提供一种剔除芯片不良品的设备及剔除芯片不良品的方法。所述剔除芯片不良品的设备包括控制器、激光系统及摄像装置。所述控制器用于控制所述摄像装置对封装产品进行摄像得到图像，根据所述图像确定所述封装产品中的芯片不良品在所述图像中的参考位置信息，并根据所述参考位置信息确定切割控制信息包括的所述芯片不良品对应的切割位置信息；所述封装产品包括引线框与多个芯片，所述多个芯片与所述引线框相连；所述多个芯片包括至少一个所述芯片不良品。所述激光系统用于产生激光，并根据所述切割控制信息对所述封装产品进行激光切割，以将所述芯片不良品剔除。