不良

摘要： 空调制冷/制热不良是目前空调维修中的常见故障,其关联的因素较多,笔者通过以往维修的典型案例进行总结,特撰写了系列(四篇)经验性的制冷/制热不良故障分析与检修实例与同行分享。

摘要： 热交换问题导致空调制冷/热不良,基体可以分为热交换器本身问题,以及热交换能力差。热交换器在空调中主要指:冷凝器、蒸发器。热交换器本身问题--热交换器换热面积不够大;热交换问题--热交换器脏堵、风机不转或转速变慢。本文是笔者总结的近些年的实际维修经验,与同行分享。

摘要： 目的分析小儿重症腺病毒肺炎采用丙种球蛋白联合常规抗感染治疗对机体免疫功能及不良反应发生率的影响.方法观察2019年1月~2019年12月期间内的80例小儿重症腺病毒肺炎患儿,以奇偶数方式将患儿分成两组,对照组常规抗感染治疗+对症支持,观察组联合丙种球蛋白治疗,对比两组治疗时间、免疫指标和疗效.结果观察组退热时间(5.26±1.63)d,住院时间(9.34±1.65)d,机械通气时间(4.69±1.36)d,数据低于对照组,P<0.05;观察组IgE是(101.54±23.27)mg/L,INF是(0.43±0.16)mg/L,IL-6是(2.37±1.26)ng/L,低于对照组,P<0.05;观察组治疗有效率较高,为97.5%(39例),和对照组数据差异显著,P<0.05.结论小儿重症腺病毒肺炎采用丙种球蛋白联合常规抗感染治疗能显著提升患儿免疫功能,促进病情好转,建议临床普及推广.

摘要： 当前,由于受到社会、学校、家庭和学生自身等各种因素的影响,不少学生或多或少都存在着不良的行为习惯。必须采取运用科学的教育引导方法;办好家庭这所人生的第一所学校;构建家庭、学校与社会教育网络,创造良好的育人环境;加强学生心理健康教育等措施加以引导改正。

摘要： 钻孔地质编录工作是做好各类勘探工程的基础地质工作之一,地质编录工作质量的好坏直接影响着勘探工程进展以及地质成果质量。本文以某矿勘探工程为例,通过现场钻孔岩芯重新核对,发现影响地质编录质量的不良因素主要包括岩煤芯采取率不达标、岩煤芯破碎、钻具丈量有误、岩煤芯拉长、人为丈量错误及岩煤芯倒置等,并针对各类影响因素对地质编录质量的影响规律提出了相应的对策和建议,对勘探工程地质编录质量的保证和提高具有一定的参考价值。

摘要： 钻孔地质编录工作是做好各类勘探工程的基础地质工作之一,地质编录工作质量的好坏直接影响着勘探工程进展以及地质成果质量.本文以某矿勘探工程为例,通过现场钻孔岩芯重新核对,发现影响地质编录质量的不良因素主要包括岩煤芯采取率不达标、岩煤芯破碎、钻具丈量有误、岩煤芯拉长、人为丈量错误及岩煤芯倒置等,并针对各类影响因素对地质编录质量的影响规律提出了相应的对策和建议,对勘探工程地质编录质量的保证和提高具有一定的参考价值.

摘要： 随着现代生活水平的提高,人们健康卫生意识水平的不断增强,大家越来越意识到孕期营养的补充对孕妇以及胎儿的重要性。越来越多的女性在受孕前一两年就去正规医院了解孕期相关知识,为以后受孕打好身体基础,孕期也十分重视各种营养元素的补充。但也有许多不重视孕期营养物补充的准妈妈,等到问题出现时追悔莫急。接下来就让我们一起来了解什么是孕期营养不良以及其危害、孕期需要补充的营养元素。

摘要： 本文分析了产生拉链热封处外观不良问题的原因,并提供了解决思路。

摘要： 由取得半导体器件的不良观察图像(P2)的检查信息取得部(11)、取得布图信息的布图信息取得部(12)、进行不良分析的不良分析部(13)构成不良分析装置(10)。不良分析部(13)抽出半导体器件的多个网路中通过从不良观察图像设定的多个分析区域的至少1个的候补网路、以及该候补网路通过分析区域的通过次数，选择通过次数最多的候补网路，以作为第1不良网路，并且，着眼于第1不良网路未通过的分析区域，进行第2不良网路的选择。由此，实现了能够可靠且高效地进行使用不良观察图像的半导体器件的不良的分析的半导体不良分析装置、不良分析方法、以及不良分析程序。

摘要： 该面形状不良产生区域推断方法是推断将被加工材料塑性加工而得的塑性加工品的面形状不良的产生区域的面形状不良产生区域推断方法，具备取得第一应力分布σ(T1)的第一应力分布取得工序、取得第二应力分布σ(T2)的第二应力分布取得工序、取得比较应力分布σ(T1，T2)的比较应力分布取得工序、取得分割比较应力分布σDIV(T1，T2)的分割比较应力分布取得工序、以及分别推断分割区域Dk是否是面形状不良的产生区域的面形状不良产生区域推断工序。

摘要： 由至少取得半导体设备的图案图像(P1)的检测信息取得部(11)；取得布局图像(P3)的布局信息取得部(12)；对半导体设备的不良进行解析的不良解析部(13)；和将不良解析的信息显示在显示装置(40)上的解析画面显示控制部(14)构成不良解析装置(10)。解析画面显示控制部(14)，作为显示在显示模块(40)的半导体设备的图像，生成将图案图像(P1)和布局图像(P3)重叠后的重叠图像；同时，设定重叠图像上的布局图像(P3)对图案图像(P1)的透过率。由此，实现了能确实且高效地进行半导体设备的不良解析的半导体不良解析装置、解析方法、解析程序、及解析系统。

摘要： 提供能够提供节省输入操作、验证操作、减少输入失误的端子压接不良检测装置的压接不良判定数据制作方法。在用于判定压接处理是否合格的压接不良判定数据制作方法中，在端子压接装置(21)中预先存储合格品用加工数据和不合格品产生用加工数据，具备：不合格品检测波形数据生成工序，根据不合格品产生用加工数据进行端子压接处理，生成表示此时的压力值的变化的检测波形数据并存储；合格品检测波形数据生成工序，根据合格品用加工数据进行端子压接处理，生成表示此时的压力值的变化的检测波形数据并存储；以及判定数据生成工程，根据在不合格品检测波形数据生成工序中存储的检测波形数据和在合格品检测波形数据生成工序中存储的检测波形数据的关系，计算基准波形数据和容许公差并生成合格/不合格判定用数据。

摘要： 由取得半导体器件的不良观察图像(P2)的检查信息取得部(11)、取得布图信息的布图信息取得部(12)、进行不良分析的不良分析部(13)构成不良分析装置(10)。不良分析部(13)抽出半导体器件的多个网路中通过从不良观察图像设定的多个分析区域的至少1个的候补网路、以及该候补网路通过分析区域的通过次数，选择通过次数最多的候补网路，以作为第1不良网路，并且，着眼于第1不良网路未通过的分析区域，进行第2不良网路的选择。由此，实现了能够可靠且高效地进行使用不良观察图像的半导体器件的不良的分析的半导体不良分析装置、不良分析方法、以及不良分析程序。

摘要： 由取得半导体器件的不良观察图像(P2)的检查信息取得部(11)、取得布图信息的布图信息取得部(12)、进行不良分析的不良分析部(13)构成不良分析装置(10)。不良分析部(13)，使用由多个层的每一层中的配线图案的图案数据组记述半导体器件的多个配线的构成的配线信息，将多个配线中通过分析区域的配线作为不良的候补配线而抽出，并且，在候补配线的抽出中，通过进行使用图案数据组的配线图案的等电位追踪，从而抽出候补配线。由此，实现了能够可靠且高效地进行使用不良观察图像的半导体器件的不良的分析的半导体不良分析装置、不良分析方法、以及不良分析程序。

摘要： 由取得半导体器件的不良观察图像(P2)的检查信息取得部(11)、取得布图信息的布图信息取得部(12)、以及对半导体器件的不良进行分析的不良分析部(13)构成不良分析装置(10)。不良分析部(13)具有分析区域设定部，该分析区域设定部通过比较不良观察图像中的亮度分布和规定的亮度临界值，从而抽出起因于不良的反应区域，并对应于反应区域而设定用于半导体器件的不良分析的分析区域。由此，实现了一种能够可靠且高效地进行使用不良观察图像的半导体器件的不良的分析的半导体不良分析装置、不良分析方法、以及不良分析程序。

摘要： 由取得半导体设备的不良观察图像(P2)的检测信息取得部(11)；取得布局信息的布局信息取得部(12)；对半导体设备的不良进行解析的不良解析部(13)；和将解析结果信息显示在显示装置(40)上的解析画面显示控制部(14)，构成不良解析装置(10)。不良解析部(13)，参照不良观察图像(P2)来设定解析区域，同时，对半导体设备的布局中所含的多个网路，抽出通过解析区域的网路。由此，半导体不良解析装置、解析方法、及解析程序可实现准确且高效地进行半导体设备的不良解析。

摘要： 公开了用于治疗脑白质营养不良，特别是H‑ABC的组合物和方法。

摘要： 本申请提供一种剔除芯片不良品的设备及剔除芯片不良品的方法。所述剔除芯片不良品的设备包括控制器、激光系统及摄像装置。所述控制器用于控制所述摄像装置对封装产品进行摄像得到图像，根据所述图像确定所述封装产品中的芯片不良品在所述图像中的参考位置信息，并根据所述参考位置信息确定切割控制信息包括的所述芯片不良品对应的切割位置信息；所述封装产品包括引线框与多个芯片，所述多个芯片与所述引线框相连；所述多个芯片包括至少一个所述芯片不良品。所述激光系统用于产生激光，并根据所述切割控制信息对所述封装产品进行激光切割，以将所述芯片不良品剔除。