智能卡芯片

摘要： 从杭州湾跨海大桥一路南下,经过大约20公里路程,即可抵达澄天伟业位于宁波慈溪的生产基地。走进基地的白色建筑物,可以看到全球最先进的自动化蚀刻、显影、曝光、镀金、清洗等设备正有序运转,在操作工人有条不紊的配合下,一箱箱新型智能卡芯片被整齐"打包",即将走入人们的生活。

摘要： 日前，英飞凌在京召开“2018媒体见面会”，英飞凌大中华区总裁苏华博士围绕“稳定增长基础，用‘芯’驱动未来”主题发表演讲。以eSIM解决方案的开发成果为契机，英飞凌智能卡与安全事业部聚焦于多项市场机遇。据了解，该解决方案主要用于汽车中的eCall紧急呼叫应用。而根据法规，自2018年3月起，欧洲生产的所有新车都必须安装紧急呼叫功能。

摘要： 2017财年,英飞凌的业绩持续增长。功率半导体以及智能卡芯片业务继续领跑,保持在世界第一位,汽车半导体市场位居全球第二。集团全球营收额达到70.63亿欧元,相比去年增长9%,利润率达17.1%。在英飞凌四大主营业务中,汽车电子占总营收的42%,电源管理和多元化市场约占30%,工业功率控制占17%,智能卡芯片约占10%。在年初的媒体见面会上,英飞凌科技（中国）有限公司大中华区总裁苏华博士表示：

摘要： 华虹半导体有限公司（华虹半导体）日前宣布：公司2017年金融IC卡芯片出货量同比增长超过200％，再创新高。纯金融IC卡、社保卡、居民健康卡等带金融支付功能的智能卡芯片全年出货约4.3亿颗。

摘要： 2017年2月22日．英飞凌2017媒体迎春会在京举行．英飞凌大中华区总裁苏华博士公布了英飞凌2016财年的重要数据．并展望2017年业务发展。苏华博士表示．作为汽车电子、功率半导体以及智能卡芯片的全球市场领袖，英飞凌于2016财年取得了令人满意的业绩。集团营收增幅接近12％，增至64173亿欧元。英飞凌不仅实现营收增长远高于市场的总体水平．同时保持了良好的利润率。

摘要： 创新驱动是中国未来发展的动力,而科技创新和科学普及则是实现创新发展的两翼。下面,让我们在炎炎夏日中感受科技热度。

摘要： 2016年3月1日,英飞凌2016年媒体迎春会在北京富力万丽酒店隆重举行。英飞凌中国总裁暨执行董事苏华博士在会上详细介绍了英飞凌2015财年取得的成绩及成够收购国际整流器公司的作用,并正式发布＂与中国共赢＂战略。2015财年英飞凌在市场上再创佳绩,相比2014财年营收增长了34%,高达58亿欧元,其中包括国际整流器公司自2015年1月13日起贡献的营收。

摘要： 近期，作为汽车电子、功率半导体以及智能卡芯片的领先企业，英飞凌在2015财年创下佳绩，营收高达58亿欧元，相比2014财年增长了34％，其中包括国际整流器公司自2015年1月13日起贡献的营收。同时，公司的运营利润增长45％，达8．97亿欧元，实现r15．5％的运营利润率，比2014财年提高1．1个百分点。

摘要： 目前我国物联网技术的快速发展，国内实现自主突破的技术在国际上也处于领先水平，普遍认为市场推广有难度。华大半导体旗下企业北京中电华大电子设计有限责任公司不仅在自主可控芯片技术上有大幅提高，而且是国内第一、世界第四的智能卡芯片商。

摘要： 全球领先的200mm晶圆代工厂——华虹半导体有限公司连同其附属公司宣布，公司2015年Java智能卡芯片出货量突破7．2亿颗，与2014年的5．65亿颗相比，同比增长率高达27％，再创历史新高。此次大幅增长得益于具有高安全性和兼容扩展性的Java智能卡在移动通信应用的推动，也有赖于国内外多家知名芯片厂商的认可和支持。

摘要： 报告从评估者的角度关注智能卡芯片的侧信道安全问题.首先,分析和总结了芯片安全测评过程中发现的与侧信道和差错注入穿透性分析相关的问题,主要分析对象包括DES、RSA以及SM2等算法构造过程中常用的防护措施,并指出这些措施由于使用不当或缺乏细致的考虑而仍可能遭受攻击.其次,报告简要介绍了芯片密码算法侧信道安全性评估的方法.

摘要： 提出了一种简便、快速测定智能卡芯片中金的分析方法，用稀硝酸溶解智能卡芯片，金与基体分离后，用王水溶解直接于原子吸收光谱仪上测定其含量，对测定条件及试样处理方法进行了考察，并进行了方法比对，结果基本一致，测定结果的相对标准偏差在0.80%～2.24%之间。

摘要： 本文提出了以稀硝酸溶解智能卡芯片,金与基体分离后,用王水溶解直接于原子吸收光谱仪上测定其含量。建立了一种简便、快速测定智能卡芯片中金的分析方法。对测定条件及试样处理方法进行了考察,并进行了方法比对,结果满意.

摘要： Zil221芯片是中兴推出的专用智能卡芯片,也是我国第一枚32位智能卡芯片,内部集成了RAM、ROM、EEPROM和FLASH等存储模块还内嵌了DES引擎和公钥算法引擎,极大地提高了DES、3DES、RSA、ECC等多种运算的速度。本文介绍了Zi1221芯片的性能,着重介绍了其新特性,并介绍了Zi1221芯片在USB Key中的应用。

摘要： 本文首先对英飞凌科技有限公司的发展历史和现状进行了简单介绍了，然后从智能卡微控制器、硬件安全性50种以上的安全机制技术、安全性证明以及用于电子护照的非接触保密加密控制器芯片方面对英飞凌智能卡芯片的安全性进行了分析。

摘要： 本文主要介绍了恩智浦半导体在智能卡芯片行业全面的产品组合以及技术平台，同时也对智能卡业界普遍比较关心的MIFARE相关算法被破解一事做了一个更加全面的说明，最后本文还介绍了恩智浦半导体针对高安全性市场所推出了Smart MX以及NXP Plus CPU产品系列。通过这些介绍，恩智浦半导体希望能够给与智能卡业界最全面的产品和解决方案信息，从而可以帮助各个行业的客户更好地选择最适合的智能卡解决方案。

摘要： 本文主要介绍了恩智浦半导体在智能卡芯片行业全面的产品组合以及技术平台，同时也对智能卡业界普遍比较关心的MIFARE相关算法被破解一事做了一个更加全面的说明，最后本文还介绍了恩智浦半导体针对高安全性市场所推出了SmartMX以及NXP Plus CPU产品系列。通过这些介绍，恩智浦半导体希望能够给与智能卡业界最全面的产品和解决方案信息，从而可以帮助各个行业的客户更好地选择最适合的智能卡解决方案。

摘要： 本发明提供一种芯片级智能卡的制造方法及智能卡，所述方法包括如下步骤：提供一具有至少一个凹槽的卡基；在每一凹槽底部放置至少一个芯片，芯片具有焊垫的表面朝上；采用第一填充物填充部分所述凹槽，形成第一填充物层，且芯片被所述第一填充物层覆盖；蚀刻第一填充物层表面，暴露出芯片的焊垫；在第一填充物层表面沉积金属，形成与芯片的焊垫电连接的金属脚；采用第二填充物填充凹槽，形成第二填充物层，金属脚被第二填充物层覆盖；蚀刻第二填充物层表面，暴露出金属脚；在第二填充物层表面沉积金属，形成外部触点，外部触点与所述金属脚电连接。本发明的优点在于，将模块制作与成卡合二为一，工序短，所用材料少，成本低，卡更薄，使用更方便。

摘要： 本发明涉及一种用于制造用于容纳半导体芯片的智能卡基体的方法，其中，在载体材料(100)中构造至少一个智能卡基体(10)引线框架(11)，所述引线框架分别通过至少一个材料条(15)与载体材料(100)相连，并且在方法中构造具有用于容纳半导体芯片的空腔(14)的电绝缘壳体(13)，其方式为：为了构造智能卡基体(10)，引线框架(11)被壳体(13)包围。根据本发明规定，在构造壳体(13)之前或期间将连接引线框架(11)与载体材料(100)的所述材料条(15)截断，由此所述材料条(15)在构成间隙(16)的情况下分别被分离为与载体材料(100)连接的第一条状部(15a)和与引线框架(11)连接的第二条状部(15b)；并且在构造壳体(13)时所述材料条(15)的第一条状部(15a)和第二条状部(15b)都被该壳体(13)包围。

摘要： 本发明提供一种带IC芯片的智能卡及智能卡的制造方法，智能卡包括卡体，卡体由刚性材料制成，且卡体上形成一个安装槽；安装槽内安装有一个芯片组件，芯片组件包括绝缘片体，绝缘片体上设有芯片槽，IC芯片封装在芯片槽内，绝缘片体的外表面与安装槽的内壁邻接。该方法包括制造芯片组件，将IC芯片封装在绝缘片体上，绝缘片体上设置有一个上端敞口的芯片槽，IC芯片封装在芯片槽内；在由刚性材料制成的卡体上设置一个安装槽，将芯片组件固定在安装槽内，绝缘片体的外表面与安装槽的内壁邻接，且芯片组件封装到安装槽后，IC芯片的多个电触点外露在卡体的表面上。本发明可以提高智能卡的生产效率，且不易导致IC芯片的损坏。

摘要： 本发明提供一种芯片级智能卡的制造方法及智能卡，所述方法包括如下步骤：提供一具有至少一个凹槽的卡基；在每一凹槽底部放置至少一个芯片，芯片具有焊垫的表面朝上；采用第一填充物填充部分所述凹槽，形成第一填充物层，且芯片被所述第一填充物层覆盖；蚀刻第一填充物层表面，暴露出芯片的焊垫；在第一填充物层表面沉积金属，形成与芯片的焊垫电连接的金属脚；采用第二填充物填充凹槽，形成第二填充物层，金属脚被第二填充物层覆盖；蚀刻第二填充物层表面，暴露出金属脚；在第二填充物层表面沉积金属，形成外部触点，外部触点与所述金属脚电连接。本发明的优点在于，将模块制作与成卡合二为一，工序短，所用材料少，成本低，卡更薄，使用更方便。

摘要： 本实用新型公开了一种双界面智能卡天线与芯片的连接结构及双界面智能卡，包括卡基以及芯片结构，卡基的上端布设有天线阵列以及用于放置芯片结构的凹槽，凹槽内设有和天线阵列连接的天线A触点和天线B触点，芯片结构上设有C接触点以及D接触点，天线阵列在卡基上端的布置整体呈凹字型结构，凹槽位于凹字型结构的凹陷部位中间，且芯片结构和天线之间的连接为面连接，该双界面智能卡天线与芯片的连接结构及双界面智能卡布线简洁，同时芯片和天线的接触紧密，从而提高运行稳定性。

摘要： 本发明提供一种无间隙触点智能卡芯片模块、智能卡及其制作方法，所述无间隙触点智能卡芯片模块包括芯片模块本体及多个触点，所述芯片模块本体表面具有一介电质层，所述多个触点嵌入所述介电质层内，相邻两触点被所述介电质层隔离。本发明的优点在于，所述触点嵌入所述介电质层内，使得触点更牢固，不易脱落，模块更结实，不易变形，且减少了因环境造成的短路问题，并提高抗污染能力。

摘要： 本申请公开了一种智能卡芯片的加工方法及智能卡芯片，属于芯片制造技术领域。所述方法包括：提供具有至少一个金属顶层的智能卡芯片；在至少一个金属顶层上沉积钝化层；对至少一个金属顶层中的目标金属顶层上方的钝化层通过刻蚀工艺进行去除，使目标金属顶层暴露在外；在钝化层和目标金属顶层上涂布聚亚酰胺层；对目标金属顶层上方的聚亚酰胺层进行去除形成引脚通孔，使目标金属顶层通过引脚通孔暴露在外。本申请不使用化学机械研磨平坦化技术，通过在顶层覆盖聚亚酰胺层使智能卡芯片的平坦化，且该聚亚酰胺层可作为压力缓冲层，在受到压力时能够较为均匀地受力，从而提高了智能卡芯片的抗压性能。

摘要： 本申请公开了一种智能卡芯片的加工方法及智能卡芯片，属于芯片制造技术领域。所述方法包括：提供具有至少一个金属顶层的智能卡芯片；在至少一个金属顶层上沉积钝化层；对钝化层进行平坦化处理；对至少一个金属顶层中的目标金属顶层上方的钝化层通过刻蚀工艺进行去除，使目标金属顶层暴露在外；在钝化层和目标金属顶层上涂布聚亚酰胺层；对目标金属顶层上方的聚亚酰胺层进行去除形成引脚通孔，使目标金属顶层通过引脚通孔暴露在外。本申请通过在金属顶层沉积钝化层后，通过对钝化层进行平坦化处理，从而使智能卡芯片的表面变得平坦，在受到压力时能够较为均匀地受力，同时，通过在钝化层上设置聚亚酰胺层，能够进一步增加缓冲作用和机械性能，提高了智能卡芯片的抗压性能。

摘要： 本申请提供一种智能卡芯片及智能卡，该智能卡芯片包括：处理器模块、存储模块和N个应用模块(N≥2)，处理器模块与存储模块、各应用模块分别连接，存储模块内存储有卡片操作系统COS，每个应用模块内存储有一个用户的数据以及该用户对应的应用数据，在使用过程中，处理器模块根据用户输入的指示结果信息，控制存储模块与对应的应用模块执行用户请求的业务操作，实现了对多个用户或者多个应用的承载，拓宽了智能卡的应用场景。

摘要： 本申请涉及通信技术领域，尤其涉及一种智能卡芯片及智能卡，包括：触点C1、C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8，并且触点C1、C2、C3、C5、C7分别为电源接口VCC、复位接口RST、时钟接口CLK、接地接口GND、按照7816通信协议进行数据交换的输入输出接口I/O，还包括:I2C总线和信号识别芯片，所述信号识别芯片具有分别与触点C4、C6、C8连通的X通道、Y通道、Z通道和与所述I2C总线连通的串行数据线SDA接口和串行时钟线SCL接口，本申请所提供的智能卡芯片及智能卡可以和不同通信协议标准的设备及元器件进行通信，从而扩大了智能卡芯片的通信范围，进而可以广泛的应用于物联网领域，也扩大了智能卡芯片及智能卡的应用范围。