晶胞

摘要： 近年来高考热点之一是晶体的相关计算,此类题目对学生的空间想象能力要求较高,学生在解决此类题目时找不到问题的突破口.梳理了晶体中微粒数、配位数、密度、微粒间距离、空间利用率的几类计算方法.

摘要： 在2016年新课标全国Ⅰ卷、2017年全国Ⅰ卷、2019年全国Ⅱ卷、2021年山东卷中均考查了晶胞中的原子坐标,说明该考点是高考热点之一.本文详细介绍了晶胞中原子坐标的确定方法.

摘要： 为研究碎石骨料与沥青胶砂间的相互作用并在微观接触和宏观模量间建立映射,基于晶体面心立方结构和应力均布假设,对接触进行一维杆件简化后,对荷载作用下骨料间的接触反力进行数学解析,得到接触刚度与结构模量的关系公式,并在此基础上对沥青混凝土的力学特征进行分析。混合料内的相邻骨料在轴向荷载下会产生同等大小的压缩和拉伸反力,且反力大小与骨料直径平方成正比;因骨料与胶砂的刚度存在差异,混合料在压缩和拉伸时会表现出不同的模量特性;剪应力只在特定方向传递,因而产生了更大的接触反力和变形。计算AC-13、SMA-13、OGFC-13三种沥青混合料在竖向车轮荷载作用下的接触拉应力,结果显示:同等荷载下AC-13沥青混合料的接触拉应力最小,OGFC-13沥青混合料的接触拉应力最大。

摘要： 晶体学是高中化学选修教材《物质结构与性质》重要内容,是高考“物质结构与性质”试题的重要组成部分,熟练掌握晶胞中重要的特殊点的立体几何关系,可大大降低有关计算难度,加快解题速度,提高解题准确性,也有助于学生对晶胞中特殊点位置关系的理解。

摘要： 在近年的高考试题中,对四大晶体内容主要从两方面考查:①有关晶胞的计算;②晶体微粒间的相互作用力以及物理性质的比较。问题主要涉及常见晶体的构型及对常见晶体的构型的类推迁移,晶胞中粒子数、晶体密度、NA、M、晶体体积、微粒间距离、微粒半径等的计算,这里就离子晶体方面的重点与考点进行归纳总结。

摘要： 2020年国际物理奥林匹克竞赛实验试题为"晶体学".试题从一维光栅出发,引导选手寻找衍射花样和晶体结构间的对应关系,最后测定出未知晶体的结构.本文介绍了试题内容和组委会提供的标准答案,并且在个别处提供了其他解法.

摘要： 啶虫脒是一种氯吡啶类新烟碱类杀虫剂,由于其对昆虫烟碱乙酰胆碱受体的结合选择性而成为最常用的杀虫剂之一.为研究啶虫脒在太赫兹波段的指纹特征与其结构信息之间的关系,利用太赫兹时域光谱(THz-TDS)技术并结合密度泛函理论(DFT)对啶虫脒晶体的太赫兹吸收光谱进行了实验研究和理论模拟.利用THz-TDS技术测量了室温下啶虫脒在0.3～3.3 THz频段的特征吸收谱,发现啶虫脒晶体在该频段内有多处强度不同的特征吸收峰,分别位于1.08,1.38,1.97,2.54,2.89 THz处,这些特征吸收峰构成了用于检测啶虫脒的T Hz指纹谱.为更好地理解啶虫脒太赫兹实验特征谱产生的理论机理,基于密度泛函理论分别对啶虫脒孤立分子模型和晶胞模型进行了理论模拟计算.单分子模型的理论计算在Gaussian09软件中进行,采用基于密度泛函理论的B3LYP杂化泛函方法,并选取6-311G(d,p)基组进行几何优化,并在相同水平上进行振动频率计算,模拟结果与实验数据存在一定的差异,说明单分子模拟存在一定的局限性.晶胞模型的理论计算在Materials Studio 8.0中适合计算周期性结构的CASTEP模块中进行,采用基于平面波赝势和广义梯度近似(GGA)的PW91,PBE,PBEsol和WC四种交换相关泛函对啶虫脒晶胞模型进行几何优化和晶格动力学计算.将啶虫脒单分子和晶胞的理论模拟结构参数(键长、键角)分别与其X射线衍射(XRD)实验测量的结构参数进行了详细的比较分析,发现基于PBE方法获得的固态仿真结果中分子的结构参数与X射线衍射实验数据的一致性最好.同时用PBE方法获得的理论仿真谱与实验吸收谱也最为吻合.基于PBE的计算结果对实验特征吸收峰进行了振动模式指认.研究结果表明,啶虫脒晶体在太赫兹频段的特征吸收主要来源于晶体中以C—H…N氢键为主的分子间弱相互作用带动的集体振动模式,以及由分子内吡啶环的平动和甲基基团的扭动所引发的骨架振动.

摘要： 高考的两个选考题中“物质结构与性质”比“有机化学基础”难度稍低、得分容易。考纲中要求了解晶胞的概念,能根据晶胞确定晶体的组成并进行相关的计算,其中的计算使学生的失分比较多。本文总结了晶胞计算的方法,对其常见的考查方式进行举例分析,供学生参考。

摘要： 本文针对学生在学习离子晶体结构时,对晶体结构的理解尤其是影响离子晶体结构中的几何因素的理解存在较大疑惑,无法从根本上理解晶胞参数与阴阳离子的半径关系的问题,由此提出从离子晶体结构分析思想即堆积-填隙模型的角度认识离子晶体结构,指导学生在高中化学中关于离子晶体结构的学习.

摘要： 利用电子显微镜对岩石微结构及晶胞进行了研究.由微结构断裂所需耗散能分析计算了岩石微裂纹演化与分形特征.结合加载类型分析了岩石裂纹扩展的形式、方向,解释了岩石损伤演化的规律.研究表明:从微孔隙延伸成微裂纹,再扩展速度、方向和产生数量主要取决于微结构中微元件的矿物组分、排列组合方式及组合密度,以及外载荷大小、方向及其比值、应力状态与加载速率等.

摘要： 报道在MonteCarlo方法模拟多元氧化物薄膜生长的三维模型及模拟算法的基础上,模拟同质ABO3型薄膜外延的生长.引入粒子的沉积能量范围在0～2eV(假设沉积粒子所带能量较低,为了避免沉积粒子与基底表面作用产生再次碰撞,使能量损失,使模拟的误差过大).模拟模型采用周期型边界条件,只考虑沉积过程和扩散过程.引入了沉积能量参数,研究了薄膜生长初期岛的形貌,数量和尺寸的变化;以及对薄膜的生长模式和形貌变化的影响.模拟的结果表明在0.2ML(ML表示单层monolayer)覆盖度,0.05ML/S沉积速率,800K沉积温度下,随着粒子沉积能量的加大,在薄膜初期岛的形成中,岛的数量减少,尺寸加大.在0.6ML覆盖度,0.01ML/S沉积速率,800K沉积温度下,薄膜的生长模式更趋向于层状生长.

摘要： 报道在MonteCarlo方法模拟多元氧化物薄膜生长的三维模型及模拟算法的基础上,模拟同质ABO3型薄膜外延的生长.引入粒子的沉积能量范围在0～2eV(假设沉积粒子所带能量较低,为了避免沉积粒子与基底表面作用产生再次碰撞,使能量损失,使模拟的误差过大).模拟模型采用周期型边界条件,只考虑沉积过程和扩散过程.引入了沉积能量参数,研究了薄膜生长初期岛的形貌,数量和尺寸的变化;以及对薄膜的生长模式和形貌变化的影响.模拟的结果表明在0.2ML(ML表示单层monolayer)覆盖度,0.05ML/S沉积速率,800K沉积温度下,随着粒子沉积能量的加大,在薄膜初期岛的形成中,岛的数量减少,尺寸加大.在0.6ML覆盖度,0.01ML/S沉积速率,800K沉积温度下,薄膜的生长模式更趋向于层状生长.

摘要： 报道在MonteCarlo方法模拟多元氧化物薄膜生长的三维模型及模拟算法的基础上,模拟同质ABO3型薄膜外延的生长.引入粒子的沉积能量范围在0～2eV(假设沉积粒子所带能量较低,为了避免沉积粒子与基底表面作用产生再次碰撞,使能量损失,使模拟的误差过大).模拟模型采用周期型边界条件,只考虑沉积过程和扩散过程.引入了沉积能量参数,研究了薄膜生长初期岛的形貌,数量和尺寸的变化;以及对薄膜的生长模式和形貌变化的影响.模拟的结果表明在0.2ML(ML表示单层monolayer)覆盖度,0.05ML/S沉积速率,800K沉积温度下,随着粒子沉积能量的加大,在薄膜初期岛的形成中,岛的数量减少,尺寸加大.在0.6ML覆盖度,0.01ML/S沉积速率,800K沉积温度下,薄膜的生长模式更趋向于层状生长.

摘要： 报道在MonteCarlo方法模拟多元氧化物薄膜生长的三维模型及模拟算法的基础上,模拟同质ABO3型薄膜外延的生长.引入粒子的沉积能量范围在0～2eV(假设沉积粒子所带能量较低,为了避免沉积粒子与基底表面作用产生再次碰撞,使能量损失,使模拟的误差过大).模拟模型采用周期型边界条件,只考虑沉积过程和扩散过程.引入了沉积能量参数,研究了薄膜生长初期岛的形貌,数量和尺寸的变化;以及对薄膜的生长模式和形貌变化的影响.模拟的结果表明在0.2ML(ML表示单层monolayer)覆盖度,0.05ML/S沉积速率,800K沉积温度下,随着粒子沉积能量的加大,在薄膜初期岛的形成中,岛的数量减少,尺寸加大.在0.6ML覆盖度,0.01ML/S沉积速率,800K沉积温度下,薄膜的生长模式更趋向于层状生长.

摘要： 报道在MonteCarlo方法模拟多元氧化物薄膜生长的三维模型及模拟算法的基础上,模拟同质ABO3型薄膜外延的生长.引入粒子的沉积能量范围在0～2eV(假设沉积粒子所带能量较低,为了避免沉积粒子与基底表面作用产生再次碰撞,使能量损失,使模拟的误差过大).模拟模型采用周期型边界条件,只考虑沉积过程和扩散过程.引入了沉积能量参数,研究了薄膜生长初期岛的形貌,数量和尺寸的变化;以及对薄膜的生长模式和形貌变化的影响.模拟的结果表明在0.2ML(ML表示单层monolayer)覆盖度,0.05ML/S沉积速率,800K沉积温度下,随着粒子沉积能量的加大,在薄膜初期岛的形成中,岛的数量减少,尺寸加大.在0.6ML覆盖度,0.01ML/S沉积速率,800K沉积温度下,薄膜的生长模式更趋向于层状生长.

摘要： 本发明公开了一种高催化活性的超级晶胞，属于纳米材料制备技术领域，该高催化活性的超级晶胞由Pd，Ni，P和Si组成，其结构为单斜结构，超级晶胞中Pd、Si和Ni、P交替排列，在原子排布和元素分布上均呈超有序结构。超级晶胞尺寸为1.0～1.8nm。超级晶胞的有序结构使其表面析氢过电位低至50mV。本发明还公开了其制备方法。本发明的一种高催化活性的超级晶胞，这种超大有序晶胞对水电解制氢具有良好的催化效果，其表面析氢过电位可低至50mV。本发明的一种高催化活性的超级晶胞的制备方法，制备过程简单，无须水热、沉淀等复杂工艺。

摘要： 本公开涉及具有名义晶胞组成M’

摘要： 本发明提供了一种通过背面晶胞大小来确认腐蚀工艺的方法，包括如下步骤：步骤一，采用显微镜测量硅片背面的晶胞大小，同一硅片选取至少五个晶胞测量点，取平均值，以平均值作为晶胞大小，步骤二，根据平均值确定腐蚀工艺中的酸腐蚀去除量以及碱腐蚀去除量；晶胞大小越大，碱腐蚀量越大，酸腐蚀量越小。本专利给予了一种腐蚀工艺确定的方法，硅片的晶胞大小与腐蚀工艺有很大的关系，本专利另辟蹊径，通过进行混腐蚀工艺的探究，发现了不同腐蚀工艺条件下与腐蚀后晶胞大小的关系。给予对硅片的腐蚀工艺的反推提供一个具有里程性的突破。

摘要： 本发明公开了一种基于极小曲面的晶胞杂化方法、装置、设备及应用，涉及计算机辅助设计和增材制造技术领域，选取待杂化的第一晶胞结构和第二晶胞结构，基于所述第二晶胞结构特征，对所述第一晶胞结构原始函数的三角函数项进行修改，得到由所述第一晶胞结构和所述第二晶胞结构杂化结合的单体晶胞结构，构建用于填充的单元杂化模型，通过调整所述单元杂化模型的曲面结构周期k和曲面阈值常数C，得到所需尺寸的单元晶胞，基于目标零件结构，构建目标模型，利用所述单元晶胞进行重组填充，生成目标零件，克服了新型晶胞在过渡区间支架容易产生失效的问题，实现了在保证支架具有更大表面积和更好的孔隙连通性的同时，使得支架具有较强的力学性能。

摘要： 本发明公开了一种大晶胞参数介孔分子筛的合成方法，包括以下步骤：(1)Y型前驱体溶液的制备；(2)介孔分子筛的合成。本发明采用非离子型表面活性剂和阴离子型的助模板剂形成复合模板，随后加入纤维素醚化合物对上述复合模板进行调控，阴离子型的助模板剂可以增加胶束的亲水性，同时，纤维素醚在水溶液中形成向列相的液晶结构，升温过程中形成的网格状结构，会将胶束和硅源铝源限制于其中，其通过空间位阻作用来阻碍表面活性剂间的相互靠近，从而进一步提高胶束的分散度，进而降低了合成体系的水和模板剂的用量，得到的分子筛具有较大的晶胞参数。

摘要： 本发明公开一种点阵结构晶胞密度分布优化方法，通过分析点阵结构的几何、功能、工况特征，将其内部晶胞填充，建立点阵结构的实体模型及有限元模型；采用传力路径可视化方法提取点阵结构实体模型的主传力路径；分别计算各个晶胞中心点到主传力路径之间的最短距离，以距离长短作为判定准则来优化晶胞的尺寸参数，并构建晶胞尺寸优化设计的数学模型，通过计算可得到点阵结构内部新的晶胞密度分布规律。本发明采用传力路径指导结构内部晶胞的密度分布，可为设计人员提供显式的力学指导，提出的优化方法无需建立复杂的数学模型，可为其他承载结构的设计与优化提供借鉴意义。

摘要： 本发明公开了一种调节二氧化钛晶胞参数的方法，包括：将水合二氧化钛与去离子水混合，获得浆料；向所述浆料中加入铝盐；对加入铝盐的浆料进行煅烧，获得产品；其中，通过调节铝盐加入量来调节产品的二氧化钛晶胞参数。本发明能够调节二氧化钛的晶胞参数，获得不同微观结构的产品。

摘要： 本发明提供一种电阻式内存装置包括内存晶胞阵列、至少一虚置晶体管及控制电路。内存晶胞阵列包括多个内存晶胞。各内存晶胞包括电阻转换元件。虚置晶体管与电阻转换元件电性绝缘。控制电路耦接至内存晶胞阵列及虚置晶体管。控制电路用于提供第一位线电压、源极线电压及字线电压给虚置晶体管，以使虚置晶体管输出饱和电流。控制电路用于依据饱和电流决定驱动内存晶胞的第二位线电压的大小。另外，一种电阻式内存装置的操作方法及内存晶胞阵列亦被提出。

摘要： 本发明提供了一种具有复杂晶胞的光子晶体结构及光波导，所述具有复杂晶胞是由6个子胞按照C6结构排列而成，且截面为正六边形结构；多个复杂晶胞之间边与边相邻、且呈阵列方式排列构成所述光子晶体结构。晶胞的压缩和拉伸、改变介质柱的截面直径、旋转子胞三种不同的方式，实现能带反转和拓扑相变，从而构建拓扑平庸到拓扑非平庸晶体结构。由所述晶体结构构建的光波导光子带隙更大，光子局域性能强，工作带宽内的电磁波可以沿着拓扑平庸和非平庸界面单向传输，光局域性得到增强并且背向散射被抑制，对急弯、缺陷具有强大的免疫。

摘要： 本实用新型公开了一种用于钛合金晶胞结构焊接的装配工装，包括工装底板、定位板和定位槽，所述工装底板顶端设有放置槽，所述工装底板顶端中间位置处设有定位槽，所述定位槽内部底端设有滑槽，所述滑槽内部安装有定位板，所述工装底板底端安装有U型架，所述U型架底端安装有滑环，所述滑环内部插接有螺杆，所述工装底板外表面设有燕尾槽，所述燕尾槽内部安装有滑块，所述滑块外侧安装有夹块。本实用新型能够快速的对钛合金晶胞结构进行快速的定位和固定，同时单一工装就可完成所有钛合金晶胞结构的装配，提高了钛合金晶胞结构的焊接效率，且保证每一个晶胞各方向上的柱状结构角度一致，最终能够将所有钛合金晶胞装配成统一整体。