晶圆制造

摘要： 4月15日,北京燕东微电子股份有限公司(简称“燕东微”)科创板首发申请获得受理,拟募资40亿元。从股权结构来看,国家集成电路基金现持有燕东微11.09%股份。燕东微成立于1987年,是一家集芯片设计、晶圆制造和封装测试于一体的半导体企业,经过三十余年的积累,公司已发展为国内知名的集成电路及分立器件制造和系统方案提供商。主营业务包括产品与方案和制造与服务两类业务。主要市场领域包括消费电子、汽车电子、新能源、电力电子、通讯、智能终端和特种应用等。

摘要： 全球知名半导体制造商罗姆集团旗下的SiCrystal GmbH(以下简称“SiCrystal”)迎来了成立25周年纪念日。SiCrystal是一家总部位于德国纽伦堡的SiC(碳化硅)晶圆制造商,通过25年的发展,目前已将业务范围扩大到全世界,并拥有200多名员工。虽然公司规模不是很大,但是其关键技术现已作为SiC功率半导体广泛应用于世界各地的电动汽车中,该公司已经成为SiC晶圆市场的先进企业之一。

摘要： 据华尔街日报报道,知情人士透露,已涉足电动汽车领域的代工商富士康正在与沙特谈判,计划共同建设一座价值90亿美元的多功能工厂,生产芯片、电动汽车零部件和显示器等其他电子产品。沙特政府正在审查富士康提出的在工商业新城Neom建立表面贴装技术和晶圆制造双线代工厂的提议。Neom是沙特在沙漠中打造的一个以技术为重点的跨境城市,有关该项目的讨论始于去年。

摘要： 阐述晶圆制造设备与半导体设备行业的发展,探讨中国晶圆制造设备行业的现状,面临困局与问题,提出应对的破局之策。

摘要： 在半导体制造中,多组合设备出现故障会导致晶圆加工受到影响。针对晶圆逗留时间约束的单臂多组合设备,研究了每台组合设备并行模块均出现一个模块故障后的有效调度问题。通过建立了单臂组合设备的Petri网模型,分析了系统稳态调度的时间特性。通过增加虚拟晶圆,提出了系统故障前稳态调度过渡至故障后可行稳态调度和不可行调度的有效运行控制策略。

摘要： 阐述了全球及中国集成电路制造产业发展现状,北京市集成电路制造产业发展现状,包括产业基础和布局、政策环境,发展短板与未来发展思路分析。

摘要： 半导体行业因设备成本投入巨大,因此对设备的利用效率提出了高需求。自动化物料调度系统能够显著提升半导体生产效率和设备的利用率。本文对当前主流的半导体行业的自动化物料调度系统进行了概述,从机台布局、车辆规模、性能指标、仿真建模等多个角度分析了自动化物料系统的技术,详细介绍了晶圆制造场景下自动化物料调度系统的调度策略和路由规划策略,分别从静态、动态、智能化等多个角度进行分析。最后,对晶圆制造自动化物料调度系统的未来发展方向进行了展望。

摘要： 粤芯本轮融资由广东省半导体及集成电路产业投资基金和广汽资本联合领投,并引入上汽、北汽等车企旗下产业资本,以及越秀产业基金、盈科资本、招银国际、盛誉工控基金等战略投资股东。晶圆制造领域迎来巨额融资。6月30日,广州粤芯半导体技术有限公司(下称“粤芯”)宣布于近日完成45亿元的新一轮融资。多名接近粤芯的人士告诉财新,该轮融资后,粤芯投后估值达到200亿元。

摘要： 近年来,国际各大碳化硅生产厂商加速8英寸晶圆的开发量产进程。碳化硅龙头WolfSpeed启用并开始试产旗下一座8英寸新厂,预计明年上半年将有显著营收。法国Soitec半导体公司发布首款8英寸Smart SiC晶圆。晶圆代工大厂联电也将加大设备投资力度,布局8英寸的宽禁带半导体晶圆制造。当前,全球碳化硅领域仍以6英寸为主。但从硅基半导体的发展经验来看,从6英寸到8英寸再到12英寸晶圆,每次提升都会对行业带来意义明显的影响。随着各大厂商加快8英寸量产步伐,碳化硅晶圆的8英寸时代也在逐步临近。

摘要： 据重庆日报报道,重庆万国半导体科技有限公司(以下简称“重庆万国”)已成功造出西南地区首颗独立开发、设计并自行完成晶圆制造与封装测试的IGBT元件。目前该IGBT元件通过用户试用,预计今年年内实现量产。IGBT元件是绝缘栅双极型晶体管的英文名缩写,是由双极型三极管和绝缘栅型场效应管,组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。

摘要： 随着半导体技术的发展,集成电路不断向小型化,高集成度的方向发展,器件的工作电压也越来越低,但是在整机过程中总是会存在不可预料的瞬态电压和浪涌,瞬态电压抑制器(TVS)便是基于PN结原理的一种保护器件.基于TVS二极管低钳位电压,大分流能力,以及电容特性,TVS在大功率防过电(EOS)产品和防静电(ESD)产品上广泛应用.TVS二极管常见的失效有过电应力,晶圆缺陷,封装缺陷,包括的模式主要有过电烧毁、芯片注入损伤、虚焊、弹坑等.只有通过合理选型,并在晶圆制造和封装端严苛把控,不断优化工艺才能确保TVS的可靠性.

摘要： 本发明的一个课题在于，提供一种在各晶圆之间组成是变动的晶圆组，自该晶圆组制造的产品容易确保均匀性。本发明的另一个课题在于，提供一种技术，利用该技术能够排除形成OF时的不确定因素，并能够以极高的概率和极高的精度来形成OF。本发明提供晶圆组和与其相关的技术，该晶圆组由自同一个铸锭得到的多个晶圆构成，而且所有的晶圆都具有OF，其中，该晶圆组由70张以上的晶圆构成，各晶圆的OF方位精度在±0.010°以内。

摘要： SiC外延晶圆（1）具备小于4度的偏角衬底（2）、和配置在小于4度的偏角衬底（2）上的SiC外延生长层（3），SiC外延生长层以Si化合物为Si的供给源，并以C化合物为C的供给源，使载流子密度均匀性小于10％，且缺陷密度小于1个/cm2，Si化合物与C化合物之C/Si比具有0.7以上0.95以下的范围。提供在低偏角SiC衬底上SiC外延生长中，膜厚均匀性及载流子密度均匀性优异，且表面缺陷少的高质量的SiC外延晶圆、SiC外延晶圆的制造装置、SiC外延晶圆的制造方法及半导体装置。

摘要： 本发明的一个课题在于，提供一种在各晶圆之间组成是变动的晶圆组，自该晶圆组制造的产品容易确保均匀性。本发明的另一个课题在于，提供一种技术，利用该技术能够排除形成OF时的不确定因素，并能够以极高的概率和极高的精度来形成OF。本发明提供晶圆组和与其相关的技术，该晶圆组由自同一个铸锭得到的多个晶圆构成，而且所有的晶圆都具有OF，其中，该晶圆组由70张以上的晶圆构成，各晶圆的OF方位精度在±0.010°以内。

摘要： 本发明的一个课题在于，提供一种在各晶圆之间组成是变动的晶圆组，自该晶圆组制造的产品容易确保均匀性。本发明的另一个课题在于，提供一种技术，利用该技术能够排除形成OF时的不确定因素，并能够以极高的概率和极高的精度来形成OF。本发明提供晶圆组和与其相关的技术，该晶圆组由自同一个铸锭得到的多个晶圆构成，而且所有的晶圆都具有OF，其中，该晶圆组由70张以上的晶圆构成，各晶圆的OF方位精度在±0.010°以内。

摘要： 本发明提供一种在由压电材料晶圆及非压电材料晶圆所接合而成的接合晶圆中，研磨后的晶圆全面的压电基板的厚度均一的接合晶圆及其制造方法、弹性波器件的制造方法、接合晶圆中使用的压电材料晶圆与非压电材料晶圆。接合晶圆由压电材料晶圆及非压电材料晶圆所接合而成。非压电材料晶圆之厚度比压电材料晶圆更厚，且非压电材料晶圆具有平边，而压电材料晶圆的外周没有平边。

摘要： SiC外延晶圆（1）具备小于4度的偏角衬底（2）、和配置在小于4度的偏角衬底（2）上的SiC外延生长层（3），SiC外延生长层以Si化合物为Si的供给源，并以C化合物为C的供给源，使载流子密度均匀性小于10％，且缺陷密度小于1个/cm2，Si化合物与C化合物之C/Si比具有0.7以上0.95以下的范围。提供在低偏角SiC衬底上SiC外延生长中，膜厚均匀性及载流子密度均匀性优异，且表面缺陷少的高质量的SiC外延晶圆、SiC外延晶圆的制造装置、SiC外延晶圆的制造方法及半导体装置。

摘要： 本发明的一个课题在于，提供一种在各晶圆之间组成是变动的晶圆组，自该晶圆组制造的产品容易确保均匀性。本发明的另一个课题在于，提供一种技术，利用该技术能够排除形成OF时的不确定因素，并能够以极高的概率和极高的精度来形成OF。本发明提供晶圆组和与其相关的技术，该晶圆组由自同一个铸锭得到的多个晶圆构成，而且所有的晶圆都具有OF，其中，该晶圆组由70张以上的晶圆构成，各晶圆的OF方位精度在±0.010°以内。

摘要： 本发明为一种半导体晶圆的加工方法，对具有表面及背面且于周缘端部具有由表面侧、背面侧的倒角面及边缘面所构成的倒角部的半导体晶圆的与表面侧、背面侧的倒角面、边缘面及表面或背面的倒角面为相邻的最外周部的各部位进行镜面研磨，其中于表面侧倒角面镜面研磨的步骤及背侧面倒角面镜面研磨的步骤后，于同一步骤中进行边缘面及表面或背面的最外周部的镜面研磨，借由以同一步骤进行边缘面及最外周部的镜面研磨，调整表面或背面的最外周部的边缘下降量。借此不使半导体晶圆的内侧形状比最外周部更崩坏，能有良好精确度地于最外周部形成期望的凹陷形状，且不使加工后半导体晶圆的边缘面形状锐利化。

摘要： 本发明为一种晶圆加工用临时粘合材料，其用于将表面具有电路面且应对背面进行加工的晶圆临时粘合在支撑体上，其特征在于，具备具有第一临时粘合层和第二临时粘合层的至少2层结构的复合临时粘合材料层，第一临时粘合层能够以可剥离的方式粘合在所述晶圆的表面且由热塑性树脂层(A)构成，第二临时粘合层层叠于该第一临时粘合层上且由光固化硅氧烷聚合物层(B)构成。由此提供一种改善加热接合时的晶圆翘曲，具有良好的剥离性与清洗除去性，能够在段差大的基板上以均匀的膜厚形成，对TSV形成工序等的工序适应性高，并且对热工艺的耐受性优异，能够提高薄型晶圆的生产率的晶圆加工体、晶圆加工用临时粘合材料及使用其的薄型晶圆的制造方法。

摘要： 本发明公开了一种晶圆传送机械臂、晶圆制造设备以及晶圆传送方法，属于半导体工艺技术领域，解决了现有技术中晶圆在晶圆传送机械臂上的传送过程中大气环境中的各种污染物会对晶圆造成污染导致晶圆在后续的制造过程中产生不良的问题。本发明的晶圆传送机械臂包括叶片基体以及用于提供保护气的供气单元，叶片基体上开设与供气单元连接的通孔，使得保护气通过通孔喷吹叶片基体的上表面。本发明的晶圆传送方法包括如下步骤：保护气喷吹在晶圆传送机械臂的叶片基体的上表面；晶圆从设备前端模块传送至叶片基体上，保护气始终对晶圆进行保护；叶片基体将晶圆传送至传输模块内。本发明的晶圆传送机械臂、晶圆制造设备以及晶圆传送方法可用于晶圆制造。