晶圆代工

摘要： 西门子数字化工业软件近日宣布加入成为英特尔晶圆代工服务(IFS)加速计划中的EDA联盟特许成员。英特尔的IFS计划致力于建立完整的生态系统,基于IFS领先的工艺技术为下一代芯片级系统(SoC)提供设计和制造支持。

摘要： 作为国内晶圆代工龙头之一的华虹半导体(01347.HK)在12日公布一季度业绩,随后又披露称,公司拟发行不超过约4.34亿新股计划并计划赴上交所科创板上市。这一消息发布,再度引发市场关注。根据华虹半导体的公告,2022年5月12日董事会已批准建议人民币股份发行、特别授权及相关事宜(包括建议修订章程细则),但仍需等待股东特别大会上批准以及取得必要监管批准。

摘要： 近日英特尔CEO基辛格(Pat Gelsinger)在摩根士丹利(Morgan Stanley,大摩)投资者大会演讲时透露,目前英特尔先进制程进展超预期,Intel 18A制程量产有望提前半年,并已找到客户。去年3月,基辛格提出IDM 2.0战略,大力发展先进制程,并重返晶圆代工市场。随后,又对于英特尔的先进制程进行了重新命名,提出Intel 7、Intel 4、Intel3及Intel 20A、Intel 18A等代先进制程,并计划一年一代的推进,2024年将量产Intel 20A工艺,并已与高通达成合作,2025年将量产Intel 18A制程。

摘要： 台积电转战1.4纳米近日,有台媒报道,台积电3纳米制程将在今年8月将量产,但台积电为取得制霸权,防止英特尔杀出抢单,决定将3纳米研发团队转战1.4纳米开发,这也为台积电准备踏入1纳米时代揭开了历史新页。接下来,台积电要在先进制程开发上压制英特尔借由2纳米技术突破从而争食苹果新世代处理器的威胁,以持续在晶圆代工领域保持领先优势。

摘要： 近年来,国际各大碳化硅生产厂商加速8英寸晶圆的开发量产进程。碳化硅龙头WolfSpeed启用并开始试产旗下一座8英寸新厂,预计明年上半年将有显著营收。法国Soitec半导体公司发布首款8英寸Smart SiC晶圆。晶圆代工大厂联电也将加大设备投资力度,布局8英寸的宽禁带半导体晶圆制造。当前,全球碳化硅领域仍以6英寸为主。但从硅基半导体的发展经验来看,从6英寸到8英寸再到12英寸晶圆,每次提升都会对行业带来意义明显的影响。随着各大厂商加快8英寸量产步伐,碳化硅晶圆的8英寸时代也在逐步临近。

摘要： 晶圆代工龙头台积电2020年缴出亮丽成绩单,预期全年美元营收年成长率逾3成并创下历史新高。2021年虽然仍有新冠肺炎疫情蔓延、地缘政治及贸易战等外在环境变量,但晶圆代工订单强劲,第二季前产能利用率维持满载。设备业者及市场法人看好台积电2021年3n m产能建置及2n m技术研发加速进行,全年资本支出将上看200亿美元再创新高。

摘要： 国际贸易摩擦叠加突发的疫情,全球半导体产业链失序,"芯荒"危机蔓延多行业。当芯片缺口释放,产业链上下游也开始寻找新的成长周期:有企业豪掷数百亿扩建扩产,有企业重新走上自研芯片的险路,有企业顺势拆分芯片业务冲刺IPO。所有的芯片问题,最终都绕不过制造环节,这让全球晶圆代工龙头台积电拥有了甜蜜的烦恼:随着订单需求急剧暴涨,一方面公司多季度营收净利双丰收;另一方面,产能吃紧的境况下,公司陷入竞争对手干扰的焦虑。

摘要： 由于全球晶圆代工产能持续吃紧且无缓解迹象,MCU、面板驱动IC、WiFi芯片等价格此前已经大涨,而随着新一代5G智能手机的持续推出,触控、指纹识别IC等芯片也扛不住压力,预计5月起将涨价,其中触控产品价格预计将调整15%。由于晶圆代工产能短缺,去年底中国台湾五大MCU厂商已同步调涨产品价格,显示出业界供不应求程度,如盛群从4月1日起调涨MCU全产品线15%售价,以反应晶圆及封测成本上涨。

摘要： 自2020年下半年以来,全球晶圆代工产能出现了持续的紧缺,特别是8英寸晶圆制造产能尤为紧缺。由于功率半导体主要依赖于8英寸晶圆制造产能,再加上电动汽车出货的持续增长,对于功率半导体器件的需求激增,导致功率半导体出现了严重的缺货、价格暴涨。

摘要： 芯查查APP资讯显示,近来,全球范围内多个厂商宣布晶圆厂投资扩产的企业计划:英特尔宣布投资200亿美元重启晶圆代工;格芯宣布投资40亿美元在新加坡建设新晶圆厂;Nexperia宣布其位于英国曼彻斯特的新8英寸晶圆生产线启动;最近更是有传言称华为将在武汉新建晶圆厂,初期规划光通信芯片和模块产品,并将于2022年开始分阶段投产。而这些晶圆厂产能释放出来或许还要些时候,分析师认为,最严重的芯片短缺问题将在2021年第三或第四季度开始缓解,到2022年供应才能稳定下来。

摘要： 在晶圆到晶圆接合方法中，第一晶圆被真空吸附在下平台的第一表面上，并且第二晶圆被真空吸附在上平台的第二表面上。通过下推动杆将压力施加到第一晶圆的中间部分，并且通过上推动杆将压力施加到第二晶圆的中间部分。第一晶圆和第二晶圆的接合径向向外传播。检测第一晶圆和第二晶圆的接合传播位置。下推动杆的突出长度和上推动杆的突出长度的比率根据接合传播位置而改变。

摘要： 一种晶圆支撑系统，具有晶圆支撑装置(16)和切割框架(14)，其中晶圆支撑装置(16)具有底板(26)和顶板(28)。顶板(28)包括用于支撑晶圆(12)的支撑表面(34)，并且底板(26)具有大于顶板(28)的最大直径(dt)的最大直径(db)，使得底板(26)包括用于切割框架(14)的储存部(32)。切割框架(14)具有限定中心孔(20)的板状形状，其中中心孔(20)的最小直径(dh)大于顶板(28)的最大直径(dt)，使得切割框架(14)下沉到晶圆(12)的上表面和/或支撑表面(34)的下方。此外，提供了晶圆支撑装置(16)，晶圆支撑系统(18)和掩模对准器。

摘要： 本发明提供了一种晶圆刷洗装置、晶圆加工设备及晶圆刷洗控制方法，晶圆刷洗装置包括：刷洗部件，刷洗部件用于与晶圆表面接触，以对晶圆的表面进行刷洗；驱动部件，驱动部件与刷洗部件驱动连接，驱动部件的至少部分沿预设方向可移动地设置，以驱动刷洗部件沿预设方向移动；压力检测部件，刷洗部件和驱动部件均与压力检测部件配合，以通过压力检测部件检测刷洗部件与驱动部件之间的作用力。本发明的晶圆刷洗装置解决了现有技术中的晶圆刷洗装置对晶圆的刷洗效果不佳的问题。

摘要： 本申请提供了一种晶圆、晶圆制备方法及晶圆切割方法。晶圆包括：半导体基底；多个芯片，设置于半导体基底上，其中芯片之间通过切割道间隔开；以及预设沟槽，设置于切割道，并沿切割道的方向延伸，其中，预设沟槽在垂直于半导体基底的第一方向的预定深度小于芯片在第一方向的高度。本申请提供的晶圆不但可降低通过切割得到的芯片的裂片、崩边或破损的风险，而且还可在减少切割工艺对上述芯片的机械强度的影响的同时，提高晶圆切割的生产效率和产品良率。

摘要： 本发明为一种晶圆加工用临时粘合材料，其用于将表面具有电路面且应对背面进行加工的晶圆临时粘合在支撑体上，其特征在于，具备具有第一临时粘合层和第二临时粘合层的至少2层结构的复合临时粘合材料层，第一临时粘合层能够以可剥离的方式粘合在所述晶圆的表面且由热塑性树脂层(A)构成，第二临时粘合层层叠于该第一临时粘合层上且由光固化硅氧烷聚合物层(B)构成。由此提供一种改善加热接合时的晶圆翘曲，具有良好的剥离性与清洗除去性，能够在段差大的基板上以均匀的膜厚形成，对TSV形成工序等的工序适应性高，并且对热工艺的耐受性优异，能够提高薄型晶圆的生产率的晶圆加工体、晶圆加工用临时粘合材料及使用其的薄型晶圆的制造方法。

摘要： 本申请实施例公开一种晶圆盒、晶圆搬运设备、晶圆搬运控制方法、电气设备及存储介质。所述晶圆盒包括相对设置的两个承载件和光源，两个所述承载件围成位于两个所述承载件之间的容纳空间和位于所述容纳空间一侧的取放口，所述容纳空间用于收纳多片平行于第一基准面的晶圆，所述光源设置在所述容纳空间远离所述取放口的一侧，用于朝向所述容纳空间发光，能够达到对晶圆精准对位、搬运与自动化操作的目的。

摘要： 本发明公开了一种晶圆旋转机构，包括：下部机构，用于输出旋转动力；上部机构，可与晶圆旋转基座相连；上部机构和下部机构具有工作状态和分离状态，当处于工作状态，上部机构在下部机构带动下旋转，当处于分离状态，上部机构和下部机构分离；断电状态下，上部机构和下部机构从工作状态切换至分离状态，上部机构带着晶圆旋转基座在惯性作用下旋转直至停止。本发明还公开了一种晶圆旋转夹持机构。本发明又公开了一种晶圆干燥系统、晶圆清洗系统。本发明晶圆旋转夹持机构在通电状态下，传动稳定、可靠；突然断电时，离合机构能立刻断开，晶圆转动夹持机构所在的上部体在惯性作用下缓慢减速至停止转动，确保晶圆放置稳定，避免晶圆碎片。

摘要： 本发明提供一种晶圆对准标记、制作方法、晶圆对准装置及晶圆对准方法，该晶圆对准标记能够在正向偏置导通时产生自发射红外光，利用自发射红外光替代外部入射红外光，使用该晶圆对准标记进行对准时，由于红外光直接从晶圆内产生，避免了外部红外光从外延层入射至衬底时产生的光路损耗。该晶圆对准标记应用广泛，可以应用到功率MOS、IGBT、BCD及超结器件等半导体器件的制造工艺中。此外，与晶圆对准标记配合使用的晶圆对准装置结构简单，无需额外配置He‑Ne激光器，还可利用光源提高红外光的信噪比，在现有的光刻设备中具有较高的实用价值。

摘要： 本申请提供了一种晶圆选取方法、处理设备、晶圆检测系统和晶圆选取设备。该方法包括：获取制程机台制备多个晶圆的制程中采用的目标制程工艺参数；确定选片的预设条件；根据多个晶圆的目标制程工艺参数和预设条件，从多个晶圆中选取目标制程工艺参数满足预设条件的晶圆，得到待量测晶圆。该方案中，根据目标制程工艺参数和预设条件选取需要进行量测的晶圆，即根据目标制程工艺参数并采用预设条件进行选片，这样可以保证选片的准确性，从而可以保证精准地检测到有缺陷的晶圆。

摘要： 本发明公开一种晶圆代工机台超纯水回收方法及系统，对晶圆代工机台外输废水采用传感器检测其水质，经控制系统判断后控制阀门使相应管路导通，使符合超纯水回收标准的进入超纯水回收系统；否则进入废水处理系统。由控制系统根据传感器测得的数据控制阀门，使晶圆代工机台外输废水进入相应的管路，从而实现了符合回收标准的超纯水得以进入超纯水回收系统，处理后重新使用，能够使晶圆代工机台废水合理分流，降低了废水处理系统处理负荷和运行成本，同步提高制程纯水回收率，节约了用水。