晶体管放大器

摘要： 在音频放大器中,电子管放大器算是最特殊的一类,除了足够古老之外,声音也时常可以让人陶醉,而其特性也是让人喜爱的(比如驱动力、又比如线性的放大),因而现今还能与晶体管放大器分庭抗礼。本期,我们挑选出近两年聆听过的9台电子管合并功放与大家分享,这9台机器涵盖了大功率到小功率、单端到推挽等等类型,它们的档次也各异,相信总有一款适合你。

摘要： 非线性失真放大器装置主要由晶体管、模拟开关等元器件所构成的非线性失真信号发生放大器和基于STM32的总谐波失真度测量仪组成,可以用于产生在模拟电子电路中常见的4种非线性失真信号,即顶部、底部、双向和交越失真信号,测试仪可以用于对上述4种非线性失真信号进行总谐波失真度的测量。在软硬联调测试中,该非线性失真放大器装置可以输出4种增益大于100倍的非线性失真信号,测量得到顶部、底部、双向、交越失真信号的总谐波失真度分别为17.0%、16.0%、10.9%、18.5%,与专业的频谱测试仪器测量得到结果近似。

摘要： 本文设计并制作了一种基于晶体管放大器的非线性失真研究装置.本装置以频率为1kHz、峰峰值为20mV的正弦波作为晶体管放大器输入信号,输出峰峰值不低于2V的无明显失真波形及其余四种失真波形,并对输出波形进行AD采集后,通过FFT方式计算输出信号的总谐波失真值(Total Harmonic Distortion).本装置由STM32F407核心控制板、晶体管及偏置电路组成.通过改变五个通道的放大器偏置电路调节静态工作点,同时采用4051模拟开关进行五种波形通道的切换,实现"无明显失真"、"顶部失真"、"底部失真"、"双向失真"、"交越失真"五种波形输出,并在TFT LCD屏上显示波形以及THD值.

摘要： 针对电子技术课程教学中,晶体管放大器的非线性失真现象及其产生机理、数学模型分析过程抽象难懂问题,设计了一款晶体管放大电路非线性失真综合实验装置.该实验装置基于STM32嵌入式系统设计原理,对输入波形实时进行FFT快速傅里叶变换,计算并显示总谐波失真值,可自由切换模式以实现无失真放大输出和"顶部失真""底部失真""双向失真""交越失真"四种晶体管常见失真形式信号输出.教学实践证明,此实验较好地实现了晶体管放大电路非线性失真实验要求.将该教学理念应用到信号与系统及单片机技术等电子类课程,可对全面提高学生理论分析和工程应用能力起到很好的促进作用.

摘要： 为庆祝南京人民广播电台成立65周年,＂声音的力量＂广播技术设备发展历程展,于2014年5月在广电大厦一楼大厅内展出。此次展览分为四大类,展品共约50件,包含了历年来电台使用过的话筒、电唱机、录音机和调音台,以及采访、录制、播音、传输、收测、发射等多种老旧专业技术设备,突出展示广播设备更新换代的标志性、纪念性与实用性。通过展览,可以让我们了解广播设备从模拟技术到数字技术的应用;

摘要： 阐述了晶体管放大器的原理,较详尽地介绍了晶体管放大器运行使用中经常或可能出现的各种故障,并具体分析了故障原因及诊断方法。

摘要： 阐述了晶体管放大器的原理,较详尽地介绍了晶体管放大器运行使用中经常或可能出现的各种故障,并具体分析了故障原因及诊断方法。

摘要： 现在市面上所销售的品牌音箱,灵敏度较低,大多数在82~89dB之间,承受功率大,在几十瓦至一、二百瓦,多配套大功率晶体管放大器作为推动。但一般中、低价位的晶体管放大器,音质又不尽理想,明显缺少＂堂音＂。所以笔者用电子管器件制作了一台较大功率的推挽功率放大器,用来推动现代音箱,取得了极好的效果。

摘要： 今天有幸聆听了麦景图MC275电子管立体声放大器50周年纪年版，进一步对麦景图的器材有了了解。电子管放大器对于音响爱好者来讲感情深厚，不仅仅是音质上与晶体管放大器有所不同，更主要是推动一般扬声器都会得到较好的结果，并使大家获得满意的聆听结果。

摘要： 本文介绍了一个平衡晶体管放大器的设计,并对其中匹配电路进行仔细的分析,实验结果与晶体管的额定参数相吻合.

摘要： 随着DRAM存储器的微型化发展，要求写入/读出放大器所占据的空间越来越小，其宽度由4位线网格宽度到两个位线网格宽度。常规的已有写入/读出放大器还可以减小，但可支配空间不能实现中断。因此至今仍然没有成功地将写入/读出放大器按新式DRAM存储器单元所需的间隔一个挨一个布置。根据本发明的原理和教导，将写入/读出放大器中使用的常规晶体管中的至少一部分更换为垂直晶体管，其上不同掺杂区域上下叠放布置，采用垂直晶体管显然比使用常规的晶体管节约空间，使一个写入/读出放大器在网格中的布置能够保障具有尽可能小的网格宽度。

摘要： 本发明涉及使用互补对的电流注入场效应晶体管(iFET)装置(CiFET)的低噪声传感器放大器和跨阻抗放大器。CiFET包括N型电流场效应晶体管(NiFET)和P型电流场效应晶体管(PiFET)，所述NiFET和PiFET中的每一个都具有源极、漏极、栅极和扩散(电流注入)端子(iPort)。每个iFET还具有在所述源极和扩散端子之间具有宽度和长度的源极沟道，以及在所述漏极和所述扩散端子之间具有宽度和长度的漏极沟道。通过所述iFET的源极沟道的宽度/长度与漏极沟道的宽度/长度的比率和电源电压来调节所述CiFET装置的跨阻抗。在一种配置中，所述NiFET和PiFET的所述栅极端子连接在一起以形成公共栅极。在另一种配置中，所述公共栅极被配置为用于高输入阻抗模式的电压输入端。输出电压在共模电压周围发生摆动。

摘要： 随着DRAM存储器的微型化发展,要求写入/读出放大器所占据的空间越来越小,其宽度由4位线网格宽度到两个位线网格宽度。常规的已有写入/读出放大器还可以减小,但可支配空间不能实现中断。因此至今仍然没有成功地将写入/读出放大器按新式DRAM存储器单元所需的间隔一个挨一个布置。根据本发明的原理和教导,将写入/读出放大器中使用的常规晶体管中的至少一部分更换为垂直晶体管,其上不同掺杂区域上下叠放布置,采用垂直晶体管显然比使用常规的晶体管节约空间,使一个写入/读出放大器在网格中的布置能够保障具有尽可能小的网格宽度。

摘要： 一种功率放大器，包括基于GaN的高电子迁移率晶体管(HEMT)器件，其中在功率放大器在26.5GHz和30.5GHz之间运行期间功率放大器的功率附加效率(PAE)在P1DB处大于32％。

摘要： 本公开涉及晶体管和包含所述晶体管的功率放大器。一种半导体装置包括具有前侧的管芯主体和具有形成于管芯主体中的有源区域的晶体管，有源区域由外周边限界。互连结构形成于管芯主体的前侧上且包含限定第一触点、第二触点和第三触点的图案化导电材料，第一触点、第二触点和第三触点分别电耦合到晶体管的有源区域内的第一子区、第二子区和第三子区。前侧输入/输出(I/O)接口形成于互连结构的外部部分中。前侧I/O接口包含第一接触衬垫、第二接触衬垫和第三接触衬垫，第一接触衬垫电连接到第一触点，第二接触衬垫电连接到第二触点，并且第三接触衬垫电连接到第三触点，其中第三接触衬垫定位在上覆于晶体管的有源区域的位置处。

摘要： 一种多单元晶体管包括半导体结构，并联电连接的多个单位单元晶体管，每个单位单元晶体管在半导体结构中在第一方向上延伸，其中，单位单元晶体管沿着第二方向彼此间隔开，以及隔离结构，该隔离结构位于第一组单位单元晶体管和第二组单位单元晶体管之间并在半导体结构上方延伸。

摘要： 本发明公开了一种功率晶体管的芯片固定方法，所述方法包括以下步骤：选取管壳并进行检验；对选取的所述管壳的底座的内腔、芯片安装位及电极安装位进行测量；选取陶瓷，并根据所述内腔的测量结果进行切割，从而形成与所述内腔对应的圆柱体；根据所述芯片安装位及所述电极安装位的测量结果对所述圆柱体进行切割；将二次切割后的所述圆柱体安装到所述管壳底座的内腔，并在所述电极固定位安装电极，在所述芯片固定位烧结芯片，从而完成所述芯片的固定。本发明可以使芯片烧结时的位置固定，以提升键合后的形貌，且可以准确键合到芯片的PAD区，进而提升键合的成品率，以减少制造成本。

摘要： 本发明涉及一种全纤化40μm芯径光子晶体光纤放大器制作方法及放大器，属于高功率激光器技术领域，将多根输入光纤分别与合束器的输入端口连接，所述输入光纤包括芯径为10μm的信号保偏光纤以及多根泵浦光纤，将输出保偏光纤的输入端与合束器的输出端口连接，所述输出保偏光纤的芯径为20μm；将输出保偏光纤的输出端与芯径为40μm的光子晶体增益光纤的输入端熔接，将芯径为40μm的光子晶体增益光纤的输出端与端帽熔接，本发明采用正向泵浦的方式对信号光进行放大，从合束器的输入端口注入泵浦光，实现放大器的全纤化，整体架构更为简单。

摘要： 本申请提供了一种赝配高迁移率晶体管PHEMT、低噪声放大器及相关装置，PHEMT包括：沟道层，分别设置于所述沟道层两侧的下势垒层和上势垒层，所述下势垒层与所述沟道层连接；以及，设置于所述沟道层和所述上势垒层之间的第一隔离层和第一掺杂层，所述第一隔离层用于隔离所述第一掺杂层和所述沟道层，所述第一掺杂层用于提供二维电子气，其中，在PHEMT的输出电流小于第一阈值时的所述沟道层的导带能级小于费米能级，以提高小输出电流时PHEMT的线性度，进而降低由于LNA非线性引起的交调失真。

摘要： 本实用新型提供一种晶体管放大器电路及放大器非线性失真研究检测装置，包括依序连接的两级放大电路、射极跟随器和乙类互补功率放大电路；两级放大电路包括由第一晶体管Q1、第一电阻R3和第二电阻R4组成的第一级放大电路，及由第二晶体管Q2、第三电阻R7和第四电阻R8组成第二级放大电路；射极跟随器包括第一开关S1、第二开关S2、第三开关S3和第三晶体管Q3；乙类互补功率放大电路包括第四开关S4、第五开关S5、第一整流二极管D4、第二整流二极管D3、第四晶体管Q4和第五晶体管Q5；第四晶体管Q4的发射极和第五晶体管Q5的集电极相连的线路上形成有用于非线性失真状态电压信号输出的采集点。实施本实用新型，模拟多种非线性失真状态。