晶体硅太阳电池

摘要： 选取ZnS和MgF_(2)两种材料设计了ZnS/MgF_(2)双层减反射膜,并利用TFCalc软件分析了膜层厚度、折射率以及光入射角对双层膜系有效反射率的影响.结果表明:ZnS和MgF_(2)的最佳物理厚度分别为67.86 nm和119.14 nm,此时达到最小有效反射率3.37%;在380~1200 nm波长范围内,ZnS的厚度对有效反射率的影响比MgF_(2)大;MgF_(2)的折射率对有效反射率的影响比ZnS大;适当降低MgF_(2)折射率可以获得较低的有效反射率.

摘要： 晶体硅太阳电池技术成熟且转换效率高,在市场中占据主导地位。通过建立其阻抗模型,可以分析电池的工艺和材料缺陷问题,有助于找到进一步优化电池结构和提高电池性能的方法。从实验和理论模拟两个方面研究了晶体硅太阳电池的阻抗特性,设计实验测试了不同太阳电池的交流阻抗谱,建立相应的数学模型对太阳电池的阻抗谱数据进行定量分析,通过交流阻抗获得晶体硅太阳电池的内部特性,可用于不同类型晶体硅电池的性能差异分析和工艺改进。

摘要： 210 mm大尺寸硅片已成为光伏行业的发展主流,但相比158 mm、166 mm的硅片,对采用210 mm大尺寸硅片的晶体硅太阳电池扩散工艺的研究尚处于探索阶段。研究了炉尾温度、工艺压力、进气口与石英舟端板距离、快速降温等因素对210 mm大尺寸硅片在低压扩散工艺后的方阻及制备的PERC晶体硅太阳电池良率的影响。研究结果表明:低压扩散工艺中大尺寸硅片方阻对炉尾温度、工艺压力更为敏感;增大进气口与石英舟端板距离能够有效解决炉口硅片方阻过高及过抛的问题;快速降温在提升工艺降温速率及缩短工艺时间的同时,不会影响扩散工艺效果。

摘要： 隧穿氧化硅钝化接触(TOPCon)晶体硅太阳电池(下文简称为“TOPCon太阳电池”)被广泛认为是产业用下一代主流高效晶体硅太阳电池技术,目前仍处于产业化应用开发阶段,在技术路线选择、核心材料制备等方面仍存在不少难题有待解决,尚未实现大规模量产推广。首先介绍了TOPCon太阳电池技术的研究进展,并分析了现有产业技术的不足,这种不足主要体现在现阶段该产业采用的主流的低压化学气相沉积(LPCVD)技术存在不足;然后详细分析了等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术的优、缺点及产业的应用现状,重点介绍了管式PECVD装备及其配套技术(下文简称为“管式PECVD装备技术”)的特点及发展进程,并分析了该装备技术在TOPCon太阳电池量产推广方面的应用潜力。研究结果表明:管式PECVD装备技术在制备低成本、高性能的TOPCon太阳电池用重掺杂多晶硅层和超薄氧化硅层等方面具有综合优势,其在非晶硅层沉积和原位掺杂等关键步骤的实现方面效率更高,可集成超薄氧化硅层的原位制备,又兼具装备价格低、维护简易、可靠性高、占地面积小等优点,因此,管式PECVD装备技术有望成为TOPCon太阳电池生产的一种重要的产业化技术路线。

摘要： 近日,国家自然科学基金委公布了2020年度国家自然科学基金项目立项结果,我校协同创新中心李旺博士主持申报的“晶体硅太阳电池低表面浓度磷掺杂的逆向扩散行为和机理研究”获批立项,资助金额10万元。这是自2016年突破国家自然基金项目后,我校连续5年获批国家自然科学基金项目立项资助。

摘要： 采用热蒸发法制备了n型晶体硅/氧化钨(WOx)异质结,并将其应用于背结太阳电池,研究了不同背电极对电池性能的影响及电池的变温性能.结果表明:相对于背铝电极,背银电极能够有效地提升电池的光电转换性能,最高光电转换效率达到了15.1％.结合Sun-Voc测试,证实通过降低电池串联电阻可使其光电转换效率提升至17.2％.电池的变温性能测试结果表明,其光电转换效率的温度系数为-0.35％/K,相比传统的铝背场晶体硅电池的温度系数降低22％.

摘要： 最近,中国科学院上海高等研究院研究员李东栋、副研究员鲁林峰等人在ACS Applied Materials&Interfaces上,发表了题为Interfacial Engineering of Cu_(2)O Passivating Contact for Efficient Crystalline Silicon Solar Cells with an Al_(2)O_(3) Passivation Layer的研究成果。

摘要： 随着社会主义现代化建设的不断加强,多种生产模式和生产方式都发生了剧烈的转变,为了进一步提升能源发展,增进光伏行业的飞跃式发展,在新的科学技术的不断深化改革下,多种新型的太阳电池技术以新的形态问世.而晶体硅太阳电池技术的产生也奠定着电池行业的转化效率的不断提升.即使现阶段晶体硅太阳电池技术高效性使用但是自身成本却相对较低,这也成为晶体硅太阳电池技术研究的优势.为此本文通过对晶体硅太阳电池技术的探究,结合现阶段我国太阳电池的发展现状,通过对于晶体硅太阳电池技术下太阳电池的使用优势出发,以求能够结合当前的科学技术手段,分析入伙更好地推广晶体硅太阳电池技术,增进晶体硅太阳电池技术的利用率,降低生产成本,创造更高的市场价值.

摘要： 在n-Si与金属电极之间插入电子选择性材料Ca和Cs2CO3、LiFx,可有效降低接触电阻和界面复合,该文研究Ca和Cs2CO3、LiFx作为背场在氧化钨金属多层膜(WAW)-Si太阳电池中对电池性能和稳定性的影响.3种电子选择性材料中,2 nm的LiFx对电池转换效率的提升最高,稳定性最好.对WAW-Si/LiFx太阳电池Rs的各部分组成进行提取和分析,表明LiFx-Si的接触电阻和LiFx/Ag接触电阻仅占总串联电阻的0.2％,背场工艺得到最佳的优化.将LiFx做为背场应用于氧化钒金属多层膜背接触晶体硅(MLBC)太阳电池中,达到19.02％的转换效率,而且用环氧树脂封装的MLBC太阳电池放置在空气中表现出极好的稳定性.

摘要： 介绍了太阳电池的研究方案、高效晶体硅太阳电池TOPCon IBC 同质结、IBC电池转换效率达到21％HJ-IBC以特殊的掩膜代替光刻,完成背面图形化,转换效率超过19％。

摘要： 晶体硅太阳电池单晶电池最高效率21.31%，单晶组件最高功率超过300W，单晶组件率先通过“领跑者一级能效”认证，单晶组件平均功率比常规高10W以上，高可靠性：通过双倍IEC标准测试，蝉联2016SNEC“十大亮点”太瓦级钻石奖，多晶电池和组件技术开发完成。

摘要： 本文从技术进展的角度介绍近年来晶体硅太阳电池的发展过程，重点介绍PERC、IBC以及HIT等三种今后太阳电池产业化高效技术。天合采用PERC技术的量产型多晶Honey Plus和单晶Honey M Plus电池的转换率分别为18.7%和20.4%。背接触太阳电池需要采用激光在硅片表面制作微米级直径的通孔，经过通孔将载流子从正面输运到背面，由背面电极接收。在电池背面，n型与p型栅线呈叉指状分布，与栅线接触的地方，硅片分别做n+型与p+型掺杂。HIT太阳电池核心是在高质量N型单晶硅两侧绒面分别沉积i/p+型和i+型非晶硅薄膜。采用介质膜叠层背面钝化的156x156mm2单晶硅太阳电池效率达到21.4%，多晶硅电池效率达到20.8%，创造了新的纪录。在量产后可以通过规模效应降低生产成本的前提下，太阳电池的技术发展趋势将更加注重量产平均效率的提高，以及高效率技术的生产兼容性。

摘要： 铝背场附着力是晶体硅太阳电池一项重要的性能指标,附着力过低,容易造成铝背场与电池片脱层;附着力过高,容易引起太阳电池弯曲变形.本文探讨了影响铝背场附着力的因素,分析了180度剥离试验机理,并根据测试结果提出由于存在内应力,180度剥离的拉力与铝背场附着力不具有完全对应关系的结论.确定铝背场附着力时,建议在铝背场上粘接一个固体,以垂直于铝背场的方向拉固体,直至铝背场被拉下,记录被拉下时刻的拉力作为铝背场附着力.

摘要： The LID defect in CZ silicon consists of substitutional boronatom and stagger type oxygen dimer.The LID defect in mc silicon is related to the metalimpurities or their aggregation at the structural defects.Regeneration treatment is a good way to eliminate the LIDdefects.Electronic injection by forward bias is an economicindustrial way for the elimination of LID defects.

摘要： 双面TOPCon结构[(n+) poly-Si /Si Ox/(n-)c-Si/Si Ox/(p+)poly-Si] 太阳电池的载流子输运呈一维特性，易于获得更高的FF，设计双面TOPCon太阳电池时，因多晶硅薄膜的方阻较大，需要一层TCO薄膜增强载流子的输运与收集；溅射ITO薄膜导致n-type和p-type TOPCon样品钝化寿命急剧下降，溅射功率及沉积温度越高，少子寿命衰退越厉害！但是通过退火可以使TOPCon样品钝化性能得到有效恢复，并且在500oC附近得到最佳的恢复；受限与p-type TOPCon钝化性能，双面TOPCon电池效率初步达到 16.9%；软件模拟表明，进一步优化发射极钝化性能，电池效率有望提高到22.9%。

摘要： 研究运用中频磁控溅射装置进行反应溅射，在衬底上制备出氮化硅薄膜。运用多种不同折射率的氮化硅薄膜相叠加，可以形成多层梯度复合薄膜，其减反效果比单一折射率的薄膜会更加优秀。除去减反效果以外，氮化硅薄膜也具备钝化效果，其钝化效果具体体现在化学钝化、场效应钝化以及氢钝化。在对表面悬挂键完成填补、降低表面态密度的同时氮化硅中的氢原子会在退火过程中渗透入硅中，对缺陷进行填补，完成氢钝化。

摘要： 本工作中在溅射气氛中加入氢气，将氢原子掺入AZO材料中，制备了电阻率为6×10-40hm·cm左右的薄膜，光学透过率为82%左右。将这种AZO薄膜制备在制绒单晶硅电池上，能有效地使反射率降低到4.5%左右，表面方阻降低到100hm左右，晶体生长状况良好。

摘要： 在太阳电池烧结过程中,气流一方面带走炉膛内的有机挥发物(VOC)和少量的金属离子,防止其附着在电池表面;另一方面,气流调节炉内温场,使得电池表面温度一致.本论文分析了硅片被通过传导、对流、辐射加热的机理,提出了四种烧结炉结构模型,采用FLUENT中的动网格、辐射SCS模型等,模拟了在不同进气模式下,烧结炉工作炉腔内的两维热场分布.模拟得到进气口均匀分布在炉身,排气口分布在炉身的中部及两端时,炉膛内的热场分布最均匀,与实验验证结果一致.此研究为准确设置烧结温度、快速调整烧结工艺、缩短设备开发周期等提供了理论依据.

摘要： 利用碱性溶液对单晶硅片具有各向异性腐蚀的特点来制备绒面。制绒过程具有较复杂的动力学，反应平衡一直被打破，目前常规碱制绒工艺制绒时间需要15min以上，制约产能提高和生产成本的进一步下降，在目前常规碱制绒工艺基础上仅需要更换新一代添加剂，制绒时间可以压缩到6min，理论产量可增加60%以上。

摘要： 本发明提供了一种晶体硅SE太阳电池向光面种子层浆料及其制备方法，所述种子层浆料中含有功能粉体、无机玻璃粉和有机载体；所述功能粉体中含有A粉、B粉和C粉，所述A粉选自锡粉或/和铅粉，所述B粉为硅粉，所述C粉为铋粉或/和锑粉。本发明还提供了采用该种子层浆料制备晶体硅SE太阳电池片的方法以及由该方法制备得到的晶体硅SE太阳电池片。采用本发明提供的种子层浆料烧结后形成电极栅线，其细密度较高，且与硅片附着力良好，电镀后焊接性能好，串阻低，在电极线下形成选择性发射极（SE）区域，形成的晶体硅SE太阳电池片的光电转化效率得到明显提高。同时，该种子层浆料中不使用或少量使用金属银，能有效降低SE太阳电池片正面电极的制作成本。

摘要： 本发明提供了一种晶体硅SE太阳电池片的制备方法，包括以下步骤：S1、对硅片表面进行制绒、扩散、去磷硅玻璃处理，然后在硅片正面镀氮化硅减反射膜；S2、在减反射膜表面覆盖一层金属掩膜，然后采用磁控溅射法在减反射膜上沉积氧化铋；S3、在硅片背面印刷背面银导电浆料和背场铝浆料，整体入隧道炉烧结，烧结完成后退火；S4、在硅片正面进行光诱导电镀，得到所述晶体硅SE太阳电池片。本发明还提供了采用该制备方法制备得到的晶体硅SE太阳电池片。本发明提供的制备方法工艺简单、成本低廉、可实现大规模生产，制备得到的晶体硅SE太阳电池片，其表面电极栅线细密，遮盖面积小，电池的串联电阻小，填充因子增大，光电转化效率高，成本低廉。

摘要： 本发明提供了一种钙钛矿/晶体硅叠层太阳电池的电荷传输层，包括空穴传导层以及复合在空穴传导层上的自装配单层；所述电荷传输层为设置在晶体硅层与钙钛矿层之间的电荷传输层；所述电荷传输层中的空穴传导层位于晶体硅层之上；所述电荷传输层中的自装配单层位于钙钛矿层之下。本发明先在晶体硅层上制备了一层空穴传导层，再在其上制备一层自装配单层，组成双层空穴传输层，该双层空穴传输层设计结构在制备工艺，薄膜质量方面非常稳定，且界面能级匹配较好，制备的器件性能更加高效。

摘要： 本发明提供了一种晶体硅SE太阳电池向光面种子层浆料及其制备方法，所述种子层浆料中含有功能粉体、无机玻璃粉和有机载体；所述功能粉体中含有A粉、B粉和C粉，所述A粉选自锡粉或/和铅粉，所述B粉为硅粉，所述C粉为铋粉或/和锑粉。本发明还提供了采用该种子层浆料制备晶体硅SE太阳电池片的方法以及由该方法制备得到的晶体硅SE太阳电池片。采用本发明提供的种子层浆料烧结后形成电极栅线，其细密度较高，且与硅片附着力良好，电镀后焊接性能好，串阻低，在电极线下形成选择性发射极（SE）区域，形成的晶体硅SE太阳电池片的光电转化效率得到明显提高。同时，该种子层浆料中不使用或少量使用金属银，能有效降低SE太阳电池片正面电极的制作成本。

摘要： 本发明提供了一种晶体硅SE太阳电池片的制备方法，包括以下步骤：S1、对硅片表面进行制绒、扩散、去磷硅玻璃处理，然后在硅片正面镀氮化硅减反射膜；S2、在减反射膜表面覆盖一层金属掩膜，然后采用磁控溅射法在减反射膜上沉积氧化铋；S3、在硅片背面印刷背面银导电浆料和背场铝浆料，整体入隧道炉烧结，烧结完成后退火；S4、在硅片正面进行光诱导电镀，得到所述晶体硅SE太阳电池片。本发明还提供了采用该制备方法制备得到的晶体硅SE太阳电池片。本发明提供的制备方法工艺简单、成本低廉、可实现大规模生产，制备得到的晶体硅SE太阳电池片，其表面电极栅线细密，遮盖面积小，电池的串联电阻小，填充因子增大，光电转化效率高，成本低廉。

摘要： 本发明涉及一种SE晶体硅太阳电池的向光面种子层浆料，所述向光面种子层浆料为含有70-85wt%金属功能粉体、2-10wt%无机玻璃粉和5-20wt%有机载体的混合物；所述金属功能粉体中含有球形纳米锑粉。本发明还提供了采用该种子层浆料制备晶体硅SE太阳电池片的方法以及由该方法制备得到的晶体硅SE太阳电池片。本发明提供的SE晶体硅太阳电池制备方法中，通过将向光面种子层浆料与传统向光面银导电浆料双重印刷与硅片正面后烧结，在正面银电极栅线下很好地形成选择性扩散区域，且电极与硅基体附着牢固，焊接强度高，电极的接触电阻小，填充因子高，使得本发明提供的SE晶体硅太阳电池的平均光电转换效率超过17.3%，且向光面电极制作成本得到有效降低。

摘要： 本发明涉及一种晶体硅太阳电池的正面种子层银浆及其制备方法，所述正面种子层银浆中含有银粉、玻璃粉、有机载体和造孔剂；所述造孔剂选自碳酸铵、碳酸氢铵、硝酸铵、氯化铵的一种或多种，所述造孔剂的中粒径D

摘要： 本发明涉及晶体硅太阳电池(100)，包含搭迭连接有PERC型的太阳电池单元(1)而成的太阳电池串(10)，太阳电池单元(1)具有：单晶硅衬底(2)、扩散层(3)、与扩散层(3)接触的第一采集电极(4)、与扩散层(3)及第一采集电极(4)接触的第一连接电极(5)、贯穿有开口部(70)的绝缘层(7)、与绝缘层(7)接触且经由开口部(70)与单晶硅衬底(2)连接的第二采集电极(8)、以及与第二采集电极(8)接触的第二连接电极(9)，第一连接电极(5)与第二连接电极(9)分离，在相邻的两个太阳电池单元(1)的重叠区域(11)的大半部分或整个区域，第二采集电极(8)与单晶硅衬底(2)隔着绝缘层(7)分离。

摘要： 本发明涉及一种SE晶体硅太阳电池的向光面种子层浆料，所述向光面种子层浆料为含有70-85wt%金属功能粉体、2-10wt%无机玻璃粉和5-20wt%有机载体的混合物；所述金属功能粉体中含有球形纳米锑粉。本发明还提供了采用该种子层浆料制备晶体硅SE太阳电池片的方法以及由该方法制备得到的晶体硅SE太阳电池片。本发明提供的SE晶体硅太阳电池制备方法中，通过将向光面种子层浆料与传统向光面银导电浆料双重印刷与硅片正面后烧结，在正面银电极栅线下很好地形成选择性扩散区域，且电极与硅基体附着牢固，焊接强度高，电极的接触电阻小，填充因子高，使得本发明提供的SE晶体硅太阳电池的平均光电转换效率超过17.3%，且向光面电极制作成本得到有效降低。

摘要： 本发明涉及一种晶体硅太阳电池的正面种子层银浆及其制备方法，所述正面种子层银浆中含有银粉、玻璃粉、有机载体和造孔剂；所述造孔剂选自碳酸铵、碳酸氢铵、硝酸铵、氯化铵的一种或多种，所述造孔剂的中粒径D