晶体材料

摘要： 《人工晶体学报》创刊于1972年,月刊,是我国人工合成晶体领域唯一的专业性学术期刊。《人工晶体学报》特设综合评述、研究快报、研究论文、简讯等栏目,专业报道我国在人工合成晶体材料、低维晶态材料、人工微结构材料、生物医药结晶等领域在基础理论、合成与生长、结构与性能表征、器件组装、原料合成及装备制造等方面的研究进展与应用开发成果,同时介绍国内外相关方向的发展动态和学术交流活动等。

摘要： 《人工晶体学报》创刊于1972年,月刊,是我国人工合成晶体领域唯一的专业性学术期刊。《人工晶体学报》特设综合评述、研究快报、研究论文、简讯等栏目,专业报道我国在人工合成晶体材料、低维晶态材料、人工微结构材料、生物医药结晶等领域在基础理论、合成与生长、结构与性能表征、器件组装、原料合成及装备制造等方面的研究进展与应用开发成果,同时介绍国内外相关方向的发展动态和学术交流活动等。《人工晶体学报》是中文核心期刊、中国科技核心期刊,国内被《中国学术期刊(光盘版)》、万方、维普、超星等数据库收录,国外被美国《化学文摘》(CA)、荷兰SCOPUS、美国EBSCO、日本科学技术振兴机构(JST)等数据库收录。热忱欢迎人工晶体领域的各位专家学者踊跃投稿,投稿网址:http://rgjtxb.jtxb.cn。

摘要： 稳定可控的晶体生长界面,对体块单晶的品质和性能有决定性作用。但遗憾的是,大尺寸人工晶体生长技术发展繁衍近百年,生长界面始终是“盲区”,其复杂的热质输运、温度脉动、对流起伏等现象隐匿在高温熔体中,致使生长工艺存在过度的经验依赖和盲目性。由于缺乏针对界面失稳、缺陷增殖、组分过冷和回熔等现象的反馈控制技术,在晶体研究与生产方面存在一系列共性问题,如界面演化机理不明、材料品质性能良莠不齐、工艺研发艰巨漫长甚至无法重复等,严重限制了晶体材料在大功率激光器、集成半导体、高性能光学器件等重大课题中的应用。如能操纵高温、运动、时变的界面状态,则有望解读、预判,乃至控制上述破坏性现象,在单晶生长工艺过程与性能退化机理的关联性研究中取得突破。该项技术是涉及晶体、冶金、流体、机械等多学科的难题,具有显著的科研意义和工业价值。

摘要： 氢键有机骨架材料(Hydrogen-bonded Organic Frameworks,HOFs)是一类新兴的多孔晶体材料,通常由小分子有机结构单元通过氢键连接而自组装形成,具有良好结构的构建,π-π相互作用和静电吸引等引入,解决了氢键作用力弱、方向性差的问题,提高了HOFs材料的稳定性,实现了永久空隙的获得。此类独特的优势,让HOFs材料成为一种高度通用的平台,用于对多孔材料多功能的探索。在此重点概述了近年来HOFs材料在气体储存和分离、分子分离与识别、质子传导、生物医疗、异相催化等领域的重要进展。

摘要： 常规光学晶体在外界温度变化时,由于“热胀冷缩”效应,无法保持光信号传输的稳定性(如光程稳定性等),限制了其在复杂/极端环境中精密光学仪器的应用。探索晶体的反常热膨胀性质,如零热膨胀,来“对冲”外界温场对晶体结构的影响是解决这一问题的有效途径。但是,要通过晶格在温度场作用下的精巧平衡来实现零热膨胀是十分困难的:一方面,热膨胀率严格等于零的晶体在自然界中并不存在;另一方面,目前化学组分调控晶体热膨胀性质的方法,例如多相复合、元素掺杂、客体分子引入和缺陷生成等,会影响到晶体的透光性能,不利于光学应用。如何在严格化学配比的晶体材料中,利用其本征的热膨胀性能实现大温度涨落下的光学稳定性,具有非常重要的科技意义。

摘要： 《人工晶体学报》创刊于1972年,月刊,是我国人工合成晶体领域唯一的专业性学术期刊。《人工晶体学报》特设综合评述、研究快报、研究论文、简讯等栏目,专业报道我国在人工合成晶体材料、低维晶态材料、人工微结构材料、生物医药结晶等领域在基础理论、合成与生长、结构与性能表征、器件组装、原料合成及装备制造等方面的研究进展与应用开发成果,同时介绍国内外相关方向的发展动态和学术交流活动等。《人工晶体学报》是中文核心期刊、中国科技核心期刊,国内被《中国学术期刊(光盘版)》、万方、维普、超星等数据库收录。

摘要： 为解决微纳尺度晶体材料膨胀系数无法直接测量的现状,文章提出一种适用的测试思路及计算方法.该方法基于材料在不同温度下的XRD衍射图谱获得晶胞晶格常数,通过"晶格常数-温度"拟合,计算各个物相晶轴的线膨胀系数,进一步计算获得材料的体膨胀系数.采用该方法对单相高锡焊料及多相PbSn合金焊球进行测试,获取其体膨胀系数,证实方法有效可行.该方法能够实现微纳尺度试样的体膨胀系数的测定,包括产品微构件、薄膜材料、电子元器件用引线及焊料等材料,具有对试样要求低、操作简单、表征高效的特点,为微纳晶体材料热膨胀系数的测定提供新思路,具有较强的应用价值.

摘要： 1845年,法拉第发现当线偏振光在介质中传播时,若在平行于光的传播方向上加一强磁场,则光振动方向将发生偏转,这种现象被称为法拉第效应或磁致旋光效应,这种介质称为磁旋光材料,简称磁光材料。利用磁光材料的法拉第效应,人们设计出了光隔离器来防止光路中由于各种原因产生的后向传输光对光源以及光路系统的不良影响,以提高光波传输效率。磁光材料可分为玻璃、陶瓷和晶体材料。

摘要： 日月穿梭,光阴荏苒,蒋民华先生离我们而去不觉已是十载,斗转星移,世事沧桑,蒋先生的音容笑貌仍历历在目,他的丰功伟绩更历久弥新。记得是1978年7月末,我结束了工厂十年“再教育”,终于来到了向往已久的山东大学,“归队”于晶体材料研究室。还记得报到后的第二天下午,我见到蒋先生,几乎没有任何寒暄,他将我派到北京中国科学院化学研究所参加结晶学和X射线衍射培训班。从此,我在蒋先生的指引下走上了为之贡献一生的晶体研究和应用之路。

摘要： 功能材料的核心是材料的结构-性能关系,它涉及人们对材料的力、热、声、光、电、磁等物理性质及其相互耦合效应的基本理解,材料性能的多尺度(微观-介观-宏观)结构设计和调控机制,材料结构的热力学和动力学演化及其对材料性能的影响等。传统均匀晶体材料的物性往往是由原子和分子的固有属性,以及它们的空间结构和对称性来决定。

摘要： 研究了基于时间分辨成像的太赫兹声子极化激元，简述了飞秒激光改性硅材料的物理机理及其应用，分析了晶片上的微结构对THz声子极化激元调控。

摘要： 材料中纳米析出相的尺寸、数密度及其乘积体积分数是控制材料强化效果的重要微结构参数.本研究构建了一种易实现、便捷、高效、精准的在晶体材料体系中测量纳米析出相体积分数的实验方法.这种方法主要基于传统但是高度准确的会聚束电子衍射测量薄膜样品厚度的手段.而在薄膜表面附近,与表面相交的过短的析出相形成的衬度难以分辨,由此会给体积分数测量带来额外误差.本工作中提出了一个新公式来消除这一误差的影响，并通过3DAP得以验证其合理性。本工作中构建的方法适用于常规的透射电镜薄膜样品，只需现代常见的LaB6或者场发射电子枪透射电镜。通过对Al-Mg-Si-Cu中的针／半条／棒状纳米析出相的体积分数测定，证实了该方法的精确度可以达到土8%。这种方法得到的析出相数密度与通过3DAP得到的数密度相比，差别约为4.5‰说明由此而得到的析出相体积分数是高度准确可靠的。本工作同时还讨论了这种方法的适用范围。

摘要： 太赫兹通信在未来的短距离无线通讯中具有广阔的应用前景.在太赫兹波通信系统中,太赫兹调制器是关键器件之一.文章从晶体材料和太赫兹波的严格理论出发,研究分析制作调制器的晶体材料对太赫兹波的调制特性,诸如实现太赫兹波调频、调幅、调相,并给出太赫兹波实现最佳调制效果所满足的物理条件及晶体材料对太赫兹波调制的物理本质.本文所得结果对制作高效太赫兹波调制器件具有应用指导意义.

摘要： 亚微米单晶柱在不同应变率加载时表现出不同的力学性能.试样的尺寸和加载应变率对亚微米单晶柱的塑性流动有较大的影响.本文借助离散位错动力学方法,系统性的研究了不同尺寸单晶柱在不同应变率加载时的力学行为.通过对模拟结果分析,可以得到在尺寸较小、应变率较高时,表面形核机制主导了试样的稳定塑性流动;而当试样尺寸较大、应变率较低时,试样内部的位错源能够稳定的存在,从而由内部稳定开动的单臂位错源或Frank-Read源主导塑性行为.

摘要： 亚微米单晶柱在不同应变率加载时表现出不同的力学性能.试样的尺寸和加载应变率对亚微米单晶柱的塑性流动有较大的影响.本文借助离散位错动力学方法,系统性的研究了不同尺寸单晶柱在不同应变率加载时的力学行为.通过对模拟结果分析,可以得到在尺寸较小、应变率较高时,表面形核机制主导了试样的稳定塑性流动;而当试样尺寸较大、应变率较低时,试样内部的位错源能够稳定的存在,从而由内部稳定开动的单臂位错源或Frank-Read源主导塑性行为.

摘要： 亚微米单晶柱在不同应变率加载时表现出不同的力学性能.试样的尺寸和加载应变率对亚微米单晶柱的塑性流动有较大的影响.本文借助离散位错动力学方法,系统性的研究了不同尺寸单晶柱在不同应变率加载时的力学行为.通过对模拟结果分析,可以得到在尺寸较小、应变率较高时,表面形核机制主导了试样的稳定塑性流动;而当试样尺寸较大、应变率较低时,试样内部的位错源能够稳定的存在,从而由内部稳定开动的单臂位错源或Frank-Read源主导塑性行为.

摘要： 亚微米单晶柱在不同应变率加载时表现出不同的力学性能.试样的尺寸和加载应变率对亚微米单晶柱的塑性流动有较大的影响.本文借助离散位错动力学方法,系统性的研究了不同尺寸单晶柱在不同应变率加载时的力学行为.通过对模拟结果分析,可以得到在尺寸较小、应变率较高时,表面形核机制主导了试样的稳定塑性流动;而当试样尺寸较大、应变率较低时,试样内部的位错源能够稳定的存在,从而由内部稳定开动的单臂位错源或Frank-Read源主导塑性行为.

摘要： 亚微米单晶柱在不同应变率加载时表现出不同的力学性能.试样的尺寸和加载应变率对亚微米单晶柱的塑性流动有较大的影响.本文借助离散位错动力学方法,系统性的研究了不同尺寸单晶柱在不同应变率加载时的力学行为.通过对模拟结果分析,可以得到在尺寸较小、应变率较高时,表面形核机制主导了试样的稳定塑性流动;而当试样尺寸较大、应变率较低时,试样内部的位错源能够稳定的存在,从而由内部稳定开动的单臂位错源或Frank-Read源主导塑性行为.

摘要： 通过阴影法观察了内半径为20mm、外半径为40mm、深度为2mm和5mm的环形池内硅油的浮力-热毛细对流,测量了对流失稳的临界温差,分析了环形池旋转对它们的影响.结果发现:对2mm深的液层,超过临界温差时外环附近产生花边状的波纹,随着温差的增大,转变为多层花边状波纹.环形池旋转使波纹弯曲,波纹的传播方向始终与环形池的旋转方向一致.而5mm液层产生的波纹为稳定的轮辐状波纹,波纹的位置固定,较高转速下旋转使浮力-热毛细对流变为二维稳定状态,波纹消失.

摘要： 通过阴影法观察了内半径为20mm、外半径为40mm、深度为2mm和5mm的环形池内硅油的浮力-热毛细对流,测量了对流失稳的临界温差,分析了环形池旋转对它们的影响.结果发现:对2mm深的液层,超过临界温差时外环附近产生花边状的波纹,随着温差的增大,转变为多层花边状波纹.环形池旋转使波纹弯曲,波纹的传播方向始终与环形池的旋转方向一致.而5mm液层产生的波纹为稳定的轮辐状波纹,波纹的位置固定,较高转速下旋转使浮力-热毛细对流变为二维稳定状态,波纹消失.

摘要： 一种有机晶体管，其具有半导体有源层，该半导体有源层含有由下式表示且分子量为3000以下的化合物(X为氧、硫、硒、碲原子或NR

摘要： 一种非发光性有机半导体器件用涂布液，其含有通式(2)表示的化合物和沸点为100°C以上的溶剂(通式(2)中，R

摘要： 一些实施例包含集成组合件，所述集成组合件具有半导体材料立柱。所述立柱具有基座区域，且分叉成两个区段，所述两个区段从所述基座区域向上延伸。所述两个区段通过中间区域彼此水平间隔开。导电栅极位于所述中间区域内。第一源极/漏极区域位于所述基座区域内，第二源极/漏极区域位于所述区段内，且沟道区域位于所述区段内。所述沟道区域邻近于所述导电栅极且垂直安置在所述第一源极/漏极区域与所述第二源极/漏极区域之间。一些实施例包含形成集成组合件的方法。

摘要： 本发明公开了一种晶体材料、其制备方法及含有该晶体材料的热电材料及其制备方法。该晶体材料分子通式为TmCu

摘要： 本发明公开了一种具有光限制能力的W/S/Cu簇‑金属框架晶体材料的制备方法及晶体材料。具有光限制能力的W/S/Cu簇‑金属框架晶体材料的制备方法。将四硫代钨酸铵和氰化亚铜加入到吡啶溶剂中搅拌制得橙色溶液；并在该溶液上层加入缓冲层，然后在缓冲层上方加入四水合硝酸钙的异丙醇溶液；密封后经扩散结晶、过滤、洗涤、干燥即得到晶体材料。本发明获得一种具有强光限制能力的W/S/Cu簇‑金属框架晶体材料{[Ca(Py)(i‑PrOH)2][WS4Cu3(Py)2(CN)3]·2Py}n。本发明合成简便、条件温和、易于控制，合成的原料价廉易得，得到的产物产率高、纯度极高，材料的化学、光学稳定性好，材料的光限制能力强。

摘要： 本发明涉及有机半导体领域，尤其公开了一种有机晶体材料的制备方法、有机晶体材料和发光元件。本发明的有机晶体材料的制备方法包括：在惰性环境中，将相对叠放的两片金属配合物无定形掺杂膜加热退火，随后冷却至室温，其中所述金属配合物无定形掺杂膜的主体材料为第一金属与第一配体的配合物，客体材料为第二金属与第二配体的配合物；并且，所述第一金属与所述第二金属的金属原子序数之差≥10，所述第一配体与所述第二配体相同或具有空间上相似的结构。根据本发明的制备方法能够得到高浓度掺杂的缺陷诱导的有机晶体材料，且制备得到的有机晶体材料的光致发光光谱具有三重态直接激发的和发射特征，可应用于发光元件。

摘要： 本发明本发明公开了一种具有三阶非线性光学性能的W/S/Cu簇‑金属晶体材料的制备方法及晶体材料。将三硫代钨酸铵和氰化亚铜加入到吡啶溶剂中搅拌制得橙色溶液；并在该溶液上层加入吡啶缓冲层，然后在缓冲层上方加入四水合硝酸钙的有机溶液；密封后经结晶、过滤、洗涤、干燥即得到晶体材料。本发明获得一种具有三阶非线性光学性能的W/S/Cu簇‑金属晶体材料{[Ca(Py)

摘要： 本发明公开了一种晶体材料、其制备方法及含有该晶体材料的热电材料及其制备方法。该晶体材料分子通式为TmCu

摘要： 本发明提供氟代磷酸钒钠晶体材料的制备方法、氟代磷酸钒钠晶体材料及其应用；包括以下步骤：(a)将钒源溶于溶剂得钒源溶液；(b)将还原剂溶于所述钒源溶液，搅拌得还原性溶液；(c)向所述还原性溶液中依次加入磷源、钠源和氟源，搅拌加热得混合溶液；(d)向所述混合溶液中加入多金属氧酸盐，超声分散后进行水热反应，经离心、干燥得氟代磷酸钒钠前驱体；(e)将所述氟代磷酸钒钠前驱体在惰性气氛中烧结得所述氟代磷酸钒钠晶体材料。从而使更多钠离子暴露，最终获得晶体结构调控的氟代磷酸钒钠材料。

摘要： 本发明提供了一种有机铁电晶体材料的制备方法，包括如下步骤：提供衬底；在所述衬底表面形成条状沟槽；将有机铁电晶体材料的溶液滴入沟槽中；采用刮刀顺沟槽方向刮涂所述溶液，利用刮刀对溶液的剪切力，使溶液定向生长，得到相同取向的有机铁电晶体单晶阵列。上述技术方案提供了一种刮涂法制备的有机分子单晶薄膜和光电流非破坏性读取的有机铁电阵列存储器件，将传统的光刻图案化技术与刮涂工艺相结合，成功制备了单一取向、高质量、结晶均一的有机分子单晶以及微纳存储阵列器件，推进光电流非破坏性读取的有机铁电阵列存储器件的应用。