既遂

摘要： 通过非法手段获取比特币的行为构成财产类犯罪,比特币本身不是违禁品属于“财物”。随着科学理念的更新和时代的发展,不能仅将财物解释为有体物。考虑到网络空间的独立性和特殊性,承认比特币是产生于网络空间中的无体物,不会违反罪刑法定原则,存在管理比特币的可能性。由于区块链系统具有不可篡改、匿名等特性,无法从经由私钥生成的公钥和地址中反推出私钥。只要通过了其他网络节点的确认,拥有私钥就拥有了管理比特币的可能。就既遂而言,应立足于“失控说”类型化地予以认定。如果被害人未对私钥备份,行为人取得私钥之时既遂成立。否则,只有在行为人利用非法获取的私钥进行数字签名,并提交至区块链中请求验证交易的时点才能成立财产犯罪的既遂。因为此时被害人已经丧失了对比特币的控制力,能否追回比特币完全凭借运气。

摘要： 分析229份涉走私未遂案件的裁判文书发现,走私犯罪既未遂的认定标准很不统一,判决难点问题集中,相互矛盾明显。犯罪的本质在于侵害法益,大多数故意犯罪都存在一定的行为过程,犯罪的本质也应贯彻于犯罪认定的整个过程之中。作为犯罪过程中的停止形态,既未遂的判断,也可通过法益侵害程度来考察。走私类犯罪侵犯的主要法益是国家外贸管制和海关监管制度,根据走私的形式不同,法益侵害程度的标准可以区分和细化,进而区别认定它们的既未遂形态。

摘要： 买卖型犯罪包括罪状中含有“买卖”“出售”“销售”“贩卖”“倒卖”等用语,且以违禁品及其他特殊物品为交易对象的罪名,但不包括强迫交易罪等苛责点不在对象而在手段的罪名。“买卖”包括“买入”和“卖出”两行为,而“贩卖”“倒卖”仅限于“卖出”而不包括“为卖出而买入的行为”。从行为犯的既遂原理、法益侵害后果是否实现、行为人主观目的是否得逞、鼓励犯罪中止等角度论证,并参照民事领域合同成立、合同履行的相关规定,此类罪名应以货物的交付为既遂标志,货物未交付的则犯罪未完成。将既遂时间点前移至交易环节,甚至前移至“为了卖出而买入”,源于从严打击毒品犯罪的特殊历史背景和刑事政策,仅限于毒品犯罪领域,不应再参照适用于其他买卖型犯罪。

摘要： 2015年12月“两高”作出文物犯罪的新司法解释,在盗掘行为之外,增加“损害价值”作为盗掘古墓葬罪构成既遂的另一必要条件,一线办案人员对此有疑惑。结合发案形势和理论分析,建议立法上可以考虑适时删改2015年相关司法解释第8条第2款,适法环节在不突破现有法律框架条件下,应视盗掘行为达及古墓葬的地上封土、地下墓道墓坑填土或墓室,以爆破形式或机械设备在古墓葬紧外缘挖掘,或者以古墓葬为目标采取平洞、竖平混合洞挖掘等不同情形,分别做出既遂、未遂但不从轻、减轻的处罚。

摘要： 网络虚拟财产已被《民法典》确认为新兴权利,《刑法》也应当部分承认虚拟财产属于盗窃罪需要保护的法益.虚拟财产既是盗窃罪的财产法益,又是非法获取计算机信息系统数据罪中的公共秩序法益,二者属于交叉型法条竞合关系,应根据数据的法益属性判定具体的罪名;具体法益数额的计算,用户、受害人主采市场价格法,在网络服务商受害人的案件中应主采违法所得法;此外应对盗窃网络虚拟财产案件普遍酌定从轻处罚.盗窃网络虚拟财产既遂的判断,应以"转移占有的完成"进行规范层面的阶层化二次判断,"控制说"、"失控说"或者"离账说"、"提现说"都是基于事实层面的解释,欠缺规范性.

摘要： 网络盗窃区别于传统盗窃犯罪,虽然网络盗窃比照传统盗窃罪定罪处罚但对于网络盗窃的构成要件的争议没有停止过,而网络盗窃的既遂、未遂的判定标准也是众说纷纭.目前司法适用以"控制说"作为通说,但该说随着时代发展日益显示出其不足之处,出现诸如"提现说"、"离账说"等新的学说.这些学说对于网络盗窃的既遂标准的讨论具有参考价值,在借鉴这些学说的基础上,"入账说"在判断网络盗窃行为是否既遂中十分妥当.

摘要： 不能犯未遂自德国刑法学者提出以来一直是刑法理论中颇具争议的领域,刑法学者对该问题相当关注。两大法系对不能犯未遂观点悬殊,即便在大陆法系,也存在不同主张。与外国的不能犯学说相比,我国不能犯未遂在理论根基适当、判断层次合理,有助于发挥刑法的规范机能、实现一般预防的目的,判断标准简明、实务操作性强等方面存在优势。应当完善犯罪未遂定义,明确犯罪既遂概念,改进未遂犯处罚方式,使我国不能犯未遂理论更加完善。

摘要： 本发明公开了一种GaN增强型遂穿HEMT及通过自对准实现GaN增强型遂穿HEMT的方法。所述方法包括：在衬底上生长形成主要由第一、第二半导体组成的异质结构，第二半导体形成于第一半导体表面，并具有宽于第一半导体的带隙；在第二半导体上生长形成栅介质层；刻蚀除去与漏电极对应区域的栅介质层，并制作漏电极，且使漏电极与形成于异质结构中的二维电子气形成欧姆接触；采用自对准工艺进行栅、源电极的制作，使源、栅电极分别与第二半导体和栅介质层形成肖特基接触。本发明充分利用电子遂穿效应实现了HEMT器件以常关型工作模式运行，提高了器件应用的安全性，并且功耗低，特别是通过采用自对准工艺，降低了工艺难度和器件的成品率，重复性好，利于工业化生产。

摘要： 一种基于遂穿效应的声波全向隐身斗篷及其实现方法。由内层近零折射率声子晶体Ⅰ与和外层可调谐的透射超表面Ⅱ构成，近零折射率声子晶体Ⅰ侧面布置多个可调谐的透射超表面Ⅱ，透射超表面Ⅱ中的超表面腔壳与移动块以指叉形式装配组成四腔体亥姆赫兹谐振器。实现方法中，先设计声波全向隐身斗篷后进行声隐身系统安装与调试，然后进行入射声波的传播方向调控、透射波声压扫描测试验证，最后进行全角度的声压场测试。本发明采用近零折射率声子晶体与透射型超表面相结合的方法实现隐藏目标的全角度声学隐身；提出基于结构可调控超表面单元的透射声波相位控制方法，实现任意角度的声波转向；透射声场分布结果可靠性高；可适于全角度声学隐身与性能检测。

摘要： 本发明涉及一种均匀的超薄遂穿氧化层的制备方法及电池，涉及太阳能电池制造领域，解决现有技术中遂穿氧化层均匀性差的问题。所述超薄遂穿氧化层的制备方法在管式炉管内完成，氧化时炉管内的压力为常压或微正压或微负压状态。本发明的遂穿氧化钝化接触电池的遂穿氧化层采用上述的制备方法制备。本发明制备的超薄遂穿氧化层的均匀性好，能够实现背靠背装片的规模化量产，能极大地提高量产遂穿氧化钝化接触电池的产品良率。

摘要： 本申请实施例提供一种异质结遂穿场效应晶体管及其制备方法，包括：第一绝缘层覆盖在衬底的上表面，第一异质结材料层覆盖在第一绝缘层的上表面上用于设置源极的一端，源极设置在第一异质结材料层的一端，第一异质结材料层另一端周围设置有第二绝缘层，隔离层设置在异质结层上，隔离层覆盖在源极的内侧；第二异质结材料层覆盖在第一异质结材料层的另一端、第二绝缘层以及第二绝缘层上，与第一异质结材料层形成异质结，漏极设置在第二异质结层上与源极相对的另一端；栅介质层覆盖在第二异质结材料层上位于源极和漏极之间的位置，栅极设置在栅介质层上。通过设置第二绝缘层进行隔离，显著减小边缘态导致的泄露电流，并利用二维材料形成异质结，避免了因晶格不匹配导致的界面缺陷。

摘要： 本发明公开了一种GaN增强型遂穿HEMT及通过自对准实现GaN增强型遂穿HEMT的方法。所述方法包括：在衬底上生长形成主要由第一、第二半导体组成的异质结构，第二半导体形成于第一半导体表面，并具有宽于第一半导体的带隙；在第二半导体上生长形成栅介质层；刻蚀除去与漏电极对应区域的栅介质层，并制作漏电极，且使漏电极与形成于异质结构中的二维电子气形成欧姆接触；采用自对准工艺进行栅、源电极的制作，使源、栅电极分别与第二半导体和栅介质层形成肖特基接触。本发明充分利用电子遂穿效应实现了HEMT器件以常关型工作模式运行，提高了器件应用的安全性，并且功耗低，特别是通过采用自对准工艺，降低了工艺难度和器件的成品率，重复性好，利于工业化生产。

摘要： 本发明提供一种超薄氮氧化硅界面材料、遂穿氧化钝化结构及其制备方法和应用，所述超薄氮氧化硅界面材料为SiON薄膜，厚度为1nm‑4nm，所述SiON薄膜中N原子百分含量为1％‑40％。本发明的超薄氮氧化硅界面材料具有高含氮量的特点，相比于氧化硅而言，硼在SiON薄膜中的扩散速率低，从而有效减少了硼对SiON薄膜的破坏作用，提高了SiON薄膜的完整性，保持了化学钝化效果，高氮浓度的SiON薄膜可以显著降低硼在硅表面的浓度，从而降低硼缺陷；另外SiON薄膜的能带结构接近氮化硅，其价带带阶比较小，有利于空穴传输，提升了空穴传输效率和空穴选择性，从而改善了钝化质量，也有利于降低接触电阻率。

摘要： 本发明属于太阳能电池技术领域，具体涉及一种掺杂遂穿型背银及其制备方法、和包括其的PERC电池，掺杂遂穿型背银，由以下重量比的成分组成：银粉50～70％，银粉由球形银粉和/或片状银粉组成；三价金属粉和/或合金粉0.1～3.0％，其中金属粉为硼粉、铝粉、铟粉中的一种或多种，合金粉为铝硅合金粉、铝硼合金粉、铝铟合金粉中的一种或多种；三价金属粉和合金粉的粒径小于3μm；玻璃粉1～3％，其平均粒径为0.5～2.0μm，软化点为450～550°C；有机载体25～50％，包括树脂和溶剂；添加剂0.1～2％。发明通过在腐蚀氮化硅的过程中对基材硅进行掺杂并形成遂穿通道，从而使背银具有银硅导电性，显著降低串联电阻Rs，增大填充因子FF，提升转换效率。

摘要： 本发明涉及一种均匀的超薄遂穿氧化层的制备方法及电池，涉及太阳能电池制造领域，解决现有技术中遂穿氧化层均匀性差的问题。所述超薄遂穿氧化层的制备方法在管式炉管内完成，氧化时炉管内的压力为常压或微正压或微负压状态。本发明的遂穿氧化钝化接触电池的遂穿氧化层采用上述的制备方法制备。本发明制备的超薄遂穿氧化层的均匀性好，能够实现背靠背装片的规模化量产，能极大地提高量产遂穿氧化钝化接触电池的产品良率。

摘要： 一种基于遂穿效应的声波全向隐身斗篷及其实现方法。由内层近零折射率声子晶体Ⅰ与和外层可调谐的透射超表面Ⅱ构成，近零折射率声子晶体Ⅰ侧面布置多个可调谐的透射超表面Ⅱ，透射超表面Ⅱ中的超表面腔壳与移动块以指叉形式装配组成四腔体亥姆赫兹谐振器。实现方法中，先设计声波全向隐身斗篷后进行声隐身系统安装与调试，然后进行入射声波的传播方向调控、透射波声压扫描测试验证，最后进行全角度的声压场测试。本发明采用近零折射率声子晶体与透射型超表面相结合的方法实现隐藏目标的全角度声学隐身；提出基于结构可调控超表面单元的透射声波相位控制方法，实现任意角度的声波转向；透射声场分布结果可靠性高；可适于全角度声学隐身与性能检测。

摘要： 本实用新型公开了一种高性能共振遂穿二极管发射器，包括：基板以及设置在所述基板上的振荡电路，其特征在于：所述振荡电路包括开口谐振环以及与所述开口谐振环对应设置的电阻，所述电阻设置在所述开口谐振环外侧，所述电阻与所述开口谐振环外壁紧密贴合，所述开口谐振环内设有金属电极；所述振荡电路还包括共振遂穿二极管，所述共振遂穿二极管位于所述开口谐振环中央上下的所述电极之间；所述发射器还包括金属传输线，所述传输线连接所述共振遂穿二极管以及外部电压，所述开口谐振环外侧还设有附加天线，本实用新型将开口谐振环作为共振器，易于集成太赫兹共振遂穿二极管，能够在室温下工作，并且实现高频高功率的太赫兹波和高速率的调制。