旋涂

摘要： 薄膜封装是有机电致发光器件柔性化亟需解决的关键技术难题。用NEA121树脂与Al_(2)O_(3)作为薄膜封装的有机膜与无机膜封装,封装薄膜的水氧阻隔性能通过钙膜测试。实验结果表明,3层堆叠Al_(2)O_(3)/NEA121封装后的水汽透过率(Water Vapor Transmission Rate,WVTR)达到2.1×10^(-4) g/(m^(2)·d),封装薄膜的失效原因是水汽通过封装薄膜缺陷点渗透,不断腐蚀钙膜导致封装失效,而采用无机/有机堆叠封装的方法使薄膜的封装效果得到了改善。

摘要： 为了满足图案胶体光子晶体在实际应用中的需要,提出旋涂这种简单胶体光子晶体环的快速制备方法.基底为圆型图案光刻胶结构,乳胶球为疏水核亲水壳结构聚(苯乙烯-甲基丙烯酸甲酯-丙烯酸)乳胶球.对所制备的样品进行形貌和光学性能表征,研究了旋涂速度、乳胶球浓度和不同圆型光刻胶图案基底对旋涂过程中乳胶球组装形貌的影响.结果表明制备胶体光子晶体环的最佳参数如下:旋速为2000 r/min,乳胶球质量百分比浓度为7.5％,圆型光刻胶结构的直径约为22.8μm;环中乳胶球进行相对有序组装,这与光谱图中峰的位置和宽度相一致,分析原因可能是由于组装时间太短导致的.这种快速的胶体光子晶体环的成功构筑归因于图案基底的物理限域和浸润性差异,这种方法可能在光学器件、传感和防伪方面有着广泛的应用前景.

摘要： 本文对近年来硼源扩散技术的研究进展进行了介绍,研究者经过不断地努力,探索出了几种主要的硼源扩散方式,即采用BBr3高温扩散、丝网印刷掺硼浆料及热推进(或激光处理)、旋涂硼浆及热推进(或激光处理)三种方法。几种方式对太阳能电池片方块电阻的片内和片间均匀性有不同程度的效果。

摘要： 利用红、绿、蓝三基色量子点材料作为发光层,使用旋涂法实现了3种颜色的量子点发光二极管的制备.选择合适材料和溶剂形成各功能层薄膜,通过改变量子点溶液的浓度来调控器件的光电性能.对不同浓度下的量子点溶液制备的三色器件进行测试和比较,得到3种颜色量子点溶液的合适浓度,使最终制备的三基色发光器件具有相同的制备工艺和相当的发光亮度,其亮度均可达到104 cd/m2的量级,为后续使用喷墨打印法来实现三基色QLED提供理论和实践基础.

摘要： 本文采用自组装纳米球热压印技术,在旋涂有聚丙烯酸(PAA)薄膜、聚苯乙烯(PS)薄膜的基底上,旋涂SiO2纳米球溶液,通过自组装形成纳米球三维密排结构,接着进行热熔-沉陷处理,在PS薄膜形成周期性、六角密堆积纳米碗状阵列,接着利用PAA的水解特性去除PAA薄膜,将PS薄膜翻转并移至硅片基底上,通过氧离子刻蚀,得到纳米孔阵列掩模,最后结合电子束蒸发镀Al,制备出大面积、周期性的Al纳米盘阵列.同时也研究了三层膜结构的均匀性对制备大面积、周期性纳米盘阵列的重要性.基于自组装压印技术制备圆盘阵列的研究比传统纳米制作技术操作更简单、效率高、成本低;同时在新光学元件的基础研究、太阳能光伏设备方面具有潜在应用.

摘要： 有机发光二极管(OLED)中的高性能材料和新制备工艺一直是该领域的研究热点.以磷钨杂多酸溶液为前驱体,采用旋涂法在氧化铟锡(ITO)阳极上经退火制备磷钨氧化物薄膜,通过不同的退火条件调控薄膜的功函数.以X射线光电子能谱(XPS)、原子力显微镜(AFM)和紫外可见吸收光谱(UV-Vis)表征其组成、表面粗糙度和透光性.以此薄膜作为空穴注入层(HIL),构建结构为[ITO/HIL(35,nm)/NPB(25,nm)/C545T:Alq3(40,nm)/Alq3(15,nm)/LiF(1,nm)/Al(100,nm)]的绿光OLED器件.结果表明,采用旋涂法制备了表面平整、透光度大于92％,及功函数可调的磷钨氧化物薄膜,基于真空中退火的磷钨氧化物空穴注入层的器件表现出优异的发光性能,启亮电压为3.6,V,最大亮度为31,160,cd/m2,最大电流效率为11.54,cd/A,最大功率效率为4.45,lm/W.这一结果为研究金属氧化物空穴注入材料及其成膜方法以及获得高性能发光器件提供了新的启示.

摘要： 采用旋涂法制备了高质量的聚酰亚胺薄膜,研究了薄膜厚度与旋涂转速之间的关系;对不同厚度的旋涂薄膜进行了电击穿实验,探讨了膜厚对击穿性能的影响.结果表明:聚酰亚胺薄膜的厚度与旋转速度平方根的倒数(ω-1/2)呈线性正相关,通过控制转速可获得不同膜厚;薄膜越厚,击穿电压越高,但其平均击穿强度越低.在280°C的亚胺化条件下,旋涂薄膜的最高击穿电压为2370 V,最大击穿场强为286.33 kV/mm,可满足大多数微系统对绝缘性能的要求.

摘要： 采用水溶性前体溶液法旋涂制备Cu2SnSe3晶体薄膜,通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、能量分散光谱仪(EDS)对该薄膜进行测试表征,并测量其拉曼光谱、霍尔效应和吸收光谱.结果 表明:该方法成本低、安全、节能、易于操作,且对硬件设备要求低;薄膜制备所需退火温度较低,且薄膜中的杂质少.

摘要： PEDOT是一种新型的有机导电材料,具有高电导率、高机械强度、高可见光透射率、良好的环境稳定性.这些优点使其广泛用于有机太阳能电池等有机领域.PEDOT:PSS作为杂化光伏器件中的p型层,采用纯度高、载流子迁移率高的单晶N型硅作为n型层,制备杂化n-Si/p-PEDOT:PSS肖特基结器件,不仅简化工艺,还具有降低成本的特点.本实验分为两个部分,第一部分是研究薄薄膜厚度度与基片旋转角速度、浓度等之间关系;第二部分是研究掺杂不同浓度的甘油对薄膜光学性能的影响.

摘要： 采用旋涂法在导电玻璃(FTO)上制备了CuBi2O4薄膜.通过调控旋涂的次数,得到具有较优光电化学性能的CuBi 2 O 4薄膜.同时研究了多次旋涂过程中旋涂转速、烘干温度对制备的薄膜的均匀性的影响.实验结果表明:采用3000 r/min转速,300°C的烘干温度可以得到均匀的薄膜.旋涂层数为4层时可以得到最优的光电催化性能,较旋涂3次的薄膜性能提升72％.

摘要： 介绍了有机/无机类钙钛矿(CHNH)PbI的晶体和薄膜的制备,并采用了XRD、SEM、AFM和PL表征材料的结构、形貌及光学特性等.XRD实验表明制备的(CHNH)PbI晶体结晶度高.探索旋涂法制备工艺参数对薄膜结构的影响,在薄膜XRD中几乎只能观察到(0021)晶面的衍射峰,表明有机/无机类钙钛矿层沿平行与基片方向择优生长,SEM和AFM表明薄膜致密性较好,表面粗糙度较小.

摘要： 本发明提出一种方法，包括将半导体晶片沿着垂直于所述晶片表面的轴旋转。在旋转所述晶片时，该晶片以振荡式运动方式沿着平行于晶片主表面的方向移动。在旋转及移动所述晶片时，从分别位于该晶片主表面的第1位置和第2位置的第1喷嘴和第2喷嘴同时向该晶片主表面喷射材料。

摘要： 本发明提出一种方法，包括将半导体晶片沿着垂直于所述晶片表面的轴旋转。在旋转所述晶片时，该晶片以振荡式运动方式沿着平行于晶片主表面的方向移动。在旋转及移动所述晶片时，从分别位于该晶片主表面的第1位置和第2位置的第1喷嘴和第2喷嘴同时向该晶片主表面喷射材料。

摘要： 本发明提供旋涂机和旋涂方法，能够抑制在所形成的包覆层中混入气泡。旋涂机(1)在基板上涂布液体而利用液体在基板上形成包覆层，其中，该旋涂机具有：旋转工作台(30)，其包含保持面(31)，该保持面将基板保持为旋转自如；液体提供喷嘴(50)，其具有喷出口(51)，该喷出口对旋转工作台(30)所保持的基板喷出液体；和摆动电动机(60)，其使液体提供喷嘴(50)在喷出口(51)与旋转工作台(30)所保持的基板面对的位置至喷出口(51)位于旋转工作台(30)所保持的基板的外侧的位置之间移动，在喷出口(51)位于旋转工作台(30)所保持的基板的外侧的状态下实施液体的喷出开始和喷出停止。

摘要： 本发明涉及组合物，其包含：组分a)、b)和d)；其中，组分a)是具有结构(I)的金属化合物，组分b)是旋涂高碳聚合物，其具有包含单环芳烃、稠环环烃部分或它们的混合的聚合物主链，具有约81wt％至约94wt％的碳的wt％，在旋涂溶剂中可溶解至至少约5wt％，并且其中存在于所述旋涂高碳聚合物中的所述单环芳烃部分或所述稠环环烃部分中的至少一个被至少一个结构(VIII)的炔氧基部分所官能化，并且组分d)是旋涂溶剂。本发明进一步涉及在制造电子器件的方法中使用这样的组合物，所述方法通过在半导体基底上形成包含金属氧化物的高K材料的图案化膜，或通过形成覆盖在半导体基底上的包含金属氧化物的图案化层，所述组合物可以用于用氟等离子体选择性地蚀刻半导体基底。

摘要： 提供了一种旋涂机以及具有该旋涂机的基板处理设备和系统。所述旋涂机包括：可旋转吸盘结构，所述可旋转吸盘结构被配置成保持基板；凹腔，所述凹腔围绕所述基板并且将所述基板周围的流体的流引导到所述凹腔的底部；以及流控制器，所述流控制器可拆卸地联接于所述凹腔，使得所述流控制器布置在所述基板的边缘与所述凹腔之间并且将所述流分成直线流和非直线流。

摘要： 本发明公开了一种用于旋涂粘稠光刻胶的旋涂仪卡盘系统，包括旋转轴、吸盘、支撑卡盘、E型卡盘，旋转轴位于系统的中轴线上，支撑卡盘通过铆钉与旋转轴连接，支撑卡盘沿旋转轴上下移动的位置由铆钉固定；吸盘置于旋转轴的顶端；E型卡盘环绕在方形卡盘的四周，E型卡盘的下部与支撑台通过铆钉固定，E型卡盘相互交错，可通过铆钉实现水平移动。本发明可实现旋涂高粘稠度光刻胶时获得平整度良好的胶膜，而且适用于在不同尺寸和厚度的方形基片上旋涂光刻胶，可用于微加工和微机电系统等广泛领域。

摘要： 本实用新型公开了一种用于旋涂光刻胶的旋涂仪，属于微加工装置领域，包括旋涂箱，所述旋涂箱内设置有静电吸附支撑台，所述静电吸附支撑台的底部设置有旋转驱动机构，所述静电吸附支撑台的上部设置有滴胶管，所述滴胶管延伸至所述旋涂箱的外侧，所述旋涂箱外侧的所述滴胶管上设置有供胶机构，所述旋涂箱的顶部一侧设置有开口，所述开口上连接有抽真空机构，所述静电吸附支撑台与外接电源电连接，所述旋涂箱的一侧设置有可打开的密封门，所述旋涂箱的外侧还设置有控制器。通过旋涂箱、静电吸附支撑台、静电吸附支撑台的底部的旋转驱动机构、滴胶管及抽真空机构的设置，能完全避开空气的作用，在涂胶时不会出现针孔现象，涂胶均匀，效果理想。

摘要： 本实用新型提供一种用于旋涂机的旋涂盘，包括旋涂盘本体，旋涂盘本体上端面的中部开设有凹槽，凹槽相对的两个槽边相互平行，旋涂盘本体上端面的中心处还开设有圆形槽，圆形槽的直径为1.5‑2cm，圆形槽开设于凹槽内，圆形槽的底部还开设有贯通旋涂盘本体的抽真空孔。以解决现有旋涂盘的基材固定方式不合理，基材旋涂不充分的问题。本实用新型属于材料表面涂覆设备领域。

摘要： 本实用新型公开了一种用于旋涂粘稠光刻胶的旋涂仪卡盘系统，包括旋转轴、吸盘、支撑卡盘、E型卡盘，旋转轴位于系统的中轴线上，支撑卡盘通过铆钉与旋转轴连接，支撑卡盘沿旋转轴上下移动的位置由铆钉固定；吸盘置于旋转轴的顶端；E型卡盘环绕在方形卡盘的四周，E型卡盘的下部与支撑台通过铆钉固定，E型卡盘相互交错，可通过铆钉实现水平移动。本实用新型可实现旋涂高粘稠度光刻胶时获得平整度良好的胶膜，而且适用于在不同尺寸和厚度的方形基片上旋涂光刻胶，可用于微加工和微机电系统等广泛领域。

摘要： 本实用新型公开了一种用于旋涂机的压力检测系统，以及包括这种压力检测系统的罐体和旋涂机。所述旋涂机包括用于容纳溶剂的罐体，所述压力检测系统包括：压力检测装置和控制系统，其中，所述压力检测装置包括附接至罐体的压力传感装置，并用于检测和判断罐体的内部压力是否处于预定范围内；所述控制系统用于控制压力检测装置的启动，以及控制旋涂机的工作和停止。