新器件

摘要： 针对微机电系统(MEMS)惯性传感器中数字信号处理电路的功耗问题,提出了两种新型场效应晶体管。两种晶体管分别被命名为具有“并联”开关功能的三输入双沟道场效应晶体管(Ti-DCFET)和具有“串联”开关功能的三输入独立栅场效应晶体管(Ti-IGFET)。两种新器件由于具有特殊的开关功能,因此,能够在器件层面将数字滤波器中用到的加法器和乘法器的电路结构简化,从而降低整个MEMS的功耗。对新器件的电流特性进行理论分析并且得到了简化的理论计算公式。公式的计算结果与Silvaco TCAD仿真结果一致。与传统的单输入晶体管相比,提出的器件通过大幅度减少电路中晶体管数量来降低MEMS的功耗。

摘要： 日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,公司将为设计人员提供符合IrDA^R标准的红外(IR)收发器模块——TFBR4650,这款新器件采用标准6.8mm×2.8mm×1.6mm封装。Vishay Semiconductor的TFBR4650完全可以直接替代其他厂商的器件。在竞品停产的情况下,这种直接替换可避免任何重新设计PCB。

摘要： Maxim宣布其数字输入产品再添新成员,帮助工业设备设计达到工业4.0的尺寸、功耗和性能要求。MAX22192是本次推出的新器件之一,整合在Maxim Go-IO可编程逻辑控制器(PLC)参考设计之中(同步发布)。

摘要： 得益于超高的性价比和实施的简便性,AVR单片机(MCU)一直被用于打造高响应性传感器节点。为了提高采用AVR单片机的应用的响应能力,MicrochipTechnology推出了两款全新的tinyAVRMCU器件。这些新器件不仅具有先进的模拟功能,还具有该系列中最大的存储器。这两款专为在严苛环境中实现稳定操作而打造的新器件内置安全功能,帮助设计人员打造稳健而安全的系统。

摘要： 我国电源行业可以说是为数不多的常青行业．对年来一直保持平稳增长．产值规模持续扩张。但由于器件的约束，电源技术并没有本质的提升．未来发展可能面临瓶颈，需要新器件给电源技术带来变革．电源产品也将呈现绿色化、高频化。

摘要： Microchip Technology Inc．（美国微芯科技公司）日前宣布推出PICl8F“K42”系列新器件。新产品集成了大量独立于内核的外设（CIP）、高分辨率模拟、片上直接存储器访问（DMA）以及用于快速处理的向量中断功能。

摘要： Microchip公司近日发布新一代8位tinyAVR MCU产品。四款新器件包含14至24个引脚以及4至8KB闪存等多种规格，首都集成了独立于内核的外设（CIP）。新一代产品将由START提供支持,START是一款创新的在线工具，专用于嵌入式软件项目的直观化、图形化配置。

摘要： ATA65XX系列为Microchip的CAN产品线增加了六款新器件。这一新系列支持最新确立的CANFD（灵活数据速率）协议，其最高通信速率可达5Mbps，还支持提高了车辆能效的CANPN（部分网络）新标准。

摘要： Microchip公司宣布推出PIC18F“K42”系列新器件。新产品集成了大量独立于内核的外设（CIP）、高分辨率模拟、片上直接存储器访问（DMA）以及用于快速处理的向量中断功能。

摘要： 日本东京大学研究人员在柔性电子皮肤上创建出稳定的聚合物发光二极管（PLED）等器件，其可发出红、绿和蓝三种颜色的光。它与电子皮肤的集成有望把人的手背未来变成显示血氧水平的“数字屏幕”、运动员心率传感器等，其发光效率超过以往同类产品的6倍，是迄今最薄且柔性足够灵活的产品。

摘要： 本发明公开了由下述结构式1或2表示的有机电致发光器件用化合物及包含该化合物的有机电致发光器件。由此，能够提供电稳定性以及电子和空穴传输能力优秀、三重态能量高而能够提高磷光发光材料的发光效率的、能够作为主体、空穴传输物质、以及电子传输物质使用的有机发光器件用化合物以及有机电致发光器件。

摘要： 本发明提供了一种新的化合物和使用所述新的化合物的有机电子器件。根据本发明，所述有机电子器件在效率、驱动电压和寿命方面显示出优异的性能。

摘要： 本发明公开了由下述结构式1或2表示的有机电致发光器件用化合物及包含该化合物的有机电致发光器件。由此，能够提供电稳定性以及电子和空穴传输能力优秀、三重态能量高而能够提高磷光发光材料的发光效率的、能够作为主体、空穴传输物质、以及电子传输物质使用的有机发光器件用化合物以及有机电致发光器件。

摘要： 本文公开了一种提高SOI器件击穿电压的器件新结构，其中包括阶梯型埋氧层和双层复合介质埋层结构，埋氧层从源端到漏端成阶梯型，在漏洞下方为双层复合介质埋层。该阶梯型埋氧层为双面阶梯型，层复合介质埋层中间填充多晶硅，且两层埋氧层开有窗口。

摘要： 本发明提供了一种新的化合物和使用所述新的化合物的有机电子器件。根据本发明，所述有机电子器件在效率、驱动电压和寿命方面显示出优异的性能。

摘要： 本公开内容提供了新的化合物和包含其的有机发光器件。

摘要： 在本公开内容中，提供了新的化合物和包含其的有机发光器件。

摘要： 本发明涉及新的杂环化合物和包含其的有机发光器件。

摘要： 本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种高抗辐射能力SiC MOSFET器件新结构，所述新型平面栅SiC MOSFET器件的元胞结构包括：漏极金属电极、N+型衬底和N‑漂移区；N‑漂移区(3)顶部设载流子存储层和P‑base区，载流子存储层一(4)中设P型阻挡区(6)和P+区(8)，载流子存储层二(41)位于P型阻挡区(6)与P+区(8)之间；P‑base区(5)内设N+区(7)和P+区(8)，N+区(7)和P+区(8)与源极金属电极(11)相连。本发明提高了SiC MOSFET器件的抗总剂量辐射(γ射线等)和抗单粒子辐射能力，可应用在航空航天等空间极端环境中。

摘要： 本发明提供了一种照明系统替换故障器件时发现新器件ID的方法，所述照明系统中的器件包括被控对象，该被控对象替换故障器件的步骤如下：拆除故障器件，在原位置安装新器件，通电确认新器件正常工作；启动智能终端进入器件的替换功能，通过对替换器件的回路进行快速通断操作，使该器件置为被发现状态；智能终端命令控制器发出发现指令，置为被发现状态的器件接收控制器的发现指令后，向控制器发送其ID和类型，控制器将接收到的器件ID和器件类型反馈至智能终端；智能终端将接收到的器件ID和器件类型生成可视界面，并将接收到的器件ID替换掉故障器件的ID，该发现新器件ID的方法使得照明系统的维护更加方便、简单、低成本。