下层社会

摘要： 哥伦比亚画家费尔南多·博特罗来自麦德林的下层社会,他的父亲是长期漂泊在外的海员,童年时期的博特罗由此而对外部世界充满了幻想。20岁时,旅行途中的博特罗被墨西哥和巴塞罗那的壁画所吸引,后受里维拉壁画的影响,并混合了古代土著文化和西班牙文化,在经历了相当一段时间的探索后,博特罗终于在自己的创作中形成富有特点的风格——"肥胖的人物造型"(图71)。

摘要： 19世纪著名的英国作家狄更斯,十分注意观察和体验下层社会的生活。一天,狄更斯外出了,女仆伊斯唐像往常一样忙碌着。突然,她瞥见大门外有个人影晃来晃去,原来是个衣衫褴褛的乞丐。伊斯唐很想拿点儿东西给那个乞丐,可又觉得他不像以往自己见过的那些要饭的人。

摘要： 并不是所有人都有资格无聊。叔本华认为无聊源自“丰裕和安定”,属于“上流社会”。当代生产力的发展导致中下层社会也有了“丰裕和安定”,无聊的人便多了。有足够智力的人才会无聊。当一个人在智力范围内活动时,很少会有无聊感,但当工作需要的智力远远低于劳动者的智力时。无聊感就爆发了。比如一个儿童可以玩一块木头一整天,始终保持高度兴趣,而成年人就会觉得这很无聊。再比如一位流水线工人在熟悉工作后,对简单重复的工作也会产生无聊感。

摘要： 《宋史》第一百一十三卷记载,北宋皇帝大宴群臣,高级官员在大殿里就座,用的是金杯金碗中级官员在偏殿里就座,用的是银杯银碗;低级官员在走廊里就座,用的是铜杯铜碗。这里少了两样盛装东西材料,一种是瓷器,一种是玻璃,为什么不用瓷器呢?当时制造瓷器的工艺已经非常先进,用瓷杯瓷碗盛装东西,那是上不了台面的,就是现在动不动就能拍卖出上亿元的宋朝钧瓷小盘,在当时只不过几文钱,还不够买一斗米呢。皇帝宴席绝对不能出现瓷器,那是自降身价,瓷器只有下层社会的人士才用,上流社会用瓷器会被人耻笑。

摘要： 发生在1901～1911年间的下层社会启蒙运动,使得下层民众开始觉醒,力量开始崛起。此后不久就发生了辛亥革命。推翻了清王朝的统治,结束了中国两千余年来的封建统治。对于人数众多且素质较低的下层民众而言,在短短十年当中发生如此大规模的启蒙运动,难度是可想而知的,其中必有诸多深层的原因。面在种种原因之中,18世纪末期西方文化的大量传入和中国传统社会的变化可谓影响巨大。本文就是从这两个大的方面来对此次启蒙运动的必要动因做一个浅显的分析。

摘要： 厉祖浩在《越窑瓷墓志》前言中，也已经就瓷墓志所反映的造型与装饰的分歧，葬地分布与志主身份的认定，贡窑的形成与瓷窑务的设置，买地券的片段保存与纳音、建除的应用实例，进行了较为全面的整理。本文则通过对厉祖浩编着《越窑瓷墓志》一书中所收录的大部分瓷墓志，从姓氏、郡望、家庭结构、社会流动四个方面进行了整理。限于篇幅，关于瓷墓志所提供的墓主死亡年龄、死因等其他信息的分析，留待日后进行。从姓氏和郡望来看，瓷墓志所见共计96个姓氏中，高频姓氏、中频姓氏、低频形式的比例分别为19.8%、16.7%、63.5%。从家庭和社会来看，瓷墓志所见家庭中，除开罗氏家族的墓志，以及残志，在能够得到精确统计的53件瓷墓志中，可以得出当地下层社会的家庭结构基本为一夫一妻制或其变型妻死再娶型和夫死再嫁型。

摘要： 一种光刻用下层膜形成用材料，其使用下述式(0)所示的化合物。(式(0)中，X各自独立地表示氧原子、硫原子或无桥接，R1是碳数1～30的2n价基团或单键，R0各自独立地是碳数1～30的直链状、支链状或环状的烷基、碳数6～30的芳基、碳数2～30的直链状、支链状或环状的烯基、巯基、卤素基、硝基、氨基、羧酸基或羟基，前述烷基、前述烯基和前述芳基任选含有氰氧基、巯基、卤素基、硝基、氨基、羧酸基、羟基、醚键、酮键或酯键，m1各自独立地是0～4的整数，此处，至少一个m1是1～4的整数，m2各自独立地是0～3的整数，n是1～4的整数，p各自独立地是0或1。)

摘要： 本实施方式提供一种光刻用下层膜形成材料，其含有下述式(1)所示的化合物或包含源自下述式(1)所示的化合物的结构单元的树脂中的至少任一种。式(1)中，R1为碳数1～60的2n价基团或单键，R2各自独立地为卤素原子、碳数1～10的直链状、支链状或者环状的烷基、碳数6～10的芳基、碳数2～10的烯基、碳数1～30的烷氧基、硫醇基、羟基或羟基的氢原子被酸解离性基团取代而成的基团，在同一萘环或苯环中可以相同也可以不同，此处，至少1个R2为羟基的氢原子被酸解离性基团取代而成的基团，n为1～4的整数，n为2以上的整数时，n个[]内的结构单元的结构式可以相同也可以不同，X表示氧原子、硫原子或未桥接，m2各自独立地为0～7的整数，其中，至少1个m2为1～7的整数，q各自独立地为0或1。

摘要： 本发明的下层膜形成用树脂材料是用于形成多层抗蚀剂工艺所使用的抗蚀剂下层膜的下层膜形成用树脂材料，其包含环状烯烃聚合物(I)，使用流变仪，在氮气气氛下、以剪切模式、测定温度范围30～300°C、升温速度3°C/min、频率1Hz的条件测定得到的上述下层膜形成用树脂材料的固体粘弹性中，表示储能弹性模量(G’)曲线与损耗弹性模量(G”)曲线的交点的温度为40°C以上200°C以下。

摘要： 提供能够适用湿式工艺，用于形成耐热性、抗蚀图案形状、蚀刻耐性、对高低基板的埋入特性和膜的平坦性优异的光刻用膜，耐热性、透明性和折射率优异的光学部件等的含有下述式(1)所示的三嗪系化合物的膜形成材料。

摘要： 本发明的下层膜形成用材料为用于形成多层抗蚀剂工艺所使用的抗蚀剂下层膜的下层膜形成用材料，其包含具有下述通式(1)所示的重复结构单元[A]和下述通式(2)所示的重复结构单元[B]的环状烯烃聚合物，上述环状烯烃聚合物中的上述结构单元[A]与上述结构单元[B]的摩尔比[A]/[B]为5/95以上95/5以下。

摘要： 本实施方式提供一种光刻用下层膜形成材料，其含有下述式(1)所示的化合物或包含源自下述式(1)所示的化合物的结构单元的树脂中的至少任一种。式(1)中，R

摘要： 本发明提供含有下述式(1)所示的化合物或包含源自下述式(1)所示化合物的结构单元的树脂中的至少任意者的光刻用下层膜形成材料。(式(1)中，R1为碳数1～60的2n价基团或单键，R2各自独立地为卤素原子、碳数1～10的直链状、支链状或环状的烷基、碳数6～10的芳基、碳数2～10的烯基、碳数1～30的烷氧基、硫醇基或羟基，在同一萘环或苯环中任选相同或不同，n为1～4的整数，n为2以上的整数的情况下，n个[]内的结构单元的结构式任选相同或不同，X表示氧原子、硫原子或为无桥接，m2各自独立地为0～7的整数，此处至少1个m2为1～7的整数，q各自独立地为0或1，其中，选自由R1及R2组成的组中的至少1个为包含碘原子的基团。)

摘要： 本发明提供可通过高能量射线照射而固化，在半导体装置制造工序中的利用多层抗蚀剂法的微细图形工艺中可形成具有优异嵌入/平坦化特性、适当耐蚀刻性及光学特性的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜材料、使用该材料的图案形成方法、抗蚀剂下层膜形成方法、及适用于该抗蚀剂下层膜材料的新型化合物。该抗蚀剂下层膜材料用于多层抗蚀剂法，其含有(A)通式(1)所示的化合物中的一种或二种以上及(B)有机溶剂，[化学式1]式中W为碳原子数2～50的n价有机基团；X为通式(1X)所示的1价有机基团；n为1～10的整数，[化学式2]式中虚线表示结合键；R01为丙烯酰基或甲基丙烯酰基；Y为单键或羰基；Z为碳原子数1～30的1价有机基团。

摘要： 下述式(1)所示的化合物或树脂。(式(1)中，X各自独立地表示氧原子、硫原子或为无桥接，R

摘要： 含有将改性二甲苯甲醛树脂氰酸酯化而得到的氰酸酯化合物的光刻用下层膜形成用材料、含有该材料的组合物、使用该组合物的图案形成方法。