整流二极管

摘要： 一台TCL 32A160型液晶彩电,三无。拆机检查,电源初级未发现异常。通电测量,电解电容EB两端电压为310V,开关电源次级的整流二极管DB101、DB103的负极电压分别为12V和42V,均正常,看来问题出在三合一主板(板号:TRVST69D.PB779.MS80PS)上的信号处理电路中。

摘要： 一台加拿大ENERGY(能量,杰士音响旗下品牌)的POWER12 SUB低音炮,上电后不开机。实测电源功放板电路如图1所示。目测整流二极管D7、D12-D14及开关管(11N60).光耦U1均有焊接痕迹,估计已换新。仔细检测,发现D7、D14击穿,R21开路,U1③、④脚间被焊锡短路,U1①脚外接电阻R7的阻值也由1k0增至24k0,开/待机控制三极管Q2的c极与R35间的铜箔开路,前级板与电源板各个连接端的对地阻值基本正常。

摘要： 《家电维修》杂志2022年第3期40页《巧用电压法快速检测开关电源稳压环路》一文所述方法便捷、高效且安全,一次检查可以判断多个元件是否正常。笔者在实修过程中是用一个可调稳压源( 1.5V~24V),负极接地,正极接整流二极管的负端,逐步提高电压,同时用万用表测光耦次级两端的阻值,若稳压环路正常,当外加电压增加到某一值时,光耦次级两端的阻值会突然变小,这个电压值等于该开关电源的输出电压(如和标注电压相同,说明稳压环节正常)。

摘要： 一台上海JM8832K型液晶电视,上电后电源指示灯不亮,不开机。拆开机壳检查,发现三合一主板(板号:TP.MS358.PB818)上整流二极管DB4与DB1(RL207G)处有跳火痕迹。

摘要： 近日,深交所正式受理了黄山芯微电子股份有限公司(简称“芯微电子”)的创业板上市申请。资料显示,芯微电子是一家专注功率半导体芯片、器件及材料研发、生产和销售的高新技术企业,产品以晶闸管为主,同时涵盖MOSFET、整流二极管和肖特基二极管及上游材料(抛光片、外延片、铜金属化陶瓷片)。公司产品广泛应用于工业控制、消费电子、电力传输等领域。

摘要： 一台AOC 195LM00003型液晶显示器,上电后三无。拆机检查,保险丝正常,开关电源初级的300V电压也正常。19V整流二极管D904(SR5100)击穿。换上SR5200型二极管后试机,故障排除。

摘要： 一台长虹LT24720FX型液晶电视,上电后电源指示灯亮,按下待机键,指示灯闪烁一下后熄灭,随后又常亮,但电视不开机。拆开机壳,目测电源二合一板上无明显异常。给电视机通电,用万用表测得开关变压器次级整流滤波电路中的12V整流二极管D4(EN220B)负极电压为12V,5V电压整流二极管D5(B20H100G)负极电压为5V,均正常。

摘要： 一台TCL L32A71C型液晶电视,上电后电源指示灯不亮,不开机。拆机检查,目测电源二合一板(板号为40-EL2819-PWCIXG)上无明显异常,测保险丝F1(3.15A/250V)正常,主滤波电容CE1/CE2(47μF/450V×2)充放电也正常。转向检测开关变压器次级12V电压整流二极管DS1及背光LED供电整流二极管DS2的正反向电阻,均正常。

摘要： 一台创维24E600E型液晶电视,上电后电源指示灯亮,不开机。拆机检查,在路测量电源二合一板(板号为168P-P24EQB-035800-P24EQB-0300)上开关电源初级及次级12V电压整流二极管DB4(HBR 10200S)、滤波电容C85(1000μF/25V),均正常。

摘要： 一台TCLL24F11型液晶电视,雷击后三无。拆机检查,发现电源二合一板(板号为:40一LPL24C-PWF1XG)上保险丝F1(2A/250V)发黑性熔断。先用220V灯泡对主滤波电容C36(120μF/450V)引脚放电,然后在路测量C36,充放电正常,接着测量开关变压器次级整流二极管。

摘要： 整流二极管高结温下反向漏电流随温度增加,工作可靠性随结温的升高而降低,现有的测试技术无法逐一剔除高温漏电流较大的器件.本文针对整流二极管瞬态高结温反向漏电流的测试技术进行了研究,采用脉冲电流内加热方式使器件瞬态结温升高，以热敏电压来表征器件的结温，并施加反向偏置电压完成对被测整流二极管高温反向漏电流的测试。

摘要： 50 A车用雪崩整流二极管是专用于汽车发电机输出端的关键器件。本文简述了50 A车用雪崩整流二极管的技术特点，介绍了器件的结构，并探讨了器件技术创新点及实现的技术指标。结果表明：车用雪崩整流二极管的生产技术是当代最先进的半导体技术之一，其产品技术性能指标已达到国内先进水平，并接近BOSCH的水平。

摘要： 叙述了汽车用整流二极管的芯片类型，焊接形式及失效模式，给出了热敏电压△VF等效测试瞬态热阻抗的原理，将热敏电压△VF应用于汽车用整流二极管的质量控制，取得了实际成效。

摘要： 本文对一种适合高压中小功率的谐振变换器一半桥倍压LLC谐振变换器的两种ZVS工作模式进行了详细的分析。该变换器可以实现开关管的ZVS和整流二极管的ZCS，非常适合于高功率密度应用场合。

摘要： 论文采用无桥(Bridgeless)变换器作为功率因数校正(PFC)的主电路,取消了输入整流二极管,在开关导通过程中电流只流过两只开关管,有效地减小了导通过程中能量的消耗.作者基于充电泵功率因数校正变换器原理构造了有源浮充平台(Floating Charge Landing—FCL)电路,并将其应用于单相无桥型PFC变换器中,设计了带有源浮充平台的单相功率因数校正变换器.该变换器既保持了传统Boost型PFC变换器的优点,同时大大降低了输出电压,拓宽了PFC电路的应用范围,为后级DC/DC变换器的设计提供了便利.

摘要： 介绍了整流天线的工作原理，用电路仿真软件分析了影响微波整流二极管转换效率的因素，提出了一种适用于整流天线的新型圆极化接收天线。设计制作了工作于x波段的整流天线，在微波暗室中完成了试验测量。测得整流天线最大输出电压为3.86V，最高转换效率为75％。随整流天线的旋转，输出电压在2.9～3.44 V区间变化，相对稳定。

摘要： 本文提出了E类变换器的改进方案,分析了改进方案的最佳工作状态确定方法,验证了只用一个电感的E类软开关直流变换器方案的可行性。通过推导得出了最佳工作状态下的性能参数,如电流和电压波形,最大集电极电流和最大集射极电压及功率输出能力,并对IGBT和整流二极管的功耗进行了估算。在该电路状态下,IGBT的零电压开关和整流二极管的零电流开关降低了变换器和整流器中的损耗.实验证明,在频率f=100kHz,输出功率P0= 2kW的情况下变换器的整体效率可达到90％以上.

摘要： 本文叙述了我厂直流石墨化炉供电设备的情况，介绍了通过改进所产生的效益以及操作注意事项、常见故障及排除措施。

摘要： 本文叙述了我厂直流石墨化炉供电设备的情况，介绍了通过改进所产生的效益以及操作注意事项、常见故障及排除措施。

摘要： 本文叙述了我厂直流石墨化炉供电设备的情况，介绍了通过改进所产生的效益以及操作注意事项、常见故障及排除措施。

摘要： 本发明公开了整流二极管、专用于制造整流二极管的芯片及其制造方法，整流二极管由外壳、芯片、引出线几部分组成，芯片包括长基区N、扩磷区N+，浓硼扩散区P+，槽型钝化台面，芯片中间为长基区N，阴极K在磷扩散区N+上，阳极A在浓硼扩散区P+上，上部是磷扩散区N+，下部是浓硼扩散区P+，芯片的周边设有隔离墙，在隔离墙上设有垂直穿通的激光孔，激光孔的直径小于200μm，激光孔的间距40-400μm，槽型钝化台面在隔离墙与阴极K之间。由于采用激光穿孔隔离墙扩散工艺制造整流二极管芯片，耐压提高，性能稳定。也就是说本发明不但克服了原来单面刻槽方法制造的芯片的缺点，而且具有原来单面刻槽方法制造的芯片的优点。

摘要： 本发明公开了一种同步整流二极管及同步整流控制电路；一种同步整流二极管，包括同步整流控制电路、功率MOSFET管和储能电容，其特征在于：储能电容的上极板接同步整流控制电路的电源输出端，储能电容的下极板接同步整流二极管的阳极，功率MOSFET的源极、漏极及栅极分别与同步整流二极管的阳极、阴极及同步整流控制电路的信号输出端相连接；所述同步整流控制电路包括基准电路、电源产生电路、欠压保护电路、逻辑模块、AK电压稳定模块、上拉模块和下拉模块；基准电路为欠压保护电路提供基准电压；本发明可直接替代传统的整流二极管，同步整流控制电路无需外部供电，应用简单，可广泛应用在电源管理领域，具有良好的应用前景。

摘要： 本发明公开一种车用整流二极管基座及车用整流二极管，车用整流二极管基座，包括一体成型的基座本体，基座本体的外缘设置有抓持部；车用整流二极管包括基座、引线、晶粒和塑封层，本发明解决了现有焊接型车用整流二极管使用不方便及成品致密性差的技术问题。

摘要： 本发明公开了整流二极管、专用于制造整流二极管的芯片及其制造方法，整流二极管由外壳、芯片、引出线几部分组成，芯片包括长基区N、扩磷区N+，浓硼扩散区P+，槽型钝化台面，芯片中间为长基区N，阴极K在磷扩散区N+上，阳极A在浓硼扩散区P+上，上部是磷扩散区N+，下部是浓硼扩散区P+，芯片的周边设有隔离墙，在隔离墙上设有垂直穿通的激光孔，激光孔的直径小于200μm，激光孔的间距40－400μm，槽型钝化台面在隔离墙与阴极K之间。由于采用激光穿孔隔离墙扩散工艺制造整流二极管芯片，耐压提高，性能稳定。也就是说本发明不但克服了原来单面刻槽方法制造的芯片的缺点，而且具有原来单面刻槽方法制造的芯片的优点。

摘要： 本发明公开了一种二极管底座及车用整流二极管。该种二极管底座，包括中部座体、外部套体，中部座体用于安装芯片，中部座体设置于外部套体内部；该种车用整流二极管，包括上述二极管底座、芯片、引线，芯片设置于芯片安装部，芯片连接有引线。通过将二极管底座分成两部分，可以对两部分的材料进行选择，选择合适的材料，从而从成本及性能方面对底座进行优化；采用该种二极管底座的二极管在在受外力时，先由外部套体受力并产生形变，通过形变减小了传递给中部座体的压力，从而降低芯片收到的外力，减小了芯片受力损坏的风险。

摘要： 本发明公开了一种同步整流二极管及同步整流控制电路；一种同步整流二极管，包括同步整流控制电路、功率MOSFET管和储能电容，其特征在于：储能电容的上极板接同步整流控制电路的电源输出端，储能电容的下极板接同步整流二极管的阳极，功率MOSFET的源极、漏极及栅极分别与同步整流二极管的阳极、阴极及同步整流控制电路的信号输出端相连接；所述同步整流控制电路包括基准电路、电源产生电路、欠压保护电路、逻辑模块、AK电压稳定模块、上拉模块和下拉模块；基准电路为欠压保护电路提供基准电压；本发明可直接替代传统的整流二极管，同步整流控制电路无需外部供电，应用简单，可广泛应用在电源管理领域，具有良好的应用前景。

摘要： 本实用新型公开一种车用整流二极管基座及车用整流二极管，车用整流二极管基座，包括一体成型的基座本体，基座本体的外缘设置有抓持部；车用整流二极管包括基座、引线、晶粒和塑封层，本实用新型解决了现有焊接型车用整流二极管使用不方便及成品致密性差的技术问题。

摘要： 本实用新型提供一种整流二极管基座及整流二极管，其整流二级管包括一基座、一整流芯片、一导电组件及一环氧胶；基座具有多个间隔排列的肋条，多个间隔排列的肋条环绕于基座，其中每两个肋条之间具有一齿底面，每一个肋条具有一齿顶面、一第一齿斜面、一第二齿斜面、一连接于齿顶面与第一齿斜面之间的第一弧角及一连接于齿顶面与第二齿斜面之间的第二弧角，第一齿斜面与齿底面之间形成一第三弧角，第二齿斜面与齿底面之间形成一第四弧角；整流芯片通过一焊片而设置于基座上；导电组件具有一基部及一引线，其中基部设置于整流芯片上；环氧胶包覆焊片、整流芯片及基部。

摘要： 本实用新型公开了整流二极管、专用于制造整流二极管的芯片及其制造方法，整流二极管由外壳、芯片、引出线几部分组成，芯片包括长基区N、扩磷区N+，浓硼扩散区P+，槽型钝化台面，芯片中间为长基区N，阴极K在磷扩散区N+上，阳极A在浓硼扩散区P+上，上部是磷扩散区N+，下部是浓硼扩散区P+，芯片的周边设有隔离墙，在隔离墙上设有垂直穿通的激光孔，激光孔的直径小于200μm，激光孔的间距40－400μm，槽型钝化台面在隔离墙与阴极K之间。由于采用激光穿孔隔离墙扩散工艺制造整流二极管芯片，耐压提高，性能稳定。也就是说本实用新型不但克服了原来单面刻槽方法制造的芯片的缺点，而且具有原来单面刻槽方法制造的芯片的优点。

摘要： 本实用新型公开了一种二极管底座及车用整流二极管。该种二极管底座，包括中部座体、外部套体，中部座体用于安装芯片，中部座体设置于外部套体内部；该种车用整流二极管，包括上述二极管底座、芯片、引线，芯片设置于芯片安装部，芯片连接有引线。通过将二极管底座分成两部分，可以对两部分的材料进行选择，选择合适的材料，从而从成本及性能方面对底座进行优化；采用该种二极管底座的二极管在在受外力时，先由外部套体受力并产生形变，通过形变减小了传递给中部座体的压力，从而降低芯片收到的外力，减小了芯片受力损坏的风险。