教育投资体制

摘要： 教育投资体制的构建是整个教育事业发展改革的核心,决定着教育改革的方向和成败.从建国以来我国教育投资体制改革的历程中可以发现,顺应经济体制改革和经济结构转型的要求、满足社会发展所带来的人民群众不断增长的教育需求是推动中国教育投资体制改革的两大内在动力和基本逻辑.适切的教育投资体制就是要在不断的动态调整和改革的过程中力求兼顾双重目标的实现.沿循这一改革逻辑分析,当前我国教育投资体制存在着诸多不适应经济体制和经济结构改革要求,不能很好满足社会发展和人民群众教育需求之处,如主体不清、分担不明;渠道不顺、来源不畅;结构不优、效率不高;配置不均、协同不力等.随着社会主义新时代的到来,要构建社会主义现代化强国建设所需的,同时又适应教育改革“并联式叠加发展”要求的教育投资体制,应该将明晰政府的职能边界和市场的作用边界确定各级各类人才培养的资源配置标准、不断提升区域连接性以及各级各类教育政策的协同效率、以区块链思维来创新现有的教育治理体系和结构(包括提高体制内外协调治理水平)、优化教育资源配置方式等作为深化改革的着力点.

摘要： 近年来,随着财政性教育经费投入占国内生产总值4%目标的实现,国家对义务教育的投入力度加大,确实促进了义务教育的发展。但是,教育资源分布不均的问题仍然比较突出:教育经费的"不够吃"与"吃不了"现象并存;校际差距与城乡差距非常明显;大班额与小班化的现实悖论……有研究指出:教育不平等,源于政府教育支出的管理级次。以县为主的教育投资体制,经费投入和地方政府的财力密切相关,

摘要： 教育投资体制涵盖教育经费的来源、分配和管理,在一定程度上决定着教育的规模、质量及其它发展状况.改革开放后,随着经济体制的改变,人力资本论的推动,促进了投资体制的改革,形成了多元化的投资格局.本文介绍义务教育与高中教育的投资体制的形成,并着重阐述高等教育投资体制的历史演变.60年来,我国教育投资体制进行了不断的改革和完善,有力地促进了教育的发展.

摘要： 高等教育产业化的实现需要政府以及高校双方的协调努力和共同推动,从经济学的角度来看,教育活动属于一种知识和技能传递的社会活动,其属于第三产业或者是服务业,但是本身也存在着一定的特殊性,是一种具有正外部效应的准公共产品。本文主要在对高等教育产业的意义和本质分析的基础上,从高等教育产业化需要解决的主要问题入手,探讨教育产业化下的高等教育管理体制改革策略。一、高等教育产业化的意义和本质

摘要： 我国省际间人口由中西部向东部沿海地区流动以及“以县为主，分级管理”的教育投资体制，导致了我国特有的区域间教育投资收益“错位”问题，造成流出地地方教育投资效益不高，而流入地却额外获得流出省份的教育投入成果，区域间教育投资差距进一步拉大。从教育投资体制的层面提出三项建议：实行差别化的教育投资体制；建立与人口流动相联系的教育转移支付制度；进一步加大对中西部人口流出地区教育投资的力度。

摘要： 义务教育均衡发展决不能忽视农村薄弱学校的建设.薄弱学校是指那些没有达到基本办学标准的学校,它主要表现在:办学条件差、领导班子差、教师素质差、生源质量差、教学质量低,社会声誉不佳.本文分析指出,二元经济结构与社会体制是大量农村薄弱学校存在的深层原因,重点学校制度选择是存在的直接原因,教育投资的低层次化是最根本的原因,而城镇化步伐加快的负面效应也是其不可忽视的原因.义务教育均衡发展要加强农村薄弱学校的建设,让偏远农村地区的孩子也能享受到较好的教育:一是加大教育投资体制改革的力度,增加对农村薄弱学校的投入；二是创新学校管理思路,大力提升薄弱学校的管理水平；三是坚持疏堵结合,抑制城乡间教师的“逆向”流动；四是坚持就近入学的原则,均衡城乡学校生源.

摘要： 浙江省台州市椒江区——"教育股份制"2001年起,浙江省台州市椒江区启动了以"现代学校制度探索"为载体的全国教育改革实验区实验改革工程,并编著出版了国内第一本书名中含有"现代学校制度"的学术专著《现代学校制度探索——源于椒江实践的理性思考》。台州市椒江区"现代学校制度"的要点是:①成功建立起"教育股份制",由多个投资人以股份形式联合出资设立学校,建立市场化导向的多元教育投资体制。②组织特征是"双法人

摘要： 山西省自实行"以县为主"的农村基础教育投资体制以来,取得了一定的成绩,但由于财政投入总量不足,各地经济发展不平衡,在推行中也面临着一些问题.本文对山西省农村基础教育投资中存在的问题以及产生问题的原因进行了分析,并提出了解决问题的对策,旨在更好的发展农村基础教育,使农村基础教育更加公平,更加和谐的发展.

摘要： 当前我国欠发达地区普通高中教育存在着教育经费投入不足且不均衡、教育成本负担机制不合理与财政转移支付制度不完善、教育资源配置不均衡与优质资源短缺、投资主体单一且经费不足与学校普遍负债等问题.这主要是由于普通高中教育投资体制问题所造成的.要改变目前的现状,突破普通高中投资体制瓶颈应是关键之举.

摘要： 加快普及高中阶段教育,是我国当前及今后一段时间发展教育的战略目标之一.而在高中阶段教育中,普通高中教育是普及高中阶段教育的重中之重.调查发现,我国普通高中教育存在着供给与需求不平衡、学校布局不合理、办学自主权错缺位、内部治理结构失衡等问题.要改变目前的现实状况,突破普通高中管理体制瓶颈是关键之举.

摘要： 一种半导体制造装置用温度调整装置(3)，为了调整在半导体制造装置中使用的流体的温度而具备热交换部(7)，所述热交换部(7)在内部具有对流体进行加热冷却的温度调整部件(72)，所述热交换部(7)在所流入的流体以及温度调整部件(72)之间进行热交换，所述半导体制造装置用温度调整装置(3)具备：PID常数运算部件(85)，基于流体的物理特性值、以及用于测定流体的温度的温度传感器(6)的时间常数，运算PID控制用的PID常数；以及PID控制运算部件(86)，基于由PID常数运算部件(85)运算出的PID常数，进行所述温度调整部件的PID控制。

摘要： 在化合物半导体基板(40)上形成采用有机金属气相生长法在化合物半导体基板(40)上依次层叠III族氮化物半导体的晶体层而成的化合物半导体层时，在反应容器内安装化合物半导体基板(40)使其晶体生长面朝上，在化合物半导体基板(40)的上方，在与晶体生长面对向的侧安装形成有放射状的多个沟(63)的保护构件(60)，经由在保护构件(60)的中央部设置的第1贯通孔(61)对反应容器的内部进行原料气体的供给。由此，在使用了有机金属气相生长法的化合物半导体的制造中，抑制了由剥落的反应生成物附着于基板或者基板上的外延生长膜上所引起的成品率的降低。

摘要： 本发明提供能够在基板上的期望位置制造晶体的晶体制造装置。弹簧(2)具有固定在支架(1)上的一端和连接至磁性体(3)的另一端。所述磁性体(3)具有连接至所述弹簧的一端和连接至活塞(6)的另一端。线圈(4)围绕磁性体(3)缠绕并且在电源回路(5)和接地节点(GND)之间电连接。活塞(6)具有插入圆筒(7)的直线构件(61)。圆筒(7)具有中空柱形和在底面(7B)上的小孔(71)。所述圆筒(7)保持硅熔体(13)。基板(11)由XY平台(12)支持以相对于所述圆筒(7)的所述小孔(71)。所述电源回路(5)传送脉冲状电流通过线圈(4)以朝上下方向(DR1)移动所述活塞(6)。结果，液滴(14)以初始速度为1.02m/s从所述小孔(71)向所述基板(11)排出。

摘要： 本发明提供一种催化活性的降低得以抑制、能高效地制造包含一氧化碳和氢的合成气体的合成气体制造用催化剂结构体以及具备该合成气体制造用催化剂结构体的合成气体制造装置。本发明的合成气体制造用催化剂结构体(1)是在制造包含一氧化碳和氢的合成气体时使用的合成气体制造用催化剂结构体(1)，其具备：多孔质结构的载体(10)，由沸石型化合物构成；以及至少一种催化剂物质(20)，存在于载体(10)内，载体(10)具有相互连通的通道(11)，催化剂物质(20)为金属微粒，存在于载体(10)的至少通道(11)。

摘要： 问题：提供能够由以二氧化碳为主要成分的分离气体稳定地制造以一氧化碳为主要成分的生成气体的气体制造装置。解决手段：提供气体制造装置(1)，其具备分离回收部(5)、反应部(4)、压力调节部(7)以及流量调节部(6)，所述分离回收部(5)从废气设备的管线的中途导出的废气中分离回收以二氧化碳为主要成分的分离气体；所述反应部(4)与分离回收部(5)的下游侧连接，并且具备至少一个反应器，该反应器在容纳还原剂的同时，能够在还原反应的体系内分离从二氧化碳脱离的氧原子的至少一部分，所述还原剂通过因与分离气体而接触发生的二氧化碳的还原反应而生成一氧化碳；所述压力调节部(7)与反应部(4)的下游侧连接，调节供给至反应器的分离气体的压力；所述流量调节部(6)与分离回收部(5)的上游侧连接，调节供给至反应器的分离气体的流量。

摘要： 本发明提供能够长时间稳定地维持优异的催化活性而不使其下降、并且能够效率良好地制造包含一氧化碳和氢的合成气体的合成气体制造用催化剂结构体等。合成气体制造用催化剂结构体是在制造包含一氧化碳和氢的合成气体时使用的合成气体制造用催化剂结构体(1)，所述合成气体制造用催化剂结构体(1)具备由沸石型化合物构成的多孔质结构的载体(10)和存在于前述载体(10)内的至少1种催化剂物质(20)，前述载体(10)具有相互连通的通道(11)，前述载体(10)的长边尺寸L相对于厚度尺寸d之比(L/d比)为5.0以上，前述催化剂物质(20)存在于前述载体(10)的至少前述通道(11)中。

摘要： 本发明的目的是提供一种能够通过简单的结构来防止反应生成物附着到清洗处理炉内的半导体制造装置部件的清洗装置，并且提供一种半导体制造装置部件的清洗装置(1)，具备用于收容半导体制造装置部件(10)的清洗处理炉(2)、加热装置(3)、气体导入管(4)、气体排出管(5)、减压装置(6)、第一温度控制装置(7)、第二温度控制装置(8)及吹扫气体供给机构(9)。

摘要： 本发明的课题是提供一种烧结磁体制造用模具，该烧结磁体制造用模具能够提高合金粉末的填充密度的均匀性，同时，内部容易清扫，并且，合金粉末难以咬入盖和模腔之间的间隙。主体(11)具有：从主体面(110A)起设置到主体(11)的内部的主体模腔(111)，该主体模腔(111)由长方体状的上部模腔(111A)和与上部模腔(111A)的下部相连接的向下凸出的作为圆筒形状的一部分的下部模腔(111B)构成；作为圆筒形状的一部分的侧模腔(112)，其在上部模腔(111A)的在主体面(110A)上的开口的、作为所述圆筒的一部分的轴向的两外部分别从主体面(110A)起设置到内部，具有与下部模腔(111B)的作为圆筒的一部分的轴线平行的轴线。盖(12)具有与主体面(110A)对应的基础面(110A)和从该基础面(110A)与两个侧模腔(112)以及连接这两个侧模腔(112)的圆筒形状的一部分的假想模腔对应地突出的凸肋(122)。

摘要： 一种半导体制造装置用温度调整装置(3)，为了调整在半导体制造装置中使用的流体的温度而具备热交换部(7)，所述热交换部(7)在内部具有对流体进行加热冷却的温度调整部件(72)，所述热交换部(7)在所流入的流体以及温度调整部件(72)之间进行热交换，所述半导体制造装置用温度调整装置(3)具备：PID常数运算部件(85)，基于流体的物理特性值、以及用于测定流体的温度的温度传感器(6)的时间常数，运算PID控制用的PID常数；以及PID控制运算部件(86)，基于由PID常数运算部件(85)运算出的PID常数，进行所述温度调整部件的PID控制。

摘要： 本发明提供能够在基板上的期望位置制造晶体的晶体制造装置。弹簧(2)具有固定在支架(1)上的一端和连接至磁性体(3)的另一端。所述磁性体(3)具有连接至所述弹簧的一端和连接至活塞(6)的另一端。线圈(4)围绕磁性体(3)缠绕并且在电源回路(5)和接地节点(GND)之间电连接。活塞(6)具有插入圆筒(7)的直线构件(61)。圆筒(7)具有中空柱形和在底面(7B)上的小孔(71)。所述圆筒(7)保持硅熔体(13)。基板(11)由XY平台(12)支持以相对于所述圆筒(7)的所述小孔(71)。所述电源回路(5)传送脉冲状电流通过线圈(4)以朝上下方向(DR1)移动所述活塞(6)。结果，液滴(14)以初始速度为1.02m/s从所述小孔(71)向所述基板(11)排出。