改良西门子法

摘要： 电子级多晶硅是制造半导体硅片最基础和最主要的原材料之一,被称为电子信息产业的“粮食”。本文介绍了常见的电子级多晶硅生产技术,分析了电子级多晶硅在生产过程中的关键工艺,并指出在生产电子级多晶硅时应注意事项。

摘要： 技术进步促进企业发展。上世纪60年代,内迁到乐山的峨眉半导体研究所将多晶硅作为重点研究对象,90年代中后期,“改良西门子法”被研制成功,国内首块多晶硅研制生产,打破了俄、德、日等国对我国的技术封锁。2006年,通威在乐山进入多晶硅领域。2020年通威营收442亿元,归属上市公司股东净利润36.08亿元;今年一季度,通威股份收入246.85亿元,净利润达51.94亿元。优异的业绩表现,也让通威股份的市值从2020年初的550亿左右,一路攀升至目前的2500亿左右,2年增长近4倍。

摘要： 讨论多晶硅还原生产过程中比较常见的一些问题,并针对这些问题总结针对性控制对策。首先介绍多晶硅还原生产工艺,了解还原生产原理以及基本流程。其次,针对多晶硅还原生产过程,提出九点比较常见的问题,并分别从硅芯和沉积硅之间黏合度、硅油的产生、大量无定形硅、倒棒现象、硅棒内氧化夹层、裂纹、高温条件下还原炉水管的震动、电压击穿导致的横梁和硅芯亮点、爆米花现象九个维度,总结控制对策,切实提高多晶硅还原生产效率与质量,旨在为今后光伏产业多晶硅还原生产工艺的改善与创新积累经验。

摘要： 为去除改良西门子法循环氢气中的微量磷化氢杂质,使用浸渍法对5A分子筛分别负载了氯化铜和醋酸铜制成了改性吸附剂.分别对空白/5A、氯化铜/5A和醋酸铜/5A 3种吸附剂进行了磷化氢吸附穿透实验,吸附实验结果证明铜盐的负载能显著增加5A分子筛对磷化氢的吸附能力,其中醋酸铜/5A的吸附性能最好,在实验室固定床中穿透吸附容量达空白/5A的7倍以上.分别考察了浸渍液浓度、吸附温度、磷化氢浓度和进气流速对醋酸铜/5A吸附性能的影响:醋酸铜/5A对磷化氢的吸附性能随醋酸铜浸渍液浓度(0.1～0.3 mol/L)的增加而增强;在-15～50°C内醋酸铜/5A对磷化氢吸附性能随温度升高而增强;磷化氢浓度在50×10-6～500×10-6范围内,进气流速在100～200 mL/min范围内时醋酸铜/5A吸附性能保持稳定.对吸附磷化氢饱和后的醋酸铜/5A分别采用了热氮气吹扫和热空气煅烧两种方式进行再生,然后分别对其进行了磷化氢吸附穿透实验,实验结果证明醋酸铜/5A具有优秀的再生能力,可以通过热空气煅烧的方式恢复90％的磷化氢吸附性能,是一种理想的磷化氢吸附材料.采用了BET、XRD、XPS对醋酸铜/5A物化性质进行了表征:BET表征结果证明醋酸铜/5A有更多的微孔结构,这有利于磷化氢的吸附;XRD和XPS表征结果证明醋酸铜/5A的吸附磷化氢的活性组分以氧化铜为主,吸附磷化氢后的产物为氧化亚铜和正磷酸.

摘要： 介绍了西门子法多晶硅的副产物四氯化硅的综合利用技术及其现状,从原理、工艺优缺点、存在问题、改进方向等方面介绍了四氯化硅制备气相白炭黑、硅酸乙酯、光纤预制棒及三氯氢硅的应用,重点介绍了四氯化硅氢化技术的最新进展,指出了氢化技术上的难题,并提出解决建议,为国内多晶硅技术开发提供了方向和指导.

摘要： 针对国内外主流的改良西门子法多晶硅制备工艺存在的高能耗、低效率、投资成本高等问题,引入绿色制造理念与技术,采用先进冷氢化技术、多晶硅生产线资源再利用技术及不凝气深度回收技术等技术,对多晶硅生产设备、技术、回收利用等制备环节进行改善,实现工艺优化、节能降耗、减轻污染和质量提升.

摘要： 改良西门子法是目前国内外生产多晶硅最为成熟、应用最为广泛的主流技术,阐述了多晶硅生产的多种工艺,重点介绍了改良西门子法生产多晶硅的工艺发展、特点、工艺流程,并针对各单元的质量控制点进行了简单分析.

摘要： 文章分析了改良西门子法制备多晶硅工艺所涉及的相关化学反应及转化率,在此基础上通过系统物料关系和物料守恒,建立了改良西门子工艺物料平衡的理论模型,重点讨论了SiHCl3还原多晶硅转化率、精馏SiHCl3和SiCl4的收率对物料平衡的影响.结果和方法可以为改良西门子法制备多晶硅工艺的设计和实际生产提供参考.

摘要： 自2008年10月以后,多晶硅价格持续下降,在市场竞争中价格的弹性也逐渐减弱。目前国内近80%以上企业形式不容乐观,成本的重要性日趋显著,因而降低生产成本直接决定了多晶硅企业及下游光伏产业的长期可持续发展。概述了多晶硅生产工艺现状,对改良西门子法生产多晶硅降低成本的途径进行了分析与探讨,为多晶硅企业实现低成本生产提供一定参考。

摘要： 化学冶金法即钠还原四氟化硅法制备太阳能级多晶硅,是国际上多晶硅生产的新技术之一,本公司致力于将该技术产业化.与传统的西门子法相比,它具有单程收率高、能耗低、投资少、环境友好等优点.前期试生产出的多晶硅中硼、磷、铝等关键杂质含量≤0.1ppmw,以其制得太阳能单晶电池的平均光电转换效率>18%,可与传统改良西门子法多晶硅制得的太阳能电池相媲美.本论文将简单介绍我们在产业化试验进程中所取得的成果和遇到的问题.

摘要： 一种60对棒改良西门子法多晶硅还原炉底盘，涉及一种多晶硅还原炉底盘。解决现有改良西门子法多晶硅还原炉生产的多晶硅质量差、能耗高、产量低、一次转化率低的问题。8个电极、16个电极、24个电极、32个电极及40个电极依次分布在电极一环环形中心线、电极二环环形中心线、电极三环环形中心线、电极四环环形中心线及电极五环环形中心线上；在底盘的中心位置设有中心混合气体进气喷嘴；8个第一混合气体进气喷嘴、12个第二混合气体进气喷嘴、16个第三混合气体进气喷嘴及4个混合气体出口依次设置在混合气体进气喷嘴一环环形中心线、混合气体进气喷嘴二环环形中心线、混合气体进气喷嘴三环环形中心线及底盘出口环环形中心线上。

摘要： 本发明公开了一种改良西门子法多晶硅生产设备电源电路，包括若干台还原炉、N台启动电源组成的电源系统以及K台备用启动电源，其中，所述N台启动电源及所述K台备用启动电源同时与三相输电电路连接；所述电源系统的输出端与所述若干台还原炉连接，所述K台备用启动电源中的每一台分别通过相位选择器与电源系统的输出端连接，当所述N台启动电源中任一台损坏时，备用启动电源中任一台通过相位选择器调整其输出相位与损坏的启动电源输出相位相匹配，以代替损坏的启动电源。本发明的电源电路通过设置备用启动电源，在主用电源损坏的情况下使用备用电源来启动还原炉，提升了设备运行的可靠性，从而提高了生产效率，增加了产能。

摘要： 改良西门子法多晶硅还原炉尾气经回收循环再利用后生产制造多晶硅的方法，涉及改良西门子法生产多晶硅的方法。本发明解决现有改良西门子法多晶硅生产条件受热力学的限制，存在能耗高、转换效率低、生产成本高的问题。方法：将多台多晶硅还原炉设备串联在一起，每个多晶硅还原炉设备的出口利用管路连接下一个多晶硅还原炉设备的入口，依次连接，通入原料气体，在硅芯表面发生还原反应，形成多晶硅棒。或将多台多晶硅还原炉设备串联在一起，每个多晶硅还原炉设备的出口利用管路连接下一个多晶硅还原炉设备的入口，依次连接，利用补料管路分别连接每个多晶硅还原炉设备的入口，得到串联设备，通入原料气体，在硅芯表面发生还原反应，形成多晶硅棒。

摘要： 本发明公开了一种改良西门子法启动电路，包括依次连接的电压输入端、调压组件回路、至少一个负载，还包括开关电路，每一个所述负载都对应并联设置有一个开关电路，所述开关电路用于控制所述负载的工作状态。本发明的改良西门子法启动电路与现有升压击穿负载加热相比，对反应器的电气绝缘要求较低，可以启动长度更长的负载。过程中的启动、运行不用考虑负载之间的不匹配，启动成功率可达到100%。

摘要： 一种改进的改良西门子法多晶硅还原炉底盘，本发明涉及一种多晶硅还原炉底盘的改进。解决现有多晶硅还原炉生产产能小、能耗高，生成的多晶硅棒质量不均匀，气体原料的一次转化率较低的问题。在底盘的中心位置设有底盘中心进气喷嘴，在进气喷嘴一环环形中心线及进气喷嘴二环环形中心线上设有进气喷嘴；在底盘气体出口环环形中心线上设有4个底盘气体出口；电极一环环形中心线、电极二环环形中心线、电极三环环形中心线、电极四环环形中心线及电极五环环形中心线上设有电极。与原有的24对棒还原炉相比，36对棒还原炉可以提升产率，降低能耗，提高混合气体一次转化率，利用了原有设备，节约成本，保证生产。

摘要： 一种改良西门子法多晶硅还原炉用石墨夹头及其使用方法，涉及一种石墨夹头及其使用方法。本发明要解决现有改良西门子法多晶硅还原炉用石墨夹头与硅芯接触不均匀，从而导致接触点局部温度过高，发生靠壁或倒棒现象的问题。本发明所述改良西门子多晶硅还原炉用石墨夹头包括圆台部分4、环形凹槽5、圆状部分6和凸缘7，圆台部分4和圆柱部分6中心为连通孔；使用方法：一、将硅芯下端加工成与倒圆台孔1相同锥度的倒圆台形；二、将加工后的硅芯的倒圆台形一端插入到石墨夹头的倒圆台孔1中。本发明石墨夹头及其使用方法能够提高改良西门子法多晶硅还原炉的运行稳定性，可避免发生靠壁或倒棒现象，结构简单、易于加工，所需石墨材料少，成本低。

摘要： 本发明是一种改良西门子法还原炉提高多晶硅一次沉积率的方法。其特征在于进入还原炉的H

摘要： 一种改良西门子法的12对棒电子级多晶硅还原炉底盘，涉及电子级多晶硅领域。本发明是为了解决现有的还原炉底盘结构设计并不完善，容易造成炉内气体流动不畅，硅芯表面温度分布不均等问题。底盘中心设有混合气体出口，混合气体进气内环、电极内环、混合气体进气外环和电极外环均是以底盘的中心为圆心、从内至外依次设置的同心圆；混合气体进气内环和混合气体进气外环上分别排布有m个混合气体进气喷嘴和n个混合气体进气喷嘴，2≤m≤8且m为正整数，4≤n≤12且n为正整数，电极内环和电极外环的圆周上分别均匀排布有四对电极和八对电极。这种喷嘴排布的设置用于高品质电子级多晶硅生产。

摘要： 改良西门子法多晶硅还原炉尾气经回收循环再利用后生产制造多晶硅的方法，涉及改良西门子法生产多晶硅的方法。本发明解决现有改良西门子法多晶硅生产条件受热力学的限制，存在能耗高、转换效率低、生产成本高的问题。方法：将多台多晶硅还原炉设备串联在一起，每个多晶硅还原炉设备的出口利用管路连接下一个多晶硅还原炉设备的入口，依次连接，通入原料气体，在硅芯表面发生还原反应，形成多晶硅棒。或将多台多晶硅还原炉设备串联在一起，每个多晶硅还原炉设备的出口利用管路连接下一个多晶硅还原炉设备的入口，依次连接，利用补料管路分别连接每个多晶硅还原炉设备的入口，得到串联设备，通入原料气体，在硅芯表面发生还原反应，形成多晶硅棒。

摘要： 本实用新型公开了一种改良西门子法启动电路，包括依次连接的电压输入端、调压组件回路、至少一个负载，还包括开关电路，每一个所述负载都对应并联设置有一个开关电路，所述开关电路用于控制所述负载的工作状态。本实用新型的改良西门子法启动电路与现有升压击穿负载加热相比，对反应器的电气绝缘要求较低，可以启动长度更长的负载。过程中的启动、运行不用考虑负载之间的不匹配，启动成功率可达到100%。