接触区

摘要： 使用双辊系统的印刷机组,在各个辊之间都有压力接触区,这些压力接触区称为内向接触区。清洗印刷机组的操作人员在这些部位要格外小心,因为这些接触区很容易咬住抹布或手指。下面介绍双辊系统通用清洗流程,分14个步骤。凹印机双辊系统通用清洗流程如下:①把墨泵关闭并断开电源,以停止油墨的流动。②把清洗溶液泵入整个系统,使之更加容易清洗。③把供墨软管从色组上拆下。

摘要： 针对成形磨削大导程滚珠螺母滚道时磨杆与螺母干涉碰撞的技术问题,基于螺旋面加工原理对砂轮计算截形坏点及滚道廓形误差进行详细分析。在调整安装参数无法满足滚道完整包络成形的前提下,提出了以滚道接触区廓形最大化为目标的精密磨削工艺及相应的砂轮选型与安装参数优化方法。以4040型号大导程滚珠螺母磨削试验为例,验证了该方法可满足大导程滚珠螺母内滚道的加工精度要求。

摘要： 本文开发了一种基于红外的滚动轴承接触微区内的温度测量方法,该方法通过球-盘试验机模拟轴承运动过程,使用中波红外热像仪进行辐射能采集。将测得的温升与温度场计算值进行对比,验证了此测温方法的正确性。

摘要： 托马斯·欧文的《聆听中国》是迄今为止西文学界中首部用后现代、后殖民、全球化等文化批评理论,从全球音乐史的视角,以“帝国之耳”聆听中国音乐及“声音景观”为例来探讨近代中乐西渐过程及其在欧洲所产生影响的专著,也是中外学界不多的以启蒙时代思想家、音乐史家和音乐理论家与中国音乐为个案来多维度地审视欧洲近现代有关中国音乐话语形成过程的著述之一。该书2020年出版后,颇受欧美学界瞩目,唯国内音乐学界,在该书出版近两年后,似仍尚缺介绍与评论。该文之写作意图,非奢望踵事增华,实旨抛砖引玉,“别求新声于异邦”。

摘要： 加压溶气气浮技术是污水除油中常用的高效工艺,气泡的大小和分布对除油效率的影响至关重要。基于相群平衡模型,对溶气气浮器内两相流动及气泡聚并进行数值模拟,并进行实验研究加以验证,建立了气浮器接触区模型,研究了气泡聚并及气含率分布规律,分析了释放头不同气液比和接触区高度对气含率分布和气泡聚并情况的影响。结果表明:接触区气含率随气液比增大而升高,随接触区高度的增加而降低,气泡在上浮过程中会发生聚并使得气泡变大,稳定性变差,同时加快上浮速度,会影响接触区的气含率分布。通过微观模拟发现大粒径微气泡在上浮过程中更容易发生聚并,小粒径微气泡则由于表面张力作用稳定性更强,不易发生变形和聚并。研究结果为溶气气浮气液比的选择和浮选过程气含率和气泡分布的研究提供参考。

摘要： 针对固体润滑轴承局部接触固体润滑薄膜在切向作用力下的接触问题,建立了拟静力学蠕滑分析模型,采用局部接触面网格划分法对固体润滑轴承进行局部接触点蠕滑分析.以SKF 7218B角接触球轴承为例的分析结果表明:随自旋率增大,拖动力先增大后减小;随横向和切向蠕滑率增大,接触区各点相对滑动速度方向不变,滑动区域随蠕滑率增大而增大,拖动力区域增大;切向和横向蠕滑率不为零时,两接触体沿局部接触坐标系x,y轴方向均存在相对滑动现象,相对滑动速度与滚动速度方向呈一定夹角.

摘要： GB/T 11365-2019中规定锥齿轮的接触斑点由供需双方商定,且接触斑点与齿轮精度等级没有直接关系。而在大型客机高升力直齿锥齿轮副的研制中,按ANSI/AGMA 2009-B01标准设计的直齿锥齿轮副,图样中明确标注了接触斑点的形状、位置、大小、边界状态等信息,对锥齿轮的制造过程控制也有一定的要求,研制的直齿锥齿轮可实现齿轮箱任意工作载荷下良好的接触状态,还能实现齿轮副中的大、小轮的各自互换性,并为此提出了标准齿轮和控制齿轮的概念。基于此,从铣齿加工工艺、齿坯、夹具、刀具、程序、接触区修正技术、热处理变形控制等方面阐述了高精度直齿锥齿轮加工的前沿技术。

摘要： 晶体管制作包括在衬底上形成氮化物基沟道层、在该氮化物基沟道层上形成阻挡层、在该阻挡层中形成接触凹进以暴露该氮化物基沟道层的接触区、例如利用低温沉积工艺在该氮化物基沟道层的该暴露的接触区上形成接触层、在该接触层上形成欧姆接触并且形成设置在阻挡层上与该欧姆接触相邻的栅接触。也提供了高电子迁移率晶体管(HEMT)和制作HEMT的方法。该HEMT包括在衬底上的氮化物基沟道层、在该氮化物基沟道层上的阻挡层、在该阻挡层中延伸到该沟道层中的接触凹进、在该接触凹进中该氮化物基沟道层上的n型氮化物基半导体材料接触区、在该氮化物基接触区上的欧姆接触和设置在阻挡层上与该欧姆接触相邻的栅接触。该n型氮化物基半导体材料接触区和该氮化物基沟道层包括表面面积扩大结构。

摘要： 本发明公开了一种半导体制造电镀治具电极接触区域形成的方法及接触区域，包括以下步骤：在半导体晶圆上形成正性光阻；在形成正性光阻同时在边缘喷射有机溶剂；把正性光阻未洗掉的边缘形成弧形；曝光，边缘经过曝光形成第一图案；显影预对准；在显影预对准单元通过装置边缘曝光，在边缘形成第二图案；显影后在正性光阻上形成第三图案，同时通过显影液的冲刷把边缘第二图案洗掉形成规则的边缘。本发明还提供一种半导体制造电镀治具电极接触区域，是按照上述的方法形成的。采用本发明的方法在半导体晶圆边缘形成的无光刻胶电镀阴极金属环接触区域，不会造成电镀时设备报警，而且大大减少了电镀治具的预防性维护频次。

摘要： 一种无接触区形成于存储单元区的分栅快闪存储单元阵列结构，形成于半导体基板之上，其至少包含：多个隔离区块，以阵列排列方式形成于该半导体基板上；多个快闪存储单元，每一该快闪存储单元包含浮置栅极，以阵列排列方式形成于该半导体基板上，且位于该多个隔离区块以外的有源区上，而构成多列快闪存储单元，每列快闪存储单元共用一控制栅极线；多个纵行扩散区形成于该隔离区块纵行之间的半导体基板内，且与上述每列快闪存储单元的控制栅极线相会；因此，经由指定列的控制栅极及指定行扩散区可分别指定一存储单元，以进行对该被指定的存储单元编程，或读取资料；上述存储单元的接触形成于存储单元区以外的半导体基板内。

摘要： 晶体管制作包括在衬底上形成氮化物基沟道层、在该氮化物基沟道层上形成阻挡层、在该阻挡层中形成接触凹进以暴露该氮化物基沟道层的接触区、例如利用低温沉积工艺在该氮化物基沟道层的该暴露的接触区上形成接触层、在该接触层上形成欧姆接触并且形成设置在阻挡层上与该欧姆接触相邻的栅接触。也提供了高电子迁移率晶体管(HEMT)和制作HEMT的方法。该HEMT包括在衬底上的氮化物基沟道层、在该氮化物基沟道层上的阻挡层、在该阻挡层中延伸到该沟道层中的接触凹进、在该接触凹进中该氮化物基沟道层上的n型氮化物基半导体材料接触区、在该氮化物基接触区上的欧姆接触和设置在阻挡层上与该欧姆接触相邻的栅接触。该n型氮化物基半导体材料接触区和该氮化物基沟道层包括表面面积扩大结构。

摘要： 本发明公开一种动物黏附接触区实际接触面积的计算方法及系统，计算方法包括：获取实际接触区的原始图像并进行去噪预处理，得到去噪的实际接触区的图像；对接触区的图像做阈值分割，得到与接触区对应的二值图像；对接触区二值图做聚类填充，采用八邻域搜索方法将各接触区域进行区域连通和区域标记，得到接触区的轮廓线；计算所述轮廓线内的二值图的灰度累计值；根据单位像素对应的实际面积与灰度累计值确定接触区的面积。本发明提供的方法及系统用于自动计算黏附接触中的接触面积，自主定位剪裁多块接触面积，有效去除环境噪声，可精确计算黏附接触中不规则微小接触区的面积。

摘要： 为了将电接触端子(40；55；70；80；90)焊接到光伏(PV)或太阳能器件、诸如PV电池或PV模组(100)的电接触区(35)，提供一种方法、系统(110)、焊接台(114)和接触端子(40；55；70；80；90)。接触端子(40；55；70；80；90)包括：基本平直的基部(42；60；75；85；95)，其一个表面侧形成电接触表面(43)；以及至少一个提升腿部(44、45；57、58；71、72；81、82；92、93)，其从基部(42；60；75；85；95)在与接触表面(43)相反的表面侧(46)处延伸。在将基部(42；60；75；85；95)的接触表面(43)定位在接触区(35)处之后，从至少一个提升腿部(44、45；57、58；71、72；81、82；92、93)加热接触部(41；56；71；81；91)，使得焊料(50)熔融并结合接触端子(40；55；70；80；90)和接触区(35)。施加用于将接触表面(43)保持在接触区(35)处直到接触端子((40；55；70；80；90))和接触区(35)结合的机械力(53)。也包括其包括由此焊接的接触端子(40；55；70；80；90)的PV模组(100)。

摘要： 在制造电接触(1)时，使用了多晶硅电极层(4)，其边缘搭在与衬底(3)连接的绝缘物上，至少搭在边缘(52)的部分斜坡上。电极层(4)在腐蚀工艺中用做限定侧向边界的掩膜。于是，在电极层(4)的边缘下面形成一个框架形薄层(5)，并露出与薄层(5)相邻的衬底(3)的接触区(2)。再淀积可以形成硅化物的金属层，其厚度小于薄层(5)的厚度。当加热形成硅化物后，没有与硅反应的金属，用选择性溶解金属腐蚀剂去除。

摘要： 本发明公开了一种半导体制造电镀治具电极接触区域形成的方法及接触区域，包括以下步骤：在半导体晶圆上形成正性光阻；在形成正性光阻同时在边缘喷射有机溶剂；把正性光阻未洗掉的边缘形成弧形；曝光，边缘经过曝光形成第一图案；显影预对准；在显影预对准单元通过装置边缘曝光，在边缘形成第二图案；显影后在正性光阻上形成第三图案，同时通过显影液的冲刷把边缘第二图案洗掉形成规则的边缘。本发明还提供一种半导体制造电镀治具电极接触区域，是按照上述的方法形成的。采用本发明的方法在半导体晶圆边缘形成的无光刻胶电镀阴极金属环接触区域，不会造成电镀时设备报警，而且大大减少了电镀治具的预防性维护频次。

摘要： 一种具有芯片模块的芯片卡，该芯片模块包含集成电路，并且对于外部接触来说，该芯片模块在正面上具有带有互相隔开并与该集成电路电连接的多个接触区域的接触区，其中至少一个接触区域由具有第一表面的第一功能区和具有第二表面的第二功能区构成，并且第一功能区的第一表面相对于正面高于第二功能区的第二表面。

摘要： 本发明公开了一种栅沟槽与终端沟槽分隔开的屏蔽栅沟槽式MOSFETs，其中至少一个终端沟槽围绕栅沟槽的外部边缘且不围绕栅金属垫片区。每个栅沟槽内的屏蔽栅极，均通过至少一个屏蔽栅沟槽接触区连至源金属，所述的至少一个屏蔽栅沟槽接触区与至少一个栅金属导线之间的距离大于100μm。此外，本发明还公开了器件结构中的击穿电压增强区和雪崩能力增强区。