三氯氢硅

摘要： 国信证券收盘收益:5.76%三孚股份(603938):公司是国内三氯氢硅龙头,现有主要产能包括三氯氢硅6.5万吨/年、高纯四氯化硅3万吨/年、氢氧化钾5.6万吨/年、硫酸钾10万吨/年,新建5万吨三氯氢硅、2万吨四氯化硅产能有望于2022年三季度进入试生产,提高公司盈利能力。2021年业绩符合预期,业绩大幅增长。

摘要： 从行业发展的角度来看,进一步提升三氯氢硅收率成为有机硅企业重点研究的内容。随着相关技术的发展,三氯氢硅相关装置的压力、温度等相关数据逐渐趋于稳定状态,因此催化剂的选择成为重要影响因素。从冷氢化技术入手,最终选定氯化亚铜为催化剂,并采用实验分析的方法证实了氯化亚铜对三氯氢硅收率的影响。实验结果发现,在多晶硅冷氢化技术中,氯化亚铜的使用会提高三氯氢硅的收率,具有技术可行性。

摘要： 三氯氢硅的合成过程中会引入碳杂质,在多晶硅和作为硅源的硅外延片生产中很容易发生沉积,形成晶格点缺陷,从而影响半导体材料的性能。高纯三氯氢硅中碳杂质主要以甲基二氯硅烷形式存在,而甲基二氯硅烷沸点与三氯氢硅接近,依靠单纯的精馏法很难去除。文章重点介绍普通精馏法、吸附法、反应精馏法等几种三氯氢硅除碳方法,经过对比分析,精馏与树脂吸附相结合是目前比较有效的三氯氢硅除碳工艺。

摘要： 6月9日,唐山三孚硅业股份有限公司公告,为把握“双碳”背景下的行业发展机遇,公司决定在50 kt/a三氯氢硅项目基础上扩建72.2 kt/a三氯氢硅项目,项目投资总额7526.52万元人民币,建设期6个月。项目建成后,公司将拥有3套独立运行的三氯氢硅生产装置,生产过程调节将更加灵活,预计年营业收入102985.09万元,年均利润总额29429.41万元。项目同时产出四氯化硅产品,可作为公司高纯四氯化硅产品、气相法二氧化硅产品的原材料。

摘要： 多晶硅企业生产中,从工业硅不可避免的引入碳杂质,在氯硅烷体系中以甲基取代基的形式体现,在氢气中以甲烷、一氧化碳或二氧化碳体现,最终,以代位碳(碳化硅)的形式体现。随着N型单晶硅的和半导体晶硅的发展,研究碳杂质的分布和去除已是多晶硅企业科技进步的重点。

摘要： 10月14日,江西宏柏新材料股份有限公司(以下简称“宏柏”)宣布拟在瑞昌市码头工业城投资建设“宏柏新材绿色新材料循环产业项目”。项目总投资52亿元人民币,主要生产光伏级三氯氢硅、高纯四氯化硅、电子级高纯烷氧基硅烷、硫基硅烷、特种功能性硅烷、烷基硅烷、气相法白炭黑、钛酸酯偶联剂、环氧氯丙烷等绿色新材料,共计26条生产线。项目分两期建设,一期投资21亿元,用地约400亩(26.7公顷),二期投资31亿元,用地约300亩(20公顷)。

摘要： 三氯氢硅是一种廉价易得的化学试剂,该试剂在路易斯碱的活化下,具有很高的还原活性.近二十年来,小分子路易斯碱不对称催化氢硅化反应的相关研究取得了长足的进展.本文将报道的路易斯碱催化剂分为六大类:含甲酰胺的碳氧络合型路易斯碱LB-1、双氮络合型路易斯碱LB-2、含叔丁基亚磺酰胺的硫氧络合型路易斯碱LB-3、膦氧络合型LB-4、氮碳氧络合型LB-5、硫氧膦氧络合型LB-6.本文对这几类催化剂的适用范围进行了简要介绍,并指出开发更为廉价、高效、高选择性的新型手性路易斯碱催化剂并拓展其应用是该领域未来研究的方向.

摘要： 三氯氢硅中的甲基二氯硅烷含量会严重影响多晶硅的品质,控制三氯氢硅中的甲基二氯硅烷含量对多晶硅的品质具有重要意义.重点介绍了三氯氢硅中甲基二氯硅烷的深度去除方法,包括常规精馏法、吸附法、反应精馏法和萃取精馏法.对比分析了上述方法的优缺点,其中吸附法、反应精馏法是分离甲基二氯硅烷行之有效的方法,萃取精馏法也是分离甲基二氯硅烷的重要研究方向,并对这些工艺的发展方向进行了展望.

摘要： 介绍了近年国内外使用不同催化剂对四氯化硅加氢制备三氯氢硅的影响,并分析了使用铜基催化剂、镍基催化剂以及碳基催化剂在制备三氯氢硅中的优缺点.

摘要： 本文主要介绍了研究的背景，综述，三氯氢硅精馏工艺的模拟优化，三氯氢硅精馏系统洁净对产品质量的影响等内容。

摘要： 介绍了三氯氢硅精馏工序工艺简介，三氯氢硅精馏工序的先进控制，先进控制的实现，项目实施效果，内蒙古神舟硅业有限责任公司(以下简称神舟硅业)多晶硅生产过程采用的是改良的西门子法工艺,该工艺主要包括三氯氢硅的合成、三氯氢硅的精馏提纯、三氯氢硅的氢还原、尾气的回收和四氯化硅的氢化等5个环节.

摘要： γ-氯丙基三氯硅烷既是生产硅烷偶联剂的重要中间体,主要通过铂配合物催化的硅氢加成反应来制备,产业规模早已突破万吨级别.本文重点考察含膦以及含氮配体的加入对该催化剂催化氯丙烯与三氯氢硅加成反应选择性的影响.发现一些单齿配体对该反应有一定的促进作用。虽然结果并不完美，但是配体的选择却是可以千变万化，对于该硅氢加成反应来讲，相信不久的将会有更为高效的Karstedt衍生催化剂被发现。

摘要： 分析了硅粉质量对三氯氢硅合成的影响,具体包括:硅粉粒径对三氯氢硅产率和转化率的影响,硅粉含水量和杂质Al含量对系统运行稳定性的影响以及杂质含量对合成三氯氢硅质量的影响.

摘要： 通过分析三氯氢硅生产成本的各个环节,提出精细化改进的措施,包括回收尾气、清理金属氯化物、提升产品质量、降低生产单耗等方面的改进方法.

摘要： 以国内先进企业的数据为基准值,采用层次分析法建立了由定量和定性两部分评价指标构成的硅氢氯化法生产三氯氢硅的清洁生产评价指标体系,确定了评价指标体系准则层、指标层各定量指标权重值及定性指标分值,介绍了定量评价指标和定性评价指标的考核评分计算方法和三氯氢硅企业清洁生产综合评价指数的计算方法.应用该评价指标体系,对某三氯氢硅生产企业进行了实例评价,结果表明该评价指标体系能较好地反映三氯氢硅企业的清洁生产水平。

摘要： 本文主要针对西门子法三氯氢硅工艺存在的问题进行了分析，对针对出现的问题作了技术改造，并对改造前后的工艺进行了对比，分析了改造后的经济效益。

摘要： 冷氢化法是众多制备三氯氢硅方法中最佳的,本文采用过量浸渍法制备了不同载体负载Cu(NO3)2催化剂,利用反应评价装置,考察了各载体催化剂在常压下对于四氯化硅冷氢化法制备三氯氢硅催化性能的影响.结果表明不同载体对于反应体系的转化率有很大的影响,γ-Al2O3的活性要高于其他载体。

摘要： 冷氢化制备三氯氢硅是处理多晶硅副产物四氯化硅最佳方法之一。本文采用镍、铜、镧和铁为活性组分制备单一活性组分催化剂和混合活性组分催化剂，利用反应评价装置，在常压条件下对各催化剂催化性能进行了考察。结果表明单活性组分和混合组分催化剂的转化率和选择性均达到加压冷氢化法水平，混合组分催化剂的稳定性优于单一活性组分催化剂。

摘要： 从3起三氯氢硅的火灾扑救,介绍其生产过程中主要理化性质、工艺流程、火灾危险性、防火安全技术措施以及泄漏、火灾扑救的技战术要求.三氯氢硅生产的稳定运行，需要良好的消防安全环境作保障。厂区应建立健全消防安全管理制度，不断完善灭火疏散应急预案，定期组织相关人员进行火灾、疏散演练，提升现场操作人员扑灭初起火灾、组织疏散的能力；定期组织检查消防安全隐患，做到隐患及时整改；保持消防设施、器材处于完好有效；加强人员安全教育，组织消防安全培训。

摘要： 本发明涉及半导体领域，具体而言，涉及三氯氢硅的除杂方法、多晶硅材料和三氯氢硅除杂系统；该三氯氢硅的除杂方法包括：用金属除杂填料对热的三氯氢硅进行除杂吸附；该三氯氢硅除杂系统包括：金属除杂反应器和与金属除杂反应器的入气口连通的加热器；金属除杂反应器内盛装有金属除杂填料。本发明提供的三氯氢硅的除杂方法和三氯氢硅除杂系统，能够深度去除三氯氢硅中的杂质，以制得碳含量极低得三氯氢硅。

摘要： 本发明公开了一种采用三氯氢硅和二氯二氢硅混合原料生产多晶硅的方法的方法。将四氯化硅氢化生产或外购的三氯氢硅精馏提纯后，与回收的三氯氢硅和二氯二氢硅混合料进行混合，控制混合原料中二氯二氢硅体积百分比在3%至15%之间，优选5%至10%，然后进行吸附除杂质和汽化操作，汽化后的氯硅烷混合气与高纯氢气按1:2至1:10的摩尔比进行混合，优选1:4至1:6，最后进入还原炉生产多晶硅。反应后的尾气进行低温冷凝回收，回收得到的氯硅烷送精馏工序进行四氯化硅和杂质分离，得到三氯氢硅和二氯二氢硅混合原料。本发明充分利用多晶硅生产中副产的二氯二氢硅，以提高硅的沉积速度、降低电耗和料耗，同时可减少处理费用和硅的损耗，提高三氯氢硅利用率。

摘要： 本发明提供了一种硅氢氯化法生产三氯氢硅的催化剂、其制备方法及其催化生产三氯氢硅的方法，所述催化剂包括铜基活性组分和可选地助剂；或，所述催化剂包括铜单质和助剂；所述铜基活性组分包括铜的氧化物和/或铜盐，或铜单质与铜的氧化物和/或铜盐的组合；所述催化剂的粒径大小为0.5‑100μm。所述催化剂能够显著提高三氯氢硅的选择性和硅粉原料的转化率，组分简单，易于工业化制备，且对环境无污染，用于催化硅氢氯化法生产三氯氢硅的反应条件温和，反应易于控制。

摘要： 本发明涉及半导体领域，具体而言，涉及三氯氢硅的除杂方法、多晶硅材料和三氯氢硅除杂系统；该三氯氢硅的除杂方法包括：用金属除杂填料对热的三氯氢硅进行除杂吸附；该三氯氢硅除杂系统包括：金属除杂反应器和与金属除杂反应器的入气口连通的加热器；金属除杂反应器内盛装有金属除杂填料。本发明提供的三氯氢硅的除杂方法和三氯氢硅除杂系统，能够深度去除三氯氢硅中的杂质，以制得碳含量极低得三氯氢硅。

摘要： 本发明提供一种用于半导体产业等的三氯氢硅气化供给装置。本发明的三氯氢硅气化供给装置包括：蒸发器1，具备作为载气的氢气的导入口3，还具有使液体三氯氢硅气化的加热装置16；冷凝器2，具有用低于气化的三氯氢硅气体的蒸气压的饱和蒸气压对应的温度使气体凝结的冷却装置20；冷凝器的精密温度控制机构及精密压力调节机构5，其中，蒸发器的中心线和冷凝器的中心线不在同一线上，且冷凝器的下端和蒸发器的下端通过管道13、14连通。另外，控制过程中，使被调节浓度的三氯氢硅·氢气混合气体总送气流量和蒸发器内液体三氯氢硅17的温度比例联动。

摘要： 本发明提出了一种利用制备三氯氢硅的装置制备三氯氢硅的方法，包括：将四氯化硅和二氯二氢硅分别从四氯化硅入口和二氯二氢硅入口供给至精馏塔本体内；使精馏塔本体内的四氯化硅经过再沸器加热后转化成四氯化硅蒸汽进入反应区；使四氯化硅蒸汽与二氯二氢硅在反应区内发生反歧化反应，以便得到含有三氯氢硅、二氯二氢硅和四氯化硅的混合物；将含有三氯氢硅、二氯二氢硅和四氯化硅的混合物在精馏区内进行精馏处理，以便分离得到气态三氯氢硅；以及将气态三氯氢硅在冷凝器中进行冷凝处理，以便得到液态三氯氢硅，并将液态三氯氢硅的一部分返回至精馏区。该方法可以解决二氯二氢硅无法大规模处理的难题和二氯二氢硅转化率低的问题。

摘要： 本发明公开了一种采用三氯氢硅和二氯二氢硅混合原料生产多晶硅的方法的方法。将四氯化硅氢化生产或外购的三氯氢硅精馏提纯后，与回收的三氯氢硅和二氯二氢硅混合料进行混合，控制混合原料中二氯二氢硅体积百分比在3%至15%之间，优选5%至10%，然后进行吸附除杂质和汽化操作，汽化后的氯硅烷混合气与高纯氢气按1:2至1:10的摩尔比进行混合，优选1:4至1:6，最后进入还原炉生产多晶硅。反应后的尾气进行低温冷凝回收，回收得到的氯硅烷送精馏工序进行四氯化硅和杂质分离，得到三氯氢硅和二氯二氢硅混合原料。本发明充分利用多晶硅生产中副产的二氯二氢硅，以提高硅的沉积速度、降低电耗和料耗，同时可减少处理费用和硅的损耗，提高三氯氢硅利用率。

摘要： 本发明公开了一种控制精制三氯氢硅中二氯氢硅含量的方法，属于多晶硅生产技术领域，包括以下步骤：将合成的高纯度三氯氢硅与回收三氯氢硅送入分离塔中进行混合，通过对分离塔进行加热，汽化氯硅烷，再通过冷凝器冷凝二氯二氢硅至液态，采出部分二氯二氢硅，余下部分二氯二氢硅送回至分离塔作为回流液，获取分离塔塔釜中的压力值和温度值，通过DCS系统判断分离塔中二氯二氢硅的含量与分离塔压力值、温度值的关系，确定二氯二氢硅的采出量，同时公开了匹配该方案的系统，有效解决现有技术生产多晶硅的还原工段中，输入原料精制三氯氢硅过程中，三氯氢硅与二氯二氢硅的比例存在较大波动，导致产品质量不稳定的问题。

摘要： 本实用新型公开了一种三氯氢硅合成生产中使用的除尘装置和三氯氢硅合成系统，该除尘装置包括旋风分离器，还包括硅粉缓存罐和料腿，所述旋风分离器、硅粉缓存罐和料腿均能内置于合成炉内，旋风分离器的气体出口能够与合成炉的出口管线连通，旋风分离器的排渣口与硅粉缓存罐的进口连通，硅粉缓存罐的出口与料腿顶部连通。在三氯氢硅合成系统中采用该除尘装置，能使硅粉的分离效果好、且能大大降低人员的劳动强度。

摘要： 本实用新型公开了一种三氯氢硅合成炉冷却系统，包括：冷却水进水管，上方具有开口的出蒸汽管，充有惰性气体的惰性气体套管和压力感应装置；所述冷却水进水管的管体位于所述出蒸汽管内部；所述冷却水进水管的进水口从所述出蒸汽管的侧壁伸出；惰性气体套管套在所述出蒸汽管的外部；所述惰性气体套管的外壁上设置有进气口和所述压力感应装置。本实用新型还公开了一种三氯氢硅合成炉。采用本实用新型所公开的三氯氢硅合成炉冷却系统及三氯氢硅合成炉，能够防止出蒸汽管被磨穿，并且在惰性气体套管被磨穿等情况下，能够通过观察压力感应装置的读数及时发现，提高三氯氢硅合成炉设备的安全性。