我国政治体制

摘要： 人民政协作为社会主义协商民主的重要渠道和专门协商机构,体现了人民政协在我国政治体制和国家治理体系中的职责地位。政协组织要准确把握人民政协作为专门协商机构的性质定位,在"专"上下功夫,在"商"上做文章,推动人民政协协商民主有声有色、有质有效地向基层延伸、向群众拓展,彰显中国特色社会主义民主政治的独特优势。

摘要： "宪政民主"是近年来流传甚广的一种政治思潮,与普世价值等一起,共同构成"西方优越论""西方中心论"的核心内容。其鼓吹者不仅极力宣扬美化西方"宪政民主"思想和制度,更竭力鼓噪中国要走"宪政民主"之路才会有出路,企图从根本上改造、动摇我国政治体制。对此,我们必须高度警惕,充分认清西方"宪政民主"思潮的虚伪本质和伪善面目。

摘要： 人民政协作为中国特色的制度安排,是指人民政协在我国政治体制架构中的性质、地位和作用。回顾这一制度安排的确立历程,更能深刻把握人民政协的中国特色和本质内涵。

摘要： 人民政协作为中国特色的制度安排,是指人民政协在我国政治体制架构中的性质、地位和作用。回顾这一制度安排的确立历程,更能深刻把握人民政协的中国特色和本质内涵。人民政协是中国共产党把马克思主义统_战线理论、政党理论、民主政治理论和中华民族优秀传统文化与中国革命具体实践相结合的产物,具有鲜明的中国特色。

摘要： 县区人大及其常委会紧贴基层和群众,一线优势明显,一线作用突出,必须始终坚持围绕中心,服务大局,不断强化一线意识,追求一线作为,树立一线形象,切实扛起推动赶超发展、走在前列的责任担当。强化一线意识,服务发展大局。我国政治体制的基本格局是党委领导、人大决定、＂一府两院＂执行、政协民主监督。张德江委员长指出,人大工作任务很繁重,有些工作是＂一线＂,

摘要： 当前,我国经济增速放缓,进入全面深化改革的攻坚阶段,加速改革进程,释放经济发展新动能,推动我国经济平稳持续增长,实现我国经济实现软着陆对各生产部门都提出了更高的要求。其中,行政事业单位作为服务于社会大众最基本的单元,其责任和作用更加不能小觑。行政事业单位是我国政府部门的统称,是我国政治体制的独有特色;主要职责为服务社会大众,履行执法监督和科教文卫等社会各方面的管理职能。

摘要： 近年来,中国少数官员雷语不断。媒体和大众对此类现象的解读,一般倾向于归咎为领导干部的个人素质问题,指出这些官员简直是智商欠缺,才会说出连基本常识和逻辑都不具备的言论。但实际上,这些官员当中的很多人接受过高等教育,有的供职于中央部委多年,他们不仅不缺乏基本的常识,而且对于得失利弊的算计格外精明,多年宦海沉浮的经验使得他们语言表达的技巧可谓是炉火纯青。他们之所以频频在公开场合敢于雷语,其中一个重要的原因,就是长期以来养成的权力傲慢。

摘要： 监督问题本来就是个非常重要又十分敏感的问题,民主监督问题则是政协所有问题中受关注、很敏感、有争议、不易说清楚的问题,在政协三项职能中被普遍认为是短板、满意度低、要求加强呼声高,同时又是难以下手操作的问题。研究此问题恐怕难以就事论事,必须正本清源,从根儿上作一番清理,在一些基本问题上达成共识,然后才能谈得上研究具体的加强和改进的举措。

摘要： 协商民主作为我国政治体制改革的重要内容,对坚持中国特色社会主义政治发展道路具有重大意义。人民政协在国家政治生活中不可替代的作用决定了它在协商民主实践中的重要地位和特殊角色。一、协商民主在中国的认识演进:从形式到制度再到体系从现象上看,协商民主问题的广泛讨论和深入研究虽然缘起于西方学者对这个概念的提出,但它在中国却"具有深厚的文化基础、理论基础、实践基

摘要： 在2015年度人民政协理论研讨会上,作者曾以"协商民主的制度基础及政协协商的性质作用"为题作大会发言;该大会发言是作者在本文的基础上压缩修改而成的。为了贯彻落实党的十八大和十八届三中全会关于推进协商民主的战略部署,去年在庆祝人民协成立65周年大会上的讲话中,(以下简称"讲话"),中共中央总书记习近平对社会主义协商民主问题作了系统阐述,今年中共中央又颁布《关于加强社会主义协商民主建设的意见》及其实施意见(以下简称《意见》),提出了一系列推进协商民主的重要举措,并进一步丰富了关于协商民主的思想,

摘要： 一种半导体制造装置用温度调整装置(3)，为了调整在半导体制造装置中使用的流体的温度而具备热交换部(7)，所述热交换部(7)在内部具有对流体进行加热冷却的温度调整部件(72)，所述热交换部(7)在所流入的流体以及温度调整部件(72)之间进行热交换，所述半导体制造装置用温度调整装置(3)具备：PID常数运算部件(85)，基于流体的物理特性值、以及用于测定流体的温度的温度传感器(6)的时间常数，运算PID控制用的PID常数；以及PID控制运算部件(86)，基于由PID常数运算部件(85)运算出的PID常数，进行所述温度调整部件的PID控制。

摘要： 在化合物半导体基板(40)上形成采用有机金属气相生长法在化合物半导体基板(40)上依次层叠III族氮化物半导体的晶体层而成的化合物半导体层时，在反应容器内安装化合物半导体基板(40)使其晶体生长面朝上，在化合物半导体基板(40)的上方，在与晶体生长面对向的侧安装形成有放射状的多个沟(63)的保护构件(60)，经由在保护构件(60)的中央部设置的第1贯通孔(61)对反应容器的内部进行原料气体的供给。由此，在使用了有机金属气相生长法的化合物半导体的制造中，抑制了由剥落的反应生成物附着于基板或者基板上的外延生长膜上所引起的成品率的降低。

摘要： 本发明提供能够在基板上的期望位置制造晶体的晶体制造装置。弹簧(2)具有固定在支架(1)上的一端和连接至磁性体(3)的另一端。所述磁性体(3)具有连接至所述弹簧的一端和连接至活塞(6)的另一端。线圈(4)围绕磁性体(3)缠绕并且在电源回路(5)和接地节点(GND)之间电连接。活塞(6)具有插入圆筒(7)的直线构件(61)。圆筒(7)具有中空柱形和在底面(7B)上的小孔(71)。所述圆筒(7)保持硅熔体(13)。基板(11)由XY平台(12)支持以相对于所述圆筒(7)的所述小孔(71)。所述电源回路(5)传送脉冲状电流通过线圈(4)以朝上下方向(DR1)移动所述活塞(6)。结果，液滴(14)以初始速度为1.02m/s从所述小孔(71)向所述基板(11)排出。

摘要： 本发明提供一种催化活性的降低得以抑制、能高效地制造包含一氧化碳和氢的合成气体的合成气体制造用催化剂结构体以及具备该合成气体制造用催化剂结构体的合成气体制造装置。本发明的合成气体制造用催化剂结构体(1)是在制造包含一氧化碳和氢的合成气体时使用的合成气体制造用催化剂结构体(1)，其具备：多孔质结构的载体(10)，由沸石型化合物构成；以及至少一种催化剂物质(20)，存在于载体(10)内，载体(10)具有相互连通的通道(11)，催化剂物质(20)为金属微粒，存在于载体(10)的至少通道(11)。

摘要： 问题：提供能够由以二氧化碳为主要成分的分离气体稳定地制造以一氧化碳为主要成分的生成气体的气体制造装置。解决手段：提供气体制造装置(1)，其具备分离回收部(5)、反应部(4)、压力调节部(7)以及流量调节部(6)，所述分离回收部(5)从废气设备的管线的中途导出的废气中分离回收以二氧化碳为主要成分的分离气体；所述反应部(4)与分离回收部(5)的下游侧连接，并且具备至少一个反应器，该反应器在容纳还原剂的同时，能够在还原反应的体系内分离从二氧化碳脱离的氧原子的至少一部分，所述还原剂通过因与分离气体而接触发生的二氧化碳的还原反应而生成一氧化碳；所述压力调节部(7)与反应部(4)的下游侧连接，调节供给至反应器的分离气体的压力；所述流量调节部(6)与分离回收部(5)的上游侧连接，调节供给至反应器的分离气体的流量。

摘要： 本发明提供能够长时间稳定地维持优异的催化活性而不使其下降、并且能够效率良好地制造包含一氧化碳和氢的合成气体的合成气体制造用催化剂结构体等。合成气体制造用催化剂结构体是在制造包含一氧化碳和氢的合成气体时使用的合成气体制造用催化剂结构体(1)，所述合成气体制造用催化剂结构体(1)具备由沸石型化合物构成的多孔质结构的载体(10)和存在于前述载体(10)内的至少1种催化剂物质(20)，前述载体(10)具有相互连通的通道(11)，前述载体(10)的长边尺寸L相对于厚度尺寸d之比(L/d比)为5.0以上，前述催化剂物质(20)存在于前述载体(10)的至少前述通道(11)中。

摘要： 本发明的目的是提供一种能够通过简单的结构来防止反应生成物附着到清洗处理炉内的半导体制造装置部件的清洗装置，并且提供一种半导体制造装置部件的清洗装置(1)，具备用于收容半导体制造装置部件(10)的清洗处理炉(2)、加热装置(3)、气体导入管(4)、气体排出管(5)、减压装置(6)、第一温度控制装置(7)、第二温度控制装置(8)及吹扫气体供给机构(9)。

摘要： 本发明的课题是提供一种烧结磁体制造用模具，该烧结磁体制造用模具能够提高合金粉末的填充密度的均匀性，同时，内部容易清扫，并且，合金粉末难以咬入盖和模腔之间的间隙。主体(11)具有：从主体面(110A)起设置到主体(11)的内部的主体模腔(111)，该主体模腔(111)由长方体状的上部模腔(111A)和与上部模腔(111A)的下部相连接的向下凸出的作为圆筒形状的一部分的下部模腔(111B)构成；作为圆筒形状的一部分的侧模腔(112)，其在上部模腔(111A)的在主体面(110A)上的开口的、作为所述圆筒的一部分的轴向的两外部分别从主体面(110A)起设置到内部，具有与下部模腔(111B)的作为圆筒的一部分的轴线平行的轴线。盖(12)具有与主体面(110A)对应的基础面(110A)和从该基础面(110A)与两个侧模腔(112)以及连接这两个侧模腔(112)的圆筒形状的一部分的假想模腔对应地突出的凸肋(122)。

摘要： 一种半导体制造装置用温度调整装置(3)，为了调整在半导体制造装置中使用的流体的温度而具备热交换部(7)，所述热交换部(7)在内部具有对流体进行加热冷却的温度调整部件(72)，所述热交换部(7)在所流入的流体以及温度调整部件(72)之间进行热交换，所述半导体制造装置用温度调整装置(3)具备：PID常数运算部件(85)，基于流体的物理特性值、以及用于测定流体的温度的温度传感器(6)的时间常数，运算PID控制用的PID常数；以及PID控制运算部件(86)，基于由PID常数运算部件(85)运算出的PID常数，进行所述温度调整部件的PID控制。

摘要： 本发明提供能够在基板上的期望位置制造晶体的晶体制造装置。弹簧(2)具有固定在支架(1)上的一端和连接至磁性体(3)的另一端。所述磁性体(3)具有连接至所述弹簧的一端和连接至活塞(6)的另一端。线圈(4)围绕磁性体(3)缠绕并且在电源回路(5)和接地节点(GND)之间电连接。活塞(6)具有插入圆筒(7)的直线构件(61)。圆筒(7)具有中空柱形和在底面(7B)上的小孔(71)。所述圆筒(7)保持硅熔体(13)。基板(11)由XY平台(12)支持以相对于所述圆筒(7)的所述小孔(71)。所述电源回路(5)传送脉冲状电流通过线圈(4)以朝上下方向(DR1)移动所述活塞(6)。结果，液滴(14)以初始速度为1.02m/s从所述小孔(71)向所述基板(11)排出。