成长因素

摘要： 一、国内外研究现状随着知识经济时代发展,企业成长影响因素也不断复杂化,国内外学者从不同的角度对企业成长因素进行各自研究,在18世纪初,技术创新作为促进企业成长的重要要素已被纳入研究范围,技术创新是企业快速成长、可持续发展的重要基础和保障,也是国民经济增长的重要驱动力量,可以使企业获得强韧的竞争优势。创新学派之父熊彼特开创性提出了技术创新是实现生产要素或生产条件的一种新型组合,涵盖了产品、工艺、市场、组织等方面,形成了独特的经济发展理论体系。

摘要： 目前,我国在一系列政策的大力扶持下合作社迅速发展成为推动农业经济的主要动力.合作社的成长主要指两个方面:一方面全国范围内合作社的数量不断地增长;另一方面指合作社质量的发展.截至2019年,我国合作社数量高达218.6万家,总体呈"大群体、小规模"特征,数量众多但规模较小,质量不高,实力较弱,所以当下的主要目标是"质"与"量"的双重成长.本文通过理论分析与案例分析相结合的方法对合作社发展过程中影响其成长的因素进行探讨.

摘要： 为深入研究重庆市小微企业成长因素,近期国家统计局重庆调查总队在部分区县开展专题调研。专题调研对象为“十三五”期间成长为年营业收入超过2000万元的小微企业,有效样本数48户。调研结果显示:近年来,重庆小微企业成长主要得益于市场开拓、产品(服务)竞争力、产能规模扩大等内部因素和市场需求空间、产业发展环境、惠企政策等外部因素影响,但企业进一步成长仍面临诸多制约因素。

摘要： 安迪·沃霍尔的艺术作品涵盖了诸多媒介形式,其中绘画和电影作品是沃霍尔投入最多的两种艺术形式.他秉承了杜尚的思想,认为"人人都是艺术家,什么都是艺术".而他的绘画作品除了具有艺术欣赏价值之外,还兼具了设计的商业价值性,通过创造不同于其他艺术家的艺术风格,而使得艺术与娱乐、艺术与生活、雅与俗的界限变得模糊.虽然安迪·沃霍尔的波普艺术至今没有形成系统的理论体系,但他的艺术实践仍然引发了理论界的深刻思考.因此研究安迪·沃霍尔绘画风格,对在现代绘画艺术领域中理解绘画与设计的关系和许多新艺术现象有独特的意义.本论文旨在于通过对美国波普艺术的发起人和领导者安迪·沃霍尔的绘画风格进行研究、梳理,以其成长的因素剖析入手,来阐明人生历程对其艺术风格的影响;分解其自小生活的环境导致他后天性格转变的原因.并由此分析安迪·沃霍尔绘画风格的形成.

摘要： 在人的成长过程中环境对其的影响是巨大的.环境对其的影响极可能是有益的,同时也可能是有害的.人们所处的成长环境是指一切外部条件的总合,无论是社会中的生存条件还是社会中的人际关系,都包括在成长其中,同时人类赖以生存的自然环境对人的成长也有一定影响.在人生存的过程中,自然环境是生存的基础,并且影响到了人们的身心发展.该文旨在从少年女足运动队的心理环境、社会心理环境及自我的心理环境入手,分析阐述影响少年女足运动员成长的各种心理环境因素,希望对少年女足运动员身心健康成长有一定的帮助.

摘要： 名班主任工作室是快速促进班主任专业化成长的重要节点,工作室实践表明,高度的职业使命感、正确的教育观、强大的内驱力,是班主任成长的核心因素。本文通过名班主任工作室发展建设的实践,论述其对提高班主任专业能力的重要作用。

摘要： 互联网产业是国家战略新兴产业的支柱之一,一直是政府大力支持和扶植的产业,但互联网行业的特性使其具有激烈的市场竞争性,也使得互联网企业在发展过程中面临很多挑战。本文根据数据的可得性和因素的可衡量性,选取了中国内地157家上市互联网企业,运用2017年的截面数据,对不同资产规模下的企业进行因子分析、多元回归分析,探索互联网企业成长中的关键要素,以期找寻该类企业发展的规律并给予相应的政策支持。实证研究结果显示:营销能力、盈利能力、现金流量和收益质量正向影响互联网企业的成长,其中,盈利能力在企业资产规模中等偏大时的影响程度更大。偿债能力与营运能力对互联网企业的成长影响不大。互联网企业成长影响因素的资产规模异质性明显存在,资产规模越小的互联网企业,其成长受约束和影响的因素越多,互联网企业的生存发展之道是迅速做大作强。

摘要： [目的 /意义]院士作为推动我国科学技术发展的主力军和精英力量,对其成长规律、履历等的研究对我国人才发现和培养有较大意义。[方法 /过程]采用履历深度分析法,全面收集我国两院院士信息,量化研究院士群体的时空特征、学缘结构特征。[结果 /结论 ]探究院士群体的基本特征及成才影响因素,并在此基础上提出新时代人才培养的合理化建议。

摘要： 本发明提供一种外延成长装置、外延晶片的制造方法以及外延成长装置用顶升销，外延成长装置能够减少对外延硅晶片的背面产生瑕疵，并且能够减少尘粒附着于晶片的表面。在所述外延成长装置中，在腔室的内部具备：载置硅晶片(W)的基座(4)；从下方支承该基座(4)，并且具有与基座(4)的中心位于同轴上的主柱和从该主柱呈放射状延伸的支承臂(17b)的支承轴；以及插通于设置在基座(4)的贯穿孔(4h)以及设置在支承臂(17b)的贯穿孔(17h)双方，并在铅垂方向上移动自如地配设的顶升销(15)，外延成长装置使该顶升销(15)升降来使硅晶片(W)载置于基座(4)上或与基座(4)分离，所述外延成长装置的特征在于，顶升销(15)的至少其表层区域由硬度低于基座(4)的硬度的材料构成，顶升销(15)的穿过基座(4)的贯穿孔(4h)内的直体部上部区域(15d)的表面粗糙度是0.1μm以上且0.3μm以下，并且顶升销(15)的穿过支承臂(17b)的贯穿孔(17h)内的直体部下部区域(15c)的表面粗糙度是1μm以上且10μm以下。

摘要： 本发明的原子层成长装置具备：筒状的排气配管连接部，其安装在设置于成膜容器的排气用开口部的外侧，其外周面具有超过开口部的大小，其排气路径位于筒孔侧；以及筒状的排气防附着部件，其位于成膜容器内侧，插入并安装于开口部，其排气路径位于筒孔侧，排气配管连接部设置有：与排气路径分隔并且有惰性气体流通的连接部惰性气体供给路径；以及设置于连接部惰性气体供给路径并且惰性气体向开口部侧流出的连接部惰性气体供给口，排气防附着部件设置有：与排气路径分隔，由开口部内周面及开口部周围的成膜容器内壁与防附着部件之间的间隙形成，并与连接部惰性气体供给口连通的防附着部件惰性气体供给路径；以及设置于防附着部件惰性气体供给路径并且惰性气体向成膜容器内部流出的防附着部件惰性气体排出口。

摘要： 提供一种无需将猪一头头地引导进笼子中便能简便地评估以群体饲养的猪的成长程度的技术。成长评估装置包括：提取部，用于从由相机拍摄的图像中提取与猪的臀部正对的臀部图像，该相机朝向集体饲养有多头猪的猪圈设置；计算部，用于根据臀部图像计算臀部宽度；以及评估部，用于基于由计算部计算的规定数量以上的臀部宽度来评估多头猪整体的成长程度。

摘要： 为抑制于基板上形成的膜的膜质劣化，电浆原子层成长装置(1)具备：原料气体供给口(14)，设置于成膜容器(1)的成膜容器(1A)的第一侧壁，且还具有作为清洁气体供给口的功能；原料气体排出口(15)，设置于成膜容器(1A)的第二侧壁，且还具有作为清洁气体排出口的功能。

摘要： 本发明涉及具有使用电弧等离子枪进行微粒化的催化剂层的碳纳米管成长用基板。在该催化剂层上用热CVD法或遥控等离子CVD法使CNT成长。通过电弧等离子枪的发射数控制CNT成长用催化剂的粒径。在控制该催化剂粒径的催化剂层上用热CVD法或遥控等离子CVD法使CNT成长，控制其内径或外径。

摘要： 本发明提供即使不调整晶圆(W)的上下加热比率也能够抑制升降销的位置对外延层造成的影响的气相成长装置(1)。在反应室(111)设置有搭载载具(C)的基座(112)、使载具(C)相对于基座(112)相对地上下移动的载具升降销(115)，载具升降销(115)在俯视观察将支承有晶圆(WF)的载具(C)搭载于基座(112)的状态的情况下，被比晶圆(WF)的外缘靠外侧地设置。

摘要： 本发明提供能够使晶圆周边缘部的CVD膜厚均匀的气相成长装置。载具(C)形成为具有载置于基座(112)的上表面的底面(C11)、与晶圆(WF)的背面的外边缘部接触来支承的上表面(C12)、外周侧壁面(C13)、内周侧壁面(C14)的无端的环状，并且前述上表面(C12)的圆周方向上的构造或形状为具有与前述晶圆(WF)的圆周方向上的晶体方位对应的关系的构造或形状，处理前的晶圆以处理前的晶圆的圆周方向上的晶体方位和圆周方向上的构造或形状呈前述对应的关系的方式搭载于载具。

摘要： 使用第1机器人(121)，将在装载锁定室(13)待机的载具(C)在未搭载处理前的晶圆(WF)的状态下投入反应室(111)，在将反应室(111)维持成既定的洗涤温度的状态下供给洗涤用气体，使用第1机器人(121)，通过将在反应室(111)中已结束洗涤的载具(C)搬运至装载锁定室(13)来以既定频率洗涤载具(C)。

摘要： 使用第1机器人(121)，将在装载锁定室(13)待机的载具(C)在未搭载处理前的晶圆(WF)的状态下投入反应室(111)，在将反应室(111)维持成既定的洗涤温度的状态下供给洗涤用气体，使用第1机器人(121)，通过将在反应室(111)中已结束洗涤的载具(C)搬运至装载锁定室(13)来以既定频率洗涤载具(C)及基座(112)。之后，将载具(C)从反应室(111)搬出，将反应气体供给至反应室，在基座(112)的表面形成多晶硅膜(112P)。

摘要： 载具(C)形成为具有载置于基座(112)的上表面的底面(C11)、接触晶圆(WF)的背面的外边缘来支承的上表面(C12)、外周侧壁面(C13)、内周侧壁面(C14)的环状，在基座(112)、或基座(112)及载具(C)处，设置有将被晶圆(WF)、载具(C)及基座(112)间隔的空间和基座(112)的背面之间贯通的气体排出孔(1121，1122，C15)。