成组设计

摘要： 1.研究设计:应交代研究设计的名称和主要做法。如调查设计(分为前瞻性、回顾性或横断面调查研究);实验设计(应交代具体的设计类型,如自身配对设计、成组设计、交叉设计等);临床试验设计(应交代属于第几期临床试验,采用了何种盲法措施等)。主要做法应围绕4个基本原则(随机、对照、重复、均衡)概要说明,尤其要交代如何控制重要非试验因素的干扰和影响。

摘要： 1统计研究设计:应交代统计研究设计的名称和主要做法。如调查设计(是前瞻性、回顾性还是横断面调查研究)、实验设计(应交代具体的设计类型,如自身配对设计、成组设计、交叉设计、析因设计、正交设计等)、临床试验设计(应交代属于第几期临床试验,采用了何种盲法措施等);主要做法应围绕4个基本原则(重复、随机、对照、均衡)概要说明,尤其要交代如何控制重要非试验因素的干扰和影响。

摘要： 当P0.05、P<0.05和P<0.013种表达方式即可满足需要,无须再细分为P<0.001或P<0.0001。

摘要： 1.研究设计:应交代研究设计的名称和主要做法。如调查设计(分为前瞻性、回顾性或横断面调查研究);实验设计(应交代具体的设计类型,如自身配对设计、成组设计、交叉设计等);临床试验设计(应交代属于第几期临床试验,采用了何种盲法措施等)。主要做法应围绕4个基本原则(随机、对照、重复、均衡)概要说明,尤其要交代如何控制重要非试验因素的干扰和影响。

摘要： 1统计研究设计:应交代统计研究设计的名称和主要做法。如调查设计(分为前瞻性、回顾性还是横断面调查研究)、实验设计(应交代具体的设计类型,如自身配对设计、成组设计、交叉设计、析因设计、正交设计等)、临床试验设计(应交代属于第几期临床试验,采用了何种盲法措施等);主要做法应围绕4个基本原则(重复、随机、对照、均衡)概要说明,尤其要交代如何控制重要非试验因素的干扰和影响。

摘要： 当P0.05、P<0.05和P<0.01三种表达方式即可满足需要,无须再细分为P<0.001或P<0.0001。

摘要： 1.统计研究设计:应交代统计研究设计的名称和主要做法。如调查设计(分为前瞻性、回顾性还是横断面调查研究)、实验设计(应交代具体的设计类型,如自身配对设计、成组设计、交叉设计、析因设计、正交设计等)、临床试验设计(应交代属于第几期临床试验,采用了何种盲法措施等);主要做法应围绕4个基本原则(重复、随机、对照、均衡)概要说明,尤其要交代如何控制重要非试验因素的干扰和影响。

摘要： 统计研究设计应说明统计研究设计的名称和主要做法,如调查设计(分为前瞻性、回顾性或横断面调查研究);实验设计应交代具体的设计类型,如自身配对设计、成组设计、交叉设计、析因设计、正交设计等;临床试验设计应交代属于第几期临床试验,采用了何种盲法措施等。主要围绕4个基本原则(随机、对照、重复、均衡)概要说明,尤其要交代如何控制重要非试验因素的干扰和影响。

摘要： 当P<0.05(或P<0.01)时,应说明对比组之间的差异具有统计学意义;应说明所用统计分析方法的具体名称,例如:成组设计资料的t检验、两因素析因设计资料的方差分析、多个均数之间两两比较的q检验等,给出统计量的具体值(如:t=3.45,χ^(2)=4.68,F=6.79).

摘要： 作者在投稿时,应在研究方法中写明所用统计分析方法的具体名称(如成组设计资料的t检验、两因素析因设计资料的方差分析等)和统计量的具体值(如t=3.45),并尽可能给出具体的P值(如P=0.023);当涉及到总体参数时,在给出显著性检验结果的同时,再给出95%置信区间。

摘要： 本文针对目前临床研究中样本含量估计公式使用不正确的现状而展开的,围绕成组设计定量与定性资料进行研究,使用置信区间法对成组设计定量与定性资料的差异性检验、等效性检验、优效性检验和非劣效性检验的假设检验统计量、样本含量估计与检验效能分析的公式进行数学推导,使用Monte Carlo模拟抽样方法对公式的正确性进行验证,并对四种类似统计问题进行了比较研究,得到了一部分有意义的结论。

摘要： 计算机集成制造系统（ＣＩＭＳ）是集成为核心，实现现代化生产模式。该文提出了ＣＩＭＳ环境下的产品快速设计的方法。其主要内容是以产品结构重组为组织基础，以信息集成工具（ＰＤＭ、产品零部件编码系统）为技术基础的产品现代设计方式，总体目标是缩短产品设计开发周期，降低产品成本，提高企业的快速响应能力和效益。

摘要： 计算机集成制造系统（ＣＩＭＳ）是集成为核心，实现现代化生产模式。该文提出了ＣＩＭＳ环境下的产品快速设计的方法。其主要内容是以产品结构重组为组织基础，以信息集成工具（ＰＤＭ、产品零部件编码系统）为技术基础的产品现代设计方式，总体目标是缩短产品设计开发周期，降低产品成本，提高企业的快速响应能力和效益。

摘要： 计算机集成制造系统（ＣＩＭＳ）是集成为核心，实现现代化生产模式。该文提出了ＣＩＭＳ环境下的产品快速设计的方法。其主要内容是以产品结构重组为组织基础，以信息集成工具（ＰＤＭ、产品零部件编码系统）为技术基础的产品现代设计方式，总体目标是缩短产品设计开发周期，降低产品成本，提高企业的快速响应能力和效益。

摘要： 计算机集成制造系统（ＣＩＭＳ）是集成为核心，实现现代化生产模式。该文提出了ＣＩＭＳ环境下的产品快速设计的方法。其主要内容是以产品结构重组为组织基础，以信息集成工具（ＰＤＭ、产品零部件编码系统）为技术基础的产品现代设计方式，总体目标是缩短产品设计开发周期，降低产品成本，提高企业的快速响应能力和效益。

摘要： 计算机集成制造系统（ＣＩＭＳ）是集成为核心，实现现代化生产模式。该文提出了ＣＩＭＳ环境下的产品快速设计的方法。其主要内容是以产品结构重组为组织基础，以信息集成工具（ＰＤＭ、产品零部件编码系统）为技术基础的产品现代设计方式，总体目标是缩短产品设计开发周期，降低产品成本，提高企业的快速响应能力和效益。

摘要： 计算机集成制造系统（ＣＩＭＳ）是集成为核心，实现现代化生产模式。该文提出了ＣＩＭＳ环境下的产品快速设计的方法。其主要内容是以产品结构重组为组织基础，以信息集成工具（ＰＤＭ、产品零部件编码系统）为技术基础的产品现代设计方式，总体目标是缩短产品设计开发周期，降低产品成本，提高企业的快速响应能力和效益。

摘要： 本发明公开一种新型可选择组合并成组的电池包成组系统及成组方法，包括多组电池PACK，每一组电池PACK中分别设置有断路单元BDU，断路单元BDU中包括一体机BMS、充放电继电器K1、加热继电器K2、熔断器F1以及分流器FE1。选用电压相同的多组电池PACK，对电池PACK进行编号为PACK1、PACK2……PACKn，组成电池包。根据需求，选择电池包中的电池PACK进行组合，运行电池包，将已选择的电池PACK接入网络，对外进行供电。此种方法免得多次软件开发，提高了软件开发效率。通多一次设计匹配客户开发需求，提高了各种硬件开发效率。充满后均衡使用，增加系统的单体均衡特性，保证系统放出最大化可用容量。不进行重复组合，提高系统循环寿命，增加稳定性。

摘要： 一种杂质扩散层形成组合物，其含有：含施主元素或受主元素的玻璃粉末和分散介质，其中，上述玻璃粉末的含有比率为1质量％以上且90质量％以下的范围。在杂质扩散层形成组合物为n型扩散层形成组合物时，上述玻璃粉末含有施主元素，在杂质扩散层形成组合物为p型扩散层形成组合物时，上述玻璃粉末含有受主元素。通过涂布该杂质扩散层形成组合物并进行热扩散处理，从而制造n型扩散层或p型扩散层，并且制造具有n型扩散层或p型扩散层的太阳能电池元件。

摘要： 一些实施例包含一种具有交替的绝缘层级与导电层级的竖直堆叠的NAND存储器阵列。所述导电层级包含控制栅极区。高k介电材料邻近所述控制栅极区，且被配置为彼此竖直间隔开的第一竖直延伸线性区段的布置。电荷阻挡材料邻近所述高k介电材料且被配置为彼此竖直间隔开的第二竖直延伸线性区段的布置。电荷存储材料邻近所述电荷阻挡材料且被配置为彼此竖直间隔开的第三竖直延伸线性区段的布置。栅极介电材料邻近所述电荷存储材料。沟道材料沿着所述堆叠竖直延伸，且邻近所述栅极介电材料。一些实施例包含集成组件以及形成集成组件的方法。

摘要： 本申请涉及集成组合件和形成集成组合件的方法。一些实施例包含一种形成集成组合件的方法。将半导体材料图案化为一种配置，所述配置包含通过第一间隙彼此间隔开的第一向上突出结构的集合和通过第二间隙与所述集合间隔开的第二向上突出结构。所述第二间隙大于所述第一间隙。沿着所述第一向上突出结构和所述第二向上突出结构且在所述第一间隙和所述第二间隙内形成导电材料。在所述第二间隙内的所述导电材料的区域上方形成保护材料的第一片段和第二片段，且接着利用蚀刻将所述导电材料图案化为所述第一间隙内的第一导电结构且图案化为所述第二间隙内的第二导电结构。一些实施例包含集成组合件。

摘要： 本申请案涉及集成组合件及形成集成组合件的方法。一些实施例包含一种集成组合件，其包含基底结构。所述基底结构包含沿第一方向延伸的一系列导电结构。所述导电结构具有沿所述第一方向与凹入区交替的台阶。半导体材料的支柱在所述台阶上方。所述半导体材料包含选自周期表的第13族的至少一种元素结合选自周期表的第16族的至少一种元素。在一些应用中，所述半导体材料可为半导体氧化物。一些实施例包含形成集成组合件的方法。

摘要： 一些实施例包含一种具有延伸到集成配置中的开口的结构。第一材料位于所述开口内且经配置以产生相对于所述开口的侧壁的波状构形。所述波状构形具有由平均粗糙度参数Rmean特征化的表面粗糙度，所述Rmean是沿所述波状构形的平均峰谷距离。所述Rmean是至少约4nm。第二材料位于所述开口内且沿所述波状构形的至少一部分。所述第一材料及所述第二材料在组成上彼此不同。一些实施例包含集成组合件。一些实施例包含形成集成组合件的方法。

摘要： 本申请案涉及集成组合件和形成集成组合件的方法。一些实施例包含具有存储元件与导电结构之间的存取装置的集成组合件。所述存取装置具有包含半导体材料的沟道材料。所述沟道材料具有第一端和相对的第二端，且具有从所述第一端延伸到所述第二端的侧面。所述第一端邻近所述导电结构，且所述第二端邻近所述存储元件。导电栅极材料邻近所述沟道材料的所述侧面。第一半球形含金属盖在所述导电结构上方且在所述沟道材料下方，和/或第二半球形含金属盖在所述沟道材料上方且在所述存储元件下方。一些实施例包含形成集成组合件的方法。

摘要： 一些实施例包含一种具有交替的绝缘层级及导电层级的垂直堆叠的NAND存储器阵列。所述导电层级包含端子区，且包含靠近所述端子区的非端子区。所述端子区在垂直方向上比所述非端子区厚，且配置为彼此垂直上下堆叠且彼此垂直间隔的段。块邻近于所述段且具有与所述段近似相同的垂直厚度。所述块包含高介电系数材料、电荷阻挡材料及电荷存储材料。通道材料沿着所述堆叠垂直延伸且邻近于所述块。一些实例包含集成组合件。一些实施例包含形成集成组合件的方法。

摘要： 本申请案涉及含有铁电晶体管的集成组合件，及形成集成组合件的方法。一些实施例包含具有作用区域的铁电晶体管，所述作用区域包含第一源极/漏极区域、垂直偏离所述第一源极/漏极区域的第二源极/漏极区域，以及位于所述第一源极/漏极区域与所述第二源极/漏极区域之间的沟道区域。第一导电栅极可操作地邻近所述作用区域的所述沟道区域。绝缘材料位于所述第一导电栅极与所述沟道区域之间。第二导电栅极邻近于所述第一导电栅极。铁电材料位于所述第一导电栅极与所述第二导电栅极之间。一些实施例包含集成存储器。一些实施例包含形成集成组合件的方法。

摘要： 一些实施例包含一种形成集成组合件的方法。在导电结构上形成第一堆叠。所述第一堆叠包含第一层与第三层之间的第二层。所述第一层及所述第三层是导电的。形成穿过所述第一堆叠的第一开口。在所述第一开口内形成牺牲材料。在所述第一堆叠上形成第二堆叠。所述第二堆叠具有交替第一层级及第二层级。形成穿过所述第二堆叠及穿过所述牺牲材料的第二开口。在所述第二开口内形成第一半导体材料。形成穿过所述第二堆叠、穿过所述第三层到所述第二层的第三开口。移除所述第二层以形成导管。在所述导管内形成第二半导体材料。使掺杂剂从所述第二半导体材料向外扩散到所述第一半导体材料中。一些实施例包含集成组合件。