感光器

摘要： cqvip:加州山麓牧场(当地时间9月1日),RED发布最新摄影机V-RAPTORTM 8K VV(迅猛龙),这是DSMC3代的第一款摄影机。V-RAPTOR配置的是多格式8K感光器(40.96mm X 21.60mm),可拍摄8K大画幅或者6K超35格式。与之前的MONSTRO 8K VV感光器一样,摄影师可以搭配任意大画幅或者超35镜头进行视觉创作,只需一键切换,且分辨率都在4K以上。

摘要： 2018年3月26日，RED公司宣布推出基于REDEPIC-W的GEMINI TM 5K S35感光器。新的GEMINI 5K S35支持双感光度模式，提供了在不同环境下拍摄的更大的灵活性。

摘要： 11月29日,RED公司正式发布DSMC2 DRAGON-X 5K S35摄影机,这是简化其产品线的又一举措。DSMC2 DRAGON-X摄影机采用DRAGON感光器技术配以升级优化的感光器板,可以实现在机内支持RED最新的图像处理流程(IPP2)。除支持IPP2外,DRAGON-X还提供16.5+档动态范围,5K分辨率,全格式(FF)时帧速率高达96fps,以及5K2.4:1下为120fps。与RED的DSMC2系列产品一致,DRAGON-X提供300MB/s的数据速率,并可同时以REDCODE RAW和Apple ProRes或Avid DNxHD/HR格式记录。

摘要： 新型照相机拍照发电两不误近期，哥伦比亚大学的研究者研发出一种可边拍照边发电的数码照相机。关键零部件就是包含光导和光伏两个模式的光电二极管。拍照时感光器会在充电和感光两个模式间来回切换。光线透过镜头进入光导模式，然后在光电模式下，将光转化为电能。目前，这项技术仍处于雏形阶段。

摘要： 1、最好在天空还没有全黑时拍摄。这时的天空呈现深蓝色，更加深邃和迷人，噪点小密度大画面效果会更好。

摘要： 佳能打破了自己在小型数码相机的常规，开发了这款以大感光器、大虚化、高分辨率、低噪点为特点的旗舰型数码相机G1X。G1X图像感应器采用新开发的1．5英寸CMOS图像感应器（约18．7×14毫米），可拍出层次丰富的低噪点图像。此外还搭载了配合新图像感应器的大型镜头，广角端最大光圈F2．8，能够实现约28-112mm的4倍光学变焦。G1X具备了满足专业摄影师和摄影发烧友要求的高画质和便捷的操作性，值得期待。

摘要： 富士的S系列数码相机曾经给人留下了深刻的印象，SA列以准专业的外观和操控。以及良好的成像为摄影爱好者带来了无限的影像创作乐趣．而富士X系列则在老款的S系列上进行了更多的优化，全新的X-SI全面升级。除了更加专业范儿的机身设计之外，增大的感光器，超长焦镜头等等．都让摄影爱好者们欲罢不能。

摘要： 秉承G系列的外观佳能PowerShot G1 X在外观上较G12有些许的改进，大体上它依然秉承了佳能G系列一直以来所主打的外观设计G家族的优秀血统还是需要延续的。依然一袭黑色的外观，较为方正的体型，最显著的改进是手柄处G1X设计了大面积的防滑橡胶手柄，G1X的LOGO设计在了手柄的下方。另外，镜头口径变得更大了一些，这与感光器的增大有着必然的联系。

摘要： 由於人与环境介面人性化以及省能环保需求增加,进而导致感光器广泛应用。感光器之辐射照度响应量测标准也逐渐受到重视。标准侦测器一般以A光源条件下,进行照度响应(A/lx)校正,或以单波长均匀照度下,进行辐射照度响应(A/(W/m))校正。前者应用於视效函数侦测器,後者应用於矽光侦测器、紫外线侦测器。本文研究以分光辐射系统为基础,研究两种条件之标准转换计算方法,更进一步提出可计算在任意波长条件下之辐射照度响应。并设计以合适之侦测器进行比对验证。由本研究可知在适当波长范围内,以侦测器在经A光源进行照度响应校正後,可以应用於各种波长之辐射照度标准。而计算转换方法也可应用於发光二极体(LED)光量校正系统之标准建立。

摘要： 一种通过例如粘合剂固定在感光鼓内部上消音器直接连接到消音器和鼓的任一端部上。凸缘可通过例如将凸缘超声波焊接到消音器的端部上而连接到消音器上，而不需要压缩配合。

摘要： 一种通过例如粘合剂固定在感光鼓内部上消音器直接连接到消音器和鼓的任一端部上。凸缘可通过例如将凸缘超声波焊接到消音器的端部上而连接到消音器上，而不需要压缩配合。

摘要： 本发明公开了一种感光器、面板和感光器的制程方法。所述感光器包括感光层，所述感光层包括设置有多个孔洞的主体；以及包括至少两种感光波段不同的感光材料的客体；所述感光材料填充在所述主体的孔洞中。相对于只有一种感光波段固定的感光材料来说，其感光波段的范围更广，适应性更好，提高了感光器的灵敏度；感光材料的感光波段的范围不同，可以更针对性的适应具体的环境光要求感光。

摘要： 本发明提供了一种CMOS感光器件接触孔刻蚀方法及CMOS感光器件制造方法。CMOS感光器件接触孔刻蚀方法包括：步骤一，对包含氧化硅和氮化硅的层间介质层执行主刻蚀，以刻蚀层间介质层；步骤二，执行层间介质层过刻蚀，以进一步刻蚀层间介质层，其中，氧化硅和氮化硅的刻蚀速率分别小于步骤一中的氧化硅和氮化硅的刻蚀速率，并且其中氧化硅刻蚀速率大于氧化硅刻蚀速率；步骤三，执行去胶，其中将光刻胶去除；步骤四，针对对应逻辑区域，对刻蚀阻挡层进行干法刻蚀；同时，针对对应像素区域，进行刻蚀阻挡层和深埋氧化硅薄膜层的干法刻蚀。

摘要： 本发明涉及一种混合多光谱感光象素组、感光器件、及感光系统。所述的混合多光谱感光象素组，包括至少一个化学镀膜感光象素和至少一个半导体感光象素。本发明通过将化学镀膜感光象素与半导体感光象素相结合产生一种混合多光谱感光象素，可同时获得众多的彩色信号和其它光谱信号，能够最大化的利用入射光子的能量，达到或接近到达光电转换效率的理论上限，并可在完整地重建彩色的同时，获得其它光谱的图像，包括紫外线图像，近红外图像，和远红外图像。

摘要： 本发明公开了一种感光器、面板和感光器的制程方法。所述感光器包括感光层，所述感光层包括设置有多个孔洞的主体；以及包括至少两种感光波段不同的感光材料的客体；所述感光材料填充在所述主体的孔洞中。相对于只有一种感光波段固定的感光材料来说，其感光波段的范围更广，适应性更好，提高了感光器的灵敏度；感光材料的感光波段的范围不同，可以更针对性的适应具体的环境光要求感光。

摘要： 提供了一种CMOS感光器件接触孔刻蚀方法及CMOS感光器件制造方法。CMOS感光器件接触孔刻蚀方法包括：步骤一，对包含氧化硅和氮化硅的层间介质层执行主刻蚀，以刻蚀层间介质层；步骤二，执行层间介质层过刻蚀，以进一步刻蚀层间介质层，氧化硅和氮化硅的刻蚀速率分别小于步骤一中的氧化硅和氮化硅的刻蚀速率，并且其中氧化硅刻蚀速率大于氧化硅刻蚀速率；步骤三，执行去胶；步骤四，执行刻蚀阻挡层刻蚀，以打开层间介质层刻蚀阶段的刻蚀阻挡层，使接触孔到达底部的镍硅化物层；步骤五，执行聚合物去除，用以清除刻蚀阻挡层刻蚀过程中等离子体与氮化硅形成的富碳氟的聚合物；步骤六，执行氧化硅去除步骤，以刻蚀像素区域硅栅和有源区域上方的氧化硅层。

摘要： 本发明提供了一种CMOS感光器件接触孔刻蚀方法及CMOS感光器件制造方法。CMOS感光器件接触孔刻蚀方法包括：第一步骤，使用对应逻辑电路区域的光罩进行第一次光刻工艺操作；第二步骤，对应逻辑电路区域的层堆结构进行第一次干刻工艺操作；第三步骤，对晶圆进行第一次清洗，以去除刻蚀副产物；第四步骤，使用对应像素电路区域的光罩进行第二次光刻工艺操作；第五步骤，对应像素电路区域层堆结构进行第二次干刻工艺操作；第六步骤，对晶圆进行第二次清洗，以去除刻蚀副产物。

摘要： 本发明提供了一种CMOS感光器件接触孔刻蚀方法及CMOS感光器件制造方法。CMOS感光器件接触孔刻蚀方法包括：步骤一，对包含氧化硅和氮化硅的层间介质层执行主刻蚀，以刻蚀层间介质层；步骤二，执行层间介质层过刻蚀，以进一步刻蚀层间介质层，其中，氧化硅和氮化硅的刻蚀速率分别小于步骤一中的氧化硅和氮化硅的刻蚀速率，并且其中氧化硅刻蚀速率大于氧化硅刻蚀速率；步骤三，执行去胶，其中将光刻胶去除；步骤四，针对对应逻辑区域，对刻蚀阻挡层进行干法刻蚀；同时，针对对应像素区域，进行刻蚀阻挡层和深埋氧化硅薄膜层的干法刻蚀。

摘要： 本发明涉及一种混合多光谱感光象素组、感光器件、及感光系统。所述的混合多光谱感光象素组，包括至少一个化学镀膜感光象素和至少一个半导体感光象素。本发明通过将化学镀膜感光象素与半导体感光象素相结合产生一种混合多光谱感光象素，可同时获得众多的彩色信号和其它光谱信号，能够最大化的利用入射光子的能量，达到或接近到达光电转换效率的理论上限，并可在完整地重建彩色的同时，获得其它光谱的图像，包括紫外线图像，近红外图像，和远红外图像。