微电子行业

摘要： 1月15日-17日,以“新发展格局与汽车产业变革”为主题的第七届中国电动汽车百人会论坛(2021)在北京召开。16日上午,主题为“碳达峰和碳中和目标下的汽车与交通转型”的国际论坛拉开帷幕。英飞凌科技大中华区高级副总裁兼汽车电子事业部负责人曹彦飞发表了观点,以下为演讲实录:半导体行业可以叫微电子行业,我们说微电子关联大世界,全球很多宏观趋势和人类社会的主要变革都跟半导体有着越来越紧密的联系。

摘要： 由于焊接技术的不断进步,电子行业中出现了元件与电路微型化的趋势。为此,激光焊接技术得到了日益广泛的应用。这一技术以其性能稳定、使用方便等优点,在各个微小元件与电路的焊接过程中发挥着重要作用。

摘要： 以质量为基的天加,从制造交棒到营销接力的成效初显,仅靠疫情的催化或者"风口"来解释远远不够。步步为营的品牌化深度转型,以及恰到好处的细节执行,构成了其品牌焕新的两种核心竞争力。天加是中国地铁最大的中央空调供应商,市场占比高达30%。其空气处理机组在专业领域已连续多年蝉联全国市场占有率榜首。在微电子行业、医院手术室、生物制药等专业净化领域,天加的市场份额均超过40%。以医疗行业为例,截止目前天加已成功服务7000多家二甲三甲医院。

摘要： 由于焊接技术的不断进步,电子行业中出现了元件与电路微型化的趋势.为此,激光焊接技术得到了日益广泛的应用.这一技术以其性能稳定、使用方便等优点,在各个微小元件与电路的焊接过程中发挥着重要作用.

摘要： 随着信息技术的深入发展和广泛应用,微电子产业迎来了快速发展的机遇,对电路集成的要求越来越高.硅片表面的清洁度严重影响集成电路元件的性能.它对设备的成品率也有至关重要的影响.因此,在电子器件制造的各个工艺过程之前,都需要有一个清洗工艺,去除附着在硅片表面的各种污染物或杂质,从而保证器件性能可靠,提高器件的成品率.因此,本文分析了新型湿法清洗工艺在微电子工业中的应用.

摘要： 全球微电子行业研究及兴趣小组semi基金会研究表明,嵌入式无线半导体市场(包括诸如传感器、控制器、无线连接以及嵌入式非易失性存储器等技术)的增长速度已超过整个半导体行业的增长。SEMI预计,从2015至2025年,全球半导体市场年均复合增长率(CAGR)将达到6.7%,而面向移动和物联网应用的嵌入式无线半导体和传感器市场同期将可实现15.3%的年均复合增长率。嵌入式无线市场的增长很大程度上取决于智能手机、移动健康/便携式医疗设备及物联网等应用中无线通信技术的迅速普及。

摘要： 当前的社会是一个高速发展的社会，其主要依赖的就是科技的进步。而在当前的科技中，最为高端的就是微电子产业。其承载的主要作用就是制作一些精密的电子仪器。尤其是手机，电脑一类，但是在进行微电子产品制作的时候，却存在着很多的问题，其中主要是对于硅片的清洗工作。因为微电子中使用的硅片一般体积较小，这就让清洗的工作变得非常的困难。如果更好的进行硅片的清洗就成为了当前最为重要的一个课题。本文就从当前的微电子清洗情况进行探究，来得出如何更好的在微电子工艺领域进行清洗技术的应用。

摘要： 美国国防科学委员会（DSB）任务小组于2017年4月正式发布《网防科学委员会任务小组关于网络供应链的报告》。报告就美国国防部武器系统微电子行业供应链发展问题提出建议，建议美国国防部加强致力于武器系统防护项目．防范针对微电子供应链的网络攻击，保证国防电子技术免受漏洞威胁，维护国家网络安全。

摘要： 开始了！多国政府与采矿企业竞相向大洋深处发动攻势，对那里富含的多种矿藏以及微电子行业急需的稀土金属志在必得。

摘要： 在很多人心目中，微电子产品生产是在清洁、干净的高科技生产车间，不会有安全和健康问题。但实际上，微电子产品生产过程中，化学物质使用高度集中，具有很大的职业健康隐患。根据2017年韩国半导体从业人员健康与权益支持者组织（SHARPS）的统计，自2007年以来已经有229名为三星半导体和LED工厂或他们的代加工厂工作的工人罹患职业病，其中79人因白血病、恶性淋巴瘤、黑色素瘤等绝症而死亡。

摘要： 本文介绍了以轴心喷射技术为核心的喷射点胶工艺在微电子行业的应用,突破了传统的接触式点胶的效率瓶颈与质量瓶颈,在产品的良率与效率提升方面为微电子行业的生产提供了技术支撑.

摘要： 无论是在半导体还是在微电子行业,掩膜版的制作都被视为一项非常重要的环节.随着科技及制造业的发展,掩膜版的制作技术也由一开始的手工刻红膜照相制版发展到现在的图形发生器直接绘图制版.不仅仅是效率,更重要的是在精度上得到质的飞跃和提高,为半导体和微电子行业的发展提供了坚实的基础和保证.本文回顾了制版技术的发展,并且结合中国大部分企业的现状,提出了一种独特的制版方法.

摘要： 200 mm图形片外延工艺随着国内8英寸(1英寸=25.4 mm)生产线的发展而逐渐成熟起来.是硅外延发展的趋势之一.本文讨论通过气流设计、控制图形漂移和畸变、控制自掺杂的方法,达到该产品需要的技术指标.厚度电阻率均匀性小于3％,图形漂移和畸变量小于5％.该产品应用于客户可替代进口产品,实现国产化.

摘要： 200 mm图形片外延工艺随着国内8英寸(1英寸=25.4 mm)生产线的发展而逐渐成熟起来.是硅外延发展的趋势之一.本文讨论通过气流设计、控制图形漂移和畸变、控制自掺杂的方法,达到该产品需要的技术指标.厚度电阻率均匀性小于3％,图形漂移和畸变量小于5％.该产品应用于客户可替代进口产品,实现国产化.

摘要： 200 mm图形片外延工艺随着国内8英寸(1英寸=25.4 mm)生产线的发展而逐渐成熟起来.是硅外延发展的趋势之一.本文讨论通过气流设计、控制图形漂移和畸变、控制自掺杂的方法,达到该产品需要的技术指标.厚度电阻率均匀性小于3％,图形漂移和畸变量小于5％.该产品应用于客户可替代进口产品,实现国产化.

摘要： 200 mm图形片外延工艺随着国内8英寸(1英寸=25.4 mm)生产线的发展而逐渐成熟起来.是硅外延发展的趋势之一.本文讨论通过气流设计、控制图形漂移和畸变、控制自掺杂的方法,达到该产品需要的技术指标.厚度电阻率均匀性小于3％,图形漂移和畸变量小于5％.该产品应用于客户可替代进口产品,实现国产化.

摘要： 200 mm图形片外延工艺随着国内8英寸(1英寸=25.4 mm)生产线的发展而逐渐成熟起来.是硅外延发展的趋势之一.本文讨论通过气流设计、控制图形漂移和畸变、控制自掺杂的方法,达到该产品需要的技术指标.厚度电阻率均匀性小于3％,图形漂移和畸变量小于5％.该产品应用于客户可替代进口产品,实现国产化.

摘要： 随着微电子信息技术的发展，微电子信息产业愈来愈受到人们的重视，发展速度之快，几乎超过人们的预料。在全球产业界开始大规模向大陆转移产品生产基地的趋势下，在国内业界开始加大对平面显示器领域产品的投资中，发挥已有的优势，沿着产品的产业链上下、左右寻求研发、投资相关产品，应是业界不断努力探讨的方向。本文将重点介绍光刻胶产品在光电产品在光电产品领域中的应用及其他发展前景。

摘要： 随着微电子信息技术的发展，微电子信息产业愈来愈受到人们的重视，发展速度之快，几乎超过人们的预料。在全球产业界开始大规模向大陆转移产品生产基地的趋势下，在国内业界开始加大对平面显示器领域产品的投资中，发挥已有的优势，沿着产品的产业链上下、左右寻求研发、投资相关产品，应是业界不断努力探讨的方向。本文将重点介绍光刻胶产品在光电产品在光电产品领域中的应用及其他发展前景。

摘要： 随着微电子信息技术的发展，微电子信息产业愈来愈受到人们的重视，发展速度之快，几乎超过人们的预料。在全球产业界开始大规模向大陆转移产品生产基地的趋势下，在国内业界开始加大对平面显示器领域产品的投资中，发挥已有的优势，沿着产品的产业链上下、左右寻求研发、投资相关产品，应是业界不断努力探讨的方向。本文将重点介绍光刻胶产品在光电产品在光电产品领域中的应用及其他发展前景。

摘要： 用于微电子管芯(110)的封装包括邻近所述管芯的第一表面(112)的第一衬底(120)，邻近所述第一衬底的第二衬底(130)，以及邻近所述管芯的第二表面(111)的散热器(140)。所述散热器与所述第一衬底和第二衬底两者都接触。

摘要： 一种用于微电子器件的布线层，包括含有第一沟槽(111，511)的第一区域(110，510)、含有第二沟槽(121，521)的第二区域(120，520)以及所述第一沟槽和第二沟槽中的导电材料(230，530)。所述第一沟槽具有第一深度(115)，第二沟槽具有与第一深度不同的第二深度(125)。

摘要： 用于微电子管芯(110)的封装包括邻近所述管芯的第一表面(112)的第一衬底(120)，邻近所述第一衬底的第二衬底(130)，以及邻近所述管芯的第二表面(111)的散热器(140)。所述散热器与所述第一衬底和第二衬底两者都接触。

摘要： 一种微电子结构包括：微电子衬底，其具有第一表面和从微电子衬底第一表面延伸到衬底中的腔；附接至微电子衬底第一表面的第一微电子器件和第二微电子器件；以及设置在微电子衬底腔内且附接至第一微电子器件和第二微电子器件的微电子桥。在一个实施例中，该微电子结构可以包括从第一微电子器件和第二微电子器件形成的重建晶圆。在另一实施例中，助焊剂材料可以在第一微电子器件和微电子桥之间以及在第二微电子器件和微电子桥之间延伸。

摘要： 本发明创建了一种具有用于检测热像仪图像的传感器芯片（1）的微电子器件装置（100）。所述传感器芯片（1）具有前侧（VS）、背侧（RS）和侧面（SF），所述侧面（SF）将所述前侧（VS）与所述背侧（RS）相连。所述微电子器件装置（100）此外还包括至少一个分析电路（A1）和透镜，其中所述至少一个分析电路（A1）至少局部地以所述传感器芯片（1）的背侧（RS）和/或以所述传感器芯片（1）的侧面（SF）与所述传感器芯片（1）有接触，其中所述透镜（L1）布置在所述传感器芯片（1）的前侧（VS）上而且覆盖所述传感器芯片（1），其中所述传感器芯片（1）的侧面（SF）和/或所述分析电路（A1）的侧面（SA）以及所述透镜（L1）的侧面（SL）至少局部具有机械拆除的痕迹。

摘要： 一种用于微电子器件的布线层，包括含有第一沟槽(111，511)的第一区域(110，510)、含有第二沟槽(121，521)的第二区域(120，520)以及所述第一沟槽和第二沟槽中的导电材料(230，530)。所述第一沟槽具有第一深度(115)，第二沟槽具有与第一深度不同的第二深度(125)。

摘要： 本申请涉及形成微电子装置的方法以及相关微电子装置、存储器装置和电子系统。一种形成微电子装置的方法包括在基底结构上方形成牺牲材料。用抗蚀刻材料替换所述牺牲材料的部分。在所述抗蚀刻材料以及所述牺牲材料的剩余部分上方形成堆叠结构。所述堆叠结构包括布置成分层的绝缘材料和另外的牺牲材料的竖直交替序列以及至少一个阶梯结构，所述至少一个阶梯结构与所述抗蚀刻材料水平重叠并且具有包括所述分层的水平端部的台阶。形成竖直地延伸穿过所述堆叠结构以及所述牺牲材料的所述剩余部分的槽。在形成所述槽后，选择性地用导电材料替换所述牺牲材料和所述另外的牺牲材料，以分别形成侧向接触结构和导电结构。

摘要： 本申请涉及形成微电子装置的方法以及相关微电子装置、存储器装置和电子系统。形成微电子装置的方法包括在导电屏蔽结构和水平邻近于所述导电屏蔽结构的第一介电结构上方形成导电屏蔽材料。第二介电结构形成在第一介电结构上且水平邻近于所述导电屏蔽材料。图案化所述导电屏蔽材料和所述第二介电结构以形成在第一水平方向上平行延伸的鳍片结构。所述鳍片结构中的每一个包括：两个介电末端结构，其与所述第二介电结构的剩余部分成一体；以及额外导电屏蔽结构，其在所述第一水平方向上插入在所述两个介电末端结构之间。导电线形成为在所述第一水平方向上平行延伸，且在与所述第一水平方向正交的第二水平方向上与所述鳍片结构水平交替。

摘要： 本申请涉及用于形成微电子装置的方法，以及相关的微电子装置、存储器装置和电子系统。微电子装置包括柱结构(包括半导体材料)、与所述柱结构的上部物理接触的接触结构，以及在所述接触结构上方并与所述接触结构物理接触的导电结构。所述导电结构的每一个包括具有第一水平宽度的下部、垂直覆盖所述下部并具有大于所述第一水平宽度的第二水平宽度的上部，以及垂直插入所述下部与所述上部之间并具有弧形水平边界的附加部，所述弧形水平边界界定从接近所述下部的所述第一水平宽度变化到接近所述上部的相对较大水平宽度的附加水平宽度。还描述了存储器装置、电子系统和形成微电子装置的方法。

摘要： 一种微电子装置包括存储器阵列区、控制逻辑区及额外控制逻辑区。所述存储器阵列区包括：堆叠结构，其包括竖直交替的导电结构与绝缘结构；及位于所述堆叠结构内的存储器单元的竖直延伸串。所述控制逻辑区下伏于所述堆叠结构，且包括经配置以实现所述存储器单元的竖直延伸串的控制操作的一部分的控制逻辑装置。所述额外控制逻辑区上覆于所述堆叠结构，且包括经配置以实现所述存储器单元的竖直延伸串的所述控制操作的额外部分的额外控制逻辑装置。还描述了形成微电子装置的方法以及额外微电子装置及电子系统。