微电子封装

摘要： 微电子工业对于产品可靠性和材料成本的需求促使键合铜丝取代金丝成为半导体封装时应用的主流材料,在设备和技术工艺优化发展的前提下,键合铜丝技术由DIP等低端产品推广至QFN、小间距焊盘等高端产品领域,这也提升了半导体封装企业对铜丝性能和键合工艺的要求。本文对键合铜丝的性能优势与主要应用问题进行了论述,结合应用现状从使用微量元素、涂抹绝缘材料、优化超声工艺、改进火花放电工艺等几个方面提出了改善主流键合铜丝半导体封装技术应用效果的具体措施,以为相关生产单位提供参考指引。

摘要： 熔锡是微电子封装QFN(Quad Flat No-leads Package,方形扁平无引脚封装)产品在切割生产过程中的核心质量不良,是导致产品可焊性失效的关键风险点。本文针对QFN封装产品的切割生产过程进行熔锡失效的原因分析和对策探讨。

摘要： 伴随着微电子封装技术高速发展,单一的封装材料已经难以满足当前高密度集成微波组件封装所需的综合性能需求.在简述了微电子封装技术对材料的需求以及金属基材料存在的不足的基础之上,文中引入了 一种新型微电子封装材料—梯度硅铝合金,开展了全方位的工艺验证,包括多芯连接器与盒体热失配、LTCC电路片与盒体热失配、盒体形变、法兰盘强度与激光焊接等单点工艺技术应用验证研究,随后进行了产品应用验证研究.在验证的基础上总结出了梯度硅铝作为封装材料的应用边界.研究结果丰富了微电子封装材料体系,推动了微电子封装技术的发展.

摘要： 切割是制造微电子QFN(Quad Flat No-leads Package,方形扁平无引脚封装)产品的重要工艺步骤,整体片条框架产品通过切割工步分离为单颗的集成电路.真空失效是影响切割设备稳定性和产品品质的关键点,本文针对QFN封装产品的切割特点进行真空失效分析和探讨.

摘要： 2020年是清华大学微电子学研究所成立40周年,其前身可追溯到1956年设立的清华大学半导体专业,它是国内工科大学第一个半导体专业。1980年8月,为发展以大规模集成电路为核心的微电电子学科学技术,清华大学成立了以大规模集成电路为研究主线的微电子学研究所,同时承担专业子与教学工作。后来又在国内大学中最早开设了研究生微电子封装技术课程,开展微电子封装和可靠性封研究。2004年3月,为进一步促进清华大学在微电子与纳电子学科的发展,决定成立清华大学微电装子与纳电子学系。经过40年的发展,清华大学微纳电子系/微电子所形成了微纳电子学和集成电路与系统两个研究方向,建立了比较完善的硅基微电子研究体系,培养了大批高素质的优秀人才,已成为我国专门从事微电子和集成电路领域高层次人才培养和科学研究的重要基地。

摘要： 电磁喷射点胶阀(电磁点胶阀)是一种应用于电子封装中的非接触式点胶设备.建立了电磁点胶阀喷针运动的动力学模型,并用MATLAB/SIMULINK对其工作过程进行了仿真,仿真与实验具有良好的一致性;以电磁点胶阀的喷针运动过程中的上升延迟时间、上升过程时间、保持限位时间、复位延迟时间、复位过程时间作为动态特性量化指标,通过实验探究,得出了驱动参数(启动电压、保持电压、弹簧刚度和弹簧预紧量)对电磁点胶阀动态特性的影响规律.

摘要： 微电子封装具有微型化、高密度、低成本和良好的电气性能的特点,焊点负责内部芯片与电路板间的电气和机械连接.由于生产设计过程中产生的缺陷或经受温度变化、振动和冲击等环境载荷,焊点易发生失效.本文总结了焊点常见的疲劳失效原因,X射线、染色分析等失效分析技术可以实现失效焊点的精准定位,便于分析失效原因.随后,总结了焊点疲劳寿命预测模型的应用和研究现状,比较了各模型优缺点及适用范围,可为微电子封装的可靠性分析与评估提供理论指导.

摘要： 自中美贸易战以来,基础材料的国产化越来越引人关注.高性能聚酰亚胺薄膜作为性能最为优异的特种工程塑料之一,具有巨大的商业价值和重要的战略意义,已被列入工业和信息化部印发的《重点新材料首批次应用示范指导目录》,近年来也成为了制造业投资的热点领域.本文着眼于高性能聚酰亚胺薄膜的产业现状,对其应用领域及未来的发展趋势进行了概述.

摘要： 论述了微电子封装中常用的键合金线、键合铜线和键合银线的局限性,从机械性能、键合性能、可靠性等方面分析了键合银合金线的特征及作为键合引线的优势,并在此基础上阐述了键合银合金线重点研究方向以及在未来集成电路封装中的发展前景.

摘要： 电子产品对焊接设备的新需求随着电子产品小型化、微型化的发展要求,当前电子制造业已进入微组装、高密度和立体组装的新阶段,给传统的波峰焊和再流焊工艺带来了许多困难.由于激光软钎焊具有只对连接部位局部加热,加热区域小,对元器件本体没有任何的热影响;激光产生的温度场被限制在元器件引线范围内,控制了钎料的流动,可有效地避免细间距(0.3～0.4mm)引线间钎料的桥连;加热速度和冷却速度快,焊接效率高;接头组织细密、可靠性高;非接触焊接;可根据元器件引线的类型实施不同的加热规范以获得一致的接头质量;可以进行实时质量控制等特性,因此在微电子封装和组装中已经用于高密度引线表面贴装器件的再流焊、热敏感和静电敏感器件的再流焊、选择性再流焊、BGA外引线的凸点制作、Flip chip的芯片上凸点制作、BGA凸点的返修、TAB器件封装引线的连接等.

摘要： 随着微电子封装密度的提高,弹性凸点技术能有效克服短路和断路两大可靠性问题,并同时兼有高密度,低成本,高效率的优点,是替代ACA互联的一种有效方法.弹性凸点技术完成的关键工艺是在凸点表面均布微米级大比重的导电颗粒.静电喷雾技术具有液滴平均粒径小、分散度高、设备简单易控等特点,是适合导电颗粒均布的有效方法.如何实现对微颗粒的大规模精确操纵,如何提高颗粒分布的均匀性,如何实现颗粒的单层分布及避免团聚,是本项目面临的关键问题.项目组旨在通过研究微颗粒在液体介质中的团聚机理、微颗粒固液两相流在喷口端的行为规律、弹性凸点工艺和方法的多参数耦合关系,为弹性凸点封装提供方法与技术支撑.

摘要： 正交试验方法是一种通用技术,该技术在理、工、农、医等各领域都得到了广泛的应用.它在提高实验效率、优化产品设计、改进工艺技术、强化质量管理等方面均取得了显著的效果.本文将介绍正交试验方法在储能焊生产控制方面的应用,由于储能焊接要求质量高,可靠性好,因此生产过程难以控制,如何确定最佳的生产工艺条件一直是难题.本文阐述了利用正交试验方法确定最佳工艺条件,对于储能焊的科研生产实践有很好的指导作用.对本次实验来说，电压因素最佳水平为800，压力因素最佳水平为250.脉宽因素最佳水平为10。通过研究表明，利用正交试验方法确定最佳工艺条件，无论是效果还是效率都非常令人满意。储能焊的科研与生产也同样涉及多因素和多水平，不管因素和水平有多少，都可以选择恰当的正交表安排工艺过程，并根据所推导的式3计算储能焊的焊接能量，这对确定储能焊的最佳工艺条件有很好的效果。

摘要： 根据实验室工程化制备键合铜丝材料的研究情况,介绍了以键合铜丝为代表的一类新型微细材料的制备加工工艺方法,指出通过最佳微合金元素设计和其拉拔、退火等整个制备的系列工艺控制来提高铜丝的键合性能与稳定可靠性,为其实现产业化奠定基础.

摘要： 微电子封装中,对分离电子元器件的封装多采用引线键合的方式实现基板与管脚引线的互连,即引线键合技术。在相当长的一段时间内,人们认为紫斑效应是键合工艺中最常见的失效形式。而现在众多研究表明影响键合强度的是克根达尔效应形成的克根达尔空洞,我们以型号为SOT23的晶体管为研究对象,分别对150°C、175°C下作高温存储(HTSL)1000小时后的晶体管取样,再与20°C的晶体管对比,采用Multiplcxcr测试机作电参分析;通过制作截面切片,并将样品的截面镀金后用SEM作微观结构分析,对引线键合中的克根达尔空洞形成进行相关的研究。

摘要： 本文简单概述了微电子封装技术的发展历史和多芯片组件(Multtchlp Module)技术的发展过程,介绍了MCM技术的基本内容和发展现状,并着重阐述了陶瓷厚膜型多芯片组件(MCM-C)的设计及其工艺.

摘要： 在对射频识别技术(RfID-Radio Frequency Identification)介绍和对RFID产业发展及应用进行阐述和分析的基础上，结合通信发展趋势和RFID的特色功能，对电信业以其在无线技术和网络资源方面的优势，融合RFID进行业务创新以及业务创新的前景进行了论述。最后，简要介绍了微电子封装技术，比较、分析了三种RFID封装结构，提出了高可靠性的RFID封装。

摘要： 在对射频识别技术(RfID-Radio Frequency Identification)介绍和对RFID产业发展及应用进行阐述和分析的基础上，结合通信发展趋势和RFID的特色功能，对电信业以其在无线技术和网络资源方面的优势，融合RFID进行业务创新以及业务创新的前景进行了论述。最后，简要介绍了微电子封装技术，比较、分析了三种RFID封装结构，提出了高可靠性的RFID封装。

摘要： 微组装技术的基础是SMT,实现了IC封装器件和板级电路组装这两个电路组长阶层之间的技术融合.微组装技术是电子产品先进制造技术中的关键技术之一,是电子产品制造中的电气互联技术的主体技术,是电子封装与组装技术发展到现阶段的代表技术.文中介绍了微组装技术的定义、特征等基本概念;探讨了微组装技术的新发展和类型;论述了微组装技术的主要内容.微电子组装技术提高了器件级IC封装和板级电路组装的组装密度，而且使得电子电路组装阶层之间的差别模糊了，出现了IC器件封装和板级电路组装这两个电路组装阶层之间技术上的融合。其重点发展方向是器件封装与组装与SMT自动化设备的紧密结合。

摘要： 用于微电子管芯(110)的封装包括邻近所述管芯的第一表面(112)的第一衬底(120)，邻近所述第一衬底的第二衬底(130)，以及邻近所述管芯的第二表面(111)的散热器(140)。所述散热器与所述第一衬底和第二衬底两者都接触。

摘要： 一种用于微电子器件的布线层，包括含有第一沟槽(111，511)的第一区域(110，510)、含有第二沟槽(121，521)的第二区域(120，520)以及所述第一沟槽和第二沟槽中的导电材料(230，530)。所述第一沟槽具有第一深度(115)，第二沟槽具有与第一深度不同的第二深度(125)。

摘要： 此处公开了微电子部件和形成这种微电子部件的方法。该微电子部件可以包括从基底12的键合表面30(诸如，在基底12的表面处的导电元件的表面)延伸的接线键合32形式的多个导电过孔。

摘要： 用于微电子管芯(110)的封装包括邻近所述管芯的第一表面(112)的第一衬底(120)，邻近所述第一衬底的第二衬底(130)，以及邻近所述管芯的第二表面(111)的散热器(140)。所述散热器与所述第一衬底和第二衬底两者都接触。

摘要： 一种用于微电子器件的布线层，包括含有第一沟槽(111，511)的第一区域(110，510)、含有第二沟槽(121，521)的第二区域(120，520)以及所述第一沟槽和第二沟槽中的导电材料(230，530)。所述第一沟槽具有第一深度(115)，第二沟槽具有与第一深度不同的第二深度(125)。

摘要： 本发明涉及微电子器件的技术领域，公开了一种微电子器件封装用固定装置及微电子器件封装方法。该微电子器件封装用固定装置包括：底板；两个立柱，相对设置在底板上；以及固定组件，每个立柱上设置一个固定组件，固定组件包括：限位板，与立柱滑动连接，两个限位板之间形成可调节大小的用于固定微电子器件的固定间隙；以及夹持件，设置在限位板上，夹持件用于夹持微电子器件。该微电子器件封装用固定装置可以根据微电子器件的种类不同，或者尺寸不同来调整固定间隙的大小，以实现对各种微电子器件的封装，从而提高对微电子器件的适应性，有效降低封装运输成本。

摘要： 一种微电子封装件，包括设置在封装体内的无源微电子器件，其中，封装体是微电子封装件的部分，封装体为微电子封装件提供支撑和/或刚性。在倒装芯片类型的微电子封装件中，封装体可以包括微电子基板，有源微电子器件电附接至微电子基板。在嵌入式器件类型的微电子封装件中，封装体可以包括其中嵌入有源微电子器件的材料。

摘要： 本公开涉及密封管芯、包含该密封管芯的微电子封装以及制造所述微电子封装的方法。密封管芯(100,401)包括具有第一表面(111)、相对的第二表面(112)以及中间的侧表面(113)的基板(110,510)，其中有源器件位于基板的第一表面处。有源器件通过由多个电绝缘层(125,525)彼此隔离的多个导电层(120,520)连接。保护帽(130,530)位于基板第一表面上方，其包含在其表面(131)处暴露的互连结构(140)。在另一实施例中，微电子封装(200)包括具有诸如上述嵌入其内的密封管芯(100)的封装基板(250)。

摘要： 本发明涉及一种微电子封装（1），包括：具有至少第一开口（3）并且限定第一腔体（4）的微电子结构（2）；具有至少第二开口（10）并且限定连接到第一腔体（4）的第二腔体（11）的封盖层（9），其中封盖层（9）布置在微电子结构（2）之上使得第二开口（10）布置在第一开口（3）之上；以及覆盖第二开口（10）的密封层（13），从而密封第一腔体（4）和第二腔体（11）。而且，本发明涉及制造微电子封装（1）的方法。

摘要： 一种低轮廓微电子封装包括管芯（110）（具有第一表面（111）和第二表面（112））及封装衬底（120）。衬底包括电绝缘层（121），其形成所述衬底的第一侧面（126）；导电层（122），连接到管芯；以及导电层上的保护层（123），其形成衬底的第二侧面（127）。管芯的第一表面位于衬底的第一侧面。绝缘层具有形成于其中的多个焊盘。封装部件进一步包括互连结构（140）的阵列，位于衬底的第一侧面。所述互连结构的阵列中的每一互连结构都具有第一端部（141）和第二端部（142），第一端部连接到一个焊盘。