得与失

摘要： 人生这场盛宴,真正让人铭记的,不是到口的美味,而是萦绕在内心的滋味和情趣。昨天无论好坏,都已经过去,不必悲伤与留恋;明天无论成功与失败,都还没来到,不必太多的期待和不必要的担心。今天无论得与失,我们都要勇敢地面对,这就是生活,这就是人生!人生就是:一边选择,一边放弃;一边拥有,一边失去。有时候选择是为了更好地前行,有时候放弃是为了更好地拥有,有时候失去是为了更好地得到,这就是我们要懂得的基本人生哲学。

摘要： 党的十九大报告明确指出:“构建党统一指挥、全面覆盖、权威高效的监督体系,把党内监督同国家机关监督、民主监督、司法监督、群众监督、舆论监督贯通起来,增强监督合力。”舆论监督是党统一指挥的监督体系的重要一环。

摘要： 全媒体时代,舆论监督工作如何"自带节奏"、与舆情"共舞"?本文结合鲜活的案例,就南通报业传媒集团新闻热线这一平台介入的舆论监督工作得失进行了分析,认为要找准舆论监督报道的支点与落点,紧盯纷繁复杂的热点和焦点,科学应对客观存在的敏感点和兴奋点,及时关注、介入,方能有效把控各类负面舆情。

摘要： 洪武三十一年(1398年)闰五月,71岁的朱元璋去世。皇太孙朱允炆继位,是为明惠帝,次年改年号建文。随即,朝廷开始了改革。对这场改革,史学界称之为建文新政。但这场新政仅仅只有四年,随着"靖难之役"的结束,建文新政戛然而止,呈昙花一现。虽然建文新政仅仅只有四年,其得失仍有值得总结之处。

摘要： 问题式教学是以问题为中心,将一系列问题整合成与教学相关内容的教学方法。高中地理课堂开展问题式教学是培养学生地理学科核心素养的有效途径。本文以高中地理“河流水文特征的得与失”为例,重点以非洲尼日尔河和刚果河为例,探讨河流的水文特征,通过基础式、递进式、迁移式等层层设问,构建完善的知识体系,培养学生的综合思维。

摘要： 《陋室铭》充分展现了刘禹锡洒脱的精神境界。文章从得与失的角度出发,对刘禹锡的精神追求进行分析。

摘要： 我立足学生的实际与需求,紧紧围绕“认知、目标、技能、体验”四个方面设计了“深度生涯规划”活动方案。“生涯讲堂”,唤醒生涯意识“生涯讲堂”,就是通过邀请各行各业优秀的工作人员宣讲,让学生了解各种职业的具体工作内容,充分感受各行各业工作人员的喜与忧、苦与乐、得与失,激起他们向榜样学习的决心。

摘要： 一、关系型作文和学生写作现状近年来,各地高考作文非常重视考查考生面对“关系型作文”所体现的理性、思辨性思维。以浙江省高考作文为例,考查的大多为“关系型作文”:“人品与文品”(2015)、“虚拟与现实”(2016)、“坚持自我与倾听他人”(2019)、“个人人生坐标与家庭预期、社会定位”(2020)、“得与失”(2021)。

摘要： 当前语文教研,既不显山露水,也不自我陶醉,在稳步前行中求变,在因时而变中求新,逐渐步入了正常发展的轨道。由于疫情影响,以“名师工作室”和学校为中心的线上教研活动占据多数,其特点是课题小而实,均来自教学实际,且多为当务之急。研究专题最多的是“课堂教学”,例如“语文学科核心素养的落细、落准、落实研究”“学生作业设计研究”“课堂教学策略”“课堂教学评价研究”等。

摘要： 考了一个不上不下的分数,大学、地域、专业之间如何选择?我选择了学校.十年寒窗,难凉热血.每一个即将迈入成人礼的高三考生,都要第一次,做出一个可能影响一生的决定.正因这个决定之难、决定之重,我才想与你分享我的志愿填报故事,让你知道,让你明白.之所以说这个决定之难,是因为对于绝大多数的同学来说,漫漫求学路上总是"两耳不闻窗外事",一心一意备战高考,对志愿填报一概不知,除了少数自己听闻过的大学外,便不知其他高校为几许,因此根据自己的高考分数选择一所适合的大学十分不易.之所以说这个决定之重,是因为它对一个人的人生发展至关重要,毫不夸张地说,大四的我再回过头去看我的高中同学,拉开大家差距的除了高考分数以外,还有大学志愿的选择.

摘要： 非易失性存储元件（20）具备：第1电极（105）；第2电极（107）；电阻变化层（106），介于第1电极（105）与第2电极（107）之间，将与第1电极（105）连接的第1电阻变化层（1061）和与第2电极（107）连接的第2电阻变化层（1062）层叠而构成；以及侧壁保护层（108），具有氧阻挡性，将上述电阻变化层（106）的侧面覆盖；第1电阻变化层（1061）由第1金属氧化物（106a）和形成在第1金属氧化物的周围且氧不足度比第1金属氧化物（106a）小的第3金属氧化物（106c）构成，第2电阻变化层（1062）由氧不足度比第1金属氧化物（106a）小的第2金属氧化物（106b）构成。

摘要： 本发明的非易失性存储元件包括：第一电极(103)；第二电极(105)；和电阻变化层(104)，其位于第一电极(103)与第二电极(105)之间，电阻值根据施加在两个电极(103、105)之间的电信号可逆地变化，该电阻变化层(104)由含有第一钽氧化物的第一钽氧化物层(107)和含有含氧率与第一钽氧化物不同的第二钽氧化物的第二钽氧化物层(108)层叠构成，并且当将第一钽氧化物表示为TaOx时满足0＜x＜2.5，当将第二钽氧化物表示为TaOy时满足x＜y≤2.5，第二电极(105)与第二钽氧化物层(108)接触，并且第二电极(105)由铂和钽构成。

摘要： 本发明提供一种非易失性存储元件，其中，在电脉冲的电压值具有V2＞V1＞0V＞V3＞V4的关系、电阻变化层的电阻值具有R3＞R2＞R4＞R1的关系的情况下，在对电极间外加电压值为V2以上的电脉冲时，电阻变化层为R2，在对电极间外加电压值为V4以下的电脉冲时，电阻变化层为R4，当电阻变化层的电阻值为R2时，在对电极间外加电压值为V3的电脉冲时，电阻变化层为R3，当电阻变化层的电阻值为R4时，在对电极间外加电压值为V1的电脉冲时，电阻变化层为R1。

摘要： 工艺较简单、能够制造具有稳定的存储性能的非易失性存储装置的制造方法包括：在基板（11）上交替地层叠含有过渡金属的多个导电层（13）和由绝缘材料构成的多个层间绝缘膜（17）而形成层叠构造体的工序；形成将上述层叠构造体贯通且使导电层（13）的一部分露出的接触孔的工序；将导电层（13）的露出在上述接触孔中的部分氧化、形成电阻值基于施加的电信号可逆地变化的电阻变化层（14）的工序；以及在上述接触孔中埋入导电材料、在上述接触孔中形成与电阻变化层（14）连接的柱状电极（12）的工序。

摘要： 本发明的非易失性存储元件，包括夹在下部电极(105)和上部电极(107)之间并且基于对两个电极间所赋予的电信号来可逆地改变电阻值的电阻变化层(116)。电阻变化层(116)由第1电阻变化层(1161)和第2电阻变化层(1162)的至少2层构成，第1电阻变化层(1161)由第1过渡金属氧化物(116b)构成，第2电阻变化层(1162)由第2过渡金属氧化物(116a)和过渡金属化合物(116c)构成，第2过渡金属氧化物(116a)的氧含有率比第1过渡金属氧化物(116b)的氧含有率低，过渡金属化合物含有氧和氮或者氧和氟，第2过渡金属氧化物(116a)和过渡金属化合物(116c)与第1电阻变化层(1161)相接。

摘要： 本发明公开了一种非易失性半导体存储器晶体管、非易失性半导体存储器及非易失性半导体存储器的制造方法，可增大浮置栅极与控制栅极间的电容，并且可降低控制栅极与岛状半导体间的寄生电容。构成非易失性半导体存储器的非易失性半导体存储器晶体管具备：岛状半导体(301)，从衬底侧依序形成有源极区域(303)、沟道区域(304)及漏极区域(302)；中空柱状的浮置栅极(306)，以包围沟道区域外周的方式，使沟道绝缘膜(305)介设于其间而配置；及中空柱状的控制栅极(308)，以包围该浮置栅极外周的方式，使多晶硅层间绝缘膜(307)介设于其间而配置；在浮置栅极、与控制栅极的上面、下面及内侧面之间，介设配置有多晶硅层间绝缘膜。

摘要： 非易失性存储元件（20）具备：第1电极（105）；第2电极（107）；电阻变化层（106），介于第1电极（105）与第2电极（107）之间，将与第1电极（105）连接的第1电阻变化层（1061）和与第2电极（107）连接的第2电阻变化层（1062）层叠而构成；以及侧壁保护层（108），具有氧阻挡性，将上述电阻变化层（106）的侧面覆盖；第1电阻变化层（1061）由第1金属氧化物（106a）和形成在第1金属氧化物的周围且氧不足度比第1金属氧化物（106a）小的第3金属氧化物（106c）构成，第2电阻变化层（1062）由氧不足度比第1金属氧化物（106a）小的第2金属氧化物（106b）构成。

摘要： 本发明的非易失性存储元件包括：第一电极(103)；第二电极(105)；和电阻变化层(104)，其位于第一电极(103)与第二电极(105)之间，电阻值根据施加在两个电极(103、105)之间的电信号可逆地变化，该电阻变化层(104)由含有第一钽氧化物的第一钽氧化物层(107)和含有含氧率与第一钽氧化物不同的第二钽氧化物的第二钽氧化物层(108)层叠构成，并且当将第一钽氧化物表示为TaOx时满足0＜x＜2.5，当将第二钽氧化物表示为TaOy时满足x＜y≤2.5，第二电极(105)与第二钽氧化物层(108)接触，并且第二电极(105)由铂和钽构成。

摘要： 本发明提供了一种降滤失组合物、降滤失剂及降滤失剂的制备方法和应用。按重量份计，该降滤失组合物包括160～320份的油酸、50～80份的二乙烯三胺以及100～170份的腐植酸。当将该高分子聚合物形成的降滤失剂应用于钻井液中时，有利于对钻井液的滤失量进行控制，提高井壁的稳定性；降低其在高温钻井液的使用过程中分解造成的钻井液体系性能变差的几率，尤其是对于对处理剂的环保性要求较高的抗高温气制油合成基钻井液体系，该降滤失剂有助于提高抗高温气制油合成基钻井液体系的高温乳化稳定性和降滤失性能，从而解决抗高温气制油合成基钻井液体系性能的下降以及滤失量的增加的问题，该上述配方简单，原料廉价易得，生产成本低。

摘要： 本公开的各实施例涉及每易失性位具有单个非易失性位的非易失性静态随机存取存储器架构。非易失性静态随机存取存储器(NVSRAM)单元包括SRAM单元和单个EEPROM单元。第一门基于字级字线信号将SRAM单元耦合到位线。EEPROM具有接收控制栅极信号的控制端子。第二门基于EEPROM读取信号将EEPROM耦合到位线。第三门基于重新加载信号将SRAM单元耦合到EEPROM。电源锁存器生成用于SRAM单元的电源信号。控制栅极锁存器生成控制栅极信号，控制栅极锁存器在擦除信号和电源信号都处于逻辑高时置位，或者在编程信号和电源信号的补信号都处于逻辑高时置位，并且在读取信号处于逻辑高时复位。