CaCu3Ti4O12

摘要： 采用改进的溶胶凝胶法制备Mg掺杂的CaCu_(3-x)Mg_(x)Ti_(4)O_(12)(x=0、0.05、0.1、0.15和0.2,摩尔分数,%)薄膜。对掺Mg的CaCu_(3)Ti_(4)O_(12)(CCTO)薄膜的微观结构和电性能进行研究。与未掺杂的CCTO薄膜相比,掺Mg的CCTO薄膜的晶粒尺寸较小。此外,与未掺杂的CCTO薄膜相比,掺Mg的CCTO薄膜具有高介电常数和出色的频率稳定性。同时,Mg掺杂可以减少CCTO薄膜在10^(4)~10^(6) Hz频率范围内的介电损耗。结果表明,与未掺杂的CCTO薄膜相比,掺Mg的CCTO薄膜具有良好的电学特性,x=0.15和x=0.1的Mg掺杂CCTO薄膜的非线性系数分别提高到7.4和6.0。

摘要： 通过水热合成法制备CaCu_(3)Ti_(4)O_(12)球型颗粒填料,以PVDF为基底,采用溶液逐层涂覆法制备单层和三层结构的PVDF基复合材料。利用X-射线衍射仪和扫描电镜表征材料的微观组织结构,LRC测试仪和铁电综合测试工作站测试其电学性能,研究低填充浓度和多层结构对PVDF基复合材料微观结构、介电特性、极化强度、耐电压特性和储能特性的影响规律。结果表明,CaCu_(3)Ti_(4)O_(12)填料的尺寸约为200 nm,增加其填充浓度,可以提高单层PVDF/CaCu_(3)Ti_(4)O_(12)复合材料的介电特性与极化强度;在3.0vol.%填充量下,复合材料达到最大的介电常数13.2、介电损耗0.074和电位移极化强度4.04μC/cm^(2);而在0.5vol.%的超低填充量下,复合材料达到最大的释放能量密度3.51 J/cm^(3)。三层结构的PVDF基复合材料体系中,在上下层复合材料的高介电极化特性与中间层材料的击穿阻挡特性的协同作用下,获得了综合储能特性优化的PVDF基复合材料,使其在300 kV/mm的低电场强度下,达到最高的释放能量密度4.36 J/cm^(3)。

摘要： 基于密度泛函理论的第一性原理超软赝势平面波方法,研究静水压对CaCu3 Ti4 O12(以下简称CCTO)能带结构、态密度及介电性能的影响,建立介电性能与晶胞畸变之间的内在关系.能带结构计算表明:价带顶主要由O-2p和Cu-3d态电子贡献,导带底主要由Ti-4d态电子贡献,且带隙随着压强的增加而增大;费米能级附近,O-2p态电子和Cu-3d态电子起主要作用,即CuO4正方形结构对CCTO的介电性能产生重要影响.介电性能分析表明:当压力不断增大时,CCTO晶格内原子间的相互距离,相互作用的强度和方式发生改变,促使电子结构发生变化,光频介电常数增大.因此,晶胞调控是优化CCTO介电性能的有效途径.

摘要： 通过溶胶凝胶-燃烧法制备微米钛酸铜钙(CCTO)颗粒,并对其表面化学镀镍修饰合成CCTO@Ni复合颗粒,分别以此为填充相,以聚偏二氟乙烯(PVDF)为基体材料,结合溶液涂覆法与淬火工艺,制备低填充浓度的PVDF/CCTO和PVDF/CCTO@Ni复合材料.利用X射线衍射仪分析PVDF复合材料的物相组成,用宽频阻抗分析仪和静电计-高压放大电源系统测试其介电特性和漏电流特性,研究低填充浓度下,表面镀镍修饰前后的CCTO和CCTO@Ni填充相及其填充浓度对PVDF基复合材料物相组成、介电特性与漏电流密度的影响.结果表明:PVDF基复合材料体系由无机钙钛矿陶瓷相和PVDF相混合而成.3％低体积分数CCTO提高PVDF复合材料介电常数15.53,比纯PVDF材料提高30.84％.CCTO颗粒表面镀镍修饰有利于低填充量下PVDF基复合材料介电损耗和漏电流密度的降低,源于纳米镍颗粒的库伦阻碍效应.尤其是,0.5％低体积分数的CCTO@Ni填充的PVDF/CCTO@Ni复合材料具有比纯PVDF材料低的介电损耗0.025和比纯PVDF材料低8.7％的漏电流密度1.0510-7A/cm2.

摘要： 采用溶胶-凝胶法制备CaCu_(3)Ti_(4)O_(12)(CCTO)陶瓷粉体,研究煅烧后CCTO前驱体晶相对烧结成型后的陶瓷介电性能的影响。通过控制煅烧温度(450°C,500°C,550°C,600°C)来控制粉体物相,最后用1050°C进行烧结.结果表明,在低温下煅烧的粉体经过高温烧结也可以得到纯CCTO晶相.在未形成CCTO晶相下烧结的样品,晶粒更加粗大,拥有更高的介电常数和介电损耗.其中500°C样品介电性能表现最好,在1 kHz时达到4.7×10^(4),而介电损耗也在1 kHz时降到0.11,介电弛豫更加明显.形成CCTO晶相下烧结得到的样品,在介电性能方面表现出更加出色的温度稳定性和频率稳定性.

摘要： 通过溶胶凝胶-燃烧法制备微米钛酸铜钙(CCTO)颗粒,并对其表面化学镀镍修饰合成CCTO@Ni复合颗粒,分别以此为填充相,以聚偏二氟乙烯(PVDF)为基体材料,结合溶液涂覆法与淬火工艺,制备低填充浓度的PVDF/CCTO和PVDF/CCTO@Ni复合材料。利用X射线衍射仪分析PVDF复合材料的物相组成,用宽频阻抗分析仪和静电计-高压放大电源系统测试其介电特性和漏电流特性,研究低填充浓度下,表面镀镍修饰前后的CCTO和CCTO@Ni填充相及其填充浓度对PVDF基复合材料物相组成、介电特性与漏电流密度的影响。结果表明:PVDF基复合材料体系由无机钙钛矿陶瓷相和PVDF相混合而成。3%低体积分数CCTO提高PVDF复合材料介电常数15.53,比纯PVDF材料提高30.84%。CCTO颗粒表面镀镍修饰有利于低填充量下PVDF基复合材料介电损耗和漏电流密度的降低,源于纳米镍颗粒的库伦阻碍效应。尤其是,0.5%低体积分数的CCTO@Ni填充的PVDF/CCTO@Ni复合材料具有比纯PVDF材料低的介电损耗0.025和比纯PVDF材料低8.7%的漏电流密度1.0510-7A/cm^(2)。

摘要： 使用固相反应法制备了不同浓度K+掺杂的CaCu3Ti4O12(CCTO)陶瓷试样,采用XRD、SEM、EDS、XPS、宽频介电谱仪对掺杂后的CCTO陶瓷的相结构、显微结构、晶粒与晶界内阳离子分布、阳离子氧化态、介电性能进行了表征,结果表明:K+优先替代了Ca2+形成受主掺杂.根据电荷守恒,晶粒内以生成氧空位为主,金属离子析出被抑制,此时晶粒尺寸趋于减小.当掺杂浓度超过6 mol％时,晶胞膨胀形成了Cu空位.介电性能的变化与点缺陷和显微结构的变化有关,K+掺杂后,晶粒尺寸先减小,然后随掺杂浓度的增加而增大.掺杂使晶界与晶粒比例的变化或阻抗的改变,导致了晶粒尺寸或阻抗的变化,从而影响CCTO介电性能.因此,点缺陷调控是改善CCTO介电性能的有效方式.

摘要： 分别通过溶胶凝胶-燃烧法、水热反应法和静电纺丝法制备CaCu3Ti4O12(CCTO)陶瓷粉体,并利用XRD和SEM对CCTO样本进行物相分析和形貌观察,研究不同制备方法及工艺参数对CCTO陶瓷的结晶程度、物相组成、尺寸及形貌的影响.研究表明,溶胶凝胶-燃烧法和静电纺丝法可以获得纯度较高且结晶良好的CCTO陶瓷,而水热合成法容易出现CuO和CaTiO3杂相;三种方法可以分别获得微米级块体、纳米级球状颗粒及纤维,其平均粒径依次分别为8μm、200nm和500nm～1000nm.

摘要： 本发明涉及一种高电位梯度、低介电损耗CaCu3Ti4O12压敏陶瓷及其制备方法，该方法将CaCO3、CuO、TiO2、ZnO和Al2O3按照摩尔比例为1：3：4：0‑5%：0‑5%进行混合；然后湿式球磨12h后，将混合粉末在80oC烘干12h；取混料装入石墨模具，置于放电等离子烧结炉中进行750oC烧结10min；烧结得到的试样放置于马弗炉中进行1000oC退火处理3h，自然冷却得到目标压敏陶瓷。该方法采用放电等离子烧结技术制备压敏陶瓷，烧结温度和保温时间大幅下降，更加的节能环保，得到的CaCu3Ti4O12压敏陶瓷电位梯度高达1200 V/mm以上，且1kHz下介电损耗降低至0.02左右。

摘要： 本发明公开了一种CaCu3Ti4O12（CCTO）粉体制备及陶瓷烧结方法，以解决现有技术所制备的CCTO陶瓷介电损耗较高的技术问题。本发明采用CaCO3、CuO、TiO2为原料，经过配料混合均匀后，在气氛炉中依次经过空气气氛下和含有氢气的混合气体气氛下的保温煅烧、含有氢气气氛下的随炉温自然冷却、研磨后得到CCTO粉体。本发明也公开了所得CCTO粉体的陶瓷烧结方法，其特征在于将所得的CCTO粉体制成陶瓷坯体后放入气氛炉中，在空气气氛下升温到1070～1100°C时开始保温，并在保温8～10小时后向气氛炉中通入含有高含量氧气的混合气体并快速降温到700°C，之后自然冷却到室温得到CCTO陶瓷。采用本发明所制备的CCTO陶瓷的介电损耗小于0.015，同时介电常数高达40000以上，CCTO陶瓷的综合介电性能明显改善。

摘要： 本发明公开了一种制备低介电损耗、高介电常数的钛酸铜钙CaCu3Ti4O12（CCTO）陶瓷的负压烧结方法，以解决现有烧结技术制备的CCTO陶瓷介电损耗较高的技术问题。本发明的技术方案是：CCTO陶瓷坯体在气氛炉中经过常压空气气氛下的升温阶段1、常压空气气氛下的保温阶段1、负压空气气氛下的升温阶段2、负压空气气氛下的保温阶段2、高含量氧气的氧氮混合气氛下的降温阶段1、高含量氧气的氧氮混合气氛下的保温阶段3和常压空气气氛下随炉冷却的降温阶段2后而得到CCTO陶瓷。本发明技术方案所得的CCTO陶瓷不仅介电常数得到提高，而且介电损耗明显降低，介电损耗值低达0.02。

摘要： 一种CaCu

摘要： 本发明公开了一种CaCu3Ti4O12体系多层陶瓷电容器及其制备方法。该方法使用氧化铜(CuO)、碳酸钙(CaCO3)、氧化钛(TiO2)为原料，添加一定量的有机物(PVB、PAG、BBP等)，采用固相法以及流延成型的方法，制备出高质量的厚度为100μm～10mm薄片，然后通过切割、排胶、高温烧结、器件制备等步骤得到高介电常数、低介电损耗、高稳定性的多层陶瓷电容器。本发明的CCTO陶瓷材料介电常数达到1.0×104，介电损耗在0.2以下，适合于制备大电容陶瓷材料电容器。

摘要： 本发明公开了一种CaCu3Ti4O12（CCTO）粉体制备及陶瓷烧结方法，以解决现有技术所制备的CCTO陶瓷介电损耗较高的技术问题。本发明采用CaCO3、CuO、TiO2为原料，经过配料混合均匀后，在气氛炉中依次经过空气气氛下和含有氢气的混合气体气氛下的保温煅烧、含有氢气气氛下的随炉温自然冷却、研磨后得到CCTO粉体。本发明也公开了所得CCTO粉体的陶瓷烧结方法，其特征在于将所得的CCTO粉体制成陶瓷坯体后放入气氛炉中，在空气气氛下升温到1070～1100°C时开始保温，并在保温8～10小时后向气氛炉中通入含有高含量氧气的混合气体并快速降温到700°C，之后自然冷却到室温得到CCTO陶瓷。采用本发明所制备的CCTO陶瓷的介电损耗小于0.015，同时介电常数高达40000以上，CCTO陶瓷的综合介电性能明显改善。

摘要： 本发明公开了一种制备低介电损耗、高介电常数的钛酸铜钙CaCu3Ti4O12（CCTO）陶瓷的负压烧结方法，以解决现有烧结技术制备的CCTO陶瓷介电损耗较高的技术问题。本发明的技术方案是：CCTO陶瓷坯体在气氛炉中经过常压空气气氛下的升温阶段1、常压空气气氛下的保温阶段1、负压空气气氛下的升温阶段2、负压空气气氛下的保温阶段2、高含量氧气的氧氮混合气氛下的降温阶段1、高含量氧气的氧氮混合气氛下的保温阶段3和常压空气气氛下随炉冷却的降温阶段2后而得到CCTO陶瓷。本发明技术方案所得的CCTO陶瓷不仅介电常数得到提高，而且介电损耗明显降低，介电损耗值低达0.02。

摘要： 本发明涉及一种高电位梯度、低介电损耗CaCu3Ti4O12压敏陶瓷及其制备方法，该方法将CaCO3、CuO、TiO2、ZnO和Al2O3按照摩尔比例为1：3：4：0‑5%：0‑5%进行混合；然后湿式球磨12h后，将混合粉末在80oC烘干12h；取混料装入石墨模具，置于放电等离子烧结炉中进行750oC烧结10min；烧结得到的试样放置于马弗炉中进行1000oC退火处理3h，自然冷却得到目标压敏陶瓷。该方法采用放电等离子烧结技术制备压敏陶瓷，烧结温度和保温时间大幅下降，更加的节能环保，得到的CaCu3Ti4O12压敏陶瓷电位梯度高达1200 V/mm以上，且1kHz下介电损耗降低至0.02左右。

摘要： 本发明公开了一种降低CaCu

摘要： 本实用新型公开了一种CaCu3Ti4O12陶瓷材料生产制备用行星球磨机，包括：球磨机主体，球磨机主体设置有用于装载球磨罐的沉槽，沉槽上设有可转动的托盘，托盘上设置有多组用于放置球磨罐的转动盘，托盘下方的沉槽处设有圆形槽，圆形槽侧壁固定有驱动齿环，U型座底部中心设有异形刷毛件，异形刷毛件底部通过轴杆贯穿托盘，且轴杆位于驱动齿环处配设有驱动齿轮与驱动齿环啮合传动，托盘下底面中心与驱动电机的输出轴连接，驱动电机设于球磨机主体内部空槽。本实用新型利用驱动齿环与各个异形刷毛件的啮合传动，实现对球磨罐内球料进行扰动，从而提高离心球磨的效率。