形成能
形成能的相关文献在1986年到2023年内共计104120篇,主要集中在物理学、化学、金属学与金属工艺
等领域,其中期刊论文133篇、会议论文2篇、专利文献103985篇;相关期刊88种,包括厦门大学学报(自然科学版)、内蒙古师范大学学报(自然科学汉文版)、四川大学学报(自然科学版)等;
相关会议2种,包括2008中国材料研讨会—计算材料分册、中国腐蚀与防护学会能源工程暨能源材料2016年学术交流会 等;形成能的相关文献由50000位作者贡献,包括张海洋、周飞、李勇等。
形成能—发文量
专利文献>
论文:103985篇
占比:99.87%
总计:104120篇
形成能
-研究学者
- 张海洋
- 周飞
- 李勇
- 余振华
- 洪中山
- 三重野文健
- 张城龙
- 赵猛
- 韩秋华
- 不公告发明人
- 周鸣
- 王楠
- 王新鹏
- 坂本力丸
- 邓浩
- 刘重希
- 朱慧珑
- 王志豪
- 吉永洋
- 王敬
- 纪世良
- 何永根
- 金吉松
- 肖莉红
- 鲍宇
- 陈宪伟
- 夏志良
- 越后雅敏
- 刘峻
- 黄晓橹
- 肖德元
- 畑中真
- 霍宗亮
- 杨敦年
- 石井贤治
- 许军
- 禹国宾
- 郑心圃
- 下川俊彦
- 佐藤正吾
- 江国诚
- 平井利充
- 江藤大辅
- 郑明达
- 岩谷直毅
- 骆志炯
- 周文犀
- 郑二虎
- 香川敏章
- 吉川政昭
-
-
闫共芹;
王康;
徐天齐
-
-
摘要:
结合基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法,研究了石墨晶胞中嵌入不同数量的锂离子所产生晶体结构的变化、形成能、电子结构以及锂离子的迁移过程,并通过测试磁控溅射法制备的石墨薄膜电极的充放电循环性能证明了仿真结果。研究发现:随着锂离子嵌入数量的增加,石墨晶胞的体积逐渐增加,当嵌入6个锂离子后,石墨晶胞体积膨胀了20.52%,体系的形成能降至-68.612 eV,形成能下降趋势平缓,表明石墨晶胞在嵌锂过程中非常稳定;石墨晶胞的电荷密度主要集中在C—C键,锂离子的嵌入降低了C—C键之间的电荷密度,并未破坏C—C键;锂离子通过空位迁移的方式迁移到石墨层间所需要克服的迁移势垒最低。
-
-
杜畅;
曹凤婷;
李旭
-
-
摘要:
CrN和Cr2N是不锈钢氮化层中典型析出相,其析出倾向和长大方式决定了两者的数量、形态和分布,进而影响氮化层的性能.采用第一性原理计算了不锈钢氮化层中CrN和Cr2N析出相的形成能,建立了CrN/α-Fe和Cr2N/α?Fe两种界面模型并计算了界面形成能.结果表明:CrN相形成能和CrN/α?Fe界面形成能均低于Cr2N的相关形成能,从能量角度看,CrN的析出更具优势,从而解释了不锈钢表面氮化层中CrN较Cr2N优先析出的原因.
-
-
缪晶;
符斯列;
王春安;
雷涛;
李俊贤
-
-
摘要:
ZnO∶Cu体系具有p型导电性并出现室温铁磁性,但是对于其磁性来源还颇有争议.用Cu掺杂ZnO晶体容易增加空位缺陷产生的几率,从而使ZnO∶Cu体系产生磁性.因此,本文采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势法对ZnO∶Cu及其本征空位缺陷体系进行了理论研究,分别计算分析了ZnO∶Cu超晶胞中相对Cu为近邻、次近邻、远近邻位置锌空位和氧空位的出现后体系的晶格结构、形成能、能带结构、态密度以及磁矩,以便准确合理地对其电磁特性进行判定.结果表明,ZnO∶Cu远近邻Vzn容易形成且其费米能级附近态密度较无缺陷体系增大,导电性增强;而含Vo的缺陷体系禁带远远增大且变为间接带隙半导体,其费米能级处的态密度几乎不变或微弱减小,导电性无增强.Cu近邻Vzn和Vo的引入会导致ZnO∶Cu掺杂系统的磁性相几乎或完全消失,但较远Vo的出现无法显著改变磁性,较远Vzn的出现使体系磁性增强.因此,在实验过程中要实现ZnO∶Cu掺杂体系的良好电磁特性,应尽量避免Cu近邻V‰和Vo的出现,而有效利用远近邻锌空位缺陷.
-
-
林洪斌;
林春;
陈越;
钟克华;
张健敏;
许桂贵;
黄志高
-
-
摘要:
LiCoO_(2)作为商业化最早的锂离子电池正极材料,至今仍受到许多研究人员的广泛关注.高电压下LiCoO_(2)面临着严重的容量衰减和性能下降等问题,实验上通常采用体相元素掺杂以稳定LiCoO_(2)在高电压下的晶体结构,从而提高其电化学性能.Mg元素掺杂被认为是一种能够提高LiCoO_(2)高电压循环稳定性的有效手段,但Mg的具体掺杂形式以及作用机理仍需进一步深入研究.本文基于密度泛函理论的第一性原理计算研究了LiCoO_(2)中Mg对Co位和Li位各种替代组态的形成能及其电子结构.计算结果表明,Mg在LiCoO_(2)中的替代情况较为复杂:掺杂浓度为3.7%时,Mg更倾向于替代Co位;而掺杂浓度提高至7.4%后,则Mg不仅仅可以只替代Co位或Li位,还存在同时替代Co位和Li位的可能;各种替代组态也呈现出不同的电子态,既存在金属态,也有半导体态,同时在许多情况下还伴有电子局域态.因此,我们认为LiCoO_(2)的Mg掺杂位形与掺杂量有密切的关系,且掺杂诱导的电子结构也存在较大的差异.
-
-
林洪斌;
林春;
陈越;
钟克华;
张健敏;
许桂贵;
黄志高
-
-
摘要:
LiCoO2作为商业化最早的锂离子电池正极材料,至今仍受到许多研究人员的广泛关注.高电压下LiCoO2面临着严重的容量衰减和性能下降等问题,实验上通常采用体相元素掺杂以稳定LiCoO2在高电压下的晶体结构,从而提高其电化学性能.Mg元素掺杂被认为是一种能够提高LiCoO2高电压循环稳定性的有效手段,但Mg的具体掺杂形式以及作用机理仍需进一步深入研究.本文基于密度泛函理论的第一性原理计算研究了LiCoO2中Mg对Co位和Li位各种替代组态的形成能及其电子结构.计算结果表明,Mg在LiCoO2中的替代情况较为复杂:掺杂浓度为3.7%时,Mg更倾向于替代Co位;而掺杂浓度提高至7.4%后,则Mg不仅仅可以只替代Co位或Li位,还存在同时替代Co位和Li位的可能;各种替代组态也呈现出不同的电子态,既存在金属态,也有半导体态,同时在许多情况下还伴有电子局域态.因此,我们认为LiCoO2的Mg掺杂位形与掺杂量有密切的关系,且掺杂诱导的电子结构也存在较大的差异.
-
-
段伟杰;
王冬迎;
杨毅
-
-
摘要:
采用第一性原理计算结合原子替位掺杂的方法,研究原子掺杂效应对氧空位形成能的影响.通过计算发现,在氧化铝中进行金属原子替位掺杂可以显著降低氧空位的形成能,有利于形成局部的电阻退化,使氧化铝成为潜在的阻变功能材料.对氧化铝基阻变存储器件的设计、制备及其在新型存储器件领域的应用具有参考价值.
-
-
谭敏;
方志杰;
靳宝霞;
王栋;
张金省
-
-
摘要:
掺杂改性作为拓展TiO2的可见光吸收范围、提高光催化活性的有效途径之一备受研究者关注.采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,研究铈族稀土元素(LREE)掺杂锐钛矿相TiO2的形成能.计算结果表明:在富氧环境下,LERR掺杂的缺陷形成能均为负值,且随着原子序数的增加,缺陷形成能逐渐降低;在富钛环境下LERR掺杂的缺陷形成能均为正值,且Ce掺杂的缺陷形成能最大(3.040 eV);在富氧环境下热力学转变能级由低到高依次为:Eu-TiO2、Sm-TiO2、Pm-TiO2、Nd-TiO2、Pr-TiO2、Ce-TiO2、La-TiO2,在富钛环境下得到相同的结论.
-
-
谭心;
张博晨;
任元;
陈成斌;
刘岳飞
-
-
摘要:
本文以第一性原理计算为基础,研究了Er掺杂后金刚石的电子结构、能级跃迁及N、B原子共掺杂对金刚石Er相关缺陷的影响。首先对Er掺杂后金刚石的形成能与结合能进行计算,结果表明掺杂后的稳定结构为Er原子周围存在1个空位的结构,稳定价态为+3价。然后预测零点跃迁能(ZPL)是0.807 eV,对应激发的光子波长为1536.289 nm。最后对N、B原子共掺杂计算,结果表明N、B原子的掺入可以使形成能降低,增加结构稳定性。Er掺杂金刚石使其在近红外光谱发光,为Er金刚石色心的应用提供了理论依据。
-
-
谭敏;
方志杰;
靳宝霞;
王栋;
张金省
-
-
摘要:
掺杂改性作为拓展Ti O_(2)的可见光吸收范围、提高光催化活性的有效途径之一备受研究者关注。采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,研究铈族稀土元素(LREE)掺杂锐钛矿相TiO_(2)的形成能。计算结果表明:在富氧环境下,LERR掺杂的缺陷形成能均为负值,且随着原子序数的增加,缺陷形成能逐渐降低;在富钛环境下LERR掺杂的缺陷形成能均为正值,且Ce掺杂的缺陷形成能最大(3.040e V);在富氧环境下热力学转变能级由低到高依次为:Eu-TiO_(2)、Sm-TiO_(2)、Pm-TiO_(2)、Nd-TiO_(2)、Pr-TiO_(2)、Ce-TiO_(2)、La-TiO_(2),在富钛环境下得到相同的结论。
-
-
-
Xiang Xin;
向鑫;
Zhang Guikai;
张桂凯;
Wang Xiaolin;
汪小琳;
Tang Tao;
唐涛;
Shi Yan;
石岩
- 《中国腐蚀与防护学会能源工程暨能源材料2016年学术交流会》
| 2016年
-
摘要:
采用第一性原理平面波赝势计算研究了α-Al2O3中本征点缺陷如空位、间隙和反位原子的电荷态及能量.结果表明,在α-Al2O3中,本征点缺陷的平衡稳定价态并非均为其满价态,而分别为VAl3-,Vo0,Ali3+,Oi2-,Alo3+和OAl3-.从点缺陷的形成能看,富氧条件下α-Al2O3中易形成反位原子OAl,而通常认为其很难在α-Al2O3中形成.结合本征点缺陷的电荷态及形成能,发现α-Al2O3中形成肖特基、弗伦克尔和反位对的缺陷类型与氧环境有关.最稳定的肖特基缺陷类型并非通常认为的{3Vo2+:2VAl3-}.在两种氧条件下,均形成了两种可能的氧弗伦克尔缺陷,但最稳定的缺陷为{Oi1+:Vo1-}而非通常认为的{Oi2+:Vo2-}.反位原子、肖特基和弗伦克尔缺陷的构型和电荷态与通常观点不一致,为α-Al2O3中的本征点缺陷及缺陷反应给出了新见解.
-
-
饶杨安;
贺怀建
- 《2008中国材料研讨会—计算材料分册》
| 2008年
-
摘要:
添加Nb被证实是提高TiAl合金抗氧化能力最有效的途径之一,但对于其机理仍然存在一些相互矛盾的解释。运用第一性原理方法对γ-TiAl氧化过程中存在的几种重要点缺陷杂质进行了系统的研究.在确定杂质的稳定结构基础之上,研究发现:γ-TiAl中Nb掺杂的形成能随着含量的增加而升高,导致γ-TiAl相的稳定性降低,对抗氧化性能造成不利影响;而间隙O和Ti空位的形成能随Nb掺杂量的增加而显著升高,因此Nb能有效地降低氧扩散及空位缺陷的进入,从而提高γ-TiAl的抗氧化性能;Nb掺杂对降低杂质含量的作用存在明显的局域特性,是一种近程作用,因此Nb在γ-TiAl中的作用与其含量和分布有关。