引脚封装

摘要： 本设计主要基于MCU和FPGA的优点进行设计整合,设计一款兼具二者特色的异构嵌入式平台。整体方案当MCU能够提供的接口有限,不能满足设计要求时,可以通过选择更复杂的MCU进行替换,但是这会显著的增加电路板空间(因为它仅在高引脚封装中可用),并且增加了功率,提高了成本。

摘要： 领先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi,美国纳斯达克股票代号:ON),在PCIM Europe展会发布全球首款To-Leadless(TOLL)封装的碳化硅(SiC)MOSFET。该晶体管满足了对适合高功率密度设计的高性能开关器件迅速增长的需求。直到最近,SiC器件一直采用明显需要更大空间的D2PAK 7引脚封装。

摘要： 安森美半导体发布To-Leadless(TOLL)封装的碳化硅(SiC)MOSFET。该晶体管满足了对适合高功率密度设计的高性能开关器件迅速增长的需求。直到最近,SiC器件一直采用明显需要更大空间的D2PAK 7引脚封装。TOLL封装的尺寸仅为9.90 mm×11.68 mm,比D2PAK封装的PCB面积节省30%,而且,它的外形只有2.30 mm,比D2PAK封装的体积小60%。

摘要： 在数字化、城市化和电动汽车等大趋势的推动下,电力消耗日益增加。与此同时,提升能源效率的重要性也在与日俱增。为了顺应当下全球发展大势并满足相关市场需求,英飞凌科技股份公司推出了650 V CoolSiCTM MOSFET系列新产品。该产品具有高可靠性、易用性和经济实用等特点,能够提供卓越的性能。这些SiC器件采用了英飞凌先进的SiC沟槽工艺、紧凑的D2PAK表面贴装7引脚封装和.XT互连技术,广泛适用于大功率应用,包括服务器、电信设备、工业SMPS、电动汽车快速充电、电机驱动、太阳能系统、储能系统和电池化成等。

摘要： Microchip公司的ATmega3208/3209微处理器是采用AVR~?处理器的megaAVR~?0系列中一员,具有硬件乘法器,工作频率高达20MHz,提供各种闪存(高达48KB),SRAM(高达6KB)和256B EEPROM,以及采用28引脚,32引脚,40引脚或48引脚封装.闪存读写周期10000次,EEPROM 100,000次,55°C时数据保存期为40年.可配置定制逻辑(CCL)有多达四个可编查找边(LUT).器件还集成了带可选择基准输入的模拟比较器(AC),10比特150ksps ADC,5个可选择内部电压基准:0.55V,1.1V,1.5V,2.5V和4.3V,多达41个可编程I/O线,具有汽车应用的AEC-Q100规范.工作温度-40°C到+125°C:本文介绍了ATmega3208主要特性,框图以及开发板AVRBLE主要特性,电路图和PCB装配图.

摘要： 针对引脚监测的要求,对影像采集卡及光源系统进行了选型与布置,并基于边缘检测技术对引脚的各项技术指标进行监测.对所构建系统的引脚伸出量监测性能进行了试验验证,结果证明该系统在不同环境下能够保证监测结果的稳定性,且过曝光对其影响极小.

摘要： 意法半导体进一步扩大智能功率模块产品阵容,推出SLLIMM–nano新一代产品,新增更高功率和封装选择,特别适用于对提高能效和降低成本有需求的应用。新一代SLLIMM-nano产品可满足冰箱、洗衣机等家电的压缩机、风扇和电泵的电源要求,还适用于驱动200W以下电器的硬开关电路且工作频率低于20 kHz的低功耗电机。

摘要： 意法半导体日前宣布其超高能效的ARM Cortex-M0＋STM32L0微控制器实现量产,同时发布支持该系列产品的功能丰富的开发生态系统,包括成本极低的开发板和免费的软件工具,帮助开发人员充分控制应用能耗,且最大限度缩减产品上市时间。

摘要： Atmel SMART SAM R21系列低功耗微控制器采用32位ARM Cortex-M0+处理器和集成式超低功耗2.4GHz ISM频段收发器。SAM R21器件采用32位和48位引脚封装,具有高达256KB的闪存和32KB SRAM,最高工作频率为48MHz,性能高达2.46Coremark/MHz。它们专门设计用于在具有相同外设模块、16进制兼容代码、相同线性地址映射和引脚兼容迁移路径的产品系列的所有器件之间进行简单直观的迁移。所有器件均包含智能、灵活的外设和用于外设间信令的

摘要： STM32L476Gxx器件是基于高性能ARM Cortex-M4 32位RISC内核的超低功耗微控制器(MCU),工作频率高达80MHz。Cortex-M4内核具有单精度浮点单元(FPU),支持所有ARM单精度数据处理指令和数据类型。它还实现了全套DSP指令和存储器保护单元(MPU),加强了应用安全。STM32L476Gxx器件具有嵌入高速存储器(闪存高达1MB,SRAM高达128KB)、灵活的

摘要： 本发明公开了一种四侧无引脚扁平封装体的封装方法及封装体，属于封装技术领域。方法包括：在金属板的上表面蚀刻加工出所需的凹槽，形成焊线台、器件台及凸点；将凸点加工至预设高度，并在器件台上组装器件，连接器件及焊线台；塑封加工后的金属板，形成封装体，并使加工后的凸点表面裸露在封装体的上表面，形成顶部引脚；在封装体的下表面蚀刻加工出所需的底部引脚，得到四侧无引脚扁平封装体。本发明通过形成具有顶部引脚的QFN封装体，在利用QFN封装的良好电气性能、散热性能的同时，实现将大的无源器件堆叠在QFN封装体之上，在有效提高内部、外部焊点可靠性的同时，简化封装体结构；通过顶部引脚可实现多个器件的堆叠，克服了器件堆叠的局限性。

摘要： 本发明公开了一种三引脚电子器件封装用引线框架、封装结构及其封装方法，引线框架包括闭合边框和三个引脚，载芯板和第二、三引脚的端头位于电子器件封装区域内部，在所述封装区内，载芯板的面积与第二引脚和第三引脚的端头部分的面积之和的比值为4～6。本发明改变了现有技术中载芯板的面积，将其扩大到一个适当的程度，封装成型后的产品尺寸与常规框架生产的产品一致，但功率可以提高很多，并且可以解决内引线压焊条数受限制问题和由于芯片的材质和框架的材质不同而产生的两者的应力释放速度不同的问题。

摘要： 本申请提供一种引脚、引脚组合结构、封装体及其制作方法。在引脚上套设盖板或裙装结构，防止在填充塑封料时，塑封料从对封装体进行封装的模具中容纳塑封料的空腔中溢出。该引脚应用于封装体，该封装体包括该引脚、基板以及塑封料，该引脚包括本体和挡板结构；该本体的底部焊接在该基板上，该挡板结构套接在该本体的中部，该塑封料覆盖该基板，并包裹该本体的底部到中部的部分；该挡板结构用于在向空腔中填充该塑封料时阻挡该塑封料从空腔中溢出，该空腔为封装该封装体的模具中容纳该塑封料的腔体，该空腔容纳该本体的底部至中部的部分以及基板，该基板位于空腔的底部，该本体的中部位于空腔的顶部，该空腔顶部的侧壁与该本体的挡板结构抵持。

摘要： 本发明公开了一种四侧无引脚扁平封装体的封装方法及封装体，属于封装技术领域。方法包括：在金属板的上表面蚀刻加工出所需的凹槽，形成焊线台、器件台及凸点；将凸点加工至预设高度，并在器件台上组装器件，连接器件及焊线台；塑封加工后的金属板，形成封装体，并使加工后的凸点表面裸露在封装体的上表面，形成顶部引脚；在封装体的下表面蚀刻加工出所需的底部引脚，得到四侧无引脚扁平封装体。本发明通过形成具有顶部引脚的QFN封装体，在利用QFN封装的良好电气性能、散热性能的同时，实现将大的无源器件堆叠在QFN封装体之上，在有效提高内部、外部焊点可靠性的同时，简化封装体结构；通过顶部引脚可实现多个器件的堆叠，克服了器件堆叠的局限性。

摘要： 本发明公开了一种三引脚电子器件封装用引线框架、封装结构及其封装方法，引线框架包括闭合边框和三个引脚，载芯板和第二、三引脚的端头位于电子器件封装区域内部，在所述封装区内，载芯板的面积与第二引脚和第三引脚的端头部分的面积之和的比值为4～6。本发明改变了现有技术中载芯板的面积，将其扩大到一个适当的程度，封装成型后的产品尺寸与常规框架生产的产品一致，但功率可以提高很多，并且可以解决内引线压焊条数受限制问题和由于芯片的材质和框架的材质不同而产生的两者的应力释放速度不同的问题。

摘要： 本实用新型提供一种引脚片及使用该引脚片的贴片二极管封装结构，引脚片为长条结构，且引脚片通过剪切区域分割为连接段以及固定段，连接段设置在引脚片一端，用于连接贴片二极管；固定段设置在引脚片另一端，固定段远离剪切区域一端与框体结构连接；其中，剪切区域设置有第一通孔。本实用新型的引脚片及使用该引脚片的贴片二极管封装结构中，通过在引脚片上的剪切区域增加通孔结构，能减小切断面；本实用新型通过将引脚片框架局部调整，有效减小了切脚应力向内部的传递，并避免了采用高精准切脚设备进行精细剪切，降低切脚设备的成本。

摘要： 本申请实施例公开了带引脚封装、无引脚封装的功率模块及其对应加工方法，该功率模块包括散热片、功率元件、封装胶和高散热膜；将高散热膜作为最靠近功率元件的散热部件，利用高散热膜的散热、绝缘和高韧性的物理特性，将散热和绝缘集成在一个部件上实现，同时具备良好的加工适应性，该功率模块通过对应的加工方法生产，其通过与高散热膜实现功率模块的散热、绝缘和加工等各方面的性能设计，提高抗热震能力，减少制程缺陷，提高了良品率，相同功率下产品的厚度更小。

摘要： 本发明揭示一种用于无引脚封装的引脚架，其包含多个封装区域、一绝缘层和一胶带。每一所述封装区域包含多个封装单元，且每一所述封装单元包含一芯片座和多个接脚。所述绝缘层填充于每一所述封装单元周围的间隙，且所述绝缘层的厚度小于所述接脚的厚度。所述胶带固定所述多个封装区域。

摘要： 本发明公开了一种利用四探针法原位实时监测引脚封装的引脚可靠性的方法。本发明利用四探针法对封装结构中的引脚的电阻进行监控测量，基于电阻变化检测出裂纹产生前的粘塑性变形、引脚中裂纹的扩展，实现准确的原位裂纹识别。本发明基于引脚中裂纹产生引起的微电阻变化的特性，通过精确测量引脚电阻变化快速准确地判断引脚出裂纹产生和失效问题，对引脚可靠性进行原位监测，相比于现有其他测量方法更加简单高效，能够在器件的可靠性测试中进行裂纹判定，提前终止实验，从而节省时间和成本；本发明采用多种探针引脚接触方案，实现探针与被测点的良好接触，能进一步提升测试的精确性。

摘要： 本申请实施例公开了带引脚封装的功率模块和无引脚封装的功率模块，该功率模块包括散热片、功率元件、封装胶和高散热膜；将高散热膜作为最靠近功率元件的散热部件，利用高散热膜的散热、绝缘和高韧性的物理特性，将散热和绝缘集成在一个部件上实现，同时具备良好的加工适应性，该功率模块通过对应的加工方法生产，其通过与高散热膜实现功率模块的散热、绝缘和加工等各方面的性能设计，提高抗热震能力，减少制程缺陷，提高了良品率，相同功率下产品的厚度更小。