应税所得率

摘要： 一、案例背景2016年10月5日,搜狐新闻一则''王思聪打赏抖奶主播500万''的新闻刷爆了读者的眼球。2017年5月,北京市地方税务局约谈在京注册的二十多家网络直播平台,要求各直播平台在2017年9月底前完成对网络主播的个人所得税扣缴义务履行情况的自查工作。主播即资源。为留住优秀主播,不少平台公司找到税务中介机构,希望中介能提供方案,尽可能的降低主播税收负担。

摘要： 自2019年4月1日起,增值税税率如何调整?答:根据《财政部、国家税务总局、海关总署关于深化增值税改革有关政策的公告》(财政部、税务总局、海关总署公告2019年第39号)规定:''一、增值税一般纳税人(以下称纳税人)发生增值税应税销售行为或者进口货物,原适用16%税率的,税率调整为13%;原适用10%税率的,税率调整为9%。

摘要： 答：根据《国家税务总局关于印发〈企业所得税核定征收办法〉（试行）的通知》（国税发〔2008〕30号）第六条的规定,采用应税所得率方式核定征收企业所得税的,应纳所得税额计算公式如下：应纳税所得额=应税收入额×应税所得率。

摘要： 答：根据《国家税务总局关于印发〈企业所得税核定征收办法〉（试行）的通知》（国税发〔2008〕30号）第四条的规定,税务机关应根据纳税人具体情况,对核定征收企业所得税的纳税人,核定应税所得率或者核定应纳所得税额.可见,企业所得税核定征收方式有两种：一是核定应税所得率方式,一是核定应纳所得税额方式.国税发〔2008〕30号文第十三条、第十四条规定：纳税人实行核定应税所得率方式的,按下列规定申报纳税。

摘要： 在判断小微企业标准时,企业接受的劳务派遣用工,是否要纳入企业从业人数进行计算?答:根据《财政部、国家税务总局关于执行企业所得税优惠政策若干问题的通知》(财税〔2009〕69号)第七条规定,实施条例第九十二条第(一)项和第(二)项所称从业人数,是指与企业建立劳动关系的职工人数和企业接受的劳务派遣用工人数之和。风力发电的增值税优惠政策有哪些?答:根据《财政部、国家税务总局关于风力发电增值税政策的通知》(财税〔2015〕74号)规定,自2015年7月1日

摘要： 问：我公司在2011至2014年度实行按收入定率征收企业所得税办法，应税所得率为15％。今年初在办理2014年第四季度申报时，由于办税人员工作疏忽，误将897900元收入申报成987900元，多申报收入90000元，多缴纳企业所得税3375元，本想在2015年第一季度申报时从应申报的收入中减除，但后来接到主管税务机关通知，从2015年1月1日起对我公司实行核实征收企业所得税，请问：我公司在2014年按定率征收多缴的所得税能否申请退税？

摘要： 按照《国家税务总局关于印发〈企业所得税汇算清缴管理办法〉的通知》（国税发〔2009〕79号）第三条和《国家税务总局关于印发〈企业所得税核定征收办法〉（试行）的通知》（国税发〔2008〕30号）第十三条的规定,实行核定应税所得率征收所得税的纳税人年度终了后也要对全年的应纳所得税进行汇算清缴,汇算清缴期为年度终了后起5个月内。

摘要： 按照《企业所得税汇算清缴管理办法》（国税发[2009379号）第三条和《国家税务总局关于印发〈企业所得税核定征收办法〉（试行）的通知》（国税发[2008]30号）第十三条的规定，实行核定应税所得率征收所得税的纳税人年度终了后也要对全年的应纳所得税进行汇算清缴，汇算清缴期为年度终了后起5个月内，即与核实征收企业所得税纳税人的汇算清缴期是一致的。

摘要： 问：我公司实行按应税所得率核定征收企业所得税.请问,对我公司取得的股息、红利等权益性投资收益是否应当核定征收企业所得税？

摘要： 一种Si基高迁移率CMOS装置的制造方法及所得装置。该方法包括：提供硅基材，该硅基材具有在顶部的第一绝缘层和延伸入硅中的沟槽；通过以下步骤来在第一绝缘层上方制造III‑V半导体通道层：沉积牺牲材料的第一假层，用第一氧化物层覆盖第一假层，通过经由第一氧化物层中的孔进行蚀刻、再进行选择性区域生长，来用III‑V半导体材料替换第一假层；在III‑V半导体通道层上方制造第二绝缘层，且再次打开沟槽；通过以下步骤来在第二绝缘层上方制造锗或硅‑锗通道层：沉积牺牲材料的第二假层，用第二氧化物层覆盖第二假层，通过经由第二氧化物层中的孔进行蚀刻、再进行选择性区域生长，来用锗或硅‑锗替换第二假层。

摘要： 一种用于改变光学聚合物材料折射率的方法。所述方法包括用飞秒激光脉冲连续地辐照光学聚合物材料的预定区域以便在材料内形成梯度折射率的折射结构。一种光学装置，包括：具有前表面和后表面以及与两个表面相交的光轴的光学聚合物晶状体材料；至少一层由激光改性的GRIN层，其布置于所述前表面和后表面之间，并沿着相对于光轴成45度到135度的第一轴线布置，且其特征还在于横过相邻段至少一部分的至少之一以及沿着每一段的折射率变化。

摘要： 一种用于改变光学聚合物材料折射率的方法。所述方法包括用飞秒激光脉冲连续地辐照光学聚合物材料的预定区域以便在材料内形成梯度折射率的折射结构。一种光学装置，包括：具有前表面和后表面以及与两个表面相交的光轴的光学聚合物晶状体材料；至少一层由激光改性的GRIN层，其布置于所述前表面和后表面之间，并沿着相对于光轴成45度到135度的第一轴线布置，且其特征还在于横过相邻段至少一部分的至少之一以及沿着每一段的折射率变化。

摘要： 本发明公开了一种光罩器件。该光罩器件具有石英衬底，所述石英衬底包含表面区域。在所述表面区域的第一部分上形成第一区域，所述第一区域包含多个也被称为二元掩模图案的不透明掩模图案。在所述表面区域的第二部分上的第二区域，所述第二区域包含多个第一衰减相移掩模图案。在所述表面区域的第三部分上的第三区域，所述第三区域包含多个第二衰减相移掩模图案。因此，该光罩器件具有至少三个对应不同光学特性的不同区域。

摘要： 本发明公开了一种超轻泡沫混凝土防水涂层的制备方法及所得超低吸水率超轻泡沫混凝土，防水涂层共三层。第一防水涂层有效成分为聚丙烯酰胺、十六烷基三甲氧基硅烷和纳米二氧化硅的混合物，第二防水涂层有效成分为十六烷基三甲氧基硅烷和纳米二氧化硅的混合物，第三防水涂层有效成分为十六烷基三甲氧基硅烷。本发明方法适用范围广，可以适用于各种超轻泡沫混凝土，不需要内掺防水剂，操作简便，易于实施，涂覆防水涂层后，不仅提高了超轻泡沫混凝土的防水性能，降低了其吸水率，还不会改变超轻泡沫混凝土的原有优异性能，且防水涂层与超轻泡沫混凝土间的结合力良好，还能增强超轻泡沫混凝土强度。

摘要： 一种Si基高迁移率CMOS装置的制造方法及所得装置。该方法包括：提供硅基材，该硅基材具有在顶部的第一绝缘层和延伸入硅中的沟槽；通过以下步骤来在第一绝缘层上方制造III‑V半导体通道层：沉积牺牲材料的第一假层，用第一氧化物层覆盖第一假层，通过经由第一氧化物层中的孔进行蚀刻、再进行选择性区域生长，来用III‑V半导体材料替换第一假层；在III‑V半导体通道层上方制造第二绝缘层，且再次打开沟槽；通过以下步骤来在第二绝缘层上方制造锗或硅‑锗通道层：沉积牺牲材料的第二假层，用第二氧化物层覆盖第二假层，通过经由第二氧化物层中的孔进行蚀刻、再进行选择性区域生长，来用锗或硅‑锗替换第二假层。

摘要： 一种用于改变光学聚合物材料折射率的方法。所述方法包括用飞秒激光脉冲连续地辐照光学聚合物材料的预定区域以便在材料内形成梯度折射率的折射结构。一种光学装置，包括：具有前表面和后表面以及与两个表面相交的光轴的光学聚合物晶状体材料；至少一层由激光改性的GRIN层，其布置于所述前表面和后表面之间，并沿着相对于光轴成45度到135度的第一轴线布置，且其特征还在于横过相邻段至少一部分的至少之一以及沿着每一段的折射率变化。

摘要： 一种用于改变光学聚合物材料折射率的方法。所述方法包括用飞秒激光脉冲连续地辐照光学聚合物材料的预定区域以便在材料内形成梯度折射率的折射结构。一种光学装置，包括：具有前表面和后表面以及与两个表面相交的光轴的光学聚合物晶状体材料；至少一层由激光改性的GRIN层，其布置于所述前表面和后表面之间，并沿着相对于光轴成45度到135度的第一轴线布置，且其特征还在于横过相邻段至少一部分的至少之一以及沿着每一段的折射率变化。

摘要： 本发明公开了一种光罩器件。该光罩器件具有石英衬底，所述石英衬底包含表面区域。在所述表面区域的第一部分上形成第一区域，所述第一区域包含多个也被称为二元掩模图案的不透明掩模图案。在所述表面区域的第二部分上的第二区域，所述第二区域包含多个第一衰减相移掩模图案。在所述表面区域的第三部分上的第三区域，所述第三区域包含多个第二衰减相移掩模图案。因此，该光罩器件具有至少三个对应不同光学特性的不同区域。

摘要： 本实用新型公开了一种用于显示应税所得的柱状展示装置，包括下底箱，下底箱的上端固定安装有固定架，固定架的上端一侧固定安装有蓄水箱，固定架的下端贯穿设置有五组连通管。本实用新型的一种用于显示应税所得的柱状展示装置，通过设置的连通管与展示管，能够更加方便控制展示管内部液体的高度，从而使得展示管能够快速的显示出需要展示的数值，提高工作的效率，通过设置的螺杆与固定套圈，能够使展示管内液体的高度呈现均匀的增加，避免由于加入的水过快，从而导致展示管内液体的高度增加过快，出现展示的数值出现误差，通过设置的蓄水箱与集水盒，能够方便对装置进行加水和排水操作，并且方便进行快速的收纳，带来更好的使用前景。