市管县体制

摘要： 新时期区域竞争的焦点逐渐由资源禀赋竞争向创新能力竞争转变,而缺失一体化发展的“凝聚核”则是制约关中平原东北部地区制造业实现高质量发展的关键短板。在长期经济发展过程中,韩城已经成为关中平原东北部事实上的中心城市,但在“地市合并、市领导县”改革的过程中,将县级韩城市简单地划归地级渭南市下辖,导致韩城与其经济腹地开始出现分离且城市综合服务功能逐渐收缩,县级行政框架与社会经济发展和历史文化名城现状之间的矛盾也会日益凸显。同时,“市管县”背景下的体制不顺加剧了渭南市存在的“小马拉大车”问题,导致关中平原东北部的“增长极”缺失,由此产生的大面积连片贫困化现象进一步造成了黄河金三角地区的协同发展困境。在分析其问题表现、发展意义和关键症结的基础上,相应提出了“韩渭分治、等级提升、沿黄统筹”的改革思路,建议将县级市韩城的现有行政建制进一步升格,强化与周边县(市)协调联动,走差异互补的发展路径。

摘要： 改革开放以来,中国实现了全球范围内的城市化和工业化高水平协同发展,而在全国范围内建立市管县体制是推动这一历史进程的重要制度安排.基于夜间灯光和经济统计数据,本文使用渐进式双重差分倾向得分匹配(PSM+DID)等方法评估1993—2007年市管县体制确立过程中新设市辖区的发展绩效.结果显示:第一,市管县体制的确立对新设市辖区的经济发展和城市化水平快速提升具有显著的促进作用;第二,市管县改革一方面促使新市辖区政府职能发生转变,另一方面促使产业结构由第一产业向第二、三产业转变,实现了地级市中心城区的产业升级和经济集聚.市管县体制的确立使新地级市政府成为完整的行政主体,其经济发展主动性显著提升,通过调整财政支出结构实现政府职能转变,在政府和市场双重力量下实现产业结构调整,完成了中等城市化初始集聚过程,形成了产城相互促进的发展路径,这构成了中国特有的城市化逻辑.

摘要： 为了深入贯彻落实科学发展观,切实解决市管县体制存在的一些问题,我国从2002年开始逐步推进实施省直管县体制改革.本文将市管县体制与省直管县体制进行分析比较,简析市管县体制的利弊,引出省直管县体制改革的必要性和可行性,并以江西省丰城市为例进行简单说明.

摘要： 为了深入贯彻落实科学发展观,切实解决市管县体制存在的一些问题,我国从2002年开始逐步推进实施省直管县体制改革.本文将市管县体制与省直管县体制进行分析比较,简析市管县体制的利弊,引出省直管县体制改革的必要性和可行性,并以江西省丰城市为例进行简单说明.

摘要： 我国的行政区划调整与城镇化之间有着非常密切的关系.改革开放以来,我国的行政区划体制经历了三次变迁,即市管县体制的全面推行、开发区准行政区化、撤县(市)设区.行政区划体制的三次变迁对我国城镇化的发展起到了巨大的推动作用,但也有很多教训需要吸取.在我国大力推进新型城镇化的背景下,要充分发挥行政区划对新型城镇化的引导、规范和服务作用从而推动新型城镇化的持续发展,应该做到以下几个方面:加强行政区划调整的规范性;遵循城乡一体化发展原则;贯彻各类城市协调发展的原则;要与人口、资源、环境发展相协调.

摘要： 截至2015年底,全国已经有24个省和自治区正在开展以财政省管县、人事省管县以及经济社会管理权下放为主要内容的省管县体制改革。面对这场牵一发而动全身的改革,有人欢呼,也有人质疑。虽然在某种意义上,质疑可以促使改革实践更加理性,但很多质疑实际上是因为对改革存在误解。本文的主要目的,就是试图破除这些"美丽的误会"。误解一:省管县改革是前所未有的制度创新在当今中国,改革与创新已经成了最为流行

摘要： 一种半导体制造装置用温度调整装置(3)，为了调整在半导体制造装置中使用的流体的温度而具备热交换部(7)，所述热交换部(7)在内部具有对流体进行加热冷却的温度调整部件(72)，所述热交换部(7)在所流入的流体以及温度调整部件(72)之间进行热交换，所述半导体制造装置用温度调整装置(3)具备：PID常数运算部件(85)，基于流体的物理特性值、以及用于测定流体的温度的温度传感器(6)的时间常数，运算PID控制用的PID常数；以及PID控制运算部件(86)，基于由PID常数运算部件(85)运算出的PID常数，进行所述温度调整部件的PID控制。

摘要： 在化合物半导体基板(40)上形成采用有机金属气相生长法在化合物半导体基板(40)上依次层叠III族氮化物半导体的晶体层而成的化合物半导体层时，在反应容器内安装化合物半导体基板(40)使其晶体生长面朝上，在化合物半导体基板(40)的上方，在与晶体生长面对向的侧安装形成有放射状的多个沟(63)的保护构件(60)，经由在保护构件(60)的中央部设置的第1贯通孔(61)对反应容器的内部进行原料气体的供给。由此，在使用了有机金属气相生长法的化合物半导体的制造中，抑制了由剥落的反应生成物附着于基板或者基板上的外延生长膜上所引起的成品率的降低。

摘要： 本发明提供能够在基板上的期望位置制造晶体的晶体制造装置。弹簧(2)具有固定在支架(1)上的一端和连接至磁性体(3)的另一端。所述磁性体(3)具有连接至所述弹簧的一端和连接至活塞(6)的另一端。线圈(4)围绕磁性体(3)缠绕并且在电源回路(5)和接地节点(GND)之间电连接。活塞(6)具有插入圆筒(7)的直线构件(61)。圆筒(7)具有中空柱形和在底面(7B)上的小孔(71)。所述圆筒(7)保持硅熔体(13)。基板(11)由XY平台(12)支持以相对于所述圆筒(7)的所述小孔(71)。所述电源回路(5)传送脉冲状电流通过线圈(4)以朝上下方向(DR1)移动所述活塞(6)。结果，液滴(14)以初始速度为1.02m/s从所述小孔(71)向所述基板(11)排出。

摘要： 本发明提供一种催化活性的降低得以抑制、能高效地制造包含一氧化碳和氢的合成气体的合成气体制造用催化剂结构体以及具备该合成气体制造用催化剂结构体的合成气体制造装置。本发明的合成气体制造用催化剂结构体(1)是在制造包含一氧化碳和氢的合成气体时使用的合成气体制造用催化剂结构体(1)，其具备：多孔质结构的载体(10)，由沸石型化合物构成；以及至少一种催化剂物质(20)，存在于载体(10)内，载体(10)具有相互连通的通道(11)，催化剂物质(20)为金属微粒，存在于载体(10)的至少通道(11)。

摘要： 问题：提供能够由以二氧化碳为主要成分的分离气体稳定地制造以一氧化碳为主要成分的生成气体的气体制造装置。解决手段：提供气体制造装置(1)，其具备分离回收部(5)、反应部(4)、压力调节部(7)以及流量调节部(6)，所述分离回收部(5)从废气设备的管线的中途导出的废气中分离回收以二氧化碳为主要成分的分离气体；所述反应部(4)与分离回收部(5)的下游侧连接，并且具备至少一个反应器，该反应器在容纳还原剂的同时，能够在还原反应的体系内分离从二氧化碳脱离的氧原子的至少一部分，所述还原剂通过因与分离气体而接触发生的二氧化碳的还原反应而生成一氧化碳；所述压力调节部(7)与反应部(4)的下游侧连接，调节供给至反应器的分离气体的压力；所述流量调节部(6)与分离回收部(5)的上游侧连接，调节供给至反应器的分离气体的流量。

摘要： 本发明提供能够长时间稳定地维持优异的催化活性而不使其下降、并且能够效率良好地制造包含一氧化碳和氢的合成气体的合成气体制造用催化剂结构体等。合成气体制造用催化剂结构体是在制造包含一氧化碳和氢的合成气体时使用的合成气体制造用催化剂结构体(1)，所述合成气体制造用催化剂结构体(1)具备由沸石型化合物构成的多孔质结构的载体(10)和存在于前述载体(10)内的至少1种催化剂物质(20)，前述载体(10)具有相互连通的通道(11)，前述载体(10)的长边尺寸L相对于厚度尺寸d之比(L/d比)为5.0以上，前述催化剂物质(20)存在于前述载体(10)的至少前述通道(11)中。

摘要： 本发明的目的是提供一种能够通过简单的结构来防止反应生成物附着到清洗处理炉内的半导体制造装置部件的清洗装置，并且提供一种半导体制造装置部件的清洗装置(1)，具备用于收容半导体制造装置部件(10)的清洗处理炉(2)、加热装置(3)、气体导入管(4)、气体排出管(5)、减压装置(6)、第一温度控制装置(7)、第二温度控制装置(8)及吹扫气体供给机构(9)。

摘要： 本发明的课题是提供一种烧结磁体制造用模具，该烧结磁体制造用模具能够提高合金粉末的填充密度的均匀性，同时，内部容易清扫，并且，合金粉末难以咬入盖和模腔之间的间隙。主体(11)具有：从主体面(110A)起设置到主体(11)的内部的主体模腔(111)，该主体模腔(111)由长方体状的上部模腔(111A)和与上部模腔(111A)的下部相连接的向下凸出的作为圆筒形状的一部分的下部模腔(111B)构成；作为圆筒形状的一部分的侧模腔(112)，其在上部模腔(111A)的在主体面(110A)上的开口的、作为所述圆筒的一部分的轴向的两外部分别从主体面(110A)起设置到内部，具有与下部模腔(111B)的作为圆筒的一部分的轴线平行的轴线。盖(12)具有与主体面(110A)对应的基础面(110A)和从该基础面(110A)与两个侧模腔(112)以及连接这两个侧模腔(112)的圆筒形状的一部分的假想模腔对应地突出的凸肋(122)。

摘要： 一种半导体制造装置用温度调整装置(3)，为了调整在半导体制造装置中使用的流体的温度而具备热交换部(7)，所述热交换部(7)在内部具有对流体进行加热冷却的温度调整部件(72)，所述热交换部(7)在所流入的流体以及温度调整部件(72)之间进行热交换，所述半导体制造装置用温度调整装置(3)具备：PID常数运算部件(85)，基于流体的物理特性值、以及用于测定流体的温度的温度传感器(6)的时间常数，运算PID控制用的PID常数；以及PID控制运算部件(86)，基于由PID常数运算部件(85)运算出的PID常数，进行所述温度调整部件的PID控制。

摘要： 本发明提供能够在基板上的期望位置制造晶体的晶体制造装置。弹簧(2)具有固定在支架(1)上的一端和连接至磁性体(3)的另一端。所述磁性体(3)具有连接至所述弹簧的一端和连接至活塞(6)的另一端。线圈(4)围绕磁性体(3)缠绕并且在电源回路(5)和接地节点(GND)之间电连接。活塞(6)具有插入圆筒(7)的直线构件(61)。圆筒(7)具有中空柱形和在底面(7B)上的小孔(71)。所述圆筒(7)保持硅熔体(13)。基板(11)由XY平台(12)支持以相对于所述圆筒(7)的所述小孔(71)。所述电源回路(5)传送脉冲状电流通过线圈(4)以朝上下方向(DR1)移动所述活塞(6)。结果，液滴(14)以初始速度为1.02m/s从所述小孔(71)向所述基板(11)排出。