工艺发展

摘要： 文章以司马煤业公司煤巷综掘工作面施工工艺为研究对象,详细探讨、辨识了现有施工工艺的缺点及风险,提出了有效的工艺优化措施,确保了掘进时的施工作业安全,同时实现了降本增效,为同类型煤巷综掘工艺优化提供了依据和参考。

摘要： 陶瓷是中国工艺美术和非物质文化遗产最典型的代表,也是我国文化传承领域最璀璨的明珠之一,其发展历史贯穿了中国历朝历代。在我国,陶瓷工艺不仅具有极强的实用性,同时制作精良,工艺精湛,具有极高的艺术欣赏价值和文化参考价值,这和历代陶瓷匠人对工艺和技术的不断研究息息相关。阐述了陶瓷艺术的历史沿革,并对古代陶瓷工艺的发展历程进行了细致分析。

摘要： 在高温高压的环境状态下,通过催化剂作用可以让氢气和氮气发生化学反应,并生成相应的产物,也即合成氨.中国的合成氨催化技术在经过多年的探索后已经得到了一定程度的发展,该项技术产物已经被广泛运用于农业生产实践之中,且其产物多通过化学肥料的形式展现.中国自古以来便是农业大国,也因此对合成氨的产量提出了很高的要求.为此,要求中国积极展开对于合成氨催化工艺的探索.文章将对此展开研究,明确其工艺发展的未来趋势.

摘要： 随着机械工业的发展,当前机械精细化加工处理技术越来越重要,并成为衡量一个国家工业水平高低的重要标准。在此背景下,我国越来越重视精密机械加工工艺水平的提升。文章主要介绍了精密机械加工技术的发展概况以及精密机械加工的具体工艺类型,分析了影响精密机械加工的因素以及未来精密机械加工的发展趋势。

摘要： 建筑护栏作为建筑物中非结构构件广泛存在,护栏虽然不承担建筑物承载与抗震,但它却是直接与人接触,是隔离危险重要设施。在我国现行建筑设计规范中,对建筑物中应设护栏部位都有明确要求,对护栏高度、间隙距离都做了明确要求。各规范中对护栏承载能力都已强条出现,但在现有护栏施工及使用过程中相关事故却不断,并造成了严重的后果。金属基层厚度和防腐层厚度是评价护栏用波纹钢梁质量的关键指标,尤其是双防腐层。本文提出的试验方法简便、准确、可靠,已在工程实践中得到验证。

摘要： 利用我国"富煤少油"的优势,加快煤炭的深度、清洁和高效利用,大力发展非石油烯烃工业,成为我国应对能源危机、保证石油工业实现可持续发展的重要途径.介绍了煤制烯烃的两条主要工艺路线,以及目前国内外开发的有代表性的煤制烯烃技术,以及我国煤制烯烃的技术发展现状.

摘要： 传统装修在建筑产品质量、建造效率与运维等方面弊端明显。自2016年以来,国家出台一系列政策鼓励发展建筑工业化和装配化装修,诸多建筑企业逐步将装配化装修作为发展重点,而在装配化装修中,部品部件的工艺研发与设计贯穿整个建筑装修全寿命周期,可见其重要性。本文分析装配化装修全流程,并浅析工艺研发与设计,对柯利达集团的工艺研发及项目案例进行简述,探讨装配化装修工艺发展趋势。

摘要： 建筑护栏作为建筑物中非结构构件广泛存在,护栏虽然不承担建筑物承载与抗震,但它却是直接与人接触,是隔离危险重要设施.在我国现行建筑设计规范中,对建筑物中应设护栏部位都有明确要求,对护栏高度、间隙距离都做了明确要求.各规范中对护栏承载能力都已强条出现,但在现有护栏施工及使用过程中相关事故却不断,并造成了严重的后果.金属基层厚度和防腐层厚度是评价护栏用波纹钢梁质量的关键指标,尤其是双防腐层.本文提出的试验方法简便、准确、可靠,已在工程实践中得到验证.

摘要： 随着我国社会经济水平的不断提升,可持续发展已成为我国企业发展和国民生态的重点关注内容.与此同时,绿色化学的发展也逐渐成为我国化学工艺发展的关键,绿色化学工艺能够有效的规范各种化学生产行为,以此来降低污染的排放.本文主要通过论述绿色化学的相关概述含义,了解气开发与应用的内容,并对绿色化学工艺发展的内容进行深入了解.

摘要： 随着机械工业的发展,当前机械精细化加工处理技术越来越重要,并成为衡量一个国家工业水平高低的重要标准.在此背景下,我国越来越重视精密机械加工工艺水平的提升.文章主要介绍了精密机械加工技术的发展概况以及精密机械加工的具体工艺类型,分析了影响精密机械加工的因素以及未来精密机械加工的发展趋势.

摘要： 我国是煤层气资源大国,但我国的煤层气地面开发尚处于起步阶段,煤层气地面集输工艺还不太成熟.本文概括了国内外煤层气地面集输工艺的发展现状,对国内已经建成的煤层气地面集输工程进行对比,简要分析煤层气集输技术及当前需要解决的问题。

摘要： 本发明提供一种半导体工艺设备中的工艺腔室及半导体工艺设备，其中，工艺腔室包括腔室本体和腔室盖，腔室盖用于密封腔室本体，腔室盖包括盖体组件和支撑组件，盖体组件与腔室本体可转动地连接，且盖本组件可相对于腔室本体升降；支撑组件与盖体组件连接，用于在盖体组件朝腔室本体转动的过程中支撑盖体组件，阻止盖体组件与腔室本体接触，使盖体组件与腔室本体之间存在间隙，且在盖体组件与腔室本体相对的两个面平行后，停止支撑盖体组件，使盖体组件与腔室本体接触。本发明提供的半导体工艺设备中的工艺腔室及半导体工艺设备，能够避免密封部件的磨损，从而提高密封部件的寿命，延长维护周期，并能够便于腔室盖的关闭。

摘要： 本发明公开了一种半导体工艺设备的工艺腔室及半导体工艺设备，其中，工艺腔室内设有可升降的基座，基座中设有多个支撑针；基座上设有多个贯穿基座上下表面的针孔，针孔的顶端设有密封凹槽，基座的下表面设有与多个针孔一一对应的挡环；支撑针的顶端设有密封头，密封头的形状与密封凹槽匹配，支撑针的底端设有定位块，定位块与挡环之间套设有处于压缩状态的弹性件，基座上升至工艺位时，密封头与密封凹槽密封配合；工艺腔室的底壁上设有定位板，定位板的上表面设有形状与定位块匹配的第一定位部，基座下降至传输位时，定位块与第一定位部定位配合，支撑针从基座上表面伸出。本发明可以减少支撑针的密封头与针孔密封凹槽处漏气，提升工艺效果。

摘要： 印刷具有临界尺寸(CD)的特征的光刻工艺中，使用整体性能表征参数(Cpk)和分析模型确定提供最佳工艺窗口的最佳工艺变量(E、F、W)设定，该模型以例如曝光剂量(E)和聚焦(F)的工艺参数的函数描述CD数据。这允许计算CD统计分布(CDd)的平均值(μCD)和方差(σCD)，并可确定最大Cpk值以及相关工艺参数的值，这些值提供优化的工艺窗口。

摘要： 一种光电模块被配置成配合在隐形眼镜片的前表面和后表面之间。光电模块可以包括多个光源，该多个光源被配置成将多个光束引导到视网膜的远离中央凹的区域，并且在一些实施例中该区域远离黄斑。多个光源中的每一个可以包括LED和一个或更多个投影光学器件。在将光电模块放置在隐形眼镜片材料层上之前，每个投影光学器件可以用粘合剂耦合到LED。光电模块可以包括柔性PCB，其中该多个光源、天线、电池、电容器和处理器支撑在该柔性PCB上。

摘要： 本发明公开了一种多腔室工艺设备，通过预先对第一腔体及第二腔体施予工艺气体及射频，分别找出第一初始射频供应时间曲线与气源供应时间曲线间的第一时间差及第二初始射频供应时间曲线与气源供应时间曲线间的第二时间差，再通过第一时间差与第二时间差反馈校正，进而使本发明多腔室工艺设备的第一射频产生单元、第二射频产生单元与气源单元均会同步关闭。因此，本发明多腔室工艺设备的第一腔室所沉积的第一基材与第二腔室所沉积的第二基材品质较为均匀。

摘要： 本发明提供异丙醇脱水反应的方法，及包括此方法的异丙醇脱水制丙烯的工艺方法、丙酮制丙烯的工艺方法和工艺系统，是向异丙醇脱水反应过程中加入反应促进剂，所述反应促进剂为醇与水的混合物。其中所述醇与水的混合物优选为异丙醇脱水产物吸收分离过程中的吸收剂吸收反应后的共沸物，一方面能够对异丙醇反应流出物进行冷凝冷却的同时，还能够有效吸收粗丙烯中的水溶性物质，且能够将精馏共沸物循环利用，在此过程中既没有额外引入其它物质，也没有外排有机物杂质，还对于反应过程和产品纯度起到了促进和改善作用。

摘要： 本发明提供一种应用于半导体工艺设备的工艺腔室，包括传输腔和位于传输腔上方的多个反应腔，多个反应腔均通过底部开口与传输腔连通，工艺腔室中的多个基座可在反应腔与传输腔之间升降，还包括设置在传输腔底壁上的传输机构和承载机构，传输机构用于将晶圆由工艺腔室外部转移至承载机构或多个基座上，以及将多个基座上的晶圆传出工艺腔室，承载机构用于承载多片晶圆，并在传输机构取走多个基座上的晶圆后，将其所承载的多片晶圆转移至多个基座上。在本发明中，传输机构能够先将下一批晶圆传输至承载机构上，承载机构在半导体工艺结束后将其承载的晶圆转移至基座上，节约了晶圆传输时间。本发明还提供一种半导体工艺设备和半导体工艺方法。

摘要： 本发明提供一种能够搜索最佳的培养条件的细胞培养工艺搜索方法、细胞培养工艺搜索程序及细胞培养工艺搜索装置。本发明的细胞培养工艺搜索方法具有：工艺条件产生工序，产生培养细胞的多个工艺条件；培养结果预测工序，对于工艺条件产生工序中所产生的所述多个工艺条件中的每一个，获取细胞的培养预测结果；及最佳化工艺条件获取工序，从在培养结果预测工序中所获得的培养预测结果，发现最佳的工艺条件。并且，本发明为执行的细胞培养工艺搜索程序及细胞培养工艺搜索装置。工艺条件包含多个培养基组成及多个培养条件中的至少任一个。

摘要： 本发明公开了一种工艺腔室、半导体工艺设备及工艺方法，该工艺腔室包括：腔体，沿腔体的内壁周向环绕设置有环形的内衬组件，内衬组件的内环侧设有沉积阻挡环，腔体的底部设有用于承载待加工基片且可升降的基座；内衬组件上沿内衬组件的周向设有多个贯穿内衬组件侧壁的第一开孔；沉积阻挡环上沿沉积阻挡环的周向设有多个贯穿沉积阻挡环侧壁的第二开孔；腔体的内侧壁上沿腔体的周向设有与多个第一开孔相对的加热灯组件；当基座带动沉积阻挡环上升至第一工艺位时，第二开孔与第一开孔相互错开；当基座带动沉积阻挡环上升至第二工艺位时，第二开孔与第一开孔至少部分重叠，且第二工艺位高于第一工艺位。本发明能够消除回流工艺中的滑片与碎片风险。

摘要： 本发明公开了一种半导体工艺设备工艺腔室中的卡盘组件及半导体工艺设备，其中卡盘组件包括：卡盘，卡盘用于承载晶圆；盖板，盖板设置于卡盘的外周，卡盘承载有晶圆时，盖板的上表面不高于晶圆的上表面，并且盖板的上表面具有多个凹陷；多个可翻转部件，分别设置于多个凹陷中；可翻转部件可在凹陷中翻转，可翻转部件处于非翻起状态时，可翻转部件的上表面不高于晶圆的上表面；可翻转部件处于翻起状态时，可翻转部件的顶面高于晶圆的上表面，以限制晶圆的移动；驱动机构，驱动机构用于驱动可翻转部件翻转。本发明能够减小边缘刻蚀倾斜效应，解决了晶圆边缘对称性差的问题，提高了产品良率。