工艺与设备

摘要： 对环境构成严重威胁的有机固体废弃物可以通过好氧堆肥技术处理利用,但由于有机废物产生速度快、废物成分复杂等原因,需要在传统堆肥技术基础上对工艺和设备进行优化改进。研究重点关注好氧堆肥工艺和设备的革新,工艺上主要依靠外援辅助及调节堆肥进程生化反应,加强堆肥进程中微生物、功能酶的丰富性和多样性,抑制产气反应,防止营养元素流失、臭气产生的同时达到缩短堆肥周期、提高堆肥腐熟度的目的。设备方面提高堆肥进程中机械化、自动化水平以温度、水分及氧气等监控指标,进行实时调节,以保证堆肥过程的稳定性,提高堆肥质量。结合好氧堆肥实际应用情况,提出好氧堆肥技术检测手段仍需改进,未来应加大对堆肥产品的推广与使用。

摘要： 机械制造业的发展,极大程度上提高了社会生产力水平,使人民群众的物质与文化生活朝着更高的水平发展。近年来机械制造业也在不断发展,机械制造工艺与设备在不断升级。从人工到自动化,从效率低到效率高,显著提升了机械制造工艺与设备的水平。本文从机械制造工艺与设备的应用现状着眼,分析其特点,最后对应用发展提出建议与思考。

摘要： 中厚板通常应用在性能要求较高的地方,而热处理工艺是确保中厚板高性能的重要技术手段.因社会工业发展的需要,中厚板轧制生产线也在增多,或进行了技术改进,或是新建生产线,使得中厚板生产产量过多,并且因不同企业技术工艺水平不一,导致市面上的中厚板产品质量不一.近年来,国内中厚板加工处理工艺技术水平有了较大的提升,并且热处理设备也有了较大的技术改进.文章将对中厚板热处理工艺以及热处理设备的发展趋势进行探析.

摘要： 中厚板通常应用在性能要求较高的地方,而热处理工艺是确保中厚板高性能的重要技术手段。因社会工业发展的需要,中厚板轧制生产线也在增多,或进行了技术改进,或是新建生产线,使得中厚板生产产量过多,并且因不同企业技术工艺水平不一,导致市面上的中厚板产品质量不一。近年来,国内中厚板加工处理工艺技术水平有了较大的提升,并且热处理设备也有了较大的技术改进。文章将对中厚板热处理工艺以及热处理设备的发展趋势进行探析。

摘要： CO_(2)施肥是大规模连栋温室番茄长季节栽培不可或缺的生产条件之一。虽然温室生产中CO_(2)施肥的方式有多种,包括增施有机肥、燃烧油气、化学物质反应以及开窗通风等[1],但目前中国建设生产番茄的大规模连栋温室中大量使用且经济有效的CO_(2)施肥方式还是采用以天然气为燃料的锅炉热气联供模式[2]。

摘要： 中国汽车工程学会汽车材料分会拟于2021年10月,召开2021年全国发动机曲轴及材料强度研讨会,会议优秀论文将推荐至《汽车工艺与材料》期刊发表。现将会议征文的有关事项通知如下:1征文范围和内容a.材料与零部件强度试验分析技术;b.汽车材料及零部件强度试验新方法;c.新材料的应用与毛坯生产技术;d.发动机曲轴制造工艺与设备、强化工艺及装备;e.发动机曲轴的强度与可靠性。

摘要： 中国汽车工程学会汽车材料分会拟于2021年10月,召开2021年全国发动机曲轴及材料强度研讨会,会议优秀论文将推荐至《汽车工艺与材料》期刊发表。现将会议征文的有关事项通知如下:1征文范围和内容a.材料与零部件强度试验分析技术;b.汽车材料及零部件强度试验新方法;c.新材料的应用与毛坯生产技术;d.发动机曲轴制造工艺与设备、强化工艺及装备;e.发动机曲轴的强度与可靠性;f.曲轴的测量与无损检测技术;g.强度的有限元计算;h.其它。

摘要： 对我国建国以来选煤发展进行了回顾,对选煤工艺、设备发展成果进行了总结.结合我国选煤技术发展已经达到国际先进水平的实际,为了使现有选煤技术向着更加完美的方向发展,从选煤厂系统运行、炼焦煤选煤工艺优化等方面提出一些新思考,供同行在设计和生产管理中参考.

摘要： 本发明提供一种半导体工艺设备中的工艺腔室及半导体工艺设备，其中，工艺腔室包括腔室本体和腔室盖，腔室盖用于密封腔室本体，腔室盖包括盖体组件和支撑组件，盖体组件与腔室本体可转动地连接，且盖本组件可相对于腔室本体升降；支撑组件与盖体组件连接，用于在盖体组件朝腔室本体转动的过程中支撑盖体组件，阻止盖体组件与腔室本体接触，使盖体组件与腔室本体之间存在间隙，且在盖体组件与腔室本体相对的两个面平行后，停止支撑盖体组件，使盖体组件与腔室本体接触。本发明提供的半导体工艺设备中的工艺腔室及半导体工艺设备，能够避免密封部件的磨损，从而提高密封部件的寿命，延长维护周期，并能够便于腔室盖的关闭。

摘要： 本发明公开了一种半导体工艺设备的工艺腔室及半导体工艺设备，其中，工艺腔室内设有可升降的基座，基座中设有多个支撑针；基座上设有多个贯穿基座上下表面的针孔，针孔的顶端设有密封凹槽，基座的下表面设有与多个针孔一一对应的挡环；支撑针的顶端设有密封头，密封头的形状与密封凹槽匹配，支撑针的底端设有定位块，定位块与挡环之间套设有处于压缩状态的弹性件，基座上升至工艺位时，密封头与密封凹槽密封配合；工艺腔室的底壁上设有定位板，定位板的上表面设有形状与定位块匹配的第一定位部，基座下降至传输位时，定位块与第一定位部定位配合，支撑针从基座上表面伸出。本发明可以减少支撑针的密封头与针孔密封凹槽处漏气，提升工艺效果。

摘要： 本发明涉及一种用于对工艺设备中的工艺空气进行除尘的过滤器(10)。该过滤器(10)具有承载体(11)，围绕其外侧铺设一种布状织物过滤介质(48)。建议将支撑体(11)设计成竖直的波浪形褶皱板(12)，围绕其铺设布状过滤材料(48)。

摘要： 本发明公开了一种半导体工艺设备的工艺腔室及半导体工艺设备，其中，工艺腔室内设有可升降的基座，基座中设有多个支撑针；基座上设有多个贯穿基座上下表面的针孔，针孔的顶端设有密封凹槽，基座的下表面设有与多个针孔一一对应的挡环；支撑针的顶端设有密封头，密封头的形状与密封凹槽匹配，支撑针的底端设有定位块，定位块与挡环之间套设有处于压缩状态的弹性件，基座上升至工艺位时，密封头与密封凹槽密封配合；工艺腔室的底壁上设有定位板，定位板的上表面设有形状与定位块匹配的第一定位部，基座下降至传输位时，定位块与第一定位部定位配合，支撑针从基座上表面伸出。本发明可以减少支撑针的密封头与针孔密封凹槽处漏气，提升工艺效果。

摘要： 本发明提供一种半导体工艺设备中的工艺腔室及半导体工艺设备，其中，工艺腔室包括腔室本体和腔室盖，腔室盖用于密封腔室本体，腔室盖包括盖体组件和支撑组件，盖体组件与腔室本体可转动地连接，且盖本组件可相对于腔室本体升降；支撑组件与盖体组件连接，用于在盖体组件朝腔室本体转动的过程中支撑盖体组件，阻止盖体组件与腔室本体接触，使盖体组件与腔室本体之间存在间隙，且在盖体组件与腔室本体相对的两个面平行后，停止支撑盖体组件，使盖体组件与腔室本体接触。本发明提供的半导体工艺设备中的工艺腔室及半导体工艺设备，能够避免密封部件的磨损，从而提高密封部件的寿命，延长维护周期，并能够便于腔室盖的关闭。

摘要： 本发明提供一种半导体工艺设备的工艺腔室及半导体工艺设备，其中，工艺腔室中设置有用于承载晶圆的承载部件，承载部件上设置有挡环组件，挡环组件与承载部件配合形成能够将气体导流至晶圆的边缘的吹扫气道，挡环组件包括第一环体、第二环体和缓冲部件，第一环体环绕承载部件设置，且第一环体与承载部件之间具有间隙，第一环体上设置有定位槽，第二环体的底部设置有定位部，定位部与定位槽可分离的插接，第二环体遮挡间隙，形成吹扫气道，缓冲部件设置在定位部与定位槽相对的表面之间，用于对定位部与定位槽之间相对的作用力进行缓冲。本发明提供的技术方案能够避免挡环组件的损坏，提高设备使用的稳定性和安全性。

摘要： 本发明涉及一种用于对工艺设备中的工艺空气进行除尘的过滤器(10)。该过滤器(10)具有承载体(11)，围绕其外侧铺设一种布状织物过滤介质(48)。建议将支撑体(11)设计成竖直的波浪形褶皱板(12)，围绕其铺设布状过滤材料(48)。

摘要： 本发明公开了一种半导体工艺设备用排水装置和半导体工艺设备，包括集水盒和排水机构，其中：排水机构包括缸体、活塞、第一单向阀和第二单向阀，活塞滑动地设于缸体内，活塞与缸体可形成暂存空间，集水盒通过进水管与暂存空间连通，第一单向阀设于进水管，缸体设有排水管，第二单向阀设于排水管；在活塞沿第一方向移动的情况下，第一单向阀打开，第二单向阀关闭；在活塞沿第二方向移动的情况下，活塞挤压暂存空间，以通过暂存空间内的水驱使第一单向阀关闭，第二单向阀打开，第一方向和第二方向相反。上述方案可以解决集水盒在排水时，集水盒内的压力存在不稳定的问题。

摘要： 本发明实施例提供了一种半导体工艺设备检测方法和半导体工艺设备，应用于半导体装备技术领域，该方法包括：响应于第一检测指令，获取至少一个互锁条目，获取与互锁条目中的组件标识对应的目标功能组件的当前组件状态，在目标功能组件的当前组件状态与目标组件状态不匹配的情况下，输出指示互锁条件不满足的第一提示信息。通过对半导体工艺设备中存在互锁关系的多个功能组件的组件状态进行检测，可以快速确定互锁条件不满足的功能组件，便于用户对功能组件的状态进行调整，可以避免在安装和维护过程中反复调整功能组件的状态，从而可以缩短安装和维护时间。

摘要： 本发明公开了一种半导体工艺设备工艺腔室中的卡盘组件及半导体工艺设备，其中卡盘组件包括：卡盘，卡盘用于承载晶圆；盖板，盖板设置于卡盘的外周，卡盘承载有晶圆时，盖板的上表面不高于晶圆的上表面，并且盖板的上表面具有多个凹陷；多个可翻转部件，分别设置于多个凹陷中；可翻转部件可在凹陷中翻转，可翻转部件处于非翻起状态时，可翻转部件的上表面不高于晶圆的上表面；可翻转部件处于翻起状态时，可翻转部件的顶面高于晶圆的上表面，以限制晶圆的移动；驱动机构，驱动机构用于驱动可翻转部件翻转。本发明能够减小边缘刻蚀倾斜效应，解决了晶圆边缘对称性差的问题，提高了产品良率。