屏蔽效应

摘要： 日常生活中,将食盐加入到胶体蛋白质溶液中会出现聚沉现象.本文基于球形胶粒模型,运用静电学的泊松方程以及玻尔兹曼分布定律讨论蛋白分子的聚沉现象.通过挖掘生活现象中的物理思想,不仅加深学生对物理学定律的理解,培养解决实际问题的能力,而且提升教学的效果.

摘要： 针对目前热门的固着双液滴蒸发的实验研究,采用有限元方法建立了二维固着双液滴蒸发模型,并将模拟结果与实验进行比较,模拟了不同液滴分离度及液滴接触角情况下的固着双液滴蒸发过程。结果表明:双液滴的初始间距越小,对液滴之间的蒸发抑制越强烈,且单侧液滴呈现非对称状态,其靠近对称中心的一侧受蒸发抑制明显,而另一侧影响较小,并且随着蒸发的进行,液滴间的抑制作用逐渐下降;不同接触角对固着双液滴蒸发也有影响,接触角越大,对固着双液滴的蒸发抑制越明显。

摘要： 针对缝洞型油藏出水规律不明确的问题,结合塔河油田缝洞型油藏储集体特征设计制作了单向连通缝洞储集体与多向连通缝洞储集体两种可视化物理模型,并借助基于微观可视化技术的缝洞型油藏微观驱替可视化装置,从微观上探究了缝洞型油藏微观驱替规律.结果表明,裂缝中,水相主要"优宽"驱进,并会在水流优势通道形成后对非优势通道产生"屏蔽效应".从驱替形态与效果来看,水驱油方式可分为"活塞式"驱替与"非活塞式"驱替两种.当裂缝中的水相进入大溶洞,一定条件下大溶洞内的油相可"逆流"进入裂缝,导致油水两相"卡断"、"互驱".当水相进入大溶洞后,一般会先向洞底移动、汇聚,之后以"类活塞"的形式纵向驱替上方原油.驱替结束,剩余油除油膜外,还包括储集体顶部的楼顶油、大溶洞顶部未被完全驱出的洞顶油以及裂缝中的缝间油等.该研究对理解缝洞型油藏底水抬升过程、油藏出水规律以及指导油井堵水、剩余油挖潜等均有积极意义.

摘要： 基于多导线的Agrawal场-线耦合模型,采用"两步走"方法,从理论层面研究了屏蔽线和三相线路的空间结构变化对耦合电压峰值的影响.笔者从两个方面进行讨论:1)屏蔽线的高度对耦合电压的影响,其他条件不变,发现屏蔽线越高,相线受到的屏蔽效应呈现先增大后减小的趋势.线路结构两边的两根相线在屏蔽线高度为17.05 m时,屏蔽效应达到最大;但对中间的一根相线而言,屏蔽线高度为12.05 m时,屏蔽效应最大.2)保持屏蔽线和三相线的高度不变,通过改变三相线的水平距离(屏蔽线的水平间距也随之改变),分析线路空间结构的变化对耦合电压的影响.对位于两边的两根相线而言,水平间距从1.7 m增加至5.7 m时,屏蔽效应逐渐减小.对中间的一根相线而言,水平间距从1.7 m增加到2.7 m时,屏蔽效应逐渐增大,但当水平间距继续增加至5.7 m时,屏蔽效应逐渐减小.

摘要： 基于纳米尖阵列的场致发射放电结构是微纳电离式器件的核心,能有效降低放电电压,但同时也决定该放电结构的放电电流较小难以被精确感知.对纳米尖阵列电极的电场屏蔽效应和有效发射面积的优化,是提高放电强度的有效方法,对此,利用有限元方法对N2-O2空间的动态电场进行数值模拟,对纳米尖阵列在不同间距下的放电过程进行仿真计算.计算发现:在纳米尖阵列中,随着纳米尖间距的增加,尖端间的屏蔽效应逐渐减弱,最终趋于各尖端独立放电的情况;并通过不同间距下尖端动态放电过程中的电子密度分布情况,对屏蔽效应进行进一步验证和说明;最后,通过探究屏蔽效应与发射面积间耦合关系对放电电流的影响,发现在纳米尖阵列中,尖端间距与尖端高度之间存在最佳比例,使纳米尖阵列的放电电流最大.研究揭示常压微电晕放电阵列电极屏蔽效应与发射面积的耦合机理,可用于调控微纳场致发射电离器件的放电效应,进而为此类器件输出性能优化提供一定的理论指导.

摘要： 卢瑟福散射公式在大角度散射时其理论值与实验值吻合得很好,但在小角度散射时,却发现卢瑟福散射公式已经失效.一些研究者对此问题给出了不同的回答,其中认为忽略核外电子屏蔽效应是主要的原因.通过相关理论推算、建立模型以及数据验证,给出了一种回答,即卢瑟福散射公式在小角度散射时失效的主要原因是入射粒子单次散射的假设不成立.

摘要： 纳米材料在纳米尺度展现出的特殊性质,相较于宏观尺度材料表现出众多优异特性,在力学、声学、光学、磁学、电学、热学等各种领域具有良好的应用前景.纳米材料的仿生自组装技术模拟活体生命活动,使纳米材料基于非共价键的相互作用,自发形成稳定结构,现已成为制备纳米材料的主要方法之一.仿生自组装技术是"自上而下"方法中的重要技术手段,这种合成方式有望代替传统的"自上而下"加工技术,实现单个原子或分子在纳米尺度上构造特定结构和功能的器件.另外,仿生自组装技术虽然以化学过程为主,但又有物理过程,并且结合了"仿生学"的优点,具有定向构造纳米材料的特点,是众多交叉学科的热门研究手段.本文重点介绍了纳米材料在形貌和性能调控中不同的仿生自组装合成策略,包括屏蔽效应的位相选择自组装、双相界面协同效应的仿生自组装、场诱导定位效应的功能器件一体化制备、光诱导自组装以及羟基氢键驱动的分相自组装,总结了仿生自组装纳米材料的特性,归纳了自组装技术在传感器、表面拉曼散射、生物医疗等领域的应用,并对纳米材料仿生自组装技术的发展前景进行了展望.

摘要： cqvip:专利公开号:CN113416803A申请人:江苏华晟国联科技有限公司摘要:本发明涉及一种石墨烯增强光稳定两性丙烯酸皮革复鞣剂及其制备方法,将氧化石墨烯、丙烯酸与苯并三唑类紫外线吸收剂有机结合形成新型改性丙烯酸单体,后采用自由基乳液聚合一锅法获得石墨烯增强光稳定丙烯酸皮革复鞣剂。本发明利用无机石墨烯片层屏蔽效应与小尺寸填充特性,由于坯革渗透效率高,可显著提升材料的光稳定效率,减少紫外线对皮革的老化侵袭;同时实现阴阳离子两性聚合物的结构,增加了多个反应位点,增强了丙烯酸复鞣剂与金属离子的结合能力,可有效提高皮革表面的着色力和改善“败色”现象。该复鞣剂复鞣之后的皮革经1800 h以上人工加速老化后表面仍无变化,断裂伸长率可显著提升50%以上,且环保无污染,应用前景广阔。

摘要： 地质(矿化)连续性评价是矿产勘查和资源储量估算的基础.块金效应为变异函数中块金值与基台值的比值,可以用来刻画地质变量空间结构的变异性,并且对品位估值有重要影响.然而,实际操作过程中,对变异函数的拟合与块金效应的地质解释却显得主观随意.在整合前人研究的基础上,重点探讨影响变异函数块金效应确定的主要因素,系统阐述块金效应对地质(矿化)连续性的指示作用及其对克里格和距离幂次反比等品位估值的影响.本研究对于提升矿产勘查评价和资源储量估算的可靠程度有着现实意义.

摘要： 交通设施建设水平直接影响着一国对外贸易的发展。交通设施建设中最具代表性的铁路和航空业在对外贸易中无疑起着重要的作用。文章基于McCallum引力模型,以俄罗斯、印度等8个与中国相邻的国家作为样本,选取了2008—2017年中国与这8个国家的贸易数据,引入铁路总里程和航空货运量两个变量,建立相应的计量模型。结果显示:航空货运量的边界屏蔽效应强度不仅没有明显下降,反而略有上升;铁路总里程能够在很大程度上减弱中国对周边国家出口贸易的边界屏蔽效应。

摘要： 发动机风扇噪声是目前民用客机的主要噪声源,由于客机机身屏蔽效应的影响,发动机风扇噪声在某些传播方向上的辐射噪声将会得到极大的减小,目前的BWB客机正是通过机身的屏蔽效应来实现低噪声的适航要求,研究风扇噪声的机身屏蔽效应不仅对BWB客机的降噪设计具有重大意义,对于现今的普通客机,机身屏蔽效应也具有重要的研究意义.本文使用小尺寸的缩比模型来进行BWB客机屏蔽效应的模拟实验,通过小尺寸管道风扇模型来模拟风扇噪声,风扇的设计转速为57000r/min;使用一块平板来模拟机身的影响,平板具有与BWB客机机身相似的几何轮廓.实验设计时要求风扇噪声的波长与机身的尺寸之比与真实情况一致、风扇噪声的指向性与真实情况一致.实验对风扇噪声的声场进行了有屏蔽和无屏蔽两种情况的测量,声场测量包括单点测量,周向指向性测量和风扇轴线所在垂直平面指向性测量.实验结果表明屏蔽效应对风扇噪声的高频部分有较大的影响,在高频区域能有10dB的噪声降低,并且对风扇轴线所在垂直平面的指向性有较大的影响.

摘要： 集成电路进入到纳米时代,微处理器的软错误问题越来越严重.地面应用的商用微处理器难以像工作在恶劣环境中的系统那样采取激进的保护措施,需要在性能,功耗和可靠性之间取得平衡.新出现的3D集成电路具有芯片间屏蔽效应,能够降低内层电路的软错误率.本文分析了微处理器软错误率,基于3D集成技术,将微处理器的不同功能部件放置在受软错误影响较小的内层电路,以此来降低芯片整体的软错误率;通过量化分析可知,对于四种基于存储电路的功能部件,软错误率最大下降程度为41％.实验分析表明,该方法在最大限度利用现有设计资源的前提下提高了芯片的抗软错误能力.

摘要： 为研究纳秒激光烧蚀金属工质的推进性能,在约40Pa的背景压力下,采用波长为532nm和1064nm,脉宽为8ns和15ns的Nd∶YAG激光器对金属Al、Fe、Ni、Y进行烧蚀实验,研究了不同激光参数下金属的烧蚀量、比冲、冲量耦合系数和激光能量利用率.研究结果表明,金属的烧蚀量受激光吸收率和金属熔沸点的制约,Fe的烧蚀量最大,Y的烧蚀量最小;高功率密度下(＞2.71×1010W/cm2),Y的烧蚀比冲和激光能量效率最大,而Fe的烧蚀比冲和激光能量效率最小.基于基态原子激发形成等离子体的机制和等离子体对入射激光的屏蔽效应分析了不同金属烧蚀特性变化的原因.研究结果对金属工质靶的选取有一定的参考意义.

摘要： 环糊精作为一种纳米尺寸的主体分子,一方面可以与尺寸匹配的疏水有机基团形成稳定的主客体准轮烷,同时也是优异的纳米组装单元.通过设计合成双头型阳离子表面活性剂与环糊精预组装为阳离子准轮烷,在此基础上,引入多金属氧簇组分并通过其与双头阳离子客体的静电组装,将环糊精分子封闭在多金属氧簇阴离子作为结点封端的超分子框架内.由于环糊精对客体分子间相互作用的屏蔽效应，得到的离子骨架组装体只在二维方向上延展。通过组装结构表征可知这种新型二维离子骨架很容易得到单层，层厚约1.4 nm。我们正在探索这种新型无机有机复合材料在粒子分离、催化、医药等领域的应用。

摘要： 本文将基体为马氏体相,夹杂为颗粒状奥氏体相的材料作为研究对象,研究了颗粒相变对于裂纹偏转的影响机理.首先,针对裂尖附近含有单个相变颗粒的模型,基于构型力理论,研究了相变对于裂纹的屏蔽效应,分析了不同参数如颗粒尺寸、颗粒位置等对于裂纹屏蔽效应及裂纹偏转的影响.其次,数值模拟了马氏体基体中随机嵌入多个圆形颗粒的几何模型,讨论了多颗粒相变时对复合材料的增韧机理.结果表明,复合材料中存在多颗粒相变时,受相变区影响,裂纹尖端的扩展趋势会发生偏转情况.

摘要： 为了探究在雷暴发生时建筑物周围电场畸变区域的规律,利用Integrated Engineering software电磁暂态仿真软件,模拟分析雷暴云及建筑物结构对周围电场畸变特征的影响.结果表明,当雷暴云过境时,群体建筑物遭受雷击的概率会减小,这主要是因为群体建筑物之间的屏蔽效应,改变了周围区域的电场畸变程度,降低了产生上行先导的概率和遭受雷击的概率.对于单体建筑而言,当雷暴云过境时,建筑物周围电场畸变区域呈半球形状,电场的畸变程度与建筑物的高度呈线性相关,高度越高,畸变区域越大,将导致前方流注扩展的区域变大,从而增加了下行先导发生的概率,这也是越高的物体易遭受雷击的原因.

摘要： 本文采用风洞试验和数值模拟的方法,对多分裂导线风荷载体型系数变化规律进行了分析.根据试验和仿真结果,分析了风速、分裂间距、外径、风攻角、风向角对多分裂导线风荷载体型系数的影响,得出多分裂导线风荷载体型系数小于规程规定的结论,总结了多分裂导线风荷载体型系数随各种因素变化的规律.

摘要： 本文利用扩展有限元方法研究了主裂纹与微裂纹之间相互增强与屏蔽的作用机理.裂纹之间的相互作用通过归一化的应力强度因子来定量表征.本文系统研究了不同数量、排列、密度条件下的微裂纹群对主裂纹的诱导作用.对于单条微裂纹与主裂纹的相互作用,数值解与解析解的误差在3.51％以内.当主裂纹位于两排规则分布的微裂纹之间时,微裂纹对主裂纹的增强与屏蔽效应呈现出有趣的周期性.此外,需要特别指出的是,主裂纹应力强度因子的极小值仅仅取决于主裂纹裂尖附近的微裂纹,与其它位置的微裂纹无关;但是主裂纹应力强度因子的极大值则由整体微裂纹群的密度、分布等因素主导.基于上述规律,通过调整微裂纹群分布的几何参数,使主裂纹位于微裂纹群中时,始终处于被屏蔽状态,避免出现增强的情况,即使主裂纹达到“完全屏蔽状态”.数值计算结果可以对实验中观察到的微裂纹增韧现象给出定量描述,并且对于新型微结构材料的设计具有重要的参考价值.

摘要： 同塔六回输电线路杆塔高、引雷面积大,更易遭受雷击,110 kV线路绝缘水平相对较低,雷击线路引起跳闸的概率较大,研究220 kV同塔六回输电线路的耐雷性能有着重要的意义.本文采用EGM击距法,计算了110 kV同塔六回线路的绕击跳闸率,分析了导线间的屏蔽效应和地面倾角对线路绕击跳闸率的影响.利用电磁暂态软件EMTP-ATP,对110 kV同塔六回线路进行仿真.计算了110 kV电压等级同塔双回线路的反击跳闸率,分析了导线排列相序和接地电阻对线路反击跳闸率的影响.将同塔并架六回输电线路的雷击跳闸率与传统110 kV输电线路的雷击跳闸率作对比.

摘要： 采用垂直石墨烯为阴极进行场发射性质测试，结果表明生长在铜基底上的垂直石墨烯具有低的开启电场和闽值电场。为了提高一维纳米材料的场发射性质和改善屏蔽效应对其的影响，采用Mo网作为模板在Si(111)基底上得到由催化剂纳米粒子形成的图案，通过化学气相沉积方法制备出大面积、分布均匀图案化的碳化硼纳米线。B4C纳米线的平均直径约为30nm，长度为20μm，且纳米线的生长具有一定方向性。与未图案化的B4C纳米线的场发射性质相比，图案化后的BqC纳米线的开启电场明显降低，由未图案化的4.1V/μm.减小到2.7V/μm。表明图案化后，降低了纳米线之间的屏蔽效应，改善其场发射性质。使用B4C纳米结构薄膜作为阴极，制作为发光管原型器件，研究它们在不同电流密度的发射像，可以发现图案化B4C纳米线发光管器件显示出比较均匀的发射像，因此B4C纳米线是一个潜在的场发射纳米冷阴极材料。

摘要： 一种屏蔽栅沟槽场效应管制造方法及屏蔽栅沟槽场效应管，在制作屏蔽导体的过程中，沟槽侧壁以及外延上表面一直留存氧化层来保护外延层，当氧化层厚度因为制作屏蔽导体被蚀刻消耗后，再次沉积氧化层进行补充，补充后沟槽侧壁的氧化层厚度大于消耗之后的厚度，然后再继续制作屏蔽导体，据此消耗则补充的原则，结合场效应管电压需求进行仿真调试，得到对应电压需求的具有非渐变宽度屏蔽导体及非渐变厚度氧化层的场效应管。本发明提出的屏蔽栅沟槽场效应管结构能够实现较好的外延利用率，在与传统SGT具有相同崩溃电压的条件下，本发明同比可以实现更小的特征电阻，且本发明的结构能够在上下电极之间实现较小的Cgs电容。

摘要： 本发明提供一种热线屏蔽粒子、热线屏蔽微粒分散液、热线屏蔽膜、热线屏蔽玻璃、热线屏蔽分散体和热线屏蔽夹层透明基材。当其适用于窗材等结构时，发挥热线屏蔽的特性并且抑制皮肤灼热感的同时，能够使用透过该结构、该热线屏蔽膜或热线屏蔽玻璃、该分散体和夹层透明基材的近红外光的通信设备和摄像设备、传感器等。提供一种热线屏蔽微粒、热线屏蔽微粒分散液、热线屏蔽膜、热线屏蔽玻璃、热线屏蔽分散体和热线屏蔽夹层透明基材。其中，热线屏蔽微粒为具有热线屏蔽功能的复合钨氧化物微粒，仅计算该复合钨氧化物微粒对光的吸收得出可见光透射率为85％时，波长800～900nm的范围内的透射率的平均值为30％以上且60％以下，且波长1200～1500nm的范围内的透射率的平均值为20％以下，且波长2100nm的透射率为22％以下。

摘要： 提供一种热线屏蔽膜和制造它的方法，该膜能够显示出优异的光学特性和高的耐候性，该膜主要由聚乙烯醇缩醛树脂构成并且使用具有高热线屏蔽效果的复合钨氧化物微粒，该方法包括：第一步，通过将由通式MyWOz表示并且具有六方晶晶体结构的复合钨氧化物微粒，和分散剂分散到沸点为120摄氏度或更低的有机溶剂中而获得分散液；第二步，通过将金属羧酸盐混合到第一步获得的分散液中获得混合物；和第三步，将第二步获得的混合物干燥，由此获得含有热线屏蔽微粒的组合物，和使残留在含有热线屏蔽微粒的组合物中的有机溶剂的含量为5质量%或更低。

摘要： 一种屏蔽栅沟槽场效应管制造方法及屏蔽栅沟槽场效应管，在制作屏蔽导体的过程中，沟槽侧壁以及外延上表面一直留存氧化层来保护外延层，当氧化层厚度因为制作屏蔽导体被蚀刻消耗后，再次沉积氧化层进行补充，补充后沟槽侧壁的氧化层厚度大于消耗之后的厚度，然后再继续制作屏蔽导体，据此消耗则补充的原则，结合场效应管电压需求进行仿真调试，得到对应电压需求的具有非渐变宽度屏蔽导体及非渐变厚度氧化层的场效应管。本发明提出的屏蔽栅沟槽场效应管结构能够实现较好的外延利用率，在与传统SGT具有相同崩溃电压的条件下，本发明同比可以实现更小的特征电阻，且本发明的结构能够在上下电极之间实现较小的Cgs电容。

摘要： 申请提供一种保护屏蔽栅沟槽型场效应晶体管的屏蔽多晶硅侧壁的形成方法，在形成多个屏蔽多晶硅的过程中，通过二次氧化层形成工艺来制成屏蔽多晶硅侧壁，以提高屏蔽多晶硅顶部区域氧化物厚度及沟槽侧壁在屏蔽多晶硅及栅极多晶硅过渡区域处的氧化物厚度以解决漏电流严重的问题。

摘要： 本发明提供一种可见光透射性良好、热线屏蔽效果优异且具有稳定耐候性的热线屏蔽微粒、使用该热线屏蔽微粒的热线屏蔽微粒分散液、热线屏蔽膜用涂布液、以及使用它们得到的热线屏蔽膜、热线屏蔽树脂膜、热线屏蔽微粒分散体。本发明提供一种热线屏蔽微粒、以及使用该微粒的热线屏蔽微粒分散液、热线屏蔽膜用涂布液、以及使用它们的热线屏蔽膜、热线屏蔽树脂膜、热线屏蔽微粒分散体，所述热线屏蔽微粒含有由通式Ca

摘要： 本发明提供一种热线屏蔽粒子、热线屏蔽微粒分散液、热线屏蔽膜、热线屏蔽玻璃、热线屏蔽分散体和热线屏蔽夹层透明基材。当其适用于窗材等结构时，发挥热线屏蔽的特性并且抑制皮肤灼热感的同时，能够使用透过该结构、该热线屏蔽膜或热线屏蔽玻璃、该分散体和夹层透明基材的近红外光的通信设备和摄像设备、传感器等。提供一种热线屏蔽微粒、热线屏蔽微粒分散液、热线屏蔽膜、热线屏蔽玻璃、热线屏蔽分散体和热线屏蔽夹层透明基材。其中，热线屏蔽微粒为具有热线屏蔽功能的复合钨氧化物微粒，仅计算该复合钨氧化物微粒对光的吸收得出可见光透射率为85％时，波长800～900nm的范围内的透射率的平均值为30％以上且60％以下，且波长1200～1500nm的范围内的透射率的平均值为20％以下，且波长2100nm的透射率为22％以下。

摘要： 提供一种热线屏蔽膜和制造它的方法，该膜能够显示出优异的光学特性和高的耐候性，该膜主要由聚乙烯醇缩醛树脂构成并且使用具有高热线屏蔽效果的复合钨氧化物微粒，该方法包括：第一步，通过将由通式MyWOz表示并且具有六方晶晶体结构的复合钨氧化物微粒，和分散剂分散到沸点为120摄氏度或更低的有机溶剂中而获得分散液；第二步，通过将金属羧酸盐混合到第一步获得的分散液中获得混合物；和第三步，将第二步获得的混合物干燥，由此获得含有热线屏蔽微粒的组合物，和使残留在含有热线屏蔽微粒的组合物中的有机溶剂的含量为5质量%或更低。

摘要： 本申请是关于一种基于电荷补偿的屏蔽栅沟槽型场效应晶体管，包括：衬底区、漂移区、基体区、源区、沟槽区、漏极以及源极；所述漂移区与所述衬底区相接，以所述衬底区指向所述漂移区的方向为上方，所述基体区和所述源区依次设置在所述漂移区的上方；所述屏蔽栅与所述漂移区之间还设置有电荷补偿区，所述屏蔽栅依次通过所述绝缘层和所述电荷补偿区和所述漂移区相接；所述电荷补偿区在所述屏蔽栅的下方以及侧方通过所述绝缘层包围所述屏蔽栅。本申请实施例提供了一种基于电荷补偿的屏蔽栅沟槽型场效应晶体管，通过电荷补偿区提高器件的击穿电压，并使得晶体管在相同击穿电压下获得更低的导通电阻。

摘要： 本申请是关于一种屏蔽栅沟槽型场效应晶体管，包括：衬底区、漂移区、基体区、源区、沟槽区、漏极以及源极；所述源区由第一N型源区、第二N型源区和P型源区组成；所述P型源区设置于所述源区远离所述沟槽区的一角，在所述P型源区相邻的两个侧面，分别设置并连接所述第一N型源区和所述第二N型源区；所述第一N型源区和所述第二N型源区的侧面所包围的区域设置所述沟槽区。基体区内的沟道沿着所述沟槽区与所述源区的连接的侧面形成，增加了沟道面积，从而降低了器件的沟道电阻。沟道面积的提高可降低所述N型源区下方的空穴电流密度，降低寄生三极管发射结的压降，抑制寄生三极管的开启，提高晶体管的耐雪崩能力。