射频开关

摘要： 为了满足欧洲市场相应法规要求,车载通信终端(T-BOX)产品需要进行CE-RED认证,针对认证过程出现的辐射杂散测试谐波超标问题进行详细分析,并给出对策方法,同时结合实际产品,针对RF SWITCH选型及使用给出相应建议。

摘要： 本文简要介绍了净空技术、ISM频段等相关建模元素,提出了科学的建模方案.其间开展系统设计,涉及射频AD清零、误码率、射频开关设计;同时,开展了仿真试验,验证误码率、验证捕获、实测ISM无线通信系统,以此验证净空技术应用的可行性,减少频谱资源紧张问题.

摘要： 频率合成器在电子系统中广泛应用,传统的手动测试效率低、操作繁琐.针对某型频率合成器,设计并实现自动测试系统.该系统通过射频开关组成的通道切换装置,避免手动换线;通过GPIB总线实现仪器的自动设置和测量数据采集;测试软件基于通用测试软件平台进行快速开发,最终实现频率合成器的全自动测试,测试效率得到显著提升.

摘要： 讨论了harmonic信号非线性成因和改进方法.介绍了当信号达到20dBm量级,封装好的RF Switch芯片管脚之间产生串扰,串扰信号经过了非线性器件,就会造成harmonic.通过将两个diode串联的方法减少通过diode的电流,以及通过RC滤波器,在确保control电路的响应时间满足要求的前提下,尽量做的低频,以提高control端对非线性的抑制.这两种方案同时加入后,可极大的减小大信号下RF信号的harmonics,从而在RF Switch中减小了信号非线性.

摘要： 为了解决传统射频开关的芯片面积大、性价比低且集成难度高的问题,研究并设计了体区自适应偏置技术方案,并基于该技术采用180 nm规格SOI(绝缘体上硅)CMOS芯片设计了一种承受功率大、插入损耗低的5G基站射频开关.在基于新技术的设计方案中,取消了开关管体区的偏置电阻.通过并联电容补偿的方式提高输入功率上限,实验结果表明,射频开关的承受功率平均值达20 W,插入损耗可降至0.43 dB,对于5G通信基站的信号增强和能耗降损具有十分重要的作用.

摘要： 文章提出了一种超宽带射频开关拓扑结构,利用该拓扑结构,设计了一款基于氮化镓单片工艺的超宽带(17~35 GHz)双刀双掷功率开关芯片,同一芯片上集成了射频收发切换开关和极化开关。在片测试结果显示,该芯片在整个频段内的插入损耗典型值为2.5 dB,隔离度典型值为27 dB。装配测试表明该芯片的输入P0.1 dB为40 dBm,具有较高的耐功率能力。芯片尺寸仅为3×2.5 mm^(2)。该功率开关芯片可广泛应用于多功能雷达射频组件中,用于发射/接收的切换和极化方向的选择。

摘要： 文章设计了一款基于氮化镓HEMT工艺的单片射频单刀双掷开关芯片(SPDT switch)。采用宽带匹配结构,实现了超宽带开关特性,覆盖频率DC-18 GHz,并且在工作带宽内优化了开关耐功率能力。装配后的S参数测试结果显示,在DC-18 GHz内插入损耗最大值在18 GHz频点处,为1.5 dB。连续波耐功率测试表明芯片的输入P0.1dB为40 dBm,具有较高的耐功率能力。芯片尺寸仅为1.6×1.2 mm^(2)。

摘要： 本文主要设计了一种核磁共振射频开关。在这一开关中,一般采用的是控制模式,其中,PIN管是十分核心的元件。相关的工作原理是通过对外部驱动电路来做进一步控制,这样可以达到有效控制PIN管通达的目的。

摘要： 文章提出了一种超宽带射频开关拓扑结构,利用该拓扑结构,设计了一款基于氮化镓单片工艺的超宽带(17～35 GHz)双刀双掷功率开关芯片,同一芯片上集成了射频收发切换开关和极化开关.在片测试结果显示,该芯片在整个频段内的插入损耗典型值为2.5 dB,隔离度典型值为27 dB.装配测试表明该芯片的输入P0.1 dB为40 dBm,具有较高的耐功率能力.芯片尺寸仅为3×2.5 mm2.该功率开关芯片可广泛应用于多功能雷达射频组件中,用于发射/接收的切换和极化方向的选择.

摘要： 文章设计了一款基于氮化镓HEMT工艺的单片射频单刀双掷开关芯片(SPDT switch).采用宽带匹配结构,实现了超宽带开关特性,覆盖频率DC-18 GHz,并且在工作带宽内优化了开关耐功率能力.装配后的S参数测试结果显示,在DC-18 GHz内插入损耗最大值在18 GHz频点处,为1.5 dB.连续波耐功率测试表明芯片的输入P0.1dB为40 dBm,具有较高的耐功率能力.芯片尺寸仅为1.6×1.2 mm2.

摘要： 本文主要针对通信系统中的射频电子开关进行了分类讨论。阐述了各种开关的工作机理、技术指标、优缺点和设计中需要注意的地方，并指出了射频开关的发展方向和动态。

摘要： 射频开关是最为常用的微波控制电路之一，除了截止频率、插入损耗、隔离度、开关速率、功率容量以及谐波等指标外，端口电压驻波系数也是一个极为重要的指标，甚至在某些系统中，成为影响总体指标的关键器件。因此，端口阻抗的匹配足开关设计的一个关键步骤。本文提出了一种利用ADS软件设计超宽带吸收式开关的方法，并结合仿真过程及仿真结果对超宽带吸收式开关设计中的各个关键因素进行了分析。

摘要： 介绍了一种在接收大信号时通过控制信号来控制射频开关,使信号直通通过;接收小信号时通过控制信号来控制射频开关,使信号通过放大器放大输出,从而使输入信号功率在大范围变化时,输出信号保持在一定范围内,起到扩展动态范围作用的限幅开关放大器组件的设计.其主要特点是频带宽、增益高、开关速度快.

摘要： 本文主要介绍了中等以上城市如何选择有线电视光纤网络拓扑结构,论证了以1550作为环形自愈骨干网、以射频开关进行自动切换、以1310作为二级光纤用户接入搭建有线电视传输平台的优势,同时对设备选型提供部分参考.

摘要： 报道了一种用于手机的超低插损砷化镓单片射频单刀双掷开关.该产品在820～950MHz下,插入损耗(I)≤0.4dB,回波损耗(R)≥19.5dB,反向三阶交调(P)≥67dBm,隔离度(Iso>)≥15.5dB,控制电压为(0,+4.75V).

摘要： 该文介绍了GaAs MMIC RF开关一种设计方法，在这种方法中，把MESFET当做一个两端口网络处理，直接提取开与关两种状态下网络(MESFET)的S参数，应用S参数进行开关电路的CAD。这种设计方法更准确，更简单，容易实现。文中也给出了GaAs MMIC RF开关的研制结果。

摘要： 该文介绍了GaAsMMICRF开关一种设计方法，在这种方法中，把MESFET当做一个两端口网络处理，直接提取开与关两种状态下网络(MESFET)的S参数，应用S参数进行开关电路的CAD。

摘要： 振动与冲击是RF MEMS开关的服役环境之一,尤其在军用及航天领域,更要求其能承受较高的载荷.本文研究双端固定的桥式RF MEMS开关在冲击载荷下的响应,对半正弦加速度曲线与马歇特锤实际测量加速度曲线分别进行瞬态动力学分析.分析结果表明,两种方法得出最大应力均在开关悬臂梁材料的许用应力范围内,两者应力最大相差0.35％,最大位移相差约为2.5％,可用半正弦加速度曲线近似模拟仿真实际曲线.在上述仿真基础上,用峰值为15000G的半正弦冲击曲线对开关梁结构进行动力学仿真,其位移及应力响应表明开关能在此冲击环境下正常工作.

摘要： 振动与冲击是RF MEMS开关的服役环境之一,尤其在军用及航天领域,更要求其能承受较高的载荷.本文研究双端固定的桥式RF MEMS开关在冲击载荷下的响应,对半正弦加速度曲线与马歇特锤实际测量加速度曲线分别进行瞬态动力学分析.分析结果表明,两种方法得出最大应力均在开关悬臂梁材料的许用应力范围内,两者应力最大相差0.35％,最大位移相差约为2.5％,可用半正弦加速度曲线近似模拟仿真实际曲线.在上述仿真基础上,用峰值为15000G的半正弦冲击曲线对开关梁结构进行动力学仿真,其位移及应力响应表明开关能在此冲击环境下正常工作.

摘要： 振动与冲击是RF MEMS开关的服役环境之一,尤其在军用及航天领域,更要求其能承受较高的载荷.本文研究双端固定的桥式RF MEMS开关在冲击载荷下的响应,对半正弦加速度曲线与马歇特锤实际测量加速度曲线分别进行瞬态动力学分析.分析结果表明,两种方法得出最大应力均在开关悬臂梁材料的许用应力范围内,两者应力最大相差0.35％,最大位移相差约为2.5％,可用半正弦加速度曲线近似模拟仿真实际曲线.在上述仿真基础上,用峰值为15000G的半正弦冲击曲线对开关梁结构进行动力学仿真,其位移及应力响应表明开关能在此冲击环境下正常工作.

摘要： 本发明公开了一种单刀单掷射频开关，包括：半导体开关器件其第一端通过第一电容连接该单刀单掷射频开关第一端并通过第一电阻连接第一状态控制信号输入端；其第二端通过第二电阻连接第二状态控制信号输入端；其第三端通过第四电阻接地并连接第一二极管正极，第一二极管负极连接第二二极管负极并通过第六电阻接电源电压，第二二极管正极通过第五电阻接地；其第四端通过第二电容连接该单刀单掷射频开关第二端并通过第三电阻连接第三状态控制信号输入端；第一电感跨接于第一电容、半导体开关器件和第二电容所组成串联电路两端。本发明还公开了一种单刀双掷射频开关和一种单刀多掷射频开关。本发明的单刀单掷射频开关具有更高隔离度，产生更少高次谐波。

摘要： 本发明公开一种单刀单掷射频开关，包括半导体开关器件其第一端通过第一电容接该单刀单掷射频开关第一端口并通过第一电阻接第一信号输入端，其第二端通过第二电阻接第二信号输入端，其第三端通过第四电阻接地，并通过串联的第一二极管、第二二极管和第五电阻接地，第六电阻一端接于第一二极管和第二二极管之间另一端接电源电压，其第四端通过第二电容接该单刀单掷射频开关第二端口并通过第三电阻接信号输入端；第一电感跨接于第一电容、半导体开关器件和第二电容所组成电路两端。本发明还公开了一种单刀双掷射频开关和一种单刀多掷射频开关。本发明的单刀单掷射频开关具有更高隔离度，产生更少高次谐波。

摘要： 一种单刀单掷射频开关，包括：开关器件T1第一端通过电阻R1接输入端S1并通过电容C1、C2接该开关第二端P2，第二端通过电阻R2接输入端S2并通过电感L1和电容C3接该开关第一端P1，第三端通过电阻R3接输入端S3；开关器件T2第一端通过电阻R4接输入端S4并通过电容C4、C3接该开关第一端P1，第二端通过电阻R5接输入端S5并接开关器件T3第二端，第二端接于电容C6和电感L2之间，第三端通过电阻R6接输入端S6；电容C5并联开关器件T1和电容C1；电容C6和电感L2串联于电容C3和C2之间；开关器件T3，其第一端接开关器件T1第二端，其第三端通过电阻R7接输入端S7。本发明还公开了一种单刀双掷射频开关和一种单刀多掷射频开关。本发明具有更高隔离度，产生更少高次谐波。

摘要： 本发明公开一种单刀单掷射频开关，包括半导体开关器件其第一端通过第一电容接该单刀单掷射频开关第一端口并通过第一电阻接第一信号输入端，其第二端通过第二电阻接第二信号输入端，其第三端通过第四电阻接地，并通过串联的第一二极管、第二二极管和第五电阻接地，第六电阻一端接于第一二极管和第二二极管之间另一端接电源电压，其第四端通过第二电容接该单刀单掷射频开关第二端口并通过第三电阻接信号输入端；第一电感跨接于第一电容、半导体开关器件和第二电容所组成电路两端。本发明还公开了一种单刀双掷射频开关和一种单刀多掷射频开关。本发明的单刀单掷射频开关具有更高隔离度，产生更少高次谐波。

摘要： 本发明公开了一种单刀单掷射频开关，包括：半导体开关器件其第一端通过第一电容连接该单刀单掷射频开关第一端并通过第一电阻连接第一状态控制信号输入端；其第二端通过第二电阻连接第二状态控制信号输入端；其第三端通过第四电阻接地并连接第一二极管正极，第一二极管负极连接第二二极管负极并通过第六电阻接电源电压，第二二极管正极通过第五电阻接地；其第四端通过第二电容连接该单刀单掷射频开关第二端并通过第三电阻连接第三状态控制信号输入端；第一电感跨接于第一电容、半导体开关器件和第二电容所组成串联电路两端。本发明还公开了一种单刀双掷射频开关和一种单刀多掷射频开关。本发明的单刀单掷射频开关具有更高隔离度，产生更少高次谐波。

摘要： 一种单刀单掷射频开关，包括：开关器件T1第一端通过电阻R1接输入端S1并通过电容C1、C2接该开关第二端P2，第二端通过电阻R2接输入端S2并通过电感L1和电容C3接该开关第一端P1，第三端通过电阻R3接输入端S3；开关器件T2第一端通过电阻R4接输入端S4并通过电容C4、C3接该开关第一端P1，第二端通过电阻R5接输入端S5并接开关器件T3第二端，第二端接于电容C6和电感L2之间，第三端通过电阻R6接输入端S6；电容C5并联开关器件T1和电容C1；电容C6和电感L2串联于电容C3和C2之间；开关器件T3，其第一端接开关器件T1第二端，其第三端通过电阻R7接输入端S7。本发明还公开了一种单刀双掷射频开关和一种单刀多掷射频开关。本发明具有更高隔离度，产生更少高次谐波。

摘要： 本发明涉及SOI CMOS射频开关及包含该射频开关的射频发射前端模块。SOI CMOS射频开关，包括若干隔直流电容、若干电阻和若干开关管，所述开关管为SOI CMOS开关管，开关管的漏极经一电阻连接到沟道控制电压，开关管的源极经另一电阻连接到沟道控制电压，并且开关管的源极接天线；沟道控制电压大于0V，并且小于高电平与开关管的阈值电压之差；在同一时刻，只有一个开关管的控制信号的电压为高电平，其余的开关管的控制信号的电压为0V。本发明所提供的技术方案简化了射频开关的结构，并且本发明所提供的射频开关可以在单电源供电下工作，还使得SOI CMOS射频开关中开关晶体管的控制信号电压可以高于晶体管安全电压，提高了射频开关的可靠性。

摘要： 本发明涉及一种射频开关辅助电路及射频开关系统。该射频开关辅助电路包括：振荡电路、升压电路和MOS电容，振荡电路与升压电路电连接，用于向升压电路输出第一控制信号，升压电路具有第一电压输出端，第一电压输出端与射频开关的控制端电连接，升压电路在第一控制信号的控制下，通过第一电压输出端向射频开关的控制端输出控制电压，MOS电容的控制端与第一电压输出端电连接，MOS电容的第一端和第二端接地。解决了现有技术中射频开关的沟道宽度增大，导致射频开关切换时间增大的问题，实现了通过调节辅助电路中元器件的参数调节射频开关切换时间的效果，可大大缩短射频开关的切换时间。

摘要： 本实用新型公开一种单刀单掷射频开关及其构成的单刀双掷射频开关和单刀多掷射频开关，单刀单掷射频开关包括半导体开关器件其第一端通过第一电容接该单刀单掷射频开关第一端口并通过第一电阻接第一信号输入端，其第二端通过第二电阻接第二信号输入端，其第三端通过第四电阻接地，并通过串联的第一二极管、第二二极管和第五电阻接地，第六电阻一端接于第一二极管和第二二极管之间另一端接电源电压，其第四端通过第二电容接该单刀单掷射频开关第二端口并通过第三电阻接信号输入端；ESD结构跨接于第一电容、半导体开关器件和第二电容所组成电路两端。本实用新型还公开了一种单刀双掷射频开关和一种单刀多掷射频开关。本实用新型的单刀单掷射频开关占用面积更小，具有更好的静电保护。

摘要： 本实用新型公开一种单刀单掷射频开关，包括半导体开关器件其第一端通过第一电容接该单刀单掷射频开关第一端口并通过第一电阻接第一信号输入端，其第二端通过第二电阻接第二信号输入端，其第三端通过第四电阻接地，并通过串联的第一二极管、第二二极管和第五电阻接地，第六电阻一端接于第一二极管和第二二极管之间另一端接电源电压，其第四端通过第二电容接该单刀单掷射频开关第二端口并通过第三电阻接信号输入端；第一电感跨接于第一电容、半导体开关器件和第二电容所组成电路两端。本实用新型还公开了一种单刀双掷射频开关和一种单刀多掷射频开关。本实用新型的单刀单掷射频开关具有更高隔离度，产生更少高次谐波。