射频功率放大器

摘要： 本文探究了5G系统中射频功率放大器的产生记忆效应的现象及原因,同时分析比较了三种典型的数字预失真模型对功放记忆效应的矫正能力。通过FPGA实验平台的观测与验证,随着基带信号带宽的增加和射频功率放大器的中心频率的提高,功放输出信号的记忆效应更加明显,非线性现象更加严重和复杂;基于查找表(LUT)模型,记忆多项式(MP)、双非线性两箱(TNTB)和广义记忆多项式(GMP)模型的数字预失真模型都能有效矫正记忆效应产生的非线性失真,矫正能力从大到小依次为MP、TNTB、GMP。

摘要： 磁共振成像是重要的影像诊断技术,可为重大、常见疾病的诊疗提供可靠的影像学数据。为保证磁共振成像的安全性、可靠性及参数准确性,需定期做好对磁共振设备的维护保养工作。我院于2008年引进了一台西门子公司研发的Avanto 1.5T磁共振设备,该设备构造复杂,装配精密,集成度高,从2008年使用至今,尽管使用年限较长,工作强度较大,但设备故障率仍较低。

摘要： 在工作频率为2.4 GHz的背景下,基于所设计的Doherty功率放大器,设计了一种改进的多模开关控制和包络跟踪调制的Doherty功率放大器。设计中使用的电子管是Renesas的GaAs晶体管NE6510179A。设计的Doherty峰值输出(32.0 dBm)时功率附加效率达到27.2%,回退6 dB时的功率附加效率为27.0%。在与搭建的包络跟踪模型级联改进后,新结构对低输出功率的功率附加效率有一定程度的改善,在中高输出功率部分的线性度有较大的改善。

摘要： 上海联影医疗科技股份有限公司生产的创新产品“5.0 T磁共振成像系统”,经国家药品监督管理局审查通过,已于2022年8月31日获得注册,批准上市。该产品由超导磁体(5.0 T)、梯度功率放大器、梯度线圈、射频功率放大器、射频线圈、检查床、谱仪、配电系统、对讲系统和生理信号门控单元组成。该产品采用5.0 T超导磁体。

摘要： 基于0.15μm GaN赝配高电子迁移率晶体管(Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor,PHEMT)工艺,设计研发了一款Ka频段平衡式功率放大器芯片。采用Lange耦合器进行功率合成,放大器使用四级级联放大拓扑结构,同时综合应用三维和平面场仿真技术,提高电路仿真精度。在33~37 GHz频率带宽、24 V偏置以及脉冲波使用条件下,该芯片饱和输出功率大于44 dBm,功率附加效率高于26%。

摘要： 混合连续类相比较于传统连续类模型弱化了阻抗条件,简化了宽带匹配难度.该文通过采用混合连续类模型并基于阻抗缓冲概念为理论的新型谐波控制网络,设计了一款跨3个倍频层的混合连续类射频功率放大器.实测结果表明在0.3～3.5 GHz相对带宽为168.4％的频段范围内实现了漏极效率58.4％～72.6％,增益10 dB以上,输出功率为39.8～41.2 dBm.

摘要： 本文通过基本电路分析,简单介绍了MOS场效应管的特点,并通过实际工作总结了MOS场效应管在中波发射机调制功放电路中的应用、场效应管的日常测试及使用维护,给出了相应的故障分析.

摘要： 本文通过基本电路分析,简单介绍了MOS场效应管的特点,并通过实际工作总结了MOS场效应管在中波发射机调制功放电路中的应用、场效应管的日常测试及使用维护,给出了相应的故障分析。

摘要： 为了实现高效率的射频滤波功率放大器(filtering power amplifier),将基于悬置线的截线加载谐振器(stub-loaded resonator)带通滤波器的输入阻抗直接匹配到射频功放管CGH40010F的最佳基波阻抗和谐波阻抗,实现射频功率放大器与滤波器的联合设计,使滤波器同时实现了滤波、阻抗匹配和谐波控制的功能,避免了额外的输出匹配结构,实现了结构紧凑、具有滤波功能的高效率谐波控制型射频功放.实测结果表明在中心频率2.45 GHz处,其输出功率约为40dBm,最大电源附加效率(power added efficiency)为76.9％,同时具有良好的滤波特性.

摘要： 为了在局部热点区域实现系统容量的成倍提升,需要能支持高频、大带宽工作的无线网络基础设施进行超密集组网,采用GaAs HBT工艺设计出适用于5G微基站的4.8～5.0 GHz三级高增益、大输出功率放大器.利用伪差分结构来抑制接地寄生电感的影响,通过片外低损耗LC巴伦完成单端与差分对之间的转换,结合有源自适应偏置网络与RC负反馈电路,并应用宽带匹配与预失真补偿的方法,基于ADS仿真验证了在中心频点4.9 GHz处可实现35.8 dB的功率增益与33.5％的峰值功率附加效率,且工作频带内能输出不低于35 dBm的饱和功率,可满足典型应用场景对网络信号无缝覆盖的要求.

摘要： 本文提出了一种选取射频功率放大器最优行为模型、获取指纹特征的方法.首先,介绍了行为模型的主要分类,以及每一类对应的数学表达式和模型结构图.然后,针对Wiener 模型和Hammerstein 模型,提出了选取最优行为模型,计算最优模型参数(指纹特征)的算法,并给出了数学分析.最后,进行了数值仿真计算,选取一组输入输出信号对计算最优行为模型参数,再采用一组新的信号对进行验证.通过比较和分析得出:在现有的多个行为模型中,针对特定的射频功率放大器,本文提出的行为模型选取技术能够选取最优行为模型,并提取指纹参数.

摘要： 随着大功率射频微波器件的不断推广与发展,传统的小信号S参数线性理论已经不能满足以微波功率放大器为主的大功率有源器件非线性行为的表征与分析,因此器件非线性行为表征技术就变得尤为重要,而此时Cardiff模型也就应运而生.本文首先详细给出了Cardiff模型的完整建立与理论推导过程;然后对以HP AT41411为核心射频功率放大器进行了实际测量,并根据实测结果建立Cardiff行为模型;最后将行为模型仿真得到的结果与实际测量结果作对比,对比结果显示两者吻合较好,这也就验证了Cardiff模型的正确性及有效性.

摘要： 本文使用ADS(Advanced Design System)软件仿真设计了基于28-V MOSFET器件的30MHz～110MHz E类开关模式功率放大器.输入端使用了宽带匹配,输出端通过开关改变后端的匹配电路和滤波器.电路实测数据为30MHz～110MHz输出功率19.0W～26.4W,效率60.1％～73.5％,并且具有优良的调幅线性度,可以将其应用到EER发射机.

摘要： 故障现象：系统不能扫描，一扫描就停止，设备管理器出现红色报错斜杠：提示：Frequency adjustment error，Receiver signal too low，please reboot the syngo system。通过分析维修过程发现本次故障是由于射频功率放大器RFPA本身失去了对射频小信号的放大功能而导致的。

摘要： 随着雷达应用、卫星通信及高速宽带无线通信的迅速发展，对每个发射机的核心部件——射频功率放大器等电子器件行为的研究已经从简单的线性化测量和建模逐渐转向更为全面系统、符合其真实电气工作条件的非线性表征。为此，以非线性矢量网络分析仪(NVNA)为代表的新一代非线性矢量网络测量技术应运而生，本文首先对传统线性测量技术的特点进行了分析，对比得到了测量仪器从线性应用发展到非线性应用转变过程中存在的技术问题。然后简要介绍了两类典型的NVNA结构方案。重点阐述了NVNA的绝对校准技术——功率校准和相位校准，报告了我们新近研制的宽带谐波相位校准件——梳状波谐波相位参考的定标过程和方法。最后，给出了利用定标后的梳状波发生器对基于混频器的NVNA平台进行了绝对校准，并用实测检验了经过校准后原型NVNA平台的正确性。

摘要： 本文研究了射频功率放大器的线性化技术，主要分析了功率回退法的设计方法。解决了功率回退法难以达到高线性度的技术难点。该技术方法使得放大器在10瓦输出功率处，三阶交调达到-60dBc左右，很好的完成了设计的技术指标。

摘要： 本文针对功放的反馈多项式模型,进行了FPGA实现.在FPGA实现过程中,采用了LUT和间接学习结构.仿真和实测结果中ACPR优化了17dBc,可表明该模型具有较好的线性化效果.

摘要： 本文针对功放的反馈多项式模型,进行了FPGA实现.在FPGA实现过程中,采用了LUT和间接学习结构.仿真和实测结果中ACPR优化了17dBc,可表明该模型具有较好的线性化效果.

摘要： 本文针对功放的反馈多项式模型,进行了FPGA实现.在FPGA实现过程中,采用了LUT和间接学习结构.仿真和实测结果中ACPR优化了17dBc,可表明该模型具有较好的线性化效果.

摘要： 本文针对功放的反馈多项式模型,进行了FPGA实现.在FPGA实现过程中,采用了LUT和间接学习结构.仿真和实测结果中ACPR优化了17dBc,可表明该模型具有较好的线性化效果.

摘要： 本申请公开了一种射频功率放大器版图及射频功率放大器，其中，在射频功率放大器版图中，第二晶体管的漏极通过金属过孔直接与大面积的第二层导电层连接，而不需要采取由细小的走线引向功能区一侧再引出的方式，而大面积的第二层导电层相比细小的走线的而言电阻较小，并且大面积的第二层导电层与第二晶体管的漏极的连接的稳定性较高，从而实现了在不增加晶圆面积的基础上，提升射频功率放大器信号输出端的电气连接质量的目的。并且射频功率放大器的接地端和信号输出端都可以通过采用倒扣的方式直接在第二层导电层背离第一层导电层一侧引出，从而降低了射频功率放大器所占用的晶圆面积，进而降低了射频功率放大器的成本。

摘要： 本发明公开了用于SOI射频功率放大器的偏置电路及射频功率放大器，包括：第一电容、第一电阻、第二电阻、第一MOS管、分压单元和单级放大单元；分压单元包括依次串联的多个电阻，单级放大单元包括依次堆叠设置的多个MOS管，前一MOS管的漏极与后一MOS管的源极连接，分压单元中的各电阻与单级放大单元中对应的MOS管连接；第一电容的第一端与射频功率放大器的输入端连接，第一电容的第二端分别与分压单元、第一MOS管、单级放大单元连接；第一电阻与第二电阻串联，第一MOS管分别与第一电阻、第二电阻、分压单元及接地连接。本发明能自适应调整各堆叠MOS管的偏置电压，使射频功率放大器在保持高线性度的同时维持高回退效率。

摘要： 本申请公开一种射频功率放大器的自适应电路结构及射频功率放大器，其中，自适应电路结构通过在供电电压与第一电容之间设置第二MOS管，第二MOS管相当于等效为一个可变电阻，使得流经第二MOS管的栅极的电流几乎为零，从而使得第一MOS管的漏极电流只流经第二电阻，随着输入信号功率不断增加，第一MOS管的栅极电压不断上升，使得第一MOS管的漏极电流上升，进而使得第二电阻电压增加，接着第二MOS管的栅级电位下降，等效电阻上升，最后使得反馈回路电流下降，因此，射频功率放大器的增益上升，从而改善功率放大器的AM‑AM特性；而且本申请的自适应电路结构简单，成本较低，解决了现有技术不能同时兼顾改善射频功率放大器的AM‑AM特性与较低成本的技术问题。

摘要： 本发明公开了一种射频功率放大器温度补偿偏置电路，包括：限流电阻、镇流电阻、温补电阻、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、线性化电容、隔直电容、射频功率管和电感，构成的温度补偿模块和线性化补偿模块能够避免镇流电阻对温度补偿效果和线性化作用的影响，且无需控制晶体管处于相同的工作状态，能够达到更佳的温度补偿效果和线性化作用，解决了现有的射频功率放大器温度补偿偏置电路对晶体管和射频功率管的工作状态要求高，且镇流电阻对温度补偿和线性度影响较大，镇流电阻的取值难以平衡该电路的温度补偿和线性化作用的技术问题。

摘要： 本申请公开了一种用于射频功率放大器的偏置电路以及射频功率放大器，相比于现有技术，在本申请所提供的偏置电路中是添加了带有增益的反馈环路，并且，该反馈环路对温度不敏感，这样通过添加有反馈环路的偏置电路就可以对偏置电路中由HBT所产生的温度反馈信号进行放大，并由此提高偏置电路对温度进行反馈补偿时的灵敏性，这样就能够相对降低温度对偏置电路的影响，并且，由于该反馈环路对温度不敏感，这样也就不会给偏置电路带来由于反馈环路温度变化所引起的变量。由此可见，在本申请中由于相对降低了射频功率放大器中的偏置电路受温度变化的影响程度，这样就能够显著降低射频功率放大器输出电流的变化幅值。

摘要： 本申请涉及一种射频功率放大器控制装置与射频功率放大器。其中，所述射频功率放大器控制装置，通过在输入信号处理模块和调节模块之间设置延时模块，使得输入射频信号延后一段时间再输入至调节模块，实现对调节控制信号到达所述调节模块的时刻与所述输入射频信号到达调节模块的时刻之间的时间差的抵消，成本低且可以取得良好的非线性校正效果，避免成像伪影的出现。

摘要： 本实用新型公开一种射频功率放大器的输入匹配电路和射频功率放大器，其中输入匹配电路包括高频匹配单元和低频稳定性匹配单元，该高频匹配单元至少包括第一电容和第一电感，第一电容一端作为射频信号输入端，另一端与第一电感串联，低频稳定性匹配单元的输入端连接在第一电容和第一电感之间。本实用新型射频功率放大器的输入匹配电路电感和电容的组合实现高频良好的匹配效果，而电阻和电容的组合改变低频阻抗，能实现低频的良好匹配，确保了射频功率放大器在超宽带范围内有良好的输入阻抗效果，进而保证射频功率放大器在超宽带内有较好的增益平坦度。

摘要： 本实用新型公开了一种射频功率放大器的偏置电路及射频功率放大器，该偏置电路包括第一偏置单元、第二偏置单元和RC反馈单元，所述第一偏置单元输出第一偏置电流，所述第二偏置单元输出第二偏置电流，所述第一偏置电流和所述第二偏置电流分别耦合至射频功率放大器的基极；所述第二偏置电流还经所述RC反馈单元耦合至射频功率放大器的集电极。本实用新型提供的偏置电路利用第一偏置单元和第二偏置单元分别向功率放大器的基极提供偏置电路，降低了射频功率放大器的基极‑集电极寄生电容Cbc，改善了射频功率放大器的AM‑AM失调，提升了线性度。本实用新型提供的偏置电路还包括RC反馈单元，通过RC反馈单元在改善射频功率放大器的AM‑AM失调，延缓功率放大器的增益压缩的同时，还提高了电路工作的稳定性。

摘要： 本申请公开了一种用于射频功率放大器的偏置电路以及射频功率放大器，相比于现有技术，在本申请所提供的偏置电路中是添加了带有增益的反馈环路，并且，该反馈环路对温度不敏感，这样通过添加有反馈环路的偏置电路就可以对偏置电路中由HBT所产生的温度反馈信号进行放大，并由此提高偏置电路对温度进行反馈补偿时的灵敏性，这样就能够相对降低温度对偏置电路的影响，并且，由于该反馈环路对温度不敏感，这样也就不会给偏置电路带来由于反馈环路温度变化所引起的变量。由此可见，在本申请中由于相对降低了射频功率放大器中的偏置电路受温度变化的影响程度，这样就能够显著降低射频功率放大器输出电流的变化幅值。

摘要： 本申请涉及一种射频功率放大器控制装置与射频功率放大器。其中，所述射频功率放大器控制装置，通过在输入信号处理模块和调节模块之间设置延时模块，使得输入射频信号延后一段时间再输入至调节模块，实现对调节控制信号到达所述调节模块的时刻与所述输入射频信号到达调节模块的时刻之间的时间差的抵消，成本低且可以取得良好的非线性校正效果，避免成像伪影的出现。