封装形式
封装形式的相关文献在1991年到2023年内共计301篇,主要集中在无线电电子学、电信技术、自动化技术、计算机技术、电工技术
等领域,其中期刊论文238篇、会议论文15篇、专利文献145028篇;相关期刊95种,包括电源技术、现代表面贴装资讯、今日电子等;
相关会议11种,包括2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会、海峡两岸第十八届照明科技与营销研讨会、第十四届全国青年通信学术会议等;封装形式的相关文献由295位作者贡献,包括王新安、雍珊珊、吴承昊等。
封装形式—发文量
专利文献>
论文:145028篇
占比:99.83%
总计:145281篇
封装形式
-研究学者
- 王新安
- 雍珊珊
- 吴承昊
- 景曙光
- 李洪英
- 蓝晶
- 郑国川
- 龙晓波
- 孙智江
- 李忆
- 王书昶
- 刘广荣
- 吴陆
- 周鹏
- 姜海涛
- 江兴
- 程文芳
- 门宏
- 高国华
- 鲜飞
- H·屈佩尔斯
- H·韦伯
- J·弗莱
- J·赖因穆特
- N·戴维斯
- 仲学梅
- 傅兴华
- 关仕汉
- 冈本武郎
- 刘昭麟
- 吴志军
- 吴红奎
- 孙再吉
- 山内忠昭
- 张永良
- 戴鹏
- 方润
- 李丹
- 李鹏
- 松本淳子
- 林朝征
- 沈劲鹏
- 王丁
- 王建卫
- 田增成
- 由一
- 石田耕三
- 神保伸一
- 米谷英树
- 胡会献
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贺学金
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摘要:
维修中发现,凹凸公司生产的背光灯驱动控制集成块OZ9976GN、OZ9976AGN,两者的外形相同,均采用SOP-16封装形式,如图1所示,但两者的引脚功能和应用电路均存在很大的差异,故无法直接代换.
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罗姆
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摘要:
采用具备驱动器源极引脚的低电感表贴封装有利于实现紧凑的设计,这对于车载充电器等车载应用开发来说非常重要。人们普遍认为,SiC MOSFET可以实现非常快的开关速度,有助于降低电力电子领域功率转换过程中的能量损耗。然而,由于传统功率半导体封装的限制,在实际应用中并不能发挥SiC元器件的全部潜力。在本文中,我们先讨论传统封装的一些局限性,然后介绍采用更好的封装形式所带来的好处。最后,展示对使用了图腾柱(Totem-Pole)拓扑的3.7k W单相PFC进行封装改进后获得的效果。
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巫洋茜;
谢东;
王汉青
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摘要:
本文概括阐述了国内外对相变蓄能墙体的研究现状,对相变材料(PCM)的分类,相变材料的封装形式,相变墙体结构以及学者们针对提高墙体热性能的相变墙体结构优化研究进行了归纳总结,简述了学者们为优化相变材料利用率以及更好地实现建筑节能所做的研究工作,提出了一些可以进一步探讨的方向.为学者们进一步研究优化相变墙体结构,增强墙体热性能,增大建筑节能提供了一些参考方向.
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麦家儿;
章金惠;
吴灿标
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摘要:
紫外LED由于波长对有机材料会存在一定程度的影响,且部分用途特殊,市场上呈现出多种不同的紫外LED封装形式.围绕平面玻璃封装、硅胶平面封装、平面玻璃填胶封装、球状透镜封装、球状透镜填胶封装等几种封装形式,对不同封装形式的紫外LED出光情况进行了实验分析.结果表明,不同封装形式之间光功率、发光角度、光强分布、照度均差异比较大,应该针对不同的领域使用相应封装形式的紫外LED器件.
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景曙光
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摘要:
在平板彩电或数码产品的电路中,采用SOT223封装形式且丝印号以字母“GH”打头的3脚贴片元件较为常见,如图1所示。该类贴片元件实为低压差三端稳压器(LDO),属于1117或AP2114系列,其丝印号与型号的对应关系见表1。
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李铮1
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摘要:
对于电子元器件尤其是军用电子元器件来说,由于其造价昂贵并不能长期生产,因此长期妥善储存是解决电子元 器件停产断档问题的主要方法,而在实际电子元器件储存过程中,封装形式的不同往往会显著影响电力元器件的储存效果。 对此,文章以封装形式对电子元器件长期储存可靠性的影响为研究内容,从多个角度分析并比对了每种封装形式下电子元器 件的储存效果,旨在给予广大电子元器件管理人员可行的帮助和建议,进而促进电子元器件长期储存的有效实现。
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陈立红;
鲍峰妹;
徐会武
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摘要:
综述了市场上存在的100G光模块封装形式,详述了4种100G光模块的主流方案,从模块的工作原理、模块封装结构、模块所需原材料进行了讲述,此4种光模块具有功耗低、体积小、速率高等特性,这意味着QSFP28光模块在交换机上具有更高的端口密度,所以QSFP28是100G光模块的主流方案,也是本文的重点介绍对象.这些光模块主要应用于100G数据中心内部网络、数据中心互联、城域网络等环境.同时,该文章对模块产品的成本、售价做了分析,最后阐述了100G光模块未来市场需求量.
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袁理;
肖霞;
李华华;
姜元琪;
王云波;
李君儒;
郑晨焱;
刘春华
- 《第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议》
| 2015年
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摘要:
基于化合物半导体器件生产技术,中航(重庆)微电子有限公司建立了国内首条8英寸硅基氮化镓器件生产线,并于近日成功开发出国内首例基于8英寸材料的氮化镓功率器件N1BH60010A.该器件实现了600伏特耐压及10安培直流输出电流,可广泛用于PFC、DC/DC converter、DC/AC inverter等功率电子系统中,针对当下高速电源、不间断电源、汽车电源、航空航天电源、太阳能发电等电源管理应用市场,提出了更紧凑、更高效的解决方案.中航微电子从2013年开始硅基氮化镓功率器件的研究,在国家02科技重大专项的支持下,目前已经建成独具特色的8英寸化合物半导体器件生产线,可以提供包括低电阻欧姆接触、低漏电表面钝化与隔离、低栅漏栅介质层淀积、大电流器件互联、8英寸硅基氮化镓晶片减薄与划片等在内的完整硅基氮化镓器件制造能力。与此同时,针对不同产品应用类型,公司正在开发包括传统TO系列功率器件封装、Flip-chip倒装和陶瓷金属封装等多种器件封装形式,满足市场需求。
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