封装尺寸

摘要： Silicon Labs(“芯科科技”)发布了新的小尺寸、高性能晶体振荡器(XO)和压控晶体振荡器(VCXO)系列产品,用于低抖动和频率灵活的时钟合成。Si54x/6x Ultra系列XO/VCXO在整个工作范围内为整数和小数频率提供低至80飞秒(fs)的抖动性能,从而为数据中心互连、光传输、广播视频和测试/测量等要求严苛的应用提供了出色的抖动余量。这些新产品可提供单通道、双通道、四通道和I 2C可编程频率选项,支持行业标准的2.5×3.2 mm^2封装尺寸,从而成为要求混合使用不同频率且空间受限的设计的理想选择。

摘要： Bourns推出新系列的抗硫化AEC-Q200厚膜电阻器。Bourns■CRxxxxA-AS系列芯片电阻器提供8种不同的封装尺寸,从小型0201(0603公制)至2512(6432公制),额定功率从0.05W-1W.新型表面贴装芯片电阻还具有1欧姆至20百万欧姆的宽电阻范围,非常适合各种应用。

摘要： 美国柏恩Bourns发布新版压力传感器Bourns■BPS140系列压力传感器。基于最先进的微机电系统(MEMS)技术,在微型封装尺寸下提供极其精确的状态读数,可提供高灵敏度/准确度和长期可靠性,提供扩充的温度能力和苛刻介质兼容性。

摘要： 2018年至今,在推出新品和产品迭代的基础上,三菱电机产品线更加全面。在新能源发电,特别是光伏、风力发电领域,三菱电机顺利推出基于LV100封装的新型绝缘栅双极晶体管模块。通过不断改善芯片技术,在轨道牵引应用领域,X系列高压绝缘栅双极晶体管不仅拓宽了安全工作区域度,增大了电流密度,而且增强了抗湿度和抗凝露鲁棒性,从而进一步提高了牵引变流器现场运行的可靠性。在电动汽车领域,直接水冷型J1系列Pin-fin模块凭借封装尺寸小、内部杂散电感低的独特性能,赢得了市场青睐。

摘要： 兆易创新GigaDevice 宣布全新的SPI NORFlash———GD25WDxxCK产品系列正式量产,它是业界首款采用1.5 mm×1.5 mm USON8最小封装,并支持1.65~3.6 V 的低功耗宽工作电压的产品。作为GigaDevice久经市场验证的1.8 V、2.5 V、3.0 V SPI NOR Flash产品系列的有效补充,这款全新的宽电压、超小尺寸产品系列进一步丰富了GigaDevice的Flash Memory产品线,为物联网、可穿戴、消费类及健康监测等对电池寿命和紧凑型尺寸要求严苛的应用提供了优异的选择。

摘要： 意法半导体的STLQ020低压差（LDO）稳压器可以缓解在静态电流、输出功率、动态响应和封装尺寸之间权衡取舍的难题,为设计人员带来更大的自由设计空间。集小尺寸、高性能和高能效于一身的STLQ020非常适用于电池供电的消费电子产品,例如,智能手机、平板电脑、智能手表、音频或媒体设备以及穿戴设备。

摘要： MAX32558 Deep Cover IC支持更快、更简易的设计,帮助工业、消费、计算和Io T等应用实现可靠的安全功能Maxim宣布推出MAX32558安全微控制器,帮助安全敏感型工业、消费、计算和物联网(Io T)设备制造商快速、高效地建立安全加密操作、密钥存储和防篡改功能。作为Maxim Deep Coverò安全微控制器家族的新成员.

摘要： MAX32558 DeepCover IC支持更快、更简易的设计,帮助工业、消费、计算和IoT等应用实现可靠的安全功能Maxim宣布推出MAX32558安全微控制器,帮助安全敏感型工业、消费、计算和物联网(IoT)设备制造商快速、高效地建立安全加密操作.

摘要： 2018年6月14日，纽约，豪威公司（Omni Vision）发布了一款高清医疗图像传感器OH01A，这是世界首款在2．5mm×1．5mm封装尺寸中提供1280×800分辨率和60fbs帧率的医疗图像传感器，预期于2018年第四季度进行量产。

摘要： 艾迈斯半导体推出环境光传感器TSL2540和TSL2541，可满足消费电子设备显示屏／LED亮度控制的高灵敏度、低功耗和小封装尺寸要求。当检测光强度只有几毫勒克斯的环境光（相当于没有月光的晴朗夜空）时，新产品可实现非常高的灵敏度。利用其宽动态范围，它们可以在各种照明环境（从明亮太阳光到暗室）中以及墨水涂染的盖玻片后有效地运行。

摘要： 本申请公开了一种大尺寸芯片适配小尺寸封装体的封装结构，包括框架、设于所述框架内的第一焊盘容腔和第二焊盘容腔以及设于所述第一焊盘容腔上方的芯片容腔、开设于所述框架近侧方的通道，所述第一焊盘容腔和所述第二焊盘容腔交叉错位，所述通道位于两焊盘容腔的一侧，通道内壁面为金属化孔壁；其中，所述第一焊盘容腔、所述第二焊盘容腔和所述芯片容腔内分别用于容置第一焊盘、第二焊盘和芯片。本申请提供的大尺寸芯片适配小尺寸封装体的封装结构，通过在封装结构的近侧方设置具有金属化孔壁的通道，为芯片提供更多的容置空间，有效提升封装结构内的芯片占比至60%‑70%，实现了大尺寸芯片适配小尺寸封装体的加工需要。

摘要： 本发明提供一种芯片尺寸封装结构及其芯片尺寸封装方法。该芯片尺寸封装方法包含下列步骤：研磨一圆片的一底面；设置一基底的一底面于一载具；通过一粘着层接合已研磨的该圆片的该底面至该基底的一顶面；分离该载具；耦合该圆片的多个连接垫至该基底的多个外部连接垫，其中这些连接垫形成于该圆片的一顶面，且这些外部连接垫形成于该基底的一底面；以及切割该圆片为多个芯片尺寸封装结构。

摘要： 根据本发明，芯片尺寸封装CSP以晶片级制造。CSP包括芯片、用于再分布芯片的芯片焊盘的导电层、一个或两个绝缘层以及通过导电层与相应芯片焊盘相连并为CSP的端子的多个凸起。此外，为改善CSP的可靠性，提供了加强层、边缘保护层和芯片保护层。加强层吸收当CSP安装在线路板上并被长期使用时作用于凸起的应力，并延长凸起及CSP的寿命。边缘保护层和芯片保护层防止外力损坏CSP。在半导体晶片上形成所有构成CSP的元件之后，锯切半导体晶片，得到单个CSP。

摘要： 本发明提供一种针对薄基板的小尺寸封装体的封装方法及封装体，所述封装方法包括如下步骤：提供一薄基板，所述薄基板具有至少一个芯片区及包围所述芯片区的外框；在所述外框表面设置一加强板；在所述芯片区设置芯片，并进行金属引线键合；注胶，塑封芯片及金属引线，其中在所述注胶步骤中，从所述薄基板芯片区的上方注胶；去除所述外框及加强板，形成独立的塑封体。本发明的优点在于，在薄基板表面覆盖加强板，加强板增加了薄基板的强度，避免薄基板发生变形翘曲，进而克服变形翘曲带来的缺陷。

摘要： 纳米尺寸的金属微粒组合物包括第一金属，第一金属具有大约20纳米或更小的微粒尺寸。纳米尺寸的金属微粒可以包括第二金属，第二金属形成了在第一金属周围的壳。也披露了使用了纳米尺寸的金属微粒组合物的微电子封装。也披露了组装微电子封装的方法。也披露了包括纳米尺寸的金属微粒组合物的计算系统。

摘要： 本申请公开了一种大尺寸芯片适配小尺寸封装体的封装结构，包括框架、设于所述框架内的第一焊盘容腔和第二焊盘容腔以及设于所述第一焊盘容腔上方的芯片容腔、开设于所述框架近侧方的通道，所述第一焊盘容腔和所述第二焊盘容腔交叉错位，所述通道位于两焊盘容腔的一侧，通道内壁面为金属化孔壁；其中，所述第一焊盘容腔、所述第二焊盘容腔和所述芯片容腔内分别用于容置第一焊盘、第二焊盘和芯片。本申请提供的大尺寸芯片适配小尺寸封装体的封装结构，通过在封装结构的近侧方设置具有金属化孔壁的通道，为芯片提供更多的容置空间，有效提升封装结构内的芯片占比至60%‑70%，实现了大尺寸芯片适配小尺寸封装体的加工需要。

摘要： 本发明提供一种芯片尺寸封装结构及其芯片尺寸封装方法。该芯片尺寸封装方法包含下列步骤：研磨一圆片的一底面；设置一基底的一底面于一载具；通过一粘着层接合已研磨的该圆片的该底面至该基底的一顶面；分离该载具；耦合该圆片的多个连接垫至该基底的多个外部连接垫，其中这些连接垫形成于该圆片的一顶面，且这些外部连接垫形成于该基底的一底面；以及切割该圆片为多个芯片尺寸封装结构。

摘要： 根据本发明,芯片尺寸封装CSP以晶片级制造。CSP包括芯片、用于再分布芯片的芯片焊盘的导电层、一个或两个绝缘层以及通过导电层与相应芯片焊盘相连并为CSP的端子的多个凸起。此外,为改善CSP的可靠性,提供了加强层、边缘保护层和芯片保护层。加强层吸收当CSP安装在线路板上并被长期使用时作用于凸起的应力,并延长凸起及CSP的寿命。边缘保护层和芯片保护层防止外力损坏CSP。在半导体晶片上形成所有构成CSP的元件之后,锯切半导体晶片,得到单个CSP。

摘要： 本发明提供一种针对薄基板的小尺寸封装体的封装方法及封装体，所述封装方法包括如下步骤：提供一薄基板，所述薄基板具有至少一个芯片区及包围所述芯片区的外框；在所述外框表面设置一加强板；在所述芯片区设置芯片，并进行金属引线键合；注胶，塑封芯片及金属引线，其中在所述注胶步骤中，从所述薄基板芯片区的上方注胶；去除所述外框及加强板，形成独立的塑封体。本发明的优点在于，在薄基板表面覆盖加强板，加强板增加了薄基板的强度，避免薄基板发生变形翘曲，进而克服变形翘曲带来的缺陷。

摘要： 纳米尺寸的金属微粒组合物包括第一金属，第一金属具有大约20纳米或更小的微粒尺寸。纳米尺寸的金属微粒可以包括第二金属，第二金属形成了在第一金属周围的壳。也披露了使用了纳米尺寸的金属微粒组合物的微电子封装。也披露了组装微电子封装的方法。也披露了包括纳米尺寸的金属微粒组合物的计算系统。