封装基板

摘要： 4月8日,江苏省工业和信息化厅公布了2022年江苏省智能制造示范工厂名单。根据江苏省“智改数转”工作整体部署,经企业申报、评审和公示等程序,86个工厂入选2022年江苏省智能制造示范工厂名单。其中,包括无锡深南电路有限公司的封装基板智能工厂、盐城维信电子有限公司的柔性线路板智能制造工厂、江苏博敏电子有限公司的高端印制电路板智能制造示范工厂。

摘要： 通过创新工艺和智能化工厂实现绿色生产,持续提升市场竞争力;同时,我们更应该把握未来增长更快的HDI及封装基板市场,在全新的战场开疆拓土。2021年全球PCB产业达到了近十年的又一个增长高峰,Prismark估算产值增长23.4%至804亿美元,所有细分品类PCB产品增长强劲;未来几年全球PCB产业将持续成长态势,其中封装基板市场增速居前,预计至2026年封装基板市场产值达210亿美元,成为PCB最大的细分品类产品,另外HDI市场特别是任意层HDI和SLP也是增速较快的细分市场。

摘要： 4月22日,珠海和美精艺半导体有限公司富山IC载板生产基地建设项目正式动工建设。项目预计2023年建成,2024年投产。目前项目已完成前期整平和设计工作,准备开展主体工程建设。项目预计投入30亿元,目前规划建设的内容有办公楼、厂房及研发中心,可满足高端封装基板的研发及生产需要,主要生产IC封装基板、高密度电子电路板等产品,设计生产能力为IC封装基板70万m^(2)/年、高密度电路板200万m^(2)/年。

摘要： 本文对近年的半导体封装及封装载板发展作了简要回顾;对封装载板的种类、性能特点、应用、技术、性能特点作了综述;并对封装载板近几年封装基板结构与技术的最新发展作了介绍与分析。

摘要： LED用电路板,是印制电路板的一种,是在导热性比较好的材料平面上印刷线路,再将电子元件焊接于上面,在高端光电设备、智能家居市场,LED灯类印制电路板的应用越来越广,我们这里所说的新型LED电子显示封装基板,主要是指小间距LED、MiniLED及LED灯珠封装电路板。目前主要以Pitch大小及封装方式进行区分。LED小间距显示成为带动行业景气度恢复的重要因素,未来随着成本的逐步下降,有望持续推动市场应用高增长。随着LED显示屏领域市场的扩大,尤其小点间距产品增产,文章主要阐述新型LED电子显示屏的封装基板量产化的关键技术。

摘要： 开发IC封装基板用低轮廓极薄电解铜箔,是我国电解铜箔企业填补国内封装基板配套材料国产化空白、补高端铜箔“短板”的重要课题。

摘要： 在由75 g/L CuSO4·5H2O、220 g/L浓硫酸和70 mg/L Cl-组成的基础镀液中加入有机添加剂聚乙二醇(PEG 8000)和聚二硫二丙烷磺酸钠(SPS),通过恒电流测试、阴极极化曲线测试、循环伏安测试和电化学阻抗谱(EIS)测试研究了PEG 8000和SPS对铜电沉积电化学行为的影响,并采用扫描电镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)分析了所得铜镀层的表面微观形貌和晶面取向.结果表明,镀液中单独加入200 mg/L PEG 8000时,铜电沉积被抑制,镀层的致密性提高,但外观变化不大.镀液中同时加入200 mg/L PEG 8000和1 mg/L SPS后铜电沉积加快,镀层平整性和致密性提高,外观均匀、光亮,能够满足封装基板对铜层外观的要求.

摘要： 分别采用联苯苯酚型环氧和邻甲酚醛型环氧与增容改性树脂(类BT树脂)制备了覆铜板,测试了覆铜板的耐热性、介电性能、CTE、PCT等性能。结果表明,覆铜板样品具有良好的综合性能,相关性能数据达到了IC封装基板的使用要求,预期在IC封装用基板材料及高性能覆铜板等领域有广阔的应用前景。

摘要： 本文研究了封装基板经酸蚀减薄后镀铜层出现麻点的失效情况,通过金相显微镜、扫描电镜、能谱分析仪、氩离子截面抛光仪等宏微观测试方法和表征手段,对封装基板电镀铜层的生长过程和针孔的形成过程进行了分析论述,发现在正常的电镀工艺中会随机出现一些铜晶粒缺陷,酸蚀过程中异常晶粒整体脱落,导致麻点的产生.缺陷会造成腐蚀速度的不均匀,并引发毛细增溶效应,对此我们提出改进方案,在腐蚀液中添加半胱氨酸等铜离子的配体化合物,可使铜离子不同晶面的溶解速度发生改变,留下慢溶晶面,使针孔现象不容易发生,实验结果表明针孔数目明显减少,优化方案的改进效果显著.

摘要： 简述了封装基板在IT时代的突出地位;须厘清或了解的相关知识;电子封装需解决的技术课题;封装基板需解决的技术课题及基板类型;有机封装基板的发展、封装用有机基板、有机封装基板的特点、主要性能要求及分类;介绍了封装基板的设计原则,从原辅材料的选择、配方设计、工艺设计等方面浅析封装基板的开发;并推荐了DCPD酚环氧及DCPD酚活性脂在封装、高频/高速、高性能、高可靠性基板中的应用.

摘要： 随着半导体集成电路技术的快速发展与提升，作为半导体芯片封装载体的封装基板互联密度也迅速增加。封装基板的特点之一就是孔数多、孔径小,对于孔径小于100μm的微孔基本全部采用激光加工.其中盲孔由于电镀铜与基铜之间结合力的可靠性问题,使得对盲孔加工过程控制更加困难.孔底铜层分离是导致盲孔可靠性的问题之一,文章通过对激光加工条件、除胶方式以及内层基铜粗糙度三个方面加以分析,并通过全因子试验证实了导致孔底分离不良的主要原因是孔底残胶,且除胶方式和基铜粗糙度是影响孔底铜层分离的显著因素.采用等离子干法除胶、使用内层基铜粗糙度较大的芯板同时增大下孔径将显著改善孔底分离不良.采用拔孔的方法可有效监控孔底分离不良.

摘要： 文章就应用于封装基板的CO2激光直接钻通孔工艺进行了深入的探讨,对制作开口孔径为70μm的通孔进行流程和参数优化.通过JMP软件设计优化试验,分析了各加工参数(脉宽、能量、枪数、光罩等)对开口孔径和孔真圆度的影响,并得出了最佳加工参数.最佳工艺参数为:脉宽7.1μs,能量6.9mj,光罩1.9mm,枪数2shot,同时微蚀量控制在(0.6～0.8)μm,以此加工所得开口孔径为70.96μm,真圆度为97.26％.在此基础上,对孔的可靠性能进行验证,验证结果证实了孔的可靠性能良好.

摘要： 随着LED向高功率、小型化方向发展,其散热问题愈来愈受到重视.LED的这种发展趋势对封装基板的性能提出了更高的要求.本文分析了国内外LED封装基板的发展现状,介绍了树脂基板、金属芯印刷电路板、硅基板、陶瓷基板的结构特点、导热性能及封装应用,指出了高功率LED基板材料的发展趋势及需要解决的问题.

摘要： 采用美国Analysis Tech公司生产的Phase11型热阻测试仪,以表征热问题的关键参数热阻为基础,分别对采用不同粘结材料和封装基板的LED进行了测试,并通过结构函数对LED传热路径上的热结构特性进行了分析. 结果表明,GaN陶瓷封装基板、MCPCB板以及塑料PCB板的LED总体热阻分别为8.95、10.66和22.48 °C/W;采用Sn20Au80和银胶芯片粘接的LED,芯片到Cu热沉的热阻分别为3.75和4.80 °C/W.因此对于大功率LED封装,可在结构函数的指导下选择材料,实现降低热阻,提高LED寿命和稳定性的目标.

摘要： 本文针对ENEPIG(化镍钯浸金)技术应用于封装基板表面处理,在化镍钯浸金工艺过程中,通过对镍层上化学镀钯控制、浸金控制,获得精确的沉积厚度和金层均匀性,达到良好的接触面。并就浸金过程中的渗金问题进行优化控制,达到焊区小间距的需求。通过对ENEPIG表面处理焊区和电镀镍金表面处理焊区的Wire Bonding(引线键合)能力、可焊性、抗老化能力进行试验比较,验证了本ENEPIG控制技术同时具有优于电镀镍金的引线键合可靠性和锡焊可靠性。本ENEPIG控制技术所获得优异可靠性的表面处理,并且满足无铅组装工艺所有需求,非常适用于封装基板的表面处理制造。

摘要： 随着电子技术的飞速发展,电子产品的高集成度,高速度,高的I/O密度所带来的热障问题,已成为制约其持续发展的技术瓶颈.在封装基板中设置铜柱可使芯片的发热更有效的传导向基板背面.文章对封装基板中的3D互连的铜柱阵列分别设计了3种散热布局,分别为竖直堆叠、两两堆叠和分散分布,并对模型的热传导效果进行了有限元仿真.结果表明,封装基板中设置铜柱互连阵列后,器件的最高温度降低了0.51°C,当采用竖直堆叠分布的方案时,相比其他两种方案能更明显的提升了热传导效率.

摘要： 印制板任意层互连化是电子产品"轻、薄、短、小"发展的内在要求.本文以传统的HDI工艺为基础,通过实践和论证对任意层互连高密度互连印制板的工艺进行了全面的可行性研究,为任意层互连工艺产业化提供必要的参考依据.

摘要： 印制板任意层互连化是电子产品"轻、薄、短、小"发展的内在要求.本文以传统的HDI工艺为基础,通过实践和论证对任意层互连高密度互连印制板的工艺进行了全面的可行性研究,为任意层互连工艺产业化提供必要的参考依据.

摘要： 印制板任意层互连化是电子产品"轻、薄、短、小"发展的内在要求.本文以传统的HDI工艺为基础,通过实践和论证对任意层互连高密度互连印制板的工艺进行了全面的可行性研究,为任意层互连工艺产业化提供必要的参考依据.

摘要： 本发明涉及基板密封装置和使用该基板密封装置密封基板的方法。具体地，一种基板密封装置，包括室、至少一个下挤压构件和至少一个上挤压构件。所述下挤压构件包括用于辐射热的挤压表面，被配置为在相对于所述挤压表面的竖直方向上被上升和下降，并且绕竖直方向旋转。所述上挤压构件包括用于辐射热的挤压表面，并被配置为在所述竖直方向上被上升和下降。

摘要： 提供了一种封装显示面板和对置基板的方法、封装显示面板、显示装置和对置基板。该封装显示面板包括显示基板；面对显示基板的对置基板；以及密封剂，其填充在显示基板和对置基板之间的空间中。该显示基板在外围区域中具有多个突出部分和多个凹陷部分，导致表面形貌不均匀。该对置基板在外围区域的至少一部分中具有与显示基板的表面形貌基本上互补的对置表面形貌。对置基板在外围区域中具有多个对置突出部分。

摘要： 本发明涉及基板密封装置和使用该基板密封装置密封基板的方法。具体地，一种基板密封装置，包括室、至少一个下挤压构件和至少一个上挤压构件。所述下挤压构件包括用于辐射热的挤压表面，被配置为在相对于所述挤压表面的竖直方向上被上升和下降，并且绕竖直方向旋转。所述上挤压构件包括用于辐射热的挤压表面，并被配置为在所述竖直方向上被上升和下降。

摘要： 本发明公开了封装基板制造工艺、封装基板以及芯片封装结构，其中，封装基板制造工艺通过将第一导电片、绝缘件以及第二导电片进行层叠压合，第一导电片上设置有导电凸起，绝缘件上设置有用于容纳导电凸起的收容腔，通过制作连接导电凸起与第二导电片的引线，通过将第二导电片加工成用于外接线路连接的接线凸起，并通过在收容腔中形成用于供芯片安装的安装槽以及用于供芯片接线的导电凸块，这样，相对于现有的芯片贴装于封装基板后再增加一个收容腔支架的方式，通过该封装基板制造工艺可以一次性成型具有封装线路和芯片封装收容腔的封装基板，不仅可以有效缩短流程，降低成本，而且可以有效降低加工难度，从而提高产品精度和良品率。

摘要： 本发明公开了封装基板制造工艺、封装基板以及芯片封装结构，其中，封装基板制造工艺通过将第一导电片、绝缘件以及第二导电片进行层叠压合形成母材，绝缘件上设置有用于容纳凸台的收容腔，通过对第一导电片、绝缘件和第二导电片进行加工形成第一引线、第二引线；分别与第一引线两端连接的导电凸块、第一接线凸起；以及分别与第二引线两端连接的第二接线凸起、第三接线凸起，并通过去除凸台以露出收容腔。这样，可以一次性成型具有封装线路和供芯片嵌入封装的收容腔的封装基板，工艺简单，成本低，可实大批量制作，生产效率高，而且采用该封装基板制造工艺制成的封装基板，芯片可以嵌入封装，使得产品整体厚度较为较薄，能够满足市场需求。

摘要： 本发明公开了一种封装基板，包括：介电层，具有相对设置的第一表面和第二表面；无源元件，嵌入至所述介电层中并接触所述介电层；电路层，嵌入至所述介电层中并且具有第三表面，且所述第一表面和所述第三表面对齐；以及胶层，设置在所述介电层的所述第二表面上；并且嵌入在所述介电层中的所述无源元件粘附在所述胶层上；第一通孔，穿过所述电路层及所述介电层的部分以电连接至所述无源元件。本发明实施例，由于无源元件置于介电层中，因此无需设置核心层，因此能够降低芯片封装和封装基板的制造成本。

摘要： 本发明公开了LED封装基板以及使用该LED封装基板的LED封装设备，包括LED底板、封装框、金属散热片、LED晶片和荧光粉，LED底板底部设有金属散热片，LED底板内部等距开设有第一凹槽，金属散热片内部等距开设有第二凹槽，LED底板顶部装配有封装框，封装框内部对称固定连接有封装基板，两个封装基板顶部均装配有印制电路板，LED底板顶部且位于两个封装基板之间装配有LED晶片，本发明通过在LED底板与金属散热上开设的第二凹槽和第一凹槽配合使用，可以提高散热硅脂的填充效果，从而增强LED底板与金属散热片的连接强度和散热效果，通过在硅胶层中设置的荧光粉配合透光孔进行使用，能降低硅胶老化对出光率的影响，有利于保持设备的透光率。

摘要： 本发明涉及芯片技术领域，公开了一种芯片封装基板、封装结构及封装基板的制作方法。本发明的芯片封装基板，包括：基材、导电线路、阻焊干膜、打线手指和焊接球垫，打线手指和焊接球垫分别设置在基材的上下表面上，且通过导电线路电性连接，阻焊干膜铺设在基材的上表面和下表面上，阻焊干膜包覆导电线路，且在基材上围成有矩形凹槽，同时打线手指和焊接球垫不被阻焊干膜覆盖。本发明的芯片封装基板，芯片封装时，底层的芯片嵌入在矩形凹槽内，上层的芯片再依次堆叠，通过封装树脂将芯片和基板封装起来，降低了封装体的整体高度，实现了封装体的厚度减薄效果；而且，在矩形凹槽内不设置导电线路和打线手指，提高了基板与芯片接触面的平整度。

摘要： 本发明提供一种封装基板上的焊垫、封装基板、倒装芯片封装组件，所述焊垫包括自其中心向外延伸且沿其中心的周向间隔分布的至少三个延伸部；每一所述导电凸块在对应的焊垫上受到的应力均比较分散，且不同方向的应力能够有一定的抵消作用，使整个所述芯片受到的应力也比较分散，优化所述芯片受到的应力分布，所述芯片有更强的抗外界干扰能力，不容易偏移，能够有效避免导电凸块与对应的焊垫之间的接触不良，同时降低了相邻焊垫之间桥接短路的几率。

摘要： 提供一种封装基板和包括该封装基板的多芯片封装件，所述封装基板包括：基板；第一结构，设置在所述基板上并具有第一贯通部；第一布线层，设置在所述基板上，并位于所述第一贯通部中；第一绝缘层，设置在所述基板上，位于所述第一贯通部中，并且覆盖所述第一布线层的至少一部分；以及第二布线层，设置在所述第一绝缘层上。