导体

摘要： 随着交联聚乙烯直流海缆向着高电压、大容量的方向发展,其在工程应用中也遇到了温度和电场两方面的挑战。文中结合±160 kV XLPE直流海缆建立了XLPE海缆的电场仿真模型和热路模型,对更高电压等级的XLPE直流海缆的结构特点进行了探讨。通过仿真发现,直流海缆绝缘层的厚度同时影响海缆的温度和场强分布,在对高电压、大容量海缆设计时需要综合考虑绝缘材料能承受的最大场强和最高温度,选取合适的绝缘层厚度。同时,通过仿真对比铜、铝导体电缆对电场、温度的影响发现,铜导体电缆运行温度较低,有利于电缆稳定运行,而铝导体海缆虽然体积更大,但其重量小,更有利于安装敷设。

摘要： 针对大学物理教学中面临的认可度挑战,以静电场中的导体和电介质的结合构造成的电容器为例,将电子电路中电容器暂态全过程与电容器的电容结合在555电路中,利用尝试构造可更换介芯的动态电容器的思路,展示出静电场中的导体和电介质在检测、监测技术领域的应用。

摘要： 静电场中导体的静电平衡是指导体上的电荷及电场分布不随时间变化的现象.该现象在高校物理课本中对学生进行了介绍.文章旨在讨论大学物理课本中对静电场中导体静电平衡解释过程中所忽略的情况,即外电场的电场强度大于导体所能产生的最大感应电场强度.通过简单易懂的计算证明了这种情况在自然界中是不可能存在的,解决了读者的困惑,并对教材内容进行了补充.

摘要： 静电平衡和静电屏蔽是电磁学中的重要知识点,其关键在于导体中存在大量自由电子,在外加电场作用下形成新的电荷分布,由此产生的附加电场抵消外加场使得导体内部电场处处为零.那么如果持续增大外加电场,静电平衡和静电屏蔽是否能一直实现?静电平衡和静电屏蔽是否有极限?本文分析了静电平衡在外加电场逐渐增强下,从开始被打破的临界状态到完全被打破的极限状态的变化过程,并以铁质外壳为例分析了静电屏蔽被打破所需要的场强和电势差.

摘要： 高集成度芯片发展使半导体行业对硅单晶材料提出尺寸与质量的要求。直拉法(Cz法)可生成大尺寸硅单晶,但生长中产生热对流,边界层不稳定,晶体易生杂质。因磁场对导电熔体内对流有抑制效果,通过外加磁场可提高生成大尺寸晶体的品质。基于现有研究结果提出了一种用于单晶炉的瓦状结构超导磁体,确定线圈结构参数、导体类型、屏蔽体厚度及磁芯高度,使其满足大尺寸、高品质单晶硅生长所需的磁场强度(约0.5T)及磁场位型,从而降低漏磁。借助数值分析优化超导磁体结构参数,有望为后续的MCZ硅单晶生长工艺参数提供参考。

摘要： 为了获得变电站接地网导体的实际埋设深度(埋深),通过对变电站接地网注入一定频率的励磁电流,利用电磁感应方法测量地表面两个不同位置的磁感应强度,根据两个磁场与测点的位置信息,得到接地网导体的具体埋设深度.理论分析了检测方法的可行性,设计研制了检测装置,实验室实验和站内现场试验测试,验证了方法的正确性.理论分析和测试结果表明,该技术方法操作简便、检测结果准确可靠,可以用于接地网运检维护的工程实际,也体现了物理学和电路理论在工程技术领域的具体应用.

摘要： 本文分析了一起110kV户外气体绝缘全封闭组合电器母线气室导体支撑绝缘子击穿故障,找到了引起故障的原因,提出了解决及处理措施,为户外气体绝缘全封闭组合电器设备类似故障的处理提供了参考.

摘要： 保险丝内的导体由类似于焊料的金属制成,它比普通导线本身的熔点低。该导体的尺寸要通过非常精确的校准,以便在达到额定电流时,能够产生足够的热量熔断该导体,断开电路。保险丝有两个重要的工作参数,一个是工作电压,另外一个则是额定电流,车主在购买或更换时要根据电路中的电压和电流来选择。

摘要： 拉模生产电缆导体扇形绞线工艺技术是一种新型电缆导体绞合生产工艺技术。该技术相对传统的压轮生产扇形绞线工艺技术而言更经济、工艺更简单、性能和质量更稳定。该技术是根据大拉机和拉模生产圆形绞线原理,经过探索、设计、开发出的一种扇形绞线生产新工艺技术,通过试制、性能检测、产业化生产,该技术成功已用于生产实践。该技术的成功应用进一步优化了产品的结构尺寸,降低了原材料的投入,提升了产品外在和内在品质,产品的稳定性得到进一步的提高。

摘要： 拉模生产电缆导体扇形绞线工艺技术是一种新型电缆导体绞合生产工艺技术.该技术相对传统的压轮生产扇形绞线工艺技术而言更经济、工艺更简单、性能和质量更稳定.该技术是根据大拉机和拉模生产圆形绞线原理,经过探索、设计、开发出的一种扇形绞线生产新工艺技术,通过试制、性能检测、产业化生产,该技术成功已用于生产实践.该技术的成功应用进一步优化了产品的结构尺寸,降低了原材料的投入,提升了产品外在和内在品质,产品的稳定性得到进一步的提高.

摘要： 目前电缆连接端子以铜-铝过渡端子居多，连接端子是铝合金电缆安全、无隐患应用的关键。铜导体、铝导体在物理、机械、电气、抗压蠕变等性能上存在差异，如果两者性能的匹配一致性不佳，当设备长期运行、过载或短路时，连接处压接松动，温度迅速升高，容易造成事故。通过研究铝合金电缆端子的力学性能、导电性能及抗压蠕变性能，开发出一种与AA-8000铝合金导体性能接近的铝合金端子。提高端子与铝合金电缆电气性能的一致性，减小传输线路的电阻率，降低能耗，提高铝合金电缆电力传输能力。

摘要： 通过研究脉冲场在导体中的扩散规律,给出导体中磁场扩散深度随时间变化的表达式,并说明了它与时谐场中透入深度表达式的区别.根据入射到不同介质交界面的激励场会发生反射折射的原理,找出携带导体深度信息的量.通过分析导体感应电压可知,电压特征量与板厚的关系本质上反映了导体中涡流随时间的扩散规律.以平板导体为例,选择脉冲电流作为激励,通过实验验证了上述结论.

摘要： 废旧线缆作为一种富含有价资源的工业固废具有重要的回收价值.世界许多国家和地区都建立了专门的回收废旧线缆的基地.为了回收废旧线缆中的有价资源,必须首先将线缆中的导体(主要是铜)和绝缘材料(主要是塑料)有效的剥离开,然后通过分选技术获得纯净的导体和绝缘材料.由于线缆剥离情况的好坏直接影响到铜的回收率,因此为了获得理想的分离率,就有必要知道导体与绝缘层的结合情况,然而目前并没有相关研究报告,因此本文就对铜和塑料的剥离进行了相关的研究.本文通过对绝缘材料为橡胶、聚乙烯(PE)和聚氯乙烯(PVC)的线缆进行了剥离实验,得出了长25mm的以上三组线缆线缆的最大剥离力和铜从塑料中完全脱出所需脱出功.实验结果表明绝缘材料的弹塑性、导体的绞合方式以及线缆的直径都会对导体和绝缘材料的剥离力产生影响.

摘要： 本文采用部分单元等效电路(PEEC)方法,对根据实际大容量电力电子变流器结构特点而构建的简化两导体物理模型建立了等效电路,并对其高频耦合特性进行了仿真分析.探讨了采用PEEC方法分析和定量计算大容量电力电子变流器中不同尺寸、不同空间相对位置的导体间的高频电磁耦合特性和EMI问题的可行性.

摘要： 低压配电设计要求选择导体截面应满足热稳定与热稳定的要求,本文即从绝缘导体短路热稳定的基本概念出发,分析了热稳定校验公式的由来与内涵,并探索了满足绝缘导体短路热稳定要求的多种途径.

摘要： 本文指出：导体表面屏蔽电荷的分布不服从费米狄拉克统计分布，而服从玻色爱因斯坦统计分布。

摘要： 本文通过燃烧后的导线、接头导体、熔珠的宏观分析、光学金相分析、化学成分分析和两导体的电学性能分析、及接头时的压钳模工艺分析,得出电缆起火是由于导线连接体选材不当,两导体间的接触电阻过大,压钳模工艺不良所致的火灾.

摘要： 在学习、应用新《民规》过程中，难免会不断发现些新疑义，提出来分析、讨论，希望有助于日后规范修编时参考。

摘要： 在学习、应用新《民规》过程中，难免会不断发现些新疑义，提出来分析、讨论，希望有助于日后规范修编时参考。

摘要： 作为实施方式之一，本发明涉及一种晶体，包含金属氧化物，所述金属氧化物包含Ga和Mn并具有刚玉结构。

摘要： 本发明提供一种能够利用划线形成良好的裂纹的半导体晶片、半导体条、半导体晶片的制造方法、半导体条的制造方法以及半导体元件的制造方法。使用半导体晶片的外延生长层在该半导体晶片的面方向排列形成有多个光半导体元件(具体地说，半导体激光器)。InGaAs外延层具有在多个光半导体元件之间连续地设置并且使该InGaAs外延层之下的层至少相对于该InGaAs外延层之上的层露出的部分(具体地说，开口部或者槽)。沿着该部分进行划线，由此，能够形成垂直发展的裂纹。

摘要： 一种有机晶体管，其具有半导体有源层，该半导体有源层含有由下式表示且分子量为3000以下的化合物(X为氧、硫、硒、碲原子或NR

摘要： 本发明提供同时实现了荧光量子效率的提高和耐热性的提高的半导体纳米粒子复合体。本发明的一个方式的半导体纳米粒子复合体为在半导体纳米粒子的表面配位有包含配体I和配体II的2种以上的配体的半导体纳米粒子复合体，其中，所述配体包含有机基团和配位性基团，所述配体I具有一个巯基作为所述配位性基团，所述配体II至少具有两个以上的巯基作为所述配位性基团。

摘要： 本发明涉及一种半导体纳米粒子复合体，其为在半导体纳米粒子的表面配位有配体的半导体纳米粒子复合体，其中，所述半导体纳米粒子包含In和P，所述配体包含下述通式(1)表示的巯基脂肪酸酯，所述巯基脂肪酸酯的SP值为9.30以下，通式(1)：HS‑R1‑COOR2 (1)通式(1)中，R1为碳原子数为1～11的烃基，R2为碳原子数为1～30的烃基。根据本发明，能够提供在纯化前后保持较高的荧光量子效率(QY)的半导体纳米粒子复合体。

摘要： 一种氮化物半导体层叠物，其具有：基板，其具有由氮极性面形成的表面、以及与表面处于相反侧的由III族元素极性面形成的背面，所述基板由III族氮化物半导体形成；保护层，其至少设置在基板的背面侧，耐热性比基板的背面高；以及半导体层，其设置在基板的表面侧，由III族氮化物半导体形成，半导体层中的O的浓度低于1×10

摘要： 一种半导体用膜组合物，其包含：化合物(A)，具有包含伯氮原子和仲氮原子中至少一者的阳离子性官能团、且重均分子量为1万以上40万以下；交联剂(B)，在分子内具有3个以上‑C(＝O)OX基(X为氢原子或碳数1以上6以下的烷基)，3个以上‑C(＝O)OX基中，1个以上6个以下为‑C(＝O)OH基，所述交联剂(B)的重均分子量为200以上600以下；以及水(D)，所述化合物(A)为脂肪族胺。

摘要： 一种半导体用膜组合物，其包含：化合物(A)，具有Si‑O键以及包含伯氮原子和仲氮原子中至少一者的阳离子性官能团；交联剂(B)，在分子内具有3个以上‑C(＝O)OX基(X为氢原子或碳数1以上6以下的烷基)，3个以上‑C(＝O)OX基中，1个以上6个以下为‑C(＝O)OH基，所述交联剂(B)的重均分子量为200以上600以下；以及极性溶剂(D)。

摘要： 根据本发明的制造半导体衬底的方法包括：制备包括半导体材料的籽晶衬底(1)的步骤，在籽晶衬底(1)上执行离子注入的步骤，由此离子注入层(2)形成为距离籽晶衬底(1)的主表面的表面一定深度；利用气相合成方法在籽晶衬底(1)的主表面上生长半导体层(3)的步骤；以及通过利用光(4)照射半导体层(3)和/或籽晶衬底(1)的主表面的表面的步骤，由此分离包括籽晶衬底的至少一部分(1a)和半导体层(3)的半导体衬底(5)。

摘要： 一种光半导体元件封装组合物，其是含有封装树脂和光扩散性有机颗粒的光半导体元件封装组合物。封装树脂的折射率与光扩散性有机颗粒的折射率之差的绝对值为0.020以上且0.135以下。光扩散性有机颗粒相对于光半导体元件封装组合物的含有比率为1质量％以上且10质量％以下。光半导体元件封装组合物用于光半导体元件的封装。