富拉尔基区

摘要： 成为班主任的那一天起,我一直没有离开过齐齐哈尔市富拉尔基区长青乡海格小学,这是本地区最偏远的乡村小学。随着经济的快速发展,近几年国家大力推行均衡发展制度,教育部门对乡村教育注入大量资金。这所学校的硬件条件不断改善,原本教室黑漆漆的,墙壁到处是裂痕,如今窗明几净,雪白的墙壁上贴满了古诗、名言条幅,校园因此有了诗意。原李的木头桌椅、窗框总会在不经意间弄伤大家的手,而现在崭新的铁制桌椅整齐划一。

摘要： 齐齐哈尔医学院附属第一医院始建于1954年9月,坐落在国家老工业基地齐齐哈尔市富拉尔基区,是伴随国家“一五”期间众多大企业(中国第一重型机械集团公司、北满特殊钢有限责任公司等)落户兴建的医院,具有鲜明的地域特色和独特的红色基因,是一所集医疗、教学、科研、预防保健功能为一体的三级甲等医院。

摘要： 全球首堆“华龙一号”核反应堆压力容器完工起航、白鹤滩上冠下环产品成功交付、CAP1400主管道突破空心锻造技术、首支调相机转子问世等等,这些中国标准、中国技术、中国制造都来自中国一重。在中国东北“工业重镇”齐齐哈尔市富拉尔基区,中国一重正用“火热”的生产实践,助力中国“十四五”开局年的“工业强省”“制造强国”建设。

摘要： (一)村民享有对村委会成员的监督权,村委会成员应自觉接受监督。村委会实行村务公开制度,定期公布村里的财产和财务收支,生产经营和农民负担情况。村民享有对村委会提出批评,意见和建议的权利.对村民提出的意见和建议,要通过村民代表会议解决,对村民提出异议,要公开作出解释。

摘要： 物业不作为,业主不缴费,环境“脏乱差”,造成恶性循环,黑龙江省齐齐哈尔市富拉尔基区红岸街道办事处红岸人家小区居民对此议论纷纷、意见很大,这一问题也成为办事处领导班子的心头之痛。

摘要： 来到黑龙江省齐齐哈尔市富拉尔基区铁北街道甲区社区红丰楼小区,任意走进一个楼道竟有一种“忽如一夜春风来,千树万树梨花开”的感觉。每上一层楼,都有笔墨书画展现,意境不同,图文并茂。

摘要： 本发明公开了一种自对准锗硅HBT器件监控发射区扩散后锗硅基区掺杂的测试结构，包含：一矩形有源区，以及位于有源区之外、将有源区层层包围的矩形的回刻保护区、基区多晶硅、牺牲发射极窗口以及金属硅化物阻挡层；在有源区的长度方向上，从里向外依次为牺牲发射极窗口、金属硅化物阻挡层、回刻保护区以及基区多晶硅的边界；在有源区的宽度方向上，从里向外依次为回刻保护区、基区多晶硅、牺牲发射极窗口以及金属硅化物阻挡层的边界。本发明可在硅片电测试阶段有效监控自对准锗硅HBT器件中外延层的P型掺杂浓度，在研发过程中可以比较不同菜单的P型浓度，可在量产过程中监控锗硅外延的工艺稳定性。本发明所述的工艺方法与原工艺兼容，简单易于实施。

摘要： 本发明公开了一种L型基区SiC MOSFET元胞结构、器件及其制造方法，包括N++型SiC衬底、N‑型SiC漂移层、P型基区和N+型源区，N‑型SiC漂移层位于N++型SiC衬底上方，其中具有源极沟槽和栅极沟槽，在栅极沟槽中具有栅介质层和栅电极；P型基区和N+型源区位于源极沟槽和栅极沟槽之间的N‑型SiC漂移层上，并自下而上排列，在P型基区与N‑型SiC漂移层之间具有N型电流传导层，P型基区与源极沟槽之间具有源极N+型欧姆接触区。本发明的器件结构能够进一步减小导通电阻和栅漏电容，有利于减小导通损耗和开关损耗，提高工作频率，并能够避免P型基区的提前击穿，保证器件可靠性。

摘要： 本发明公开了一种大功率双极型半导体器件宽基区集总电荷建模方法。它将宽基区分成宽度相等的n个区域，采用n个集总电荷来分别表示n个区域内的电荷分布，n≥3，根据区域的电荷分布以及电荷运动机理定义漂移电流和扩散电流，通过电流密度方程确定相邻区域之间的空穴电流和电子电流，根据电流连续性方程确定每个区域电荷引起的复合电流，以空穴电流、电子电流和复合电流为基础建立宽基区集总电荷模型。本发明提高了宽基区集总电荷模型的仿真精度，实现对多工况下的大功率双极型半导体器件宽基区内电荷量的准确计算。

摘要： 一种功率MOSFET(10)，它包含其中具有漂移区的半导体衬底(102)以及延伸在漂移区和半导体衬底第一表面(102a)之间的过渡区(130)。过渡区(130)中具有垂直退减的掺杂分布，其峰值在相对于第一表面(102a)的第一深度处。而且在各自第一和第二基区(126)下方提供了第一和第二基区屏蔽区(128)，以便耗尽过渡区(130)。

摘要： 本发明公开了一种L型基区SiC MOSFET元胞结构、器件及其制造方法，包括N++型SiC衬底、N‑型SiC漂移层、P型基区和N+型源区，N‑型SiC漂移层位于N++型SiC衬底上方，其中具有源极沟槽和栅极沟槽，在栅极沟槽中具有栅介质层和栅电极；P型基区和N+型源区位于源极沟槽和栅极沟槽之间的N‑型SiC漂移层上，并自下而上排列，在P型基区与N‑型SiC漂移层之间具有N型电流传导层，P型基区与源极沟槽之间具有源极N+型欧姆接触区。本发明的器件结构能够进一步减小导通电阻和栅漏电容，有利于减小导通损耗和开关损耗，提高工作频率，并能够避免P型基区的提前击穿，保证器件可靠性。

摘要： 本发明提供的一种基区横向掺杂浓度渐变的碳化硅功率器件及其制备方法，制备出的基区横向掺杂浓度渐变的碳化硅功率器件包括p+外延层1、P‑基区2、N+衬底3、钝化层4、背部电极5以及正面电极6；本发明P‑基区2使用横向变掺杂基区，可以提高P+/P‑结处P‑基区的掺杂浓度，降低器件负角处的浓度梯度，抑制表面电场，提高器件的工作可靠性。

摘要： 本发明提供的一种具有P型变掺杂基区的碳化硅功率DAS器件及其制备方法，制备出的具有P型变掺杂基区的碳化硅功率DAS器件包括p+外延层1、P‑基区2、N+衬底3、钝化层4、背部电极5以及正面电极6；本发明P‑基区2使用纵向变掺杂基区，可以降低P‑/N+结处P‑基区的掺杂浓度，提高基区电场纵向均匀性，提高器件雪崩开启速度。同时提高P+/P‑结处P‑基区的掺杂浓度，降低器件负角处的浓度梯度，抑制表面电场，提高器件的工作可靠性。

摘要： 本发明提供了一种偏压连拱隧道洞口软弱地基区带组合结构及其施工方法，其组合结构包括：倒T型偏压挡墙、基底板、倒T型中隔墙、抗倾覆承压桩、挡墙锚拔桩、中隔墙承压桩、中隔墙锚拔桩和受压桩。本发明通过充分利用软弱地基下持力层，优化传统偏压挡墙尺寸，增加部分传统中隔墙高度，设计布置不同类型的桩基础，可避免对具有复发性的软弱地基进行处理，以长期避免地下水环境变化等导致的软弱地基性状改变进而引发上部隧道结构灾害的发生。本发明组合结构的施工方法技术方案成熟，可操作性强，经济效益明显，特别适用于偏压连拱隧道洞口段地基条件不良、不均等特殊地质条件环境。

摘要： 本发明提供一种集成开基区PNP晶体管的碳化硅MOSFET器件及其制备方法，N‑外延层注入铝离子形成P型基区及P型发射区；铝离子注入形成P+欧姆接触区；氮离子注入形成N+源区；氮离子注入形成N型基区并激活退火；栅氧化层热生长并氮化退火；多晶硅淀积与刻蚀，通过引入PNP晶体管结构实现P型发射区电位可调：在阻断状态及短路状态，PNP晶体管穿通，P型发射区自动钳位保护氧化层，P型发射区与P型基区形成JFET耗尽夹断；在导通状态，PNP晶体管截止，P型发射区浮空，不影响导通电阻，由于P型发射区电位钳位在低电压，器件栅漏电容较小，本发明在增强碳化硅MOSFET器件氧化层及短路可靠性的同时，又保证了器件正向导通特性，降低了器件开关损耗。

摘要： 本发明公开了一种具有N埋层的沟槽型基区电阻控制晶闸管及其制作方法，其中，该具有N埋层的沟槽型基区电阻控制晶闸管的结构组成包括：衬底；在衬底的内部设置有缓冲层、N埋层以及在衬底的上方设置有表面结构区；沟槽栅极穿过表面结构区，沟槽栅极的底部延伸至衬底的内部；其中，表面结构区包括P基区、N+阴极区以及分流区，沟槽栅极位于P基区的一侧，N埋层的一端沿着水平方向在衬底的内部延伸至P基区的下方，N埋层的存在可以抑制导通时空穴被分流区抽取，使更多空穴在N埋层下方积累，以及增大流过P基区的空穴电流，加速晶闸管的开启，提高器件开启速度，改善电压折回现象。