密度泛函方法

摘要： 采用密度泛函B3LYP方法,在6-311+G(d,p)基组水平下,对星际分子硫代甲醛(H_(2)CS)的形成机理进行研究,获得了合理的冰相合成反应通道。获得的信息有助于为进一步研究星际介质中含硫分子的形成提供参考。

摘要： 团簇的结构和稳定性具有明显的尺寸效应,研究其性质有助于人们对物质有更深入的认识。通过结构搜索结合密度泛函方法,我们系统地研究了AlnPn (n = 2~9)团簇的结构、稳定性和电子性质。随着尺寸的增大,AlP团簇逐渐接近笼状结构,AlP团簇中Al原子和P原子之间交替成键,稳定性增强,Al原子和P原子间的相互作用逐渐减弱。能隙研究表明AlnPn (n = 2~9)团簇表现为半导体性质。Al-P原子之间的电荷转移比Al-Al和P-P间更强,表现出离子性质。成键分析表明,Al-P之间有较强的共价相互作用。

摘要： 采用B3LYP、MP2、QCISD三种不同的计算方法,分析讨论星际有机分子乙腈中性分子(CH3 CN)、阴离子(CH3 CN-)及阳离子(CH3 CN+)在不同对称性下的几何结构和稳定性.结果表明,乙腈中性分子为C3v对称性下的结构最稳定,乙腈阴离子与阳离子为CS对称性下的结构最稳定,B3LYP方法计算中性分子结构更有优势.

摘要： 采用B3LYP、MP2、QCISD三种不同的计算方法,分析讨论星际有机分子乙腈中性分子(CH_(3)CN)、阴离子(CH_(3)CN^(-))及阳离子(CH_(3)CN^(+))在不同对称性下的几何结构和稳定性。结果表明,乙腈中性分子为C_(3v)对称性下的结构最稳定,乙腈阴离子与阳离子为CS对称性下的结构最稳定,B3LYP方法计算中性分子结构更有优势。

摘要： 为了更加详细地了解梯恩梯的物质结构,采用常规拉曼光谱对其进行检测,并通过密度泛函B3LYP/6-311++G(d,p)方法对其分子进行几何结构优化,计算梯恩梯的拉曼光谱;将模拟得到的拉曼光谱数据与实验数据以及多篇参考文献中报道的拉曼光谱数据进行对比;结果表明:当频率在200 ～3 000 cm-1内,模拟结果与实验结果非常接近,可靠性较高.

摘要： 为了更加详细地了解梯恩梯的物质结构,采用常规拉曼光谱对其进行检测,并通过密度泛函B3LYP/6-311++G(d,p)方法对其分子进行几何结构优化,计算梯恩梯的拉曼光谱;将模拟得到的拉曼光谱数据与实验数据以及多篇参考文献中报道的拉曼光谱数据进行对比;结果表明:当频率在200~3000cm-1内,模拟结果与实验结果非常接近,可靠性较高。

摘要： 利用密度泛函方法B3LYP,采用6-311G基组对硫辛酸分子结构进行优化,计算了能量和分子振动频率,计算分别在无外加电场和外加电场条件下进行.在无电场作用时,硫辛酸的羧基和二硫五元杂环区具有较高的电荷分布,应为分子的化学活性区域;外加电场作用对于硫辛酸分子构象有显著影响,同时电荷分布与分子轨道键组成发生改变,当电场强度达到一定值时,其前线轨道的位置都将发生转移.

摘要： 采用密度泛函B3LYP方法研究了三硝基苯酚及其金复合物的结构特征,并模拟拉曼光谱.结果表明三硝基苯酚与金原子的稳定吸附位点在邻位硝基的氧原子上.通过分析拉曼光谱中主要的振动模式,发现金原子对三硝基苯酚的拉曼增强具有选择性..

摘要： In order to determine the mechanism of magnesia used as stabilizing agent in pyrotechnic composition containing magnesium powder, magnesium/water reaction and magnesia/water reaction mechanism were investigated theoretically. The optimized geometries and frequencies of the stationary points of two reactions were calculated at B3LYP/6-311++G(d,p) level. The transition state and intermediate were confirmed, the potential energy curves of two reactions were also obtained. It is shown that magnesia will react with water firstly, so the magnesium would be protected during storage.%为了明确氧化镁在含镁烟火药中作为安定剂的作用机理,对镁/水反应和氧化镁/水反应的竞争机理进行了研究.采用密度泛函B3LYP/6-311++G(d,p)方法优化反应路径中各驻点的几何构型,分析其电子结构并计算振动频率,确定过渡态和中间体,得到两种反应的反应势能曲线.对比发现氧化镁与水会先发生反应,在长贮中起到保护镁粉的作用.

摘要： 本文使用密度泛函方法研究了在火焰温度较低时后火焰区域(～1500K)碳烟表面生长一条新的路径.该路径中,由于部分多环芳烃的自旋三重态与自旋单态能量差别很小,从而这些多环芳烃的自旋三重态在火焰中的浓度不可忽略,而且它们能与气相不饱和碳氢化合物如乙炔发生反应,使得新生的碳烟形成以多环芳烃为核心脂肪族为外壳的结构,计算结果还发现其反应速率比该区域公认的主要表面生长反应,氢提取乙炔加成(HACA)反应,高出1个数量级.

摘要： 运用密度泛函方法在(U)B3LYP/LanL2DZ 水平上研究了NbSin±(n=1 6)团簇的几何构型、相对稳定性、能级和磁性.结果显示Nb2Sin+(n=1～6)团簇和Nb2Sin-(n=1～6)团簇只是在相应的中性Nb2Sin团簇的结构基础上发生了微小畸变.其中Nb2Si6-团簇结构变化较为严重,已经完全偏离了中性团簇结构.还发现给Nb2Sin(n=1～3,5～6)增加一个电荷,可以提高团簇的稳定性,而对Nb2Si4 团簇来说,只有减少一个电荷,才可以提高团簇的稳定性.与中性Nb2Sin(n=1～6)团簇的能级相比,Nb2Sin+(n=1～6)团簇的HOMO-LUMO 能级除了n=2,6 外普遍增大,而Nb2Sin- (n=1～6)团簇的HOMO-LUMO 能隙除了n=1,6 外普遍减小,但都是半导体性.磁性的计算结果表明,除了Nb2Si+的总磁矩为3.0μB 外,其余Nb2Sin±(n=1～6)团簇的总磁矩均为1.0,主要是由Nb原子的4d电子贡献.

摘要： 用RHF法6-31G、6-31G、6-31GG水平的量子化学从头算及RB3LYP/6-31G、B3LYP/6-31G,B3LYP/6-31GG水平的密度泛函方法,采用SCRF=Dippole溶剂模型,计算了三水铝石有利生长基元最优结构Al(OH)(HO)的总能量、布居数、原子静电荷等.计算结果表明,桥联OH基团更易成键,Al(OH)(HO)较为有利的成键方位是桥联OH基团方位.

摘要： 用半经验的CNDO、INDO、ZINDO/1、PM3、AM1方法,RHF法STO-3G、STO-6G、STO-6G、3-21G、6-31G水平的量子化学从头算及RB3LYP/3-21G、B3LYP/6-31G水平的密度泛函方法,对三水铝石有利生长基元Al(OH)(HO)的几种可能结构进行了理论计算,分析各种方法的能量效应,确定了最优结构(Al(OH)(HO)-[A]).在此基础上,兼顾效率因素,选择半经验的CNDO、INDO、ZINDO/1方法,用RHF/STO-3G水平的量子化学从头计算对Al(OH)(HO)[A]进行几何优化,与相关体系的实验结构参数进行比较.

摘要： 本文试图利用密度泛函方法对MCM-22分子筛被双杂原子取代后的取代能、稳定性及酸性的变化进行系统的研究.

摘要： 本文通过量子化学密度泛函方法,计算了Cu/ZrO催化剂组分铜锆之间的作用形式和作用方式,从几何构形、电荷分布来阐述其对催化剂活性的促进机理.

摘要： 本文用量子化学密度泛函方法(DFT)研究了甲醇在杂原子B、Al、Ga、Fe同晶取代的ZSM-5分子筛B-酸位上的吸附行为.对吸附热进行了计算,并对吸附复合物的局域结构进行了分析.

摘要： 用Gaussion98计算程序，密度泛函B3LYP方法，6-31G(d)基组对N-(对硝基苯偶氮)—苯胺基苯(AZOPA)体系的不同构型的优化结构进行了计算，从而较好的解释这个分子的互变异构的实验结果．

摘要： 用Gaussion98计算程序，密度泛函B3LYP方法，6-31G(d)基组对N-(对硝基苯偶氮)—苯胺基苯(AZOPA)体系的不同构型的优化结构进行了计算，从而较好的解释这个分子的互变异构的实验结果．

摘要： 用Gaussion98计算程序，密度泛函B3LYP方法，6-31G(d)基组对N-(对硝基苯偶氮)—苯胺基苯(AZOPA)体系的不同构型的优化结构进行了计算，从而较好的解释这个分子的互变异构的实验结果．

摘要： 本发明公开了一种基于密度泛函理论预测氧化铝纤维前驱体溶胶可纺性的方法，基于密度泛函理论，在B3LYP水平上具体选择使用基组对不同铝盐进行结构优化，比实验更方便、更直观地获得不同铝盐的稳态分子构型，并得到相应前驱体溶胶低聚物的微观结构；利用多功能波函数分析软件对所得前驱体溶胶微观结构进行表面静电势分析，获得其反应特性以预测前驱体溶胶的可纺性，为实验制备高可纺性氧化铝纤维前驱体溶胶奠定坚实的理论依据。

摘要： 一种基于密度泛函理论计算提高富锂铁锰基正极材料性能的改性方法，属于锂离子电池正极材料领域。包括以下步骤：通过VESTA软件建构基础计算模型，并使用VASP软件计算Li2MnO3体系在过渡金属元素铌(Nb)掺杂前后的态密度、能带、Bader电荷结果，分析结果表明Nb的掺杂有助于改善体系结构稳定性；实验中用溶胶凝胶法合成Nb掺杂前后的富锂铁锰基正极材料，结果显示Nb掺杂提升了材料的循环性能和倍率性能。本发明通过密度泛函理论计算探究Nb掺杂机理，确定Nb为掺杂元素，并通过实验验证Nb实际掺杂影响，为富锂铁锰基正极材料的改性发展提供思路，打下基础。

摘要： 本发明提供了一种基于密度泛函理论设计筛选新型钠盐的方法。本发明提出的小分子官能团替换以及基于密度泛函理论，进行新型钠盐结构设计的模拟方法，利用量子力学DFT理论计算方法对DFOP‑、DFOB‑和BOB‑官能团的氧化还原性进行理论研究，从理论上对钠盐的几何结构和电子结构进行深入分析，开发出氧化还原稳定性和解离性高的新型钠盐结构，大大减少了钠盐结构设计上的人力物力投入，更降低了相应的时间成本。

摘要： 一种基于密度泛函理论的层状双金属氢氧化物钢筋阻锈剂设计方法，包括以下步骤：(1)通过建立层状双金属氢氧化物超晶胞模型，基于密度泛函理论对比分析氯离子、具有缓蚀性能的阴离子与层状双金属氢氧化物层板的结合能，筛选出具有高效捕捉氯离子性能的层状双金属氢氧化物；(2)通过建立铁表面超晶胞模型，基于密度泛函理论计算具有缓蚀性能的阴离子与铁表面的相互作用及稳定性，优选出对钢筋具有优异阻锈性能的阴离子；(3)结合(1)和(2)计算结果，设计出同时具有高效捕捉氯离子性能和优异阻锈性能的层状双金属氢氧化物钢筋阻锈剂。

摘要： 本发明提供了一种密度泛函理论展开项改进的方法、装置及存储介质，包括获取吸附质和吸附剂的参数信息；根据参数信息，建立吸附质在不同的孔径宽度范围内的吸附剂上的巨正则蒙特卡罗模型，并根据巨正则蒙特卡罗模型模拟不同温度、压力和化学势条件下，吸附质在不同孔宽度的吸附剂上的吸附行为，获得相应的吸附量和局部密度作为深度学习的样本；利用卷积核函数以及吸附质的参数信息表示加权密度；构建用于描述过剩自由能展开项的卷积神经网络，对卷积神经网络进行训练，以每次训练得到的局部密度作为输出构建损失函数确定经典密度泛函理论过剩自由能展开项。利用上述技术方案，获得改进的经典密度泛函展开项，从而提升气体吸附表征的精度。

摘要： 本发明提供了一种基于杂化密度泛函的SiC单晶缺陷性质的计算方法，涉及计算机模拟材料计算相关技术领域，包括如下步骤：步骤S1：将SiC原胞的晶格常数调整为实验值后，利用vasp软件对SiC原胞进行结构优化和弛豫，得到稳定态的SiC原胞；步骤S2：选取K点进行能带计算，基于杂化密度泛函测试不同混合参数下SiC原胞的禁带宽度，选择禁带宽度与实验值相匹配的混合参数；杂化密度泛函包括HSE泛函和PBE泛函；步骤S3：将SiC原胞扩大成超胞，在超胞中构建缺陷模型，对缺陷模型进行结构优化后，利用混合参数对优化后的缺陷模型进行自洽计算；步骤S4：获取计算数据，建立SiC缺陷性质数据库。本发明实现了对碳化硅单晶缺陷性质的精确计算。

摘要： 本发明公开了一种基于密度泛函理论设计多孔材料特异性吸附苯的方法，采用理论计算的方法，利用乙醛基团修饰吸附模型，设计构建对苯分子有特异性吸附的吸附模型，基于密度泛函理论，利用量子化学程序对乙醛基团修饰的吸附模型进行结构优化和单点能计算得到量子化学计算结果文件，利用量子化学和波函数分析的方法，对所设计的多孔材料吸附模型进行弱相互作用理论分析，研究MOFs多孔材料吸附模型对苯的吸附作用，从而获取对苯有特异性吸附的MOFs框架结构，为特异性吸附苯奠定坚实的理论依据。相比于直接采用实验室“试错式”吸附法，可准确高效地研究吸附机理，比实验更方便、更直观地获得特异性吸附苯的多孔材料结构。

摘要： 本发明提供了一种基于密度泛函理论预测高压环境下钙钛矿材料热电性能的方法，包括以下步骤：步骤1，对材料进行结构优化，获得优化后的晶胞结构；步骤2，基于步骤1中优化的结构作为初始结构，再进行结构优化，获得模型；步骤3，结构优化计算完成后进行材料的自洽计算，从而获得材料的电子输运性质；步骤4，基于步骤3得到的结果，估算材料在高压环境下的功率因子。本发明方法在整个过程中不涉及实验和不使用化学用品，不产生化学污染，符合绿色环保理念；且本发明成本较低、操作简单、准确性高、应用广泛且重复性好，易于实现，适合推广应用。

摘要： 基于密度泛函和杂化泛函计算Si的缺陷移动的方法，本发明涉及计算Si的缺陷移动的方法。本发明目的是为了解决现有采用密度泛函方法获得Si的缺陷移动能量的准确率低的问题。过程为：得到Si的晶格参数；得到Si能量最低点的晶格参数；根据晶格参数和禁带宽度得到模拟结果和实验结果一致；使用密度泛函和CLNEB方法计算双空位分离过程中能量的变化，以及得出Si原子不同带电量下的原子结构，并根据这些结构采用杂化泛函方法计算双空位分离过程中能量的变化。本发明用于计算Si的缺陷移动的领域。

摘要： 基于密度泛函和杂化泛函计算Si的缺陷移动的方法，本发明涉及计算Si的缺陷移动的方法。本发明目的是为了解决现有采用密度泛函方法获得Si的缺陷移动能量的准确率低的问题。过程为：得到Si的晶格参数；得到Si能量最低点的晶格参数；根据晶格参数和禁带宽度得到模拟结果和实验结果一致；使用密度泛函和CLNEB方法计算双空位分离过程中能量的变化，以及得出Si原子不同带电量下的原子结构，并根据这些结构采用杂化泛函方法计算双空位分离过程中能量的变化。本发明用于计算Si的缺陷移动的领域。