寄生振荡

摘要： 绝缘栅双极型晶体管(IGBT)开关过程的di/dt和du/dt是影响换流器电磁干扰(EMI)水平的主要因素.IGBT的寄生振荡是高频EMI的重要组成部分,振荡频点处会出现EMI峰值.该文提出一种考虑寄生振荡的IGBT分段暂态模型,分析回路寄生参数和器件非线性电容对开关特性的影响,分别计算不同阶段的电流和电压变化率.搭建二极管钳位感性负载测试平台,获取IGBT的电流和电压波形,分析对比分段模型和实际波形的频谱特性.最后,通过实验验证了模型中的振荡过程是影响电流频谱特性的关键,且采用器件电容Cgc的三段等效模型可以显著提高电压频谱预测的准确度.该文提出的模型提高了IGBT干扰源频谱的预测准确度,可用于评估实际换流器发射的EMI水平.

摘要： 针对传统双管正激变换器存在的滤波单元体积大、整流二极管反向恢复和电压振荡问题,提出一种新型的双管变换电路.该变换器输出滤波电路只保留1个电容滤波,一方面减少了磁性元件的使用,使得滤波电路的功率密度提高;另一方面解决了整流二极管的寄生振荡、反向恢复的问题.同时,分析了该变换器在理想情况下的工作原理和特性.最后,根据所提出的双管变换器,在实验室中制作了1台200 W的原理样机,实验结果证明了理论分析的正确性.

摘要： 为实现滞后臂开关管的零电流开关,在移相全桥变换器功率变压器的副边加入了有源箝位电路.同时,该有源箝位环节还能对输出整流二极管上的寄生振荡起到很好地抑制作用.为分析有源箝位环节的抑制作用及有源箝位环节相关参数对抑制作用的影响,将有源箝位环节对输出整流二极管寄生振荡的抑制过程分为两个阶段进行深入分析,并详细讨论了两个关键参数对寄生振荡抑制效果的影响及其设计原则.最后,通过1台4.8 kW/300 V、开关频率为20 kHz的实验样机对理论分析及有源箝位环节对输出整流二极管寄生振荡的抑制作用进行了验证.

摘要： 本文对甚低频电子管发射机在实际工作中寄生振荡的产生原因,和危害进行了分析,并提出了几种检测和消除寄生振荡的方法.危害和消除方法进行了分析.

摘要： 本文对调频发射系统的干扰进行了分析,提出了解决干扰的办法。

摘要： Parasitic oscillation in the slab amplifier affects the efficiency of laser amplifier and reduces the stored energy of slab crystal. The surface of Nd:YVO4, gain of grazing incident slab amplifier was processed to suppress the parasitic oscillation in the slab and improve the energy storage ability of slab crystal. Through ion sputtering method, the germanium was plated on top and bottom surface and the back surface to suppress the parasitic oscillation. In germanium plated and without germanium plated conditions, the slab oscillator' s output characteristics were compared between free oscillation and Q-switched mode, threshold current reduced 15% in plating germanium slab oscillator, and the stored energy improved 86.9%. The beam quality, pulse duration and spot pattern of plating germanium slab oscillator were basically the same to without plating germanium slab oscillator in Q-switched mode. Experimental result indicates plating germanium on the face of slab is an effective method to suppress the parasitic oscillation and improve the energy storage ability of crystal.%板条放大器中寄生振荡的存在严重影响了激光放大器的效率,降低了板条晶体的储能.为抑制掠入射板条寄生振荡、提高晶体储能,对掠入射板条放大器的增益介质Nd:YVO4晶体进行了表面处理.该处理用离子溅射的方法,对板条的上下两个梯形面和梯形长边所在的矩形面镀锗,抑制板条内部的寄生振荡.通过实验对镀锗和未镀锗板条振荡器的自由振荡输出和调Q输出特性进行了对比,镀锗板条振荡器在调Q下的阈值电流降低了15%,晶体的储能提高了86.9%;而两种板条在调Q条件下输出的光束质量、脉宽大小、光斑形状基本一致.实验结果表明,板条表面镀锗是抑制其内部寄生振荡、提高储能的有效方法.

摘要： Amplified spontaneous emission and parasitic oscillation have many negative influences on the performance of laser resonator.The influences of beam transmission distance in slab and surface reflectivity on amplified spontaneous emission are analyzed.The experiments verifies that bonding Cr4 +:YAG crystal on the ends of slab can effectively restrain the amplified spontaneous emission in the immersion slab resonator,which can improve output energy of the immersion slab resonator.Compared with end-polished slab,the single pulse energy of end-bonded slab increases 38.4％,and the optical-optical conversion efficiency of resonant cavity is 32.3％.%放大自发辐射及其形成的寄生振荡对谐振腔中主激光的振荡产生了诸多不利的影响.分析了板条型增益介质中光束传输距离和表面反射率对放大自发辐射的影响,通过实验验证了端面键合Cr4+:YAG晶体能够有效地抑制浸入式板条谐振腔中的放大自发辐射,从而提高谐振腔的输出能量.与端面抛光相比,其输出单脉冲能量提升了38.4％,并获得了32.3％的光-光转化效率.

摘要： 全桥移相软开关变换电路在电动汽车充电电源中得到了广泛的应用,该电路拓扑滞后桥臂开关管实现零电压开关所必要的死区时间参数不匹配,开关管的DS电压会产生寄生振荡,影响变换器的稳定性.给出原边开关管死区时间设计原则,有效抑制整流管的寄生振荡,分析变换器工作原理,得出了实验波形.

摘要： 本文根据自身对短波调幅广播发射机的维护经验,分析射频放大电路中寄生振荡生成的原因,简述寄生振荡的危害,并提出检查和消除寄生振荡的方法.

摘要： 寄生振荡严重危害广播发射机的安全与运行，该文通过分析寄生振荡的产生与危害，总结了检查和消除寄生振荡的原理与方法，对发射机的实际调试与维护有很强的理论与实际指导意义。

摘要： 提出一种原边加换流电容和LC辅助电路的零电压开关(Zero-Voltage-Switching,ZVS)PWM移相全桥变换器,很好的抑制了副边整流二极管的寄生振荡,没有占空比的丢失,并在宽负载范围实现开关管的零电压开关。文中对整流二极管寄生振荡产生机理作了深入解析,阐述了该变换器的工作原理,并通过一台650W/28V,开关频率为100kHz的原理样机验证了该变换器的优点。

摘要： 使用8条激光二极管(LD)阵列对Nd:YAG晶体进行双侧泵浦,分析晶体的温度、应力和热致折射率的变化.研究不同泵浦条件下放大器的放大系数,并在此基础上,重点讨论了热效应对晶体寄生振荡的影响.实验结果表明,在高功率泵浦的条件下,由晶体热效应引起的晶体变形及热致折射率变化可以在一定程度上抑制晶体的寄生振荡.不管振荡器输出光是直线通过放大器还是在放大器晶体表面反射一次通过晶体,均能得到2倍的单程放大系数。

摘要： 通过对ESD标准电流波形及给定参数的分析，考虑到分布参数的影响，构建了一个更具实际意义的5阶HMM（human metal model)ESD电路模型。用拉普拉斯变换方法，得到了静电放电电流解析表达式，通过Matlab数值仿真，确定了放电回路的具体元件参数，计算了放电电流的频谱，给出了算例。结果表明，新构建的电路模型静电放电电流解析表达式波形不仅能较好地符合IEC61000-4-2标准，而且反映了寄生振荡情形，与实测波形相吻合。

摘要： 从磁控管色散关系出发，对其可能产生寄生振荡的模式进行了详细研究，并结合大量的磁控管EMC实测数据进行了验证。在此基础上提出了针对问题频点的整改措施，通过小批量的实验结果证实在该频点的噪声水平可以降低7dB以上，从而将磁控管的EMC高端测试通过率由原来的50％提高到85％。

摘要： 提出了一种应用Boost变换器的新型有源钳位电路.该电路能够抑制快恢复二级管的反向恢复电流.削减由反向恢复电流引起的能量损失.电路中主开关管与辅助开关管均工作在零电压(ZVS)开关条件下,并且消除了由二极管结电容引起的寄生振荡,变换器具有高的效率.这种新型有源钳位技术可以应用到单相PFC等场合,试制了一台1000W实验室模型验证文中提出的理论.

摘要： 该文介绍的是一种功率为20KW，频率为290KHZ，输出电压为1100V交流电源的设计。 其中包括多组功率板的并联技术，功率板在高频下的原理线路，变功率输出和过流输出下的控制技术，并联谐振技术在主频大功率电源中的应用。

摘要： 该文介绍的是一种功率为20KW，频率为290KHZ，输出电压为1100V交流电源的设计。 其中包括多组功率板的并联技术，功率板在高频下的原理线路，变功率输出和过流输出下的控制技术，并联谐振技术在主频大功率电源中的应用。

摘要： 该文介绍的是一种功率为20KW，频率为290KHZ，输出电压为1100V交流电源的设计。 其中包括多组功率板的并联技术，功率板在高频下的原理线路，变功率输出和过流输出下的控制技术，并联谐振技术在主频大功率电源中的应用。

摘要： 该文介绍的是一种功率为20KW，频率为290KHZ，输出电压为1100V交流电源的设计。 其中包括多组功率板的并联技术，功率板在高频下的原理线路，变功率输出和过流输出下的控制技术，并联谐振技术在主频大功率电源中的应用。

摘要： 用于防止振荡器LC谐振电路中寄生振荡模式的电路。谐波振荡器通常包括一集成放大器和一外部LC谐振电路。在集成放大器和外部LC谐振电路之间的外壳的寄生元件，比如焊线的电感或连接管脚的电容可能导致寄生射频振荡模式。本发明目的是减少这些干扰影响。在本发明电路中，在带有集成电路的LC谐振电路中干扰影响的减小通过在谐振电路中包括外壳的干扰元件而实现。这样抑制了寄生射频振荡模式的产生。它也同样保证了好的射频性能和宽的频率调谐范围。

摘要： 本发明提供了一种抑制放大自发辐射和寄生振荡的激光钕玻璃及其制备方法和应用，该方法包括以下步骤：1)Cu+离子交换；2)电场辅助离子扩散；3)Cu+离子氧化。本发明的激光钕玻璃在1053nm处的反射率0‑1％，铜离子交换层的深度大于250μm。

摘要： 本发明涉及一种控制放大的自发辐射和抑制寄生振荡装置及方法，它包括用于产生输出主激光的管状激光增益区，在所述管状激光增益区的内壁或者外壁或者内外壁上制作有光学超表面，所述光学超表面能够对角向放大的自发辐射（ASE）光引入一定的倾斜相位，等效改变角向ASE光入射到所述管状激光增益区壁面的入射角，从而破坏角向ASE光在所述管状激光增益区内的全内反射条件，避免管状激光增益区产生角向寄生振荡。本发明通过在管状激光增益区的内壁或者外壁上制作光学超表面将显著降低ASE光线对管状激光增益区储能的消耗，同时避免了管状激光增益区产生角向的寄生振荡，显著提高管状增益单元的储能能力，对高效率激光器具有极大的用途。

摘要： 本发明公开了一种抑制寄生振荡的高频振荡器，该振荡器包括直流供电电路，振荡产生电路和抑制寄生振荡电路；所述的直流供电电路包括直流电压源V1、高频扼流圈L2、第一滤波电容C11、第二滤波电容C22、第一偏置电阻R1、第二偏置电阻R2和第一偏置电容C0；所述的振荡产生电路包括第一晶体管Q1、第一谐振电容C1、第二谐振电容C2、第三谐振电容C3、第四可调谐振电容C4、第一反馈电阻R3和第一谐振电感L1；所述的抑制寄生振荡电路包括第一耦合电容C5、第二晶体管Q2、第一限流电阻R4、第一选频电容C6、第二选频电容C7和第一选频电感L3；本发明能够稳定的产生高频正弦波，还可以有效的抑制寄生振荡。

摘要： 用于防止振荡器LC谐振电路中寄生振荡模式的电路。谐波振荡器通常包括一集成放大器和一外部LC谐振电路。在集成放大器和外部LC谐振电路之间的外壳的寄生元件,比如焊线的电感或连接管脚的电容可能导致寄生射频振荡模式。本发明目的是减少这些干扰影响。在本发明电路中,在带有集成电路的LC谐振电路中干扰影响的减小通过在谐振电路中包括外壳的干扰元件而实现。这样抑制了寄生射频振荡模式的产生。它也同样保证了好的射频性能和宽的频率调谐范围。

摘要： 一种镀膜克服Nd：YAG板条增益介质寄生振荡的方法，P1：对基于Nd：YAG的泵浦板条的侧面一及其对侧面，侧面二及其对侧面进行抛光，形成良好的反射面；P2：选取寄生振荡抑制材料Sm：YAG，掺杂浓度＞5.0at％，该材料对常用的700～900nm LD泵浦光无明显的吸收；P3：将寄生振荡抑制材料Sm：YAG以镀膜方式制备到Nd：YAG的侧面一及其对侧面，侧面二及其对侧面；本发明采用Nd：YAG侧面镀Sm：YAG的方式来抑制寄生振荡，高掺杂的Sm：YAG可以实现对泵浦光全反射，对1064nm主激光的寄生振荡有显著的吸收作用，从而在对寄生振荡抑制的同时提高泵浦效率。

摘要： 本发明公开了一种调整粒子加速器高频系统寄生振荡频率的方法包括：根据高功率源和加速腔体的工作频率，选定预定的扫描频率范围；信号发生器产生自动检测所需的工作频率，由定向耦合器及信号拾取器耦合进入被测系统；被测系统高功率源、馈线、加速腔体组成；定向耦合器耦合出正向信号和反向信号，送入AD采集器；信号处理器通过AD采集器采样获得信号，通过计算获得正向信号和反向信号的幅度、相位信息；频率遍历完成后，选定阈值，作为判断依据；在可能的谐振频率值下，判断该频率是否是“有害”振荡频率，针对f

摘要： 本发明提供一种抑制寄生振荡的激光放大装置，包括：n段非光学连续的气体通道，其内壁设置有噪声光吸收层；每段气体通道的两端设置有窗口镜，窗口镜的偏置角度与激光传输光路成布鲁斯特角；气体通道内设置有放电管，在气体通道外侧设置有放电电极，放电电极与放电管平行对应设置；相邻两段气体通道通过气体循环管道连接；隔离器设置在相邻两段气体通道之间，用于抑制噪声振荡；反射镜设置在激光传输光路上，用于改变激光的传输方向。本发明能够有效消除MOPA系统的寄生振荡，防止单台放大器自身产生的寄生振荡，有效降低了激光放大器起振可能性，并可以通过改变气体通道的数量提升寄生振荡的阈值，提高输出功率的稳定性和系统安全性。

摘要： 本发明提供了一种抑制放大自发辐射和寄生振荡的激光钕玻璃及其制备方法和应用，该方法包括以下步骤：1)Cu+离子交换；2)电场辅助离子扩散；3)Cu+离子氧化。本发明的激光钕玻璃在1053nm处的反射率0‑1％，铜离子交换层的深度大于250μm。

摘要： 本实用新型公开了一种VR寄生振荡消除滤波电路，该VR寄生振荡消除滤波电路，包括：稳压消除模块，用于消除市电电源经过降压整流滤波模块和开关模块输出电压中未消除完全的寄生振荡，稳定输出恒定的电压；信号放大模块，通过稳压消除模块提供的电压来放大输入信号，输出给振荡消除模块；振荡消除模块，消除信号放大模块放大输入信号过程中产生的寄生振荡，与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：本方案输入信号时过滤杂乱信号，为信号放大提供的电源输出稳定，经过放大后的信号消除寄生振荡，消除了VR信号输入和放大时所造成的影响。