安氏Ⅲ类

摘要： 目的评价上颌前方牵引矫治生长发育期安氏Ⅲ类错?畸形患者的长期稳定性。方法全面检索了Co‐chrane Library、PubMed、Ovid、Science Direct、Wiley等外文数据库及中国期刊全文数据库、中国生物医学文献数据库、中国知网、维普中文科技期刊数据库、万方数据库等中文数据库,检索时间截止到2021年8月18日。由2名学者进行文献的筛选、质量评价及数据提取,应用RevMan5.3软件进行Meta分析,应用GRADE证据分级系统评价结局指标的证据质量,结局指标为治疗期间(T1-T2),随访期间(T2-T3)及整体观察期间(T1-T3)SNA、SNB、ANB、Co-A、Co-Gn、SN-GoGn改变量。结果最终纳入10篇符合要求的文献,试验组均为应用上颌前方牵引矫治的安氏Ⅲ类患者,对照组为未经治疗的安氏Ⅲ类患者。Meta分析结果显示:治疗期间,试验组SNA、ANB、Co-A增量大于对照组,SNB、Co-Gn增量小于对照组,其差异具有统计学意义(P0.05)。随访期间,试验组SNA、SNB、ANB、Co-Gn增量小于对照组,其差异具有统计学意义(P0.05)。整体观察期间,试验组SNA、ANB、Co-A增量大于对照组,SNB、Co-Gn增量小于对照组,其差异具有统计学意义(P0.05)。结论上颌前方牵引矫治生长发育期安氏Ⅲ类患者,其骨性效应主要来自于治疗期间,随访期间Ⅲ类骨骼生长模式存在复发趋势,但长期观察后发现,上颌前方牵引矫治对试验组颌骨矢状向位置及颌间关系改善,中面部生长促进以及下颌骨生长抑制,具有一定的稳定性。需要更多随访时间更长,大样本及高质量的临床研究来验证本结论。

摘要： 目的:对安氏Ⅲ类错不同垂直骨面型颞下颌关节间隙进行CBCT比较分析.方法:对错高角,低角患者和正常人各30例进行CBCT测量并比较.结果:高角组的髁突长轴角度髁突倾角比对照组大,髁突高度和长轴直径小、相对颅底靠后、关节后间隙大、关节上间隙小、关节窝浅,关节结节后斜面角小(P<0.05).低角组倾角较对照组小,长轴直径大,颅底位置靠下,关节后间隙小,前间隙大(P<0.05).低角组髁突后移位者比例较大,高角组前移位者比例较大.结论:安氏Ⅲ类低角患者、高角患者和正常人群之间关节窝、髁突形态和位置均存在一定程度的不同.

摘要： 前牙反(殆)是乳替牙期常见的错(殆)畸形,是安氏Ⅲ类错(殆)畸形的主要症状之一,也是儿童口腔医生常常需要面对的临床问题.安氏Ⅲ类错(殆)前牙反(殆)有骨性和非骨性之分,其鉴别诊断对前牙反(殆)的治疗及预后判断具有重要意义.乳牙期常用的前牙反(殆)治疗技术包括乳尖牙调(殆)、咬翘法、下颌联冠斜面导板、上颌(殆)垫舌簧矫治器及不良习惯去除.上颌前方牵引治疗是替牙期最为常用的前牙反(殆)矫治技术.随着上下颌骨生长发育的不断进行,前牙反(殆)可能会出现加重或复发.

摘要： 目的:热压膜磁力矫治器用于矫治早期轻度骨性安氏Ⅲ类错牙合的矫治,并用X线头影测量评价其临床应用效果.方法:应用热压膜磁力矫治器治疗12例早期轻度骨性安氏Ⅲ类错牙合,比较治疗前后硬组织的X线头影测量结果.结果:经平均10.1个月的治疗,患者的面部轮廓明显改善,前牙的反牙合得以矫治,甚至出现过矫治,磨牙关系为I类.SNB,SND和SL减小,ANB,SE增加,而SNA,上下前牙的角度和Po-NB没有明显变化.结论:热压膜磁力矫治器能够限制下颌的发育,迅速有效矫治恒牙早期轻度骨性安氏Ⅲ类错牙合畸形,且患者戴用舒适,全天24小时佩戴,易于配合.

摘要： 安氏Ⅲ类错牙合畸形是一种常见的错牙合畸形,患者侧貌表现为凹面型外观,该面型对患者的心理健康、社交及生理健康产生严重影响.成功的矫治有赖于对其病因的充分了解以及对矫治时机、矫治方法的正确把握.本文就凹面型患者的先天性致病因素和不良习惯等环境性致病因素,矫治时机,以及MEAW、前方牵引矫治器、正畸正颌联合治疗等常用矫治方法进行综述,从而帮助医生制定个性化的治疗方案,以期获得良好的治疗效果.

摘要： 本发明公开一种治疗安氏Ⅱ类错颌畸形的磨牙远中移动杆固定矫治器，包括：两颊面附件，两所述颊面附件的底面分别与上颌第一磨牙和上颌尖牙贴合连接，其中，还包括：一长度可调节的伸缩杆，所述伸缩杆的一端与一所述颊面附件活动连接，使得所述伸缩杆相对所述颊面附件能够三维方向摆动，所述伸缩杆的另一端与另一所述颊面附件固定连接；固定连接所述伸缩杆端部的所述颊面附件具有挂钩，所述挂钩用以安装颌间牵引橡皮圈。使用本发明，能够使得上颌尖牙和第一磨牙受到向远中的力，以此快速远中移动上颌第一磨牙和尖牙，矫治安氏Ⅱ类错颌畸形。

摘要： 本发明公开了一株促进鲁氏接合酵母产愈创木酚类物质的魏斯氏菌，属于生物工程技术领域。通过将类肠膜魏斯氏菌LCW‑28与鲁氏接合酵母ZQ‑01在培养基中共培养有效提高了愈创木酚类物质的产量，愈创木酚类物质的总产量最高比单独培养提高了3.87倍，与假丝酵母相比提高了15.71倍，与光滑球拟酵母相比提高了17.28倍；其中，4‑乙基愈创木酚产量为2.12mg/L，是单独培养鲁氏接合酵母的8.8倍。

摘要： 本发明公开了一种用于治疗安氏Ⅲ类错颌畸形的可调节式FRANKELLⅢ矫正器，包括与上颌前牙上方的前庭沟对应的两上唇挡，两上唇挡之间通过唇挡连接丝相连，两所述上唇挡分别通过挡屏连接丝连接有颊屏，两所述颊屏之间设有与下前牙唇面对应的下唇弓，两所述颊屏之间设有与上切牙舌隆突的合方对应的前腭弓，两所述颊屏之间设有与最后一颗磨牙远中对应的横腭弓，两所述颊屏上位于所述横腭弓处均设有上合支托和下合支托，所述横腭弓上设有螺旋扩弓器；本发明可以针对矫正情况随时旋转调节螺旋扩弓器，变被动矫正力为主动矫正力，从而获得矫正临床所需的矫正效果，对于替牙期这种骨骼发育的高峰期来说，本发明尤为适用。

摘要： 本发明公开一种治疗安氏Ⅱ类错颌畸形的磨牙远中移动杆固定矫治器，包括：两颊面附件，两所述颊面附件的底面分别与上颌第一磨牙和上颌尖牙贴合连接，其中，还包括：一长度可调节的伸缩杆，所述伸缩杆的一端与一所述颊面附件活动连接，使得所述伸缩杆相对所述颊面附件能够三维方向摆动，所述伸缩杆的另一端与另一所述颊面附件固定连接；固定连接所述伸缩杆端部的所述颊面附件具有挂钩，所述挂钩用以安装颌间牵引橡皮圈。使用本发明，能够使得上颌尖牙和第一磨牙受到向远中的力，以此快速远中移动上颌第一磨牙和尖牙，矫治安氏Ⅱ类错颌畸形。

摘要： 本发明公开了一株促进鲁氏接合酵母产愈创木酚类物质的魏斯氏菌，属于生物工程技术领域。通过将类肠膜魏斯氏菌LCW‑28与鲁氏接合酵母ZQ‑01在培养基中共培养有效提高了愈创木酚类物质的产量，愈创木酚类物质的总产量最高比单独培养提高了3.87倍，与假丝酵母相比提高了15.71倍，与光滑球拟酵母相比提高了17.28倍；其中，4‑乙基愈创木酚产量为2.12mg/L，是单独培养鲁氏接合酵母的8.8倍。

摘要： 本实用新型属于医疗器械领域，特别是涉及一种用于矫正替牙期安氏Ⅱ类Ⅰ分类错的矫治器。包括唇弓、左基托和右基托，左基托和右基托上均设有箭头卡环和邻间钩，左基托和右基托上均设有位于上颌前牙内侧的斜面导向部，斜面导向部在上颌与下颌闭合过程中推动下颌前牙向上颌前牙靠近，唇弓的两端分别与左基托和右基托连接，左基托和右基托之间通过螺旋扩弓器连接，并通过螺旋扩弓器带动左基托与右基托远离。本实用新型的有益效果是：通过各基托配合扩大上颌牙弓，基托面积小，佩戴方便，便于长时间佩戴，减少矫治疗程，提高矫治效率，并且唇弓与斜面导向部配合既能内收上颌，又能使得下颌前伸到达合适位置，提高矫治效果。

摘要： 本实用新型公开了一种用于治疗安氏Ⅲ类错颌畸形的可调节式FRANKELLⅢ矫正器，包括与上颌前牙上方的前庭沟对应的两上唇挡，两上唇挡之间通过唇挡连接丝相连，两所述上唇挡分别通过挡屏连接丝连接有颊屏，两所述颊屏之间设有与下前牙唇面对应的下唇弓，两所述颊屏之间设有与上切牙舌隆突的合方对应的前腭弓，两所述颊屏之间设有与最后一颗磨牙远中对应的横腭弓，两所述颊屏上位于所述横腭弓处均设有上合支托和下合支托，所述横腭弓上设有螺旋扩弓器；本实用新型可以针对矫正情况随时旋转调节螺旋扩弓器，变被动矫正力为主动矫正力，从而获得矫正临床所需的矫正效果，对于替牙期这种骨骼发育的高峰期来说，本实用新型尤为适用。

摘要： 本实用新型涉及牙齿矫正用辅助装置设备技术领域，具体涉及一种辅助透明矫治器治疗安氏III类错合的装置，包括透明牙套，所述透明牙套包括上牙套以及下牙套，所述上牙套的上颌前牙区设置有若干第一帽状卡位，所述下牙套的下颌磨牙区设置有若干第二帽状卡位，所述第一帽状卡位与所述第二帽状卡位之间连接有推动杆。本实用新型结构简单，通过在上牙套的上颌前牙区的第一帽状卡位与下牙套的下颌前牙区的第二帽状卡位之间连接推动杆，可以在推动杆的作用下辅助推动下颌磨牙向后，下颌切牙向舌向以及上前牙唇向移动；同时，由于咬合时推动杆的阻挡作用，上下前牙不能精密咬合，解除了前牙反合的干扰，患者不需要使用合垫来解除前牙锁结。

摘要： 本实用新型公开一种治疗安氏Ⅱ类错颌畸形的磨牙远中移动杆固定矫治器，包括：两颊面附件，两所述颊面附件的底面分别与上颌第一磨牙和上颌尖牙贴合连接，其中，还包括：一长度可调节的伸缩杆，所述伸缩杆的一端与一所述颊面附件活动连接，使得所述伸缩杆相对所述颊面附件能够三维方向摆动，所述伸缩杆的另一端与另一所述颊面附件固定连接；固定连接所述伸缩杆端部的所述颊面附件具有挂钩，所述挂钩用以安装颌间牵引橡皮圈。使用本实用新型，能够使得上颌尖牙和第一磨牙受到向远中的力，以此快速远中移动上颌第一磨牙和尖牙，矫治安氏Ⅱ类错颌畸形。

摘要： 本实用新型属于矫治器技术领域，具体涉及一种用于矫正安氏Ⅱ类骨性Ⅱ类错