摘要：
目的观察不同频率电针对脑缺血再灌注模型大鼠的影响。方法选取雄性SPF级SD大鼠50只,体重(235±5)g,随机选取其中10只作为假手术组,其余采用大脑中动脉闭塞法建立脑缺血再灌注模型,造模成功后采用随机数字表法将其分为模型组和高、中、低频电针组,每组10只。高(100 Hz)、中(50 Hz)、低(2 Hz)频电针组以百会、神庭、水沟进行电针治疗,共干预4周,假手术组和模型组不予干预。4周后,比较五组造模后及干预1~4周的局部脑血流(rCBF)、血液流变学指标、红细胞渗透脆性(EOF)、血脑屏障通透性(脑组织中伊文思蓝含量),以及糖水偏好实验、Morris水迷宫试验结果。结果模型组血液黏滞度(高、中、低切)、血浆黏度、红细胞聚集指数、脑组织伊文思蓝含量均高于假手术组,糖水偏爱率、EOF(最大、最小)均低于假手术组,逃避潜伏期长于假手术组,穿台次数少于假手术组,差异有统计学意义(P<0.05)。高、中、低频电针组血液黏滞度(高、中、低切)、血浆黏度、红细胞聚集指数、脑组织伊文思蓝含量均低于模型组;糖水偏爱率、EOF(最大、最小)均高于模型组,逃避潜伏期短于模型组,穿台次数多于模型组,差异有统计学意义(P<0.05)。低频电针组血液黏滞度(高、中、低切)、血浆黏度、红细胞聚集指数、脑组织伊文思蓝含量均低于高、中频电针组;糖水偏爱率、EOF(最大、最小)均高于高、中频电针组,逃避潜伏期短于高、中频电针组,穿台次数多于高、中频电针组,差异有统计学意义(P<0.05)。模型组及高、中、低频电针组组内各时间点rCBF比较,差异有统计学意义(P<0.05)。模型组及高、中、低频电针组组内各时间点比较,差异有统计学意义(P<0.05)。模型组各时间点的rCBF均低于同期假手术组,高、中、低频电针组干预1~4周的rCBF均高于同期模型组,低频电针组干预1~4周的rCBF均高于同期高、中频电针组,差异有统计学意义(P<0.05)。结论低频电针可提高脑缺血再灌注大鼠学习记忆能力,其机制可能与维持血脑屏障功能完整性,进而促进神经功能的恢复相关。
