字族

摘要： 本文以汉字字族理论为基础,对《说文解字》及《汉语大字典》中以“巴”为母文的同族字进行探究分析,发现以“蛇”“挨着、靠近、紧贴着”“干燥或粘结着的东西”“依附、攀附,附着、黏着”“盼望”为义核的义、音、形相近的孳乳字,并论证“巴”的孳乳字与母文间的内在联系。

摘要： 全面考察以同一个字符作部件的一组汉字,可代表性地揭示声符示源标音的情况。考察以“区”为部件构成的汉字,还可了解反义同源现象:区族字中,既有表示动作向里、向内的容藏义,以及由此引申出的向里、向内凹陷的弯曲义;同时又有表示动作向外的出来义,物体向外鼓凸的突出义。

摘要： 语文学习最主要的是阅读与写作,而其根基是识字、写字。如何帮助学生感受汉字音、形、义之间的关系,领悟汉字文化,激发识字兴趣,指导识字方法,有效培养识字的能力?识字课《小青蛙》就是一个很好的范本。这首儿歌内容浅显,富有童趣,语言活泼,有利于激发学生想象,启迪心智。“青”字族识字是本文教学的一个重点。它以“青”为母体字,加上不同偏旁派生出其他子体字:清、晴、睛、情、请,集成字族。我们可以引导学生在读文中采用多种有趣的方法识字。

摘要： 文章以《补高邮王氏说文谐声谱》为参考,对《说文解字》中收录的三十五个以"合"得声的字进行字族分析.结论认为"合"的本义应为"盒子",以"合"为母文的同族字主要以"盒子""覆盖、遮蔽""相合、对合""聚合、敛合"为义核,并论证了这些孳乳字的意义与母文之间的关系.

摘要： 由同一母文孳乳的、在形、音、义三方面均有联系的一组汉字被称为"同族字".同族字都是在母文的基础上添加类属符号孳乳产生,以承担母文的部分意义,解决母文因载义过多而导致区别度降低的问题.本文以《王国维遗书》第九卷《补高邮王氏说文谐声谱》中所列从"戋"得声的18个字为例,探求同族字与母文之间的内在联系.

摘要： 根据蔡永贵先生的母文表义理论,分析《说文解字》中以"工"为母文的一系列同族字,将其分为横直义、大义、中空义、红色义和示音作用,论证这些孳乳字与母文之间的关系.

摘要： 由同一“母文”孳乳出来,且在形、音、义三方面都有密切联系的一组字构成了一个汉字的“字族”.据《说文解字》收录的以“爰”得声的字为主,以《钜宋广韵》中部分以“爰”得声的字作为补充,整理出13个与母文相关的字族,并分析论证这13个字的意义与母文之间的内在联系.

摘要： 根据学生识字的需求和课标中对识字教学的要求,字族文识字教学可以有效提升小学低段识字教学效果。字族文识字教学模式主要包括导入识母体、初读认子体、精读识子体、写字识字族、总结悟字族等环节。本文以《小青蛙》一课为例,具体加以阐述。

摘要： 在低段识字教学中,识字不仅需要教师引导学生认识生字、牢记生字,最重要的是让学生了解生字的含义以及汉字背后所传达的汉字文化,能在不同场合使用正确的汉字.所以,在教学过程中,教师不仅要传授知识的本意,还需要将其内在文化渗透给学生.而利用字族进行识字教学很好地满足了这点.字族文识字法已经问世多年,教师在日常识字教学中也经常使用这种方法.作为小学低段识字教学的一个重要的辅助性方法,字族文识字法能帮助教师提高学生的识字数量,增强其识字趣味.

摘要： 一种芳香族聚酯，作为构成单元，其包含：(A)下述式(a)所表示的重复单元、(B)芳香族二羧酸来源的重复单元、(C)选自芳香族二胺及具有羟基的芳香族胺中的芳香族胺来源的重复单元、和(D)芳香族二醇来源的重复单元；相对于(A)至(D)的重复单元的合计，(A)的重复单元的含有率为10摩尔％以上且小于20摩尔％，(B)的重复单元的含有率超过40摩尔％且为45摩尔％以下，(C)的重复单元和(D)的重复单元的合计含有率超过40摩尔％且为45摩尔％以下，(D)的重复单元的含有率超过0摩尔％且小于15摩尔％。‑O‑Ar1‑CO‑ (a)式中，Ar1表示1,4‑亚苯基、2,6‑亚萘基或4,4’‑亚联苯基；Ar1所表示的基团中的至少一个氢原子任选分别独立地被卤素原子、烷基或芳基取代。

摘要： 本发明提供使氮化铬层面内的三棱锥形状的氮化铬微晶所占的面积比率提高的III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法。该III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法的特征在于，其具备：成膜工序，在生长用基底基板上形成铬层；氮化工序，通过在规定的条件下氮化该铬层，从而形成氮化铬层；晶体层生长工序，在该氮化铬层上外延生长至少一层III族氮化物半导体层，其中，前述铬层通过溅射法以溅射粒子射程区域的成膜速度为

摘要： 本发明提供使氮化铬层面内的三棱锥形状的氮化铬微晶所占的面积比率提高的III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法。该III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法的特征在于，其具备：成膜工序，在生长用基底基板上形成铬层；氮化工序，通过在规定的条件下氮化该铬层，从而形成氮化铬层；晶体层生长工序，在该氮化铬层上外延生长至少一层III族氮化物半导体层，其中，前述铬层通过溅射法以溅射粒子射程区域的成膜速度为

摘要： 公开不仅在生长温度为1050°C下或低于1050°C的AlGaN、GaN或GaInN的情况下，而且在生长温度高并且具有高的Al组成的Al

摘要： 本发明提供一种催化活性的降低得以抑制、能高效地制造芳香族烃的芳香族烃制造用催化剂结构体以及具备该芳香族烃制造用催化剂结构体的芳香族烃制造装置。本发明的芳香族烃制造用催化剂结构体的特征在于，具备：多孔质结构的载体，由沸石型化合物构成；以及至少一种催化剂物质，存在于所述载体内，所述载体具有相互连通的通道，所述催化剂物质为金属微粒，存在于所述载体的至少所述通道。

摘要： 一种芳香族聚酯，作为构成单元，其包含：(A)下述式(a)所表示的重复单元、(B)芳香族二羧酸来源的重复单元、(C)选自芳香族二胺及具有羟基的芳香族胺中的芳香族胺来源的重复单元、和(D)芳香族二醇来源的重复单元；相对于(A)至(D)的重复单元的合计，(A)的重复单元的含有率为10摩尔％以上且小于20摩尔％，(B)的重复单元的含有率超过40摩尔％且为45摩尔％以下，(C)的重复单元和(D)的重复单元的合计含有率超过40摩尔％且为45摩尔％以下，(D)的重复单元的含有率超过0摩尔％且小于15摩尔％。‑O‑Ar1‑CO‑ (a)式中，Ar1表示1,4‑亚苯基、2,6‑亚萘基或4,4’‑亚联苯基；Ar1所表示的基团中的至少一个氢原子任选分别独立地被卤素原子、烷基或芳基取代。

摘要： 本发明提供使氮化铬层面内的三棱锥形状的氮化铬微晶所占的面积比率提高的III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法。该III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法的特征在于，其具备：成膜工序，在生长用基底基板上形成铬层；氮化工序，通过在规定的条件下氮化该铬层，从而形成氮化铬层；晶体层生长工序，在该氮化铬层上外延生长至少一层III族氮化物半导体层，其中，前述铬层通过溅射法以溅射粒子射程区域的成膜速度为

摘要： 本发明提供使氮化铬层面内的三棱锥形状的氮化铬微晶所占的面积比率提高的III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法。该III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法的特征在于，其具备：成膜工序，在生长用基底基板上形成铬层；氮化工序，通过在规定的条件下氮化该铬层，从而形成氮化铬层；晶体层生长工序，在该氮化铬层上外延生长至少一层III族氮化物半导体层，其中，前述铬层通过溅射法以溅射粒子射程区域的成膜速度为

摘要： 公开不仅在生长温度为1050°C下或低于1050°C的AlGaN、GaN或GaInN的情况下，而且在生长温度高并且具有高的Al组成的Al

摘要： 提供第III族氮化物半导体用外延基板、第III族氮化物半导体元件和第III族氮化物半导体用自立基板，其产生不仅用于具有1050°C以下生长温度的材料如AlGaN、GaN和GaInN、而且用于具有高生长温度的高铝Al