夸克-胶子等离子体

摘要： STAR、ALICE和ATLAS合作组最近在相对论重离子擦边对撞中观测到了J/ψ和双轻子的产额在极低横动量下存在显著的反常增强。考虑了冷核物质效应和热核物质效应的强子产生无法解释这种增强,而考虑了核重叠区域的相干光致产生的计算结果可以很好地描述实验数据。这些实验和理论结果表明在相对论重离子擦边对撞中存在相干光致产生过程,为我们探测夸克胶子等离子体提供了新的探针。本文回顾和总结了近些年来擦边重离子对撞中相干光致产生的实验和理论研究进展。

摘要： 夸克胶子等离子体是一种特殊的物质形态,它可以通过相对论重离子碰撞产生.电导反映了介质的电荷驰豫性质,它显著地影响着重离子碰撞后产生的夸克胶子等离子体的演化过程.本文在理想色流体力学的理论框架下,推导感应色流,在此基础上计算电导,得到相应于硬热圈近似的结果.在此理论框架下得到的横向电导是纯虚数,电导的性质主要由纵向部分体现.最后,文章讨论了标度纵向电导实部和虚部随着频率的依赖变化关系.

摘要： 针对现有相对论重离子碰撞实验所产生的强磁场大小和范围,等离子体由于强磁场和轴向电荷不平衡而形成反常流.研究中利用规范/引力对偶全息分析方法,在强磁场情况下,强耦合手征等离子体粲夸克偶素在轴向电荷不平衡时的扩散系数随磁场和温度的变化关系,从而研究系统各向异性程度随磁场和温度的依赖关系.研究结果表明:受反常流的影响,在低温区域,粲夸克偶素沿磁场方向各向异性程度对温度、磁场和拖曳速度的变化都比较敏感.而当温度升到一定大小时,无论磁场或拖曳速度如何变化,系统均能够达到各向同性.这说明在高温背景下,强相互作用的温度场占支配地位,对应的磁场作用几乎可以忽略.

摘要： 夸克胶子等离子体是一种特殊的物质形态,它可以通过相对论重离子碰撞产生.电导反映了介质的电荷驰豫性质,它显著地影响着重离子碰撞后产生的夸克胶子等离子体的演化过程.本文在理想色流体力学的理论框架下,推导感应色流,在此基础上计算电导,得到相应于硬热圈近似的结果.在此理论框架下得到的横向电导是纯虚数,电导的性质主要由纵向部分体现.最后,文章讨论了标度纵向电导实部和虚部随着频率的依赖变化关系.

摘要： 针对现有相对论重离子碰撞实验所产生的强磁场大小和范围,等离子体由于强磁场和轴向电荷不平衡而形成反常流.研究中利用规范/引力对偶全息分析方法,在强磁场情况下,强耦合手征等离子体粲夸克偶素在轴向电荷不平衡时的扩散系数随磁场和温度的变化关系,从而研究系统各向异性程度随磁场和温度的依赖关系.研究结果表明:受反常流的影响,在低温区域,粲夸克偶素沿磁场方向各向异性程度对温度、磁场和拖曳速度的变化都比较敏感.而当温度升到一定大小时,无论磁场或拖曳速度如何变化,系统均能够达到各向同性.这说明在高温背景下,强相互作用的温度场占支配地位,对应的磁场作用几乎可以忽略.

摘要： 基于相对论流体动力学,推导出了黏滞夸克-胶子等离子体的流体动力学演化方程.在大型强子对撞机能标下得到了系统温度随时间和径向半径的分布关系,发现温度对径向半径的依赖十分微弱.数值计算结果表明,横向流效应会加快夸克-胶子等离子的冷却速度,同时降低夸克-胶子等离子体的寿命.%The flow evolution equation of quark-gluon plasma is deduced by using the relativistic hydrodynamics. The system temperature distribution at LHC energy with the time and radial distance is also given, and it is found that the temperature is not sensitive to the radial distance. Numerical results show that the transverse flow will lead to the decreasing of the life time and the rapid cooling of the quark-gluon plasma.

摘要： 基于相对论流体动力学,推导出了黏滞夸克-肢子等离子体的流体动力学演化方程。在大型强子对撞机能标下得到了系统温度随时间和径向半径的分布关系,发现温度对径向半径的依赖十分微弱。数值计算结果表明,横向流效应会加快夸克-肢子等离子的冷却速度,同时降低夸克-肢子等离子体的寿命。

摘要： 本文综述了超相对论性重离子碰撞的国际合作实验进展及相关的物理研究现状.内容包括:1.有关夸克物质(夸克胶子等离子体QGP)的理论预言.2.超高能重离子碰撞的实验?1)BNL/AGS能区的固定靶实验回顾;(2)CERN/SPS能区的固定靶实验回顾;(3)BNL/RHIC能区的对撞实验现状;(4)CERN/LHC/ALICE能区的对撞实验现状.

摘要： 本文综述了超高能诱发核反应的国际合作实验进展及相关的重离子物理研究现状.内容包括:1.有关夸克物质(夸克胶子等离子体QGP)的理论预言.2.超高能重离子碰撞的实验;(1)BNL/AGS能区的固定靶实验回顾;(2)CERN/SPS能区的固定靶实验回顾;(3)BNL/RHIC能区的对撞实验现状;(4)CERN/LHC/ALICE能区的对撞实验现状.

摘要： 美国的布鲁克海文国家实验室相对论重离子对撞机(RHIC)和欧洲核子中心的大型强子对撞机(LHC)的大量实验结果表明,在相对论重离子碰撞中已经产生了一种近似完美流体的强耦合部分子物质.基于一个多相粒子输运模型(AMPT)理论工具,对RHIC和LHC实验上的一些重要结果的开展了三个方面的理论研究工作(集体流、喷注淬火、手征磁效应),研究结果揭示了初始的夸克胶子等离子体(QGP)能量密度涨落经过部分子输运演化产生末态粒子的各阶次的集体流、喷注和部分子物质的相互作用导致喷注的能量损失、末态相互作用严重影响手征磁效应的大小等物理过程作用机制.

摘要： 利用多相输运模型(AMPT),相对论重离子碰撞中双强子方位角关联的碰撞系统尺寸依赖性得到了系统性研究.结果表明,"远侧"伴随粒子产额和关联结构具有明显的参与路径和部分子平均作用次数依赖性.从14N + 14N 到197Au+ 197Au 碰撞系统,劈裂参数和"远侧"关联函数方均根宽度随系统尺寸变大而变大.同时,"远侧"伴随粒子的平均横动量随碰撞系统尺寸变大呈现下降趋势.仅在碰撞系统尺寸足够大的情形下,"远侧"关联函数双峰结构才可以观测到.以上特性为QCD 相变边界和相变点研究提供了潜在的实验方法.

摘要： 利用多相输运模型(AMPT),相对论重离子碰撞中双强子方位角关联的碰撞系统尺寸依赖性得到了系统性研究.结果表明,"远侧"伴随粒子产额和关联结构具有明显的参与路径和部分子平均作用次数依赖性.从14N + 14N 到197Au+ 197Au 碰撞系统,劈裂参数和"远侧"关联函数方均根宽度随系统尺寸变大而变大.同时,"远侧"伴随粒子的平均横动量随碰撞系统尺寸变大呈现下降趋势.仅在碰撞系统尺寸足够大的情形下,"远侧"关联函数双峰结构才可以观测到.以上特性为QCD 相变边界和相变点研究提供了潜在的实验方法.

摘要： 利用多相输运模型(AMPT),相对论重离子碰撞中双强子方位角关联的碰撞系统尺寸依赖性得到了系统性研究.结果表明,"远侧"伴随粒子产额和关联结构具有明显的参与路径和部分子平均作用次数依赖性.从14N + 14N 到197Au+ 197Au 碰撞系统,劈裂参数和"远侧"关联函数方均根宽度随系统尺寸变大而变大.同时,"远侧"伴随粒子的平均横动量随碰撞系统尺寸变大呈现下降趋势.仅在碰撞系统尺寸足够大的情形下,"远侧"关联函数双峰结构才可以观测到.以上特性为QCD 相变边界和相变点研究提供了潜在的实验方法.

摘要： 利用多相输运模型(AMPT),相对论重离子碰撞中双强子方位角关联的碰撞系统尺寸依赖性得到了系统性研究.结果表明,"远侧"伴随粒子产额和关联结构具有明显的参与路径和部分子平均作用次数依赖性.从14N + 14N 到197Au+ 197Au 碰撞系统,劈裂参数和"远侧"关联函数方均根宽度随系统尺寸变大而变大.同时,"远侧"伴随粒子的平均横动量随碰撞系统尺寸变大呈现下降趋势.仅在碰撞系统尺寸足够大的情形下,"远侧"关联函数双峰结构才可以观测到.以上特性为QCD 相变边界和相变点研究提供了潜在的实验方法.

摘要： 利用多相输运模型(AMPT),相对论重离子碰撞中双强子方位角关联的碰撞系统尺寸依赖性得到了系统性研究.结果表明,"远侧"伴随粒子产额和关联结构具有明显的参与路径和部分子平均作用次数依赖性.从14N + 14N 到197Au+ 197Au 碰撞系统,劈裂参数和"远侧"关联函数方均根宽度随系统尺寸变大而变大.同时,"远侧"伴随粒子的平均横动量随碰撞系统尺寸变大呈现下降趋势.仅在碰撞系统尺寸足够大的情形下,"远侧"关联函数双峰结构才可以观测到.以上特性为QCD 相变边界和相变点研究提供了潜在的实验方法.

摘要： 本文将从QGP动力论出发,选择QGP中色场涨落为小量,采用一种逐级迭代求解的方法,得到QGP在这类扰动下偏离平衡而处于近平衡态的分布函数,进而从物理上分析文献中引入的偏离因子λ的物理内涵.

摘要： 本文将从QGP动力论出发,选择QGP中色场涨落为小量,采用一种逐级迭代求解的方法,得到QGP在这类扰动下偏离平衡而处于近平衡态的分布函数,进而从物理上分析文献中引入的偏离因子λ的物理内涵.

摘要： 一种等离子体蚀刻方法，包括：第1工序，在惰性气体的等离子体、即第1等离子体(PL1)中将基板(S)吸附于单极式静电卡盘(15)上之后，停止生成第1等离子体；和第2工序，在卤素类蚀刻气体的等离子体、即第2等离子体(PL2)中对基板(S)进行了蚀刻之后，停止生成第2等离子体。然后，在第1工序中，在从单极式静电卡盘(15)向基板(S)施加了正电压的状态下停止生成第1等离子体(PL1)，在第2工序中，在从单极式静电卡盘(15)向基板(S)施加了负电压的状态下停止生成第2等离子体(PL2)。

摘要： 在用氧化铝、稀土族氧化物、聚酰亚胺或聚苯并咪唑中任一种喷镀膜覆盖基材表面的等离子体处理容器内部部件的、随着在等离子体中使用而劣化的喷镀膜上，再喷镀与上述喷镀膜同样的材料。由此，能够使因在等离子体中的使用而表面产生劣化的等离子体处理容器再生得如同新品一样。

摘要： 这里所公开的是一种用于在等离子体室中生成等离子体的等离子体室设置方法。制备多个等离子体线圈，包括第一等离子体源线圈、第二等离子体源线圈和第三等离子体源线圈，该第二等离子体源线圈在其中心部分具有高于第一等离子体源线圈蚀刻速率的蚀刻速率，该第三等离子体源线圈在其边缘部分具有高于第一等离子体源线圈蚀刻速率的蚀刻速率。将第一等离子体源线圈设置在等离子体室上，并蚀刻测试芯片。对测试芯片的每个位置的蚀刻速率进行分析，并基于分析结果利用第二等离子体源线圈或第三等离子体源线圈代替第一等离子体源线圈。

摘要： 本发明涉及平面型等离子体诊断装置，其特征在于，包括：发送天线，用于向等离子体施加频率可变的微波；接收天线，用于从上述等离子体接收上述微波；以及本体部，以相互绝缘的方式包围上述发送天线与上述接收天线，上述发送天线的用于施加微波的上部面与上述接收天线的用于接收微波的上部面为平面型，上述发送天线与上述接收天线的上述上部面的侧面相互相向。

摘要： 一种等离子体蚀刻方法，包括：第1工序，在惰性气体的等离子体、即第1等离子体(PL1)中将基板(S)吸附于单极式静电卡盘(15)上之后，停止生成第1等离子体；和第2工序，在卤素类蚀刻气体的等离子体、即第2等离子体(PL2)中对基板(S)进行了蚀刻之后，停止生成第2等离子体。然后，在第1工序中，在从单极式静电卡盘(15)向基板(S)施加了正电压的状态下停止生成第1等离子体(PL1)，在第2工序中，在从单极式静电卡盘(15)向基板(S)施加了负电压的状态下停止生成第2等离子体(PL2)。

摘要： 本发明的目的在于提供使利用转动等离子体进行的等离子体处理稳定且可以控制、并可以提高等离子体处理质量的等离子体流生成方法、等离子体处理方法、等离子体发生装置和使用它的等离子体处理装置。4个象限（Z1～Z4）中的各频率被设定为7、15、6、20Hz。利用该频率可变，可以使被分割成4个的转动角区域中的等离子体的转动速度不同。由于等离子体（P2、P4）的周向转动速度比等离子体（P1、P3）快，所以可以照射边描绘圆轨道（C）边从等离子体（P1）到（P2）、（P3）、（PB4）周期性变速转动的转动等离子体，可以在第一象限（Z1）～第四象限（Z4）中实施均匀的成膜处理。

摘要： 等离子体处理装置(11)具有：从排气孔(13)向下方侧延伸的第一排气路(15)；与第一排气路(15)的排气方向的下游侧端部连接，在与第一排气路(15)垂直的方向上延伸，在相对于排气方向正交的断面上是宽度方向比上下方向长的横长断面形状的第二排气路(16)；与第二排气路(16)的排气方向的下游侧端部连接，在与第二排气路(16)垂直的方向上延伸的第三排气路(17)；与第三排气路(17)的排气方向的下游侧端部连接，对处理容器(12)内减压的泵(18)；设置在第二排气路(16)内，具有能够封闭第二排气路(16)，且对排气方向的上游侧与下游侧之间的压力进行调整的压力调整用阀板(20)的压力调整阀(21)；设置在第三排气路(17)内，具有进行第三排气路(17)的开闭的关闭阀板(22)的关闭阀(23)。

摘要： 在用氧化铝、稀土族氧化物、聚酰亚胺或聚苯并咪唑中任一种喷镀膜覆盖基材表面的等离子体处理容器内部部件的、随着在等离子体中使用而劣化的喷镀膜上，再喷镀与上述喷镀膜同样的材料。由此，能够使因在等离子体中的使用而表面产生劣化的等离子体处理容器再生得如同新品一样。

摘要： 本发明提供一种抑制了使用初期的微粒产生和其后的碎屑产生的等离子体处理装置用石英部件的加工方法、等离子体处理装置用石英部件和安装有该石英部件的等离子体处理装置。利用例如粒度为320～400#的磨料进行表面加工，除去在进行金刚石研磨以后在用作屏蔽环和聚焦环等的等离子体处理装置用石英部件151上产生的许多裂纹155。然后，再用小粒径的磨料进行表面加工，在维持能够附着并保持堆积物的凹凸的同时，去除破碎层163。

摘要： 根据本发明实施例的等离子体发生器设置为通过防止等离子体到电弧的转变以近大气压的压力产生高密度和稳定的等离子体。该等离子体发生器包括用于设置基板的板状下电极；以及在板状下电极上的圆柱旋转电极，其中圆柱旋转电极包括导电主体和绝缘屏蔽层，导电主体连接到电源且包括在导电主体的外圆周表面上的多个毛细管单元；绝缘屏蔽层由绝缘材料或电介质材料制成，暴露多个毛细管单元的下表面，并且屏蔽其它部分。